技術(shù)發(fā)展趨勢ppt課件

1、四、HIT技術(shù)三、反面鈍化技術(shù)二、選擇性發(fā)射極SE一、準(zhǔn)單晶技術(shù)概 述五、EWT技術(shù)六、激光轉(zhuǎn)印技術(shù)(LTP) 七、反響離子刻蝕RIE .準(zhǔn)單晶技術(shù)準(zhǔn)單晶技術(shù)簡介 在光伏行業(yè)迅速開展的今天，用于制造太陽能電池的晶體硅主要是采用直拉法的單晶硅及采用鑄錠技術(shù)的多晶硅。多晶硅鑄錠，投料量大、操作簡單、工藝本錢低，但電池轉(zhuǎn)換效率低、壽命短；直拉單晶硅轉(zhuǎn)換效率高，但單次投料少，操作復(fù)雜，本錢高。因此，怎樣將兩者合二為一、揚(yáng)長避短，就成了國內(nèi)外光伏企業(yè)競相研討的熱點(diǎn)和難點(diǎn)。在這種背景下，介于多晶硅和單晶硅之間的準(zhǔn)單晶逐漸進(jìn)入了人們的視野。 準(zhǔn)單晶主要有兩種鑄錠技術(shù)：1無籽晶鑄錠。無籽晶引導(dǎo)鑄錠工藝對晶核初

2、期生長控制過程要求很高。一種方法是運(yùn)用底部開槽的坩堝。這種方式的要點(diǎn)是精細(xì)控制定向凝固時的溫度梯度和晶體生長速度來提高多晶晶粒的尺寸大小，槽的尺寸以及冷卻速度決議了晶粒的尺寸，凹槽有助于增大晶粒。由于需求控制的參數(shù)太多，無籽晶鑄錠工藝顯得尤為困難。2有籽晶鑄錠。當(dāng)下量產(chǎn)的準(zhǔn)單晶技術(shù)大部分為有籽晶鑄錠。這種技術(shù)先把籽晶、硅料摻雜元素放置在坩堝中，籽晶普通位于坩堝底部，再加熱融化硅料，并堅(jiān)持籽晶不被完全融掉，最后控制降溫，調(diào)理固液相的溫度梯度，確保單晶從籽晶位置開場生長。 .準(zhǔn)單晶技術(shù)2. 國內(nèi)準(zhǔn)單晶技術(shù)開展現(xiàn)狀2021年3月28日，晶龍集團(tuán)宣布其旗下的東海晶澳太陽能科技消費(fèi)的“準(zhǔn)單晶鑄錠量產(chǎn)一號

3、錠順利下線，投資1.5億元的試量產(chǎn)一期工程曾經(jīng)有12臺準(zhǔn)單晶鑄錠爐投產(chǎn)，估計(jì)將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)65MW準(zhǔn)單晶硅錠，年銷售收入3億元。同時，投資4億元的二期200MW準(zhǔn)單晶硅鑄錠工程也正在實(shí)施中，2021年底達(dá)產(chǎn)后還將添加32臺準(zhǔn)單晶硅鑄錠爐，估計(jì)將實(shí)現(xiàn)年銷售收入10億元。2021年6月8日，晶澳公司在德國Intersolar展會上宣布其所研發(fā)的高效多晶電池“晶楓Maple正式啟動規(guī)模性量產(chǎn)。量產(chǎn)后的轉(zhuǎn)換效率平均可達(dá)17.5%，最高可到達(dá)18.2%。 近期中國最大的硅片企業(yè)保利協(xié)鑫也曾經(jīng)試用準(zhǔn)單晶技術(shù)勝利，估計(jì)待其準(zhǔn)單晶技術(shù)成熟后將大規(guī)模推行。 昱輝陽光于2021年1月14日報道：公司近日宣布已勝利研發(fā)

4、出一種名叫“Virtus Wafer的新型多晶硅硅片，該產(chǎn)品可以提高太陽能電池轉(zhuǎn)換效率至17.5%，較行業(yè)規(guī)范高出1%。硅片光致衰減率在0.1%左右，比單晶硅4%的衰減率低了一個數(shù)量級。 2021年7月8日，無錫尚品太陽能宣布其準(zhǔn)單晶消費(fèi)工藝實(shí)驗(yàn)勝利，其轉(zhuǎn)換效率在18%以上，利用率超越65%。 .準(zhǔn)單晶技術(shù)技術(shù)研發(fā)要點(diǎn)溫度梯度改良。針對熱場研發(fā)以改良溫度梯度，同時還要留意熱場維護(hù)；晶種制備。研討發(fā)現(xiàn)，準(zhǔn)單晶晶種制備方向?qū)⒊蟪〉姆较蜷_展；第三，準(zhǔn)確熔化控制。這一環(huán)節(jié)非常難以控制，它決議準(zhǔn)單晶能否可以穩(wěn)定生 產(chǎn)，因此需求一個與之對應(yīng)的精準(zhǔn)熔化控制設(shè)備。位錯密度。在很多消費(fèi)過程中，效率衰減總

5、是不可防止，為此把位錯密度控制到最低，是此項(xiàng)工藝的關(guān)鍵；邊角多晶控制，即合理有效控制邊角多晶的比例；鑄錠良率提升。目前良率大約在40%60%之間，還有待提高。準(zhǔn)單晶技術(shù)的前景 準(zhǔn)單晶術(shù)集合了單晶硅和多晶硅的優(yōu)點(diǎn)，將有助于降低太陽能發(fā)電本錢，促進(jìn)太陽能發(fā)電實(shí)現(xiàn)平價上網(wǎng)。因此，準(zhǔn)單晶技術(shù)正引領(lǐng)著光伏行業(yè)的新的風(fēng)向標(biāo)，其前景將非常寬廣。 .選擇性發(fā)射極SESE電池實(shí)現(xiàn)方案印刷磷槳云南師范 腐蝕出分散掩膜層南京中電直接印刷掩膜層schmid，centrotherm濕法腐蝕重分散層/等離子體刻蝕重擴(kuò)LDSE新南威爾士硅墨技術(shù)Innovalingt,OTB 其中， schmid直接印刷掩膜層再清洗的SE實(shí)

6、現(xiàn)方法技術(shù)成熟，目前在國內(nèi)曾經(jīng)被許多公司采用，包括尚德、英利等。.選擇性發(fā)射極SE 2. 直接印刷掩膜層技術(shù).選擇性發(fā)射極SE 噴掩膜機(jī)清洗機(jī).反面鈍化技術(shù) 反面鈍化技術(shù)就是在電池片的反面堆積鈍化膜，經(jīng)過添加少子壽命、減少復(fù)合，來提高電池片的效率。常見的鈍化膜有：氮化硅膜、氧化硅膜和氧化鋁膜，其中氧化鋁膜的反面鈍化效果最好。氧化鋁膜的制備方法有ALD、濺射和 PECVD 。其中PECVD由于高產(chǎn)能及廣泛運(yùn)用于市場，將是主要的氧化鋁制備方法。.HIT技術(shù)HIT電池構(gòu)造HIT 電池性能開路電壓： 729mV短路電流： 3.968A 電流密度：39.5mA/cm2填充因子：80.0%效率：23.0%

7、 電池尺寸：100.4cm22021年 三洋公司. HIT技術(shù)2. HIT電池制造流程. HIT技術(shù)2. HIT電池制備主要設(shè)備本征層及參雜層的制備TCO層的制備濺射法：磁控濺射、離子束濺射等；蒸發(fā)法：熱蒸發(fā)、離子束蒸發(fā)等；濺射法的工藝穩(wěn)定性好，制備薄膜的質(zhì)量也較好。. HIT技術(shù)ECRCVD HIT 堆積系統(tǒng).EWT技術(shù)EWT電池簡介 硅太陽電池是一種前結(jié)背接觸電池。它的 結(jié)依然位于電池的正面，以有利于提高載流子的搜集效率，經(jīng)過重分散或者鍍有金屬的孔目前用的最多的是激光打孔把電池正面發(fā)射區(qū)和反面部分發(fā)射區(qū)銜接在一同，將前外表發(fā)射區(qū)引入反面，實(shí)現(xiàn)把前后外表搜集的電子傳導(dǎo)到反面電極上，正負(fù)電極細(xì)

8、柵全部交叉陳列在電池反面，主柵陳列在電池反面的兩側(cè)。EWT電池的優(yōu)點(diǎn)添加了有效受光面積，故可以獲得較高的效率；可簡化光伏組件的封裝，使自動化消費(fèi)更容易實(shí)現(xiàn)；降低了反面的外表復(fù)合，因此可更好地提高電池性能；可實(shí)現(xiàn)從電池的前結(jié)和背結(jié)共同搜集電荷，故有很高的電荷搜集率。.EWT技術(shù). EWT技術(shù).激光轉(zhuǎn)印技術(shù)(LTP) 技術(shù)簡介 激光轉(zhuǎn)印技術(shù)，是相對于傳統(tǒng)絲網(wǎng)印刷技術(shù)，開展起來的一種新型印刷技術(shù)。不同于絲網(wǎng)印刷工藝，完全采用普通的漿料Ag或者Al漿在激光的作用下，將漿料均勻、準(zhǔn)確的按設(shè)計(jì)圖形高效地噴印在硅片外表，完成印刷工藝過程。 2. 設(shè)備外觀.激光轉(zhuǎn)印技術(shù)(LTP) 3. 任務(wù)原理 當(dāng)硅片到達(dá)激

9、光轉(zhuǎn)印位置時，在激光束的作用于不停轉(zhuǎn)動的帶有漿料的薄片上，受激光感應(yīng)的區(qū)域的漿料將噴印到硅片外表實(shí)現(xiàn)相應(yīng)圖案的印刷；可以更加高效地、延續(xù)的實(shí)現(xiàn)無接觸硅片的漿料印刷。 .激光轉(zhuǎn)印技術(shù)(LTP) 工藝優(yōu)點(diǎn)： 可以取代傳統(tǒng)的絲網(wǎng)印刷，不再頻繁地改換網(wǎng)板； 運(yùn)用普通的印刷漿料； 實(shí)現(xiàn)正面及反面的印刷，而且不用經(jīng)過烘干就可以實(shí)現(xiàn)背電極及鋁背場的延續(xù)印刷； 延續(xù)的鏈?zhǔn)讲僮?，無接觸高效率消費(fèi)，1500片/小時； 相比于傳統(tǒng)絲網(wǎng)印刷，非常低的消費(fèi)破損率。 .反響離子刻蝕RIE 1.技術(shù)簡介 RIE是干蝕刻的一種，這種蝕刻的原理是，當(dāng)在平板電極之間施加10100MHZ的高頻電壓RF，radio frequency時會產(chǎn)生數(shù)百微米厚的離子層ion sheath，在其中放入試樣，離