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文檔簡(jiǎn)介
1、GSM基礎(chǔ)簡(jiǎn)介1移動(dòng)通信概念移動(dòng)通信是通指雙方至少有一方在運(yùn)動(dòng)中進(jìn)行信息交換的一種通信方式。 移動(dòng)通信的發(fā)展史:2.1 最早的移動(dòng)通信是應(yīng)用于軍事通信,民用通信發(fā)展比較晚,早期的移動(dòng)通信是模擬制式,屬于模擬通信系流,由于模擬制式存在一些不可避免的缺點(diǎn):如容量小,語(yǔ)音清晰度不夠容易被竊機(jī).并機(jī),保密性不高等,慢慢地被數(shù)字系統(tǒng)所代替。其中有代表性的數(shù)字蜂窩包括歐洲的GSM,北美的ADC(1800MHz)和日本的PDC(1900MHz)在我國(guó)數(shù)字移動(dòng)通信系流主要采用歐洲的GSM制式。 2.2 GSM采用頻率為900MHZ它包括兩個(gè)25MHz帶寬的頻段(TX890-915MHz)和(RX935-965
2、MHz)接收和發(fā)射頻差為45MHz。 2.3為了擴(kuò)大容量GSM規(guī)范擴(kuò)展出一個(gè)分支DCS1800MHz的新工作頻段(TX1710-1785MHz)和(RX1805-1880MHz)及發(fā)頻差為95MHz。 3.移動(dòng)通信的發(fā)展過(guò)程和趨勢(shì): 3.1 頻段由短波.超短波到微波。目前主要是:150MHz-450MHz 900MHz 1800MHz頻段未來(lái)將擴(kuò)展到1-3GHz頻段。 3.2 頻段間隔由100MHz 50MHz 25MHz。 3.3 調(diào)制方式由模擬調(diào)幅到模擬調(diào)頻,再到數(shù)字調(diào)制。 3.4 多址方式由頻分多址(FDMA)到時(shí)分多址(TDMA)或碼分多址(CDMA)。 3.5 器件由電子管到晶體管到
3、大規(guī)模集成電路及微處理器。 GSM 900技術(shù)指標(biāo)1.發(fā)射頻2. 接收頻率 935960MHz 3. 收發(fā)頻差 45MHz 4. 信道 1124 5. 頻道間隔 200KHz 每載波信道數(shù)(時(shí)隙數(shù))8 7. 收發(fā)時(shí)差 3時(shí)隙 8. 調(diào)制速率 270.833Kb/s 9. 調(diào)制方式 0.3GMSK 1.Frame周期 4.615ms 11.時(shí)隙周期 576.9us 12.功率級(jí)別 519級(jí)(533dB)附:一 .移動(dòng)臺(tái)最大功率 2w(33dB) 二. 移動(dòng)臺(tái)最小功率 0.3W(5dB)GSM手機(jī)原理手機(jī)按功能分為三大部分:一 邏輯音頻部分;二射頻部分(包括接收和發(fā)射);三 輸入輸出接口部分一 基
4、帶部分1.1 基帶主要功能是程序數(shù)據(jù)的存儲(chǔ) DSP 鍵盤(pán)輸入和RX模塊之間的通訊,對(duì)TX功率的控制,對(duì)電原管理模塊的控制,SIM卡接口,串行下載接口, 人機(jī)界面(顯示. 背景燈. 蜂鳴器. 揚(yáng)聲器. 麥克風(fēng). 振子等)1.2 邏輯部分包括電擦寫(xiě)存儲(chǔ)器,閃速存儲(chǔ)器,隨機(jī)存儲(chǔ)器及語(yǔ)音處理器。12.1 邏輯部分工作時(shí),中央處理器通過(guò)串行數(shù)據(jù)線及時(shí)鐘線與電擦寫(xiě)存儲(chǔ)器通信,另一方面閃速存儲(chǔ)器及隨機(jī)存儲(chǔ)器與中央處理器通信是通過(guò)并行數(shù)據(jù)線及地址線進(jìn)行通信,中央處理器通過(guò)CS片選信號(hào)來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)flash和RAM進(jìn)行通信。12.2 片選信號(hào)包括有CSflash,CSRAM,CSROM這些信號(hào)平時(shí)為H電平,L電平時(shí)
5、有效。12.3 中央處理器還通過(guò)射頻部分的控制及取樣電路實(shí)現(xiàn)對(duì)射頻部分的鑒控:如通過(guò)Tx EN1 TxEN2 RxEN1 RxEN2信號(hào)實(shí)現(xiàn)控制,頻率合成器所需要產(chǎn)生不同的頻率。通過(guò)對(duì)顯示屏控制及數(shù)據(jù)信號(hào)LCDWR . LCDA2 . LCDEN實(shí)現(xiàn)顯示功能。GE303手機(jī)基本電路工作原理顯示電路由CPU IC7負(fù)責(zé)對(duì)顯示屏進(jìn)行控制主要通過(guò)DISPSCLK . DISPRS . DISPRST . DISPCS. DISPSID 等數(shù)據(jù)線來(lái)控制顯示屏的數(shù)據(jù)。2 背景燈電路 CPU IC7通過(guò)EL-EN信號(hào)控制T8導(dǎo)通和截止來(lái)達(dá)到背景燈的開(kāi)和關(guān)。3 鈴聲電路 CPU IC7通過(guò)YMU-SDOUT
6、 YMU-SCLK YMU-SYNC YMU-SID等數(shù)據(jù)線和對(duì)IC9,IC10進(jìn)行鈴聲控制。4 充電電路 當(dāng)充電器連接DC插孔時(shí),IC6(7)腳檢測(cè)到充電電壓,經(jīng)IC6內(nèi)部電路控制處理令T6導(dǎo)通對(duì)電池進(jìn)行充電,同時(shí)電池會(huì)反潰一個(gè)參考電壓給CPU,再由CPU通過(guò)IC2總線對(duì)充電進(jìn)行監(jiān)控,當(dāng)電池電量充滿時(shí),CPU會(huì)發(fā)出一個(gè)指令,令T6載止停止充電。開(kāi)機(jī)部分開(kāi)機(jī)的五大因素:1.3VCC2.RST 復(fù)位信號(hào)3.13MHz 基準(zhǔn)時(shí)鐘4.32.768K時(shí)鐘5.開(kāi)機(jī)軟件注:32.768K時(shí)鐘主要是CPU與EEPROM共用串行數(shù)據(jù)時(shí)鐘,如該時(shí)鐘不正常時(shí)會(huì)引起開(kāi)機(jī)軟件不能正常初始化。射頻本振工作原理IC1內(nèi)部
7、有一鎖相環(huán)電路以13MHz時(shí)鐘為基準(zhǔn)時(shí)鐘,根據(jù)邏輯部分送來(lái)的PLLON、CLK、DA、EN的數(shù)據(jù)控制線,在IC1(21)腳輸出一個(gè)控制電壓。本振X2-VCO在有供電及VCTL和VSW控制電壓的條件下開(kāi)始工作,從(3)腳輸出相應(yīng)的本振頻率,為確保該頻率的準(zhǔn)確性,取樣電路將頻率取樣送回IC1;在IC1內(nèi)有一鑒相器,通過(guò)比較取樣頻率是否等于所需頻率,如取樣頻率與所需的頻率有差異時(shí),頻率合成器會(huì)通過(guò)調(diào)整對(duì)本振VCO- VCTL的控制電壓而達(dá)到所需的頻率。發(fā)射部分來(lái)自邏輯音頻部分的發(fā)射基帶信號(hào)A、AX、B、BX從IC1的(8)、(9)、(10)、(11)腳輸入在IQ矢量調(diào)制器內(nèi)調(diào)制的發(fā)射中頻信號(hào)產(chǎn)生帶調(diào)
8、制的發(fā)射信號(hào),經(jīng)放大后在該模塊內(nèi)與發(fā)射中頻(發(fā)射信號(hào)與TX射頻本振混頻獲得)取樣進(jìn)行鑒相,產(chǎn)生的誤差電壓從IC1(25)腳控制發(fā)射VCO的發(fā)射頻率(其工作原理與射頻本振相同)。當(dāng)VCO產(chǎn)生正常的發(fā)射頻率后由于其功率太小,達(dá)到空中傳輸?shù)哪康?,所以該發(fā)射頻率會(huì)送到功率放大模塊進(jìn)行放大,經(jīng)放大的發(fā)射信號(hào)通過(guò)定向耦合器,得到發(fā)射功率取樣信號(hào),經(jīng)檢波二極管檢波后轉(zhuǎn)成直流電壓,該取開(kāi)機(jī)部分開(kāi)機(jī)的五大因素:1.3VCC2.RST 復(fù)位信號(hào)3.13MHz 基準(zhǔn)時(shí)鐘4.32.768K時(shí)鐘5.開(kāi)機(jī)軟件注:32.768K時(shí)鐘主要是CPU與EEPROM共用串行數(shù)據(jù)時(shí)鐘,如該時(shí)鐘不正常時(shí)會(huì)引起開(kāi)機(jī)軟件不能正常初始化。射
9、頻本振工作原理IC1內(nèi)部有一鎖相環(huán)電路以13MHz時(shí)鐘為基準(zhǔn)時(shí)鐘,根據(jù)邏輯部分送來(lái)的PLLON、CLK、DA、EN的數(shù)據(jù)控制線,在IC1(21)腳輸出一個(gè)控制電壓。本振X2-VCO在有供電及VCTL和VSW控制電壓的條件下開(kāi)始工作,從(3)腳輸出相應(yīng)的本振頻率,為確保該頻率的準(zhǔn)確性,取樣電路將頻率取樣送回IC1;在IC1內(nèi)有一鑒相器,通過(guò)比較取樣頻率是否等于所需頻率,如取樣頻率與所需的頻率有差異時(shí),頻率合成器會(huì)通過(guò)調(diào)整對(duì)本振VCO- VCTL的控制電壓而達(dá)到所需的頻率。發(fā)射部分來(lái)自邏輯音頻部分的發(fā)射基帶信號(hào)A、AX、B、BX從IC1的(8)、(9)、(10)、(11)腳輸入在IQ矢量調(diào)制器內(nèi)調(diào)
10、制的發(fā)射中頻信號(hào)產(chǎn)生帶調(diào)制的發(fā)射信號(hào),經(jīng)放大后在該模塊內(nèi)與發(fā)射中頻(發(fā)射信號(hào)與TX射頻本振混頻獲得)取樣進(jìn)行鑒相,產(chǎn)生的誤差電壓從IC1(25)腳控制發(fā)射VCO的發(fā)射頻率(其工作原理與射頻本振相同)。當(dāng)VCO產(chǎn)生正常的發(fā)射頻率后由于其功率太小,達(dá)到空中傳輸?shù)哪康模栽摪l(fā)射頻率會(huì)送到功率放大模塊進(jìn)行放大,經(jīng)放大的發(fā)射信號(hào)通過(guò)定向耦合器,得到發(fā)射功率取樣信號(hào),經(jīng)檢波二極管檢波后轉(zhuǎn)成直流電壓,該取樣信號(hào)送到比較器IC4與發(fā)射功率控制信號(hào)PA LEVEL進(jìn)行比較,比較的結(jié)果為直流電壓,該電壓送到功率模塊作為功放偏置電壓調(diào)整功放的放大率GE303、306、506、508維修資料RF射頻框通話失敗檢測(cè)框
11、圖 無(wú)信號(hào)檢測(cè)框圖GE303306原理1. 基帶主要功能程序數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),DSP,鍵盤(pán)輸入,和RF 模塊之間通訊(采用串口),對(duì)RF 功率的控制,對(duì)電源管理模塊的控制,SIM 卡接口,串行下載接口,MMI(人機(jī)界面,如LCM 顯示,背光燈,蜂鳴器、揚(yáng)聲器,麥克風(fēng),馬達(dá)等)。2. 開(kāi)關(guān)機(jī)電路本型號(hào)手機(jī)由于采用由Infineon 提供的高度集成基帶芯片E-GOLD PLUS (IC7),開(kāi)關(guān)機(jī)原理比較簡(jiǎn)單。手機(jī)開(kāi)機(jī)的必備條件:E-POWER 輸出的正常工作電壓,13MHZ 的時(shí)鐘頻率,開(kāi)機(jī)軟件,開(kāi)機(jī)復(fù)位信號(hào),32.768KHZ 的實(shí)時(shí)時(shí)鐘信號(hào)。關(guān)機(jī)過(guò)程也是由軟件來(lái)控制。在遇到開(kāi)不了機(jī)的情況時(shí),就應(yīng)注
12、意上面提及的供電電路,另外13MHZ 時(shí)鐘和32.768KHZ 的時(shí)鐘相關(guān)電路也該查查,否則就有可能是E-GOLD (IC7)或FLASH(IC8)損壞。涉及的主要器件: IC7 E-GOLD+ 與閃存進(jìn)行通信調(diào)用程序控制開(kāi)機(jī)FLASH 存儲(chǔ)器存放軟件 IC6 E-POWER 提供手機(jī)工作的各路電壓和對(duì)電池充電的控制 XTAL1 提供32.768KHZ 的時(shí)鐘信號(hào) X1 13M 時(shí)鐘晶體產(chǎn)生13MHZ 時(shí)鐘頻率3.顯示電路LCD 通過(guò)FPC 與主板相連接,由E-GOLD IC7 負(fù)責(zé)對(duì)顯示屏進(jìn)行顯示控制,控制及數(shù)據(jù)信號(hào)包括:V3V,DISP_SCLK,DISP_RS,DISP_RST,DISP
13、_CS,DISP_SID,其中DISP_SCLK 是時(shí)鐘信號(hào),DISP_RST 是復(fù)位信號(hào),DISP_SID 是數(shù)據(jù)線,DISP_CS是片選信號(hào),E-GOLD IC7 通過(guò)這些數(shù)據(jù)線來(lái)控制顯示屏的顯示內(nèi)容。LCD 顯示部分接口原理請(qǐng)參見(jiàn)整機(jī)電原理圖。4. 充電電路該手機(jī)支持開(kāi)機(jī)和關(guān)機(jī)兩種狀態(tài)充電。當(dāng)外部有充電器接到DC 插孔(J3)時(shí),會(huì)被E-POWER 的管腳7 檢測(cè)到。手機(jī)處于正常充電模式時(shí),E-POWER 的T2 導(dǎo)通,此時(shí)集電極為低電平,從而使場(chǎng)效應(yīng)管T1 導(dǎo)通,于是經(jīng)過(guò)充電器轉(zhuǎn)換的直流電壓開(kāi)始給電池充電。BATTERY 通過(guò)反饋電池電壓給E-GOLD (IC7),E-GOLD 通過(guò)I
14、2C 總線對(duì)電池實(shí)現(xiàn)監(jiān)控,若電池充滿E-GOLD 就將T2基極變?yōu)榈碗娖?,從而?dǎo)致場(chǎng)效應(yīng)管截止,停止充電。當(dāng)手機(jī)處于預(yù)充電模式下,即電池電壓過(guò)低(3V)(低于手機(jī)軟件可以運(yùn)行的電壓,這種情況常出現(xiàn)在電池儲(chǔ)藏時(shí)間過(guò)長(zhǎng)或者過(guò)度放電),此時(shí)直接通過(guò)T3 給電池小電流充電,直到電池電壓升高到軟件可以運(yùn)行,然后再轉(zhuǎn)到正常充電模式進(jìn)行充電。關(guān)機(jī)充電和開(kāi)機(jī)充電原理相同,只是在關(guān)機(jī)狀態(tài)下,E-GOLD 未執(zhí)行其它程序,使手機(jī)仍處于關(guān)機(jī)狀態(tài)。充電原理 IC6 電源管理芯片控制充電和提供手機(jī)各電路正常的工作電壓 D2 二極管單相導(dǎo)通得到電平,反向保護(hù)電池放電 T1 場(chǎng)效應(yīng)管工作在導(dǎo)通狀態(tài),實(shí)現(xiàn)充電,且由其柵極控制
15、充電電流。另外,電池溫度和電壓是通過(guò)電池連接器J2 反饋的,充電故障也有可能出現(xiàn)在接口。5. SIM 卡接口電路該機(jī)型手機(jī)僅支持為3V SIM 卡,在開(kāi)機(jī)時(shí),E-GOLD 與SIM 卡通信的各輸出腳(CCIO、CCCLK、CCRST)送出脈沖信號(hào),在插入SIM 卡開(kāi)機(jī)后,SIM 卡收到E-GOLD的脈沖信號(hào)后,作出回應(yīng),E-GOLD 收到響應(yīng)信號(hào)后,確認(rèn)SIM 卡的存在,開(kāi)始與SlM 卡進(jìn)行通信,進(jìn)行用戶鑒權(quán)等有關(guān)SlM 卡的操作. SIM 卡接口電路電路較為簡(jiǎn)單,請(qǐng)參考原理圖.6. 邏輯及數(shù)字信號(hào)處理部分電路該手機(jī)集成度高,已將MCU 和DSP 集成在一塊IC7 芯片PMB6850 上,所以
16、邏輯部分電路只包括E-GOLD 和FLASH;MCU 通過(guò)CS 信號(hào)來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)IC8 進(jìn)行通信。MCU 還通過(guò)對(duì)射頻部分的控制及取樣電路實(shí)現(xiàn)對(duì)射頻部分的監(jiān)控;通過(guò)CLK、DA、EN 信號(hào)實(shí)現(xiàn)控制PLL 所需產(chǎn)生不同的頻率;通過(guò)顯示屏控制及數(shù)據(jù)信號(hào)實(shí)現(xiàn)顯示屏的顯示功能;此外在E-GOLD 中的DSP,實(shí)現(xiàn)將模擬聲音信號(hào)通過(guò)信道編碼、加密、GMSK 調(diào)制、模數(shù)轉(zhuǎn)換得到數(shù)字信號(hào),和將接收電路接收的信號(hào)經(jīng)過(guò)數(shù)模轉(zhuǎn)換、解調(diào)、解密、解碼得到可以聽(tīng)到的聲音信號(hào),從而完成數(shù)字信號(hào)處理。7. 人機(jī)接口電路該電路主要包括麥克風(fēng)、喇叭、蜂鳴器、耳機(jī)、振動(dòng)馬達(dá)、LCD、背光燈。8. 射頻原理框圖射頻部分完成的功能簡(jiǎn)單來(lái)
17、說(shuō),就是無(wú)線數(shù)據(jù)收發(fā),即和基站之間進(jìn)行數(shù)據(jù)通訊,它由接收和發(fā)射兩部分電路組成。360MHzPMB6253ICAntennaSwitchIC濾波器混頻放大AntennaE-GOLDI/Q RXI/Q TXEN,CLK,PLLON,PUPLO2TXON,TXONPA射頻原理框圖9 接收電路原理框圖從圖中我們可以看出,接收電路主要是由天線,天線開(kāi)關(guān),GSM900 濾波器及其匹配電路(以BPF2 為中心),GSM1800 濾波器及及其匹配電路匹配(以BPF3 為中心),接收部分的中頻濾波器及匹配(以BPF1 為中心), PMB6253 的部分功能模塊(LNA、MIXER、PGC、I-Q 解調(diào)器)和前端
18、切換邏輯(T3、T4 構(gòu)成)共同組成。接收電路將接收到925960MHZ 或18051880MHZ高頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為67.768KHZ 模擬基帶信號(hào)到IC7 中進(jìn)行數(shù)字信號(hào)處理。10. 發(fā)射電路原理框圖發(fā)射電路包括調(diào)制、帶通濾波、發(fā)射混頻、發(fā)射壓控振蕩器VCO、功率放大、功率控制等電路,它將模擬基帶信號(hào)上變頻為880915MHZ 或17101785MHZ 的高頻信號(hào),并進(jìn)行功率放大,從天線發(fā)射出去。其工作流程大體與接收電路相反。由E-GOLD 輸出的四路模擬基帶信號(hào)(ITXP、ITXN、QTXP、QTXN)到SMARTI+經(jīng)過(guò)調(diào)制得到424MHZ/428MHz 的中頻信號(hào), 進(jìn)行濾波混頻后產(chǎn)生88
19、0915MHZ/17101785 的高頻信號(hào),接著將高頻信號(hào)送到功率放大器進(jìn)行放大,放大增益是由一閉環(huán)電路控制。放大后的信號(hào)經(jīng)由天線開(kāi)關(guān)通過(guò)天線發(fā)射出去。涉及的主要器件有: PMB6253 收發(fā)器調(diào)制、混頻 TX VCO 壓控振蕩器產(chǎn)生雙頻高頻信號(hào)EGSM(880915M)DCS(17101785M) RF VCO 壓控振蕩器產(chǎn)生混頻所需的雙頻信號(hào)EGSM(13141339M)DCS(12861361M)CX77304 功率放大器放大已調(diào)載波信號(hào)11. 前端切換邏輯圖在發(fā)送和接收的控制過(guò)程中,前端切換邏輯必不可少,它的模型如下圖所示。4.6 RF VCO測(cè)試條件:常發(fā)模式下設(shè)定信道為62 PO
20、WER LEVEL 10 GMSK NORMAL測(cè)試點(diǎn): RF VCO 的輸出腳和電容C13 上的電壓RF VCO(X2)的頻率是被管腳6(VCTL)控制的。控制電壓的范圍是+0.8V到+2.25V,在管腳3(OUT)上的輸出是03dBm。管腳1(VSW)是波段選擇開(kāi)關(guān)。低頻信號(hào)是EGSM900,高頻信號(hào)是DCS1800。12. 維修示例故障現(xiàn)象: 不能下載程序故障分析:下載的通路可能有問(wèn)題,即電原理圖上從MIC2、EP2 到E-GOLD上的RXD0、TXD0 之間的下載通路。但檢查發(fā)現(xiàn)該電路正常。 TCXO(13MHz 參考時(shí)鐘)是否工作正常,檢查發(fā)現(xiàn)13Mhz 沒(méi)有輸出且其工作電壓(2.8
21、V)也沒(méi)有,于是查E-POWER 的VCC-VCXO 發(fā)現(xiàn)其沒(méi)有輸出,吹焊E-POWER 后,重新下載程序成功。故障現(xiàn)象: 開(kāi)機(jī)后找不到網(wǎng)絡(luò)故障分析:開(kāi)機(jī)后找不到網(wǎng)絡(luò)的原因較多,但大致可以按收發(fā)電路兩條主線去找原因。且在通常情況下發(fā)射電路出現(xiàn)故障的概率要大的多。且發(fā)射部分主要檢查PLL、PA 和天線開(kāi)關(guān)。有關(guān)這些部分的電路資料請(qǐng)參閱前面RF 部分的原理介紹。此處僅介紹一實(shí)例。在綜測(cè)儀上用手機(jī)建立呼叫時(shí),發(fā)現(xiàn)手機(jī)的工作電流只有4OmA 左右(在穩(wěn)壓電源的面板上觀察),此應(yīng)該是手機(jī)的PA 沒(méi)有工作。重新焊接后能建立呼叫,但又發(fā)現(xiàn)各個(gè)等級(jí)功率不正常,檢查PA 的控制回路,發(fā)現(xiàn)檢波二極管D1 反向電阻
22、很小,更換后重新建立呼叫,輸出功率恢復(fù)正常。GE303306校準(zhǔn)測(cè)試故障表:NO代碼故障現(xiàn)象故障原因1000不能連接IC1壞,IC6壞,IC7壞,IC8壞,IC7虛焊,X1壞,重測(cè),重新下載IC3壞,IC4壞,IC5壞,IC壞,IC7壞,IC7虛焊,IC7短路,IC11掉,6短路,2009數(shù)模轉(zhuǎn)換6(片位)掉,R1壞,R33壞,RF頭接觸不良,BPF2壞,X1壞,X14銅片掉,C72與C74短路C117短路,XTAL1壞,電源至R33開(kāi)路3006自動(dòng)頻率IC4虛焊,IC8虛焊,X1壞,D1壞,重新校準(zhǔn).4100清除連接IC3壞,IC4壞,X4壞,J3壞,RF頭壞,重胸下載,重新校準(zhǔn).5102溫
23、度偏移IC1壞.105不能建立通話C60短路、X2、.C8錯(cuò)位6400頻率誤差X1壞,IC1壞,IC1虛焊,IC3壞,IC4壞,T4壞,X4壞,RF頭壞,XTAL1壞.7401相位誤差(最大值)IC1壞,IC3壞,IC5壞,IC7壞,X1壞,X2壞.8402相位誤差(最小值)IC1壞,X3壞,X4壞,RF頭壞9201GSM.TX powerIC1壞,IC3壞,IC4壞,IC5壞,X3壞,X4壞,D1壞,T3壞,R24壞,C46虛焊,重測(cè)重新校準(zhǔn),重新下載10204GSM.TX power-lowIC3壞,IC4壞,IC5壞,IC8壞,X4壞,RF頭壞,重測(cè),重新校準(zhǔn).11601GSM.發(fā)射電流
24、最高IC3壞,IC4壞,IC5壞,IC5短路,IC9壞,D1壞,D2壞,T6壞,重測(cè).12205GSM.TX power-hiIC3壞,IC4壞,IC5壞,重測(cè),重新下載,重新校準(zhǔn).13602GSM.發(fā)射電流最低IC3壞,IC4壞,IC5壞,IC5短路,D1壞.14301GSM.TX power 接收電平X1壞,R168掉,R168虛焊,BPF2壞.15410DCS.頻率誤差I(lǐng)C1壞,IC1虛焊,IC3壞,IC7壞,X1壞,X2壞,X3壞,X4壞,BPF3壞,R43焊反.16411DCS.頻率誤差(最大值)重測(cè)17412DCS.頻率誤差(最小值)IC1壞,IC3壞.18211DCS.TX po
25、werIC3壞,IC4壞,IC5壞,X3壞,X4壞,RF頭壞,R43壞.19214DCS.TX power-lowIC3壞,IC4壞,IC5壞,X3壞.20610DCS.發(fā)射電流最高IC1壞,IC3壞,X3壞,X4壞,D1壞.21215DCS.TX power-hiIC3壞,IC4壞IC5壞,X4壞,RF頭壞,重新校準(zhǔn),重新下載.22311DCS.RX.pwr 接收電平IC1壞,IC1虛焊,IC3壞,BPF2壞,X4壞,R168壞,重測(cè).23611DCS.發(fā)射電流最低CPUFLASH連線圖 CPU CPUA4D7A4D7A6F4A6F4A7D9A7D9A8E8A8E8A9C8A9C8A10E7
26、A10E7A12C3A12C3A13E3A13E3A14H2A14H2B4E6B4E6B6E4B6E4B7G9B7G9B8F8B8F8B9D8B9D8B10F7B10F7B12C7B12C7B13D3B13D3C7C6C7C6C8K8C8K8C9J7C9J7C10J4C10J4C11K3C11K3C12J8C12J8C13G7C13G7C14F3C14F3C15D2C15D2D7H3D7H3D9H8D9H8D10K5D10K5D11H4D11H4D12K7D12K7D13H6D13H6D14E2D14E2D15F2D15F2E11E9E11E9E12H5E12H5E13K4E13K4F12G4F12G4F13J3F13J3F14G2F14G2F15C4F15C4P3D5P3D5GE618維修軟件使用說(shuō)明PC Tools使用說(shuō)明1.本PC Tools程序包含了PC端通過(guò)串口與手機(jī)通信的一系列操作,包括下載程序, NVRAM數(shù)據(jù)讀寫(xiě),手機(jī)設(shè)置和有關(guān)射頻方面的操作等。下面簡(jiǎn)要介紹一下操作:2.工具項(xiàng)左邊的工具條上表示了各個(gè)功能的界面。右邊工具條表示通用選項(xiàng),包括串口選擇,波段選擇,以及串口初始化按鈕,進(jìn)入測(cè)試模式按鈕,和PreparePhase按鈕。測(cè)試模式按鈕和PreparePhase按鈕只在做射頻方面的操作時(shí)使用。2.1點(diǎn)擊工
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