擴(kuò)散工藝培訓(xùn)課件

1、擴(kuò)散工藝工藝技術(shù)部高勇Summary電池工作原理擴(kuò)散原理Tempress擴(kuò)散爐異常情況Summary電池工作原理晶體硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)工序制絨擴(kuò)散刻蝕去PSGPECVD印刷燒結(jié)分檢入庫(kù)發(fā)電原理示意圖當(dāng)用適當(dāng)波長(zhǎng)的光照射非均勻半導(dǎo)體(pn結(jié)等)時(shí)，由于內(nèi)建電場(chǎng)的作用，半導(dǎo)體內(nèi)部產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)（光生電壓）；如將pn結(jié)短路，則會(huì)出現(xiàn)電流（光生電流）。這種由內(nèi)建電場(chǎng)引起的光電效應(yīng)，稱為光生伏特效應(yīng)。太陽(yáng)能發(fā)電利用了光射入半導(dǎo)體時(shí)引起的光生伏特效應(yīng)。當(dāng)太陽(yáng)光照射到電池片正表面時(shí)，光子會(huì)透過(guò)減反射膜，照射到硅表面，導(dǎo)帶電子吸收了光子能量后被激發(fā)，躍遷成為自由電子，留下一個(gè)帶正電的空位形成空穴。電子和空穴在內(nèi)建

2、電場(chǎng)的作用下分別向PN結(jié)的兩端運(yùn)動(dòng)，形成光電流，兩種電荷聚集在PN結(jié)兩端形成了電位差。此時(shí)在PN結(jié)兩端加上負(fù)載，便會(huì)形成回路，有電流通過(guò)負(fù)載。擴(kuò)散原理PN結(jié)的作用這就是太陽(yáng)能電池的發(fā)電原理，PN結(jié)起電源的作用。擴(kuò)散原理在一塊本征半導(dǎo)體的兩側(cè)通過(guò)擴(kuò)散不同的雜質(zhì),分別形成N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體。在P型半導(dǎo)體中有許多帶正電荷的空穴和帶負(fù)電荷的電離雜質(zhì)。在電場(chǎng)的作用下，空穴是可以移動(dòng)的，而電離雜質(zhì)（離子）是固定不動(dòng)的。N型半導(dǎo)體中有許多可動(dòng)的負(fù)PN結(jié)的形成電子和固定的正離子。當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體接觸時(shí)，在界面附近空穴從P型半導(dǎo)體向N型半導(dǎo)體擴(kuò)散，電子從N型半導(dǎo)體向P型半導(dǎo)體擴(kuò)散?？昭ê碗娮酉嘤龆鴱?fù)合，載

3、流子消失。因此在界面附近的結(jié)區(qū)中有一段距離缺少載流子，卻有分布在空間的帶電的固定離子，稱為空間電荷區(qū)。擴(kuò)散原理在空間電荷區(qū)，由于缺少多子，所以也稱耗盡層。因濃度差，多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，由雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū)，空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場(chǎng)，內(nèi)電場(chǎng)促使少子漂移內(nèi)電場(chǎng)阻止多子擴(kuò)散，最后多子的擴(kuò)散和少子的漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的結(jié)合面兩側(cè)，留下離子薄層，這個(gè)離子薄層形成的空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。PN結(jié)的內(nèi)電場(chǎng)方向由N區(qū)指向P區(qū)。PN結(jié)的形成擴(kuò)散原理PN結(jié)的正向?qū)ㄐ援?dāng)P-N結(jié)正向連接時(shí)，PN結(jié)正向電阻很小，通過(guò)PN結(jié)的正向電流很大，這是由于外加電場(chǎng)在PN結(jié)中所產(chǎn)生的電場(chǎng)方向相反，空間電荷區(qū)變窄

4、。P區(qū)的空穴和N區(qū)的電子再這個(gè)外加的電場(chǎng)的作用下不斷地流過(guò)PN結(jié)，使它的電阻大大降低,電流很容易通過(guò)。若外加電壓繼續(xù)上升，則自建電場(chǎng)被減弱和抵消，所以正向電流隨著外加正向電壓的增加而逐漸上升。PN結(jié)的特性擴(kuò)散原理PN結(jié)的反向截止性當(dāng)P-N結(jié)反向連接時(shí)，P-N結(jié)呈現(xiàn)很大的電阻，通過(guò)P-N結(jié)中的電流很小。這是由于外加電池在P-N結(jié)中所產(chǎn)生的電場(chǎng)方向用P-N結(jié)自建電場(chǎng)方向相同。電場(chǎng)變強(qiáng)，空間電荷區(qū)變厚，阻止電子和空穴流通，從而電流很難流過(guò)。這就是反方向連接的電流很小的原因。PN結(jié)的特性擴(kuò)散原理擴(kuò)散關(guān)于擴(kuò)散車間潔凈度：硅片的擴(kuò)散是一種半導(dǎo)體摻雜過(guò)程，各種形式的污染都將嚴(yán)重影響成品率和可靠性。生產(chǎn)中的污

5、染，除了由于化學(xué)藥劑不純、氣體純化不良、去離子質(zhì)量不佳引入之外，環(huán)境中的塵埃、雜質(zhì)及有害氣體、工作人員、設(shè)備、工具、日用雜品等引入的塵埃、毛發(fā)、皮屑、油脂、手汗、煙霧等都是重要污染來(lái)源。所以潔凈技術(shù)是半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中的一項(xiàng)重要技術(shù)。SRPV的擴(kuò)散間凈化等級(jí)為10000級(jí)（即每立方米0.5um以上直徑微粒小于35w個(gè))，與外通道及其他車間保持3pa正壓。擴(kuò)散是一種高溫制程，是常規(guī)硅太陽(yáng)電池工藝中，形成PN結(jié)的主要方法。擴(kuò)散是一種由熱運(yùn)動(dòng)所引起的雜質(zhì)原子和基體原子的輸運(yùn)過(guò)程，將摻雜雜質(zhì)沉積到硅片表面，由于熱運(yùn)動(dòng)，原子從一個(gè)位置運(yùn)動(dòng)到另一個(gè)位置，基體原子與雜質(zhì)原子不斷地相互混合，從而改變基片表面

6、層雜質(zhì)摻雜。在以硅為底材的半導(dǎo)體制程中,主要有兩種不同形態(tài)的Dopant：P-type,N-type。擴(kuò)散的目的在于控制PN結(jié)的性能，半導(dǎo)體中特定區(qū)域內(nèi)雜質(zhì)的類型、濃度、深度。擴(kuò)散原理擴(kuò)散擴(kuò)散機(jī)制擴(kuò)散原理空位擴(kuò)散填隙擴(kuò)散替位填隙擴(kuò)散 直接交換環(huán)形交換acdeb磷在硅中的擴(kuò)散機(jī)制分為空位式擴(kuò)散和替位填隙式擴(kuò)散。在高溫情況下，硅原子在其平衡位置附近振動(dòng)。當(dāng)某一原子偶然地獲得足夠的能量而離開晶格位置，成為一個(gè)填隙原子，同時(shí)產(chǎn)生一個(gè)空位。當(dāng)鄰近的原子向空位遷移時(shí)，這種機(jī)理稱為空位擴(kuò)散。假如填隙原子從一處移向另一處而并不占據(jù)晶格位置，則稱為填隙擴(kuò)散。一個(gè)比主原子小的原子通常做填隙式運(yùn)動(dòng)。擴(kuò)散原理多晶擴(kuò)散

7、的一般步驟分為：升溫 氧化 預(yù)沉積 再分布 氧化 吸雜（黑字步驟不可缺少）升溫：將爐管內(nèi)溫度升到工藝需要的溫度；氧化：減少死層影響，提高表面鈍化；預(yù)沉積：在硅片表面進(jìn)行雜質(zhì)的沉積；再分布：表面沉積的雜質(zhì)向硅片內(nèi)部擴(kuò)散；吸雜：將多晶硅片內(nèi)部的金屬雜質(zhì)分凝并吸除，減少少子復(fù)合。POCL3擴(kuò)散步驟擴(kuò)散原理氧化的作用透過(guò)氧化層進(jìn)行擴(kuò)散，可以減少高濃度淺結(jié)擴(kuò)散中造成的晶格損傷（晶格缺陷和失配），從而減少死層的影響，使電池的短波響應(yīng)提高，使得Voc和Isc提高，故而提高效率。二氧化硅膜對(duì)雜質(zhì)的掩蔽作用：由于硼、磷、砷、銻等雜質(zhì)，在二氧化硅中的擴(kuò)散速度比在硅中慢得多，所以這些雜質(zhì)可以利用一定厚度的二氧化硅膜

8、作為擴(kuò)散時(shí)的掩蔽膜。此原理可以用來(lái)設(shè)計(jì)SE電池。擴(kuò)散原理影響氧化的因素襯底摻雜雜質(zhì)濃度：雜質(zhì)會(huì)增強(qiáng)氧化速率；壓力影響：壓力增大，氧化速率增大；溫度：溫度升高，氧化速率增大；氧化方式：方式不一樣，速率也會(huì)有差異，如濕氧氧化比干氧氧化快得多；原有氧化層厚度：氧化所需要的氧需要穿透先前生長(zhǎng)的氧化層才能到達(dá)硅表面與硅反應(yīng)形成SiO2 。擴(kuò)散原理擴(kuò)散的過(guò)程擴(kuò)散原理擴(kuò)散的雜質(zhì)源是由N2通過(guò)源瓶將POCL3蒸汽帶入擴(kuò)散爐而引入的；在高溫（600）下，POCl3分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5），其反應(yīng)式如下：生成的P2O5在擴(kuò)散溫度下與硅反應(yīng)，生成二氧化硅（SiO2）和磷原子，其反應(yīng)式如下

9、：擴(kuò)散的過(guò)程擴(kuò)散原理由上面反應(yīng)式可以看出，POCl3熱分解時(shí)，如果沒有外來(lái)的氧（O2）參與其分解是不充分的，生成的PCl5是不易分解的，并且對(duì)硅有腐蝕作用，破壞硅片的表面狀態(tài)。但在有外來(lái)O2存在的情況下，PCl5會(huì)進(jìn)一步分解成P2O5并放出氯氣（Cl2）其反應(yīng)式如下：生成的P2O5又進(jìn)一步與硅作用，生成SiO2和磷原子，由此可見，在磷擴(kuò)散時(shí)，為了促使POCl3充分的分解和避免PCl5對(duì)硅片表面的腐蝕作用，必須在通氮?dú)獾耐瑫r(shí)通入一定流量的氧氣。擴(kuò)散的過(guò)程擴(kuò)散原理在有氧氣的存在時(shí)，POCl3熱分解的反應(yīng)式為： POCl3分解產(chǎn)生的P2O5淀積在硅片表面，P2O5與硅反應(yīng)生成SiO2和磷原子，并在硅

10、片表面形成一層磷硅玻璃，然后磷原子再向硅中進(jìn)行擴(kuò)散。用擴(kuò)散工藝制作太陽(yáng)能電池的PN結(jié)時(shí)需要進(jìn)行兩步擴(kuò)散，即預(yù)沉淀和再分布。這兩種擴(kuò)散方式的不同之處在于擴(kuò)散是表面源不同。前者屬于恒定表面源擴(kuò)散，后者屬于限定表面源擴(kuò)散，擴(kuò)散后，雜質(zhì)在硅片中的分布不同。擴(kuò)散的過(guò)程擴(kuò)散原理整個(gè)擴(kuò)散過(guò)程中，硅片表面濃度保持不變；這類擴(kuò)散的特點(diǎn)是:在整個(gè)擴(kuò)散過(guò)程中，硅片表面始終暴露在具有恒定而均勻的雜質(zhì)源的氣氛中。這種分布曲線的特點(diǎn)是：硅片表面雜質(zhì)濃度始終不變,它與時(shí)間無(wú)關(guān),只與擴(kuò)散的雜質(zhì)和擴(kuò)散的溫度有關(guān)。硅片內(nèi)部的雜質(zhì)濃度則隨時(shí)間增加而增加隨距離增加而減少。恒定表面濃度擴(kuò)散（Predeposition）擴(kuò)散原理雜質(zhì)源限

11、定在硅片表面薄的一層；這類擴(kuò)散的特點(diǎn)是：在整個(gè)擴(kuò)散過(guò)程中，硅片內(nèi)的雜質(zhì)總量保持不變，沒有外來(lái)雜質(zhì)補(bǔ)充，只依靠擴(kuò)散前在硅片表面上已淀積的那一薄層內(nèi)有限數(shù)量的雜質(zhì)原子，向硅片體內(nèi)擴(kuò)散。隨著擴(kuò)散時(shí)間的增長(zhǎng)，表面雜質(zhì)濃度不斷下降，并不斷地向內(nèi)部推進(jìn)擴(kuò)散，這時(shí)表面雜質(zhì)深度都發(fā)生了變化。 限定源擴(kuò)散（Drive-in）擴(kuò)散原理多晶硅中鐵、銅、鎳等重金屬雜質(zhì)含量很高，這些雜質(zhì)形成深能級(jí)，成為少數(shù)載流子的復(fù)合中心，影響了少子壽命和太陽(yáng)電池的電性能。通常采用吸雜來(lái)提高硅片的鈍化，吸雜是把金屬雜質(zhì)束縛在預(yù)先設(shè)置好的區(qū)域來(lái)降低它們?cè)谄骷ぷ鲄^(qū)的濃度的一種方法。吸雜的溫度、冷卻速度、吸雜的時(shí)間、硅中碳氧含量、金屬雜質(zhì)

12、的含量及類型、位錯(cuò)密度和微缺陷是吸雜效率的重要影響因素。金屬雜質(zhì)除了以間隙位、替代位形式存在外，易在多晶硅生長(zhǎng)過(guò)程中同其它雜質(zhì)和缺陷形成高結(jié)合能的復(fù)合物，通過(guò)吸雜也無(wú)法導(dǎo)致這些復(fù)合物分解,此時(shí)吸雜效果不佳。吸雜的作用擴(kuò)散原理雜質(zhì)的釋放：金屬雜質(zhì)在多晶硅體內(nèi)的存在方式有間隙位、替位態(tài)、沉淀或和其它雜質(zhì)形成復(fù)合體,而這些形態(tài)中只有間隙態(tài)的才是可移動(dòng)的,所以只有把以其它形態(tài)的金屬變?yōu)殚g隙形態(tài)才可以被快速吸雜。雜質(zhì)的快速擴(kuò)散：這些已變?yōu)殚g隙態(tài)的金屬雜質(zhì)快速擴(kuò)散,到達(dá)吸雜點(diǎn)。雜質(zhì)在預(yù)定的吸雜位置被捕獲：這些預(yù)定的吸雜位置可以是缺陷、空位或固溶度增強(qiáng)的區(qū)域,而且這些吸雜區(qū)域要對(duì)雜質(zhì)原子具有更牢固的束縛能,

13、以使這些被吸雜的雜質(zhì)不致于被再次釋放。吸雜的過(guò)程 擴(kuò)散原理變溫吸雜是在吸雜的過(guò)程中通過(guò)改變吸雜的溫度和時(shí)間來(lái)達(dá)到最佳的吸雜效果。具體要求是先高溫吸雜一段時(shí)間，然后再緩慢冷卻到較低的溫度再吸雜一段時(shí)間。變溫吸雜優(yōu)于恒溫吸雜的原因是：在變溫吸雜中，首先采用高溫吸雜，這可以快速有效的溶解金屬沉淀或金屬?gòu)?fù)合體，使雜質(zhì)原子從不同的形態(tài)變?yōu)榭梢钥焖僖苿?dòng)的間隙原子；而接下來(lái)進(jìn)行的低溫吸雜，極大地增加了吸雜的驅(qū)動(dòng)力雜質(zhì)原子在吸雜區(qū)域的分凝，此情況下金屬在不同區(qū)域的分凝系數(shù)相差很大，所以顯著地改善了材料的性能。變溫吸雜擴(kuò)散原理擴(kuò)散層質(zhì)量的要求，主要體現(xiàn)在擴(kuò)散的深度（結(jié)深），擴(kuò)散層的表面雜質(zhì)濃度等方面。結(jié)深：在硅

14、片中摻入不同導(dǎo)電類型的雜質(zhì)時(shí)，在距離硅片表面xj的地方，摻入的雜質(zhì)濃度與硅片的本體雜質(zhì)濃度相等，即在這一位置形成了pn結(jié)。xj稱為結(jié)深。表面濃度：做完擴(kuò)散后在硅片表面的擴(kuò)散層中的雜質(zhì)含量。反映著兩個(gè)參數(shù)的量就是我們超凈間測(cè)量的方塊電阻（Rs Sheet Resistance) ohm/square，方塊電阻的大小由摻雜濃度和結(jié)深決定，即由摻雜雜質(zhì)總量決定。一般薄層方塊電阻的測(cè)量采用四探針電阻測(cè)試儀。擴(kuò)散層的質(zhì)量擴(kuò)散原理表面濃度增加，將改善N區(qū)硅與金屬的歐姆接觸，導(dǎo)致電池片串聯(lián)電阻的下降以及填充因子的增大，這有助于電池片效率的提高。表面濃度增大，同時(shí)也放大了硅片表面的“死層”現(xiàn)象，加劇了表面復(fù)合

15、作用，導(dǎo)致短路電流的減小，從而對(duì)效率有負(fù)面影響。死層：由于P原子擴(kuò)散造成的晶格畸變，在電池表層，少子壽命極低，表層吸收的短波(400-600nm)光子所產(chǎn)生的光生載流子對(duì)電池電流輸出貢獻(xiàn)很少，故名之。綜上，就擴(kuò)散工藝而言，表面雜質(zhì)濃度、表面晶格變異程度與結(jié)深是對(duì)電池性能有較大影響的因素。 表面濃度的影響擴(kuò)散原理LN2流量及時(shí)間：溫度和時(shí)間一定的情況下，源流量越大會(huì)表面濃度越大，但是沉積在硅片表面的雜質(zhì)源達(dá)到固溶度時(shí)，將對(duì)N型區(qū)域的磷濃度改變影響不大。工藝溫度：工藝溫度會(huì)影響雜質(zhì)在硅中的固溶度，從而影響表面摻雜濃度；時(shí)間一定的情況下，溫度越高結(jié)深越深，擴(kuò)散溫度和擴(kuò)散時(shí)間對(duì)擴(kuò)散結(jié)深影響較大。源溫：

16、源溫的變化會(huì)影響源氣的揮發(fā)量，使帶入爐管的雜質(zhì)總量發(fā)生變化。爐內(nèi)氣壓和排風(fēng)：爐管內(nèi)的氣壓會(huì)影響到氣體的反應(yīng)速度和反應(yīng)生成物的沉積， 排風(fēng)不暢，會(huì)使摻雜氣體不能及時(shí)排出，集中在爐管之內(nèi)，使摻雜電阻大小、均勻性變化。影響擴(kuò)散的因素SRPV使用的擴(kuò)散設(shè)備是Tempress System公司的臥式擴(kuò)散爐:它所具有的特點(diǎn)：軟著陸裝載系統(tǒng)密閉的壓力回路控制系統(tǒng)Digital input/output和Analog input/outputTempressTEMPRESSTempress主要部件（main parts）：Load Station 裝載區(qū)Furnace 爐體Gas Cabinet 氣體裝置Ma

17、in Power Cabinet 主電源裝置DPC (Digital Process Controller) 數(shù)字程序控制器DTC (Digital Temperature Controller) 數(shù)字溫度控制器ETC (Excess Temperature Controller) 擴(kuò)展溫度控制器Torch Screen 觸摸屏TSC-2 電腦連接基本構(gòu)造Tempress設(shè)備構(gòu)造Tempress軟著陸裝載系統(tǒng)與硬著陸系統(tǒng)相比：軟著陸系統(tǒng)有以下優(yōu)點(diǎn)：能獲得更好的氣密性；減少爐管污染；易于獲得穩(wěn)定的擴(kuò)散氣氛?qǐng)?。Tempress的詳細(xì)氣路如右圖所示：最上面為氧氣管；第二管為大氮管；第三為小氮管；第四

18、為氮補(bǔ)足管。每管都由Mass Flow Controller和閥門共同控制。右下角為測(cè)量壓力爐內(nèi)壓力和爐外壓力差的壓力表。Tempress干O2大N2小N2N2補(bǔ)足壓力計(jì)Mass Flow ControllerValve 所以在BadAbort程序中，雖然小氮的流量設(shè)定為1000sccm，但源閥是關(guān)閉的，不會(huì)有POCL3氣體流入，這樣也是為了清洗管道。Tempress的壓力控制方式主要是通過(guò)氮?dú)庋a(bǔ)足的方法，尾氣抽氣量是一定的（由廠務(wù)決定，當(dāng)然可能有波動(dòng)），在尾氣管上增加一個(gè)由Mass Flow Controller控制的氮?dú)庋a(bǔ)足管來(lái)平衡爐內(nèi)壓力，起到一個(gè)氣體開關(guān)的作用。當(dāng)爐內(nèi)壓力高的時(shí)候，減小

19、補(bǔ)足，低的時(shí)候增大補(bǔ)足。 氣路和壓力控制TempressPOCL3 VALVEPOCL3 VALVE在源瓶柜里還有兩個(gè)閥門，它們共同控制小氮的通路，若開啟則小氮通過(guò)源瓶攜帶POCL3流如爐內(nèi)，若關(guān)閉，則小氮直接通入爐內(nèi)。如下圖： 所以在BadAbort程序中，雖然小氮的流量設(shè)定為1000sccm，但源閥是關(guān)閉的，不會(huì)有POCL3氣體流入，這樣也是為了清洗管道。氣路和壓力控制TempressTempress的壓力控制方式主要是通過(guò)氮?dú)庋a(bǔ)足的方法，尾氣抽氣量是一定的（由廠務(wù)決定，當(dāng)然可能有波動(dòng)），在尾氣管上增加一個(gè)由Mass Flow Controller控制的氮?dú)庋a(bǔ)足管來(lái)平衡爐內(nèi)壓力，起到一個(gè)氣

20、體開關(guān)的作用。當(dāng)爐內(nèi)壓力高的時(shí)候，減小補(bǔ)足，低的時(shí)候增大補(bǔ)足。如右圖所示： 氣路和壓力控制Tempress主菜單：Tempress擴(kuò)散爐控制界面的主菜單主要分為五部分，分別為：System control 有關(guān)于系統(tǒng)設(shè)置的菜單Certifications關(guān)于各主要參數(shù)的設(shè)定的菜單Recipe 程序的編寫、修改和保存Tube Control 對(duì)擴(kuò)散爐進(jìn)行控制，如選擇、運(yùn)行和終止程序等Monitor系統(tǒng)狀態(tài)監(jiān)視和查看菜單基本操作Tempress基本操作主要操作：選擇程序：Tube Control-Select Recipe運(yùn)行/停止程序：Tube Control-Start/Stop Recipe

21、終止程序：Tube Control-Abort Process Recipe修改各溫區(qū)溫度：Certifications-Temperature Controller Certification圖形控制：Tube Control-Graphic Process Controller修改程序：可以在主菜單Recipe中直接修改或在TubeControl-Variable Command中修改程序中設(shè)置好的重要的可修改參數(shù)。TempressTempress的輸入輸出Tempress的輸入輸出分為數(shù)字和模擬兩種：Digital input/output和Analog input/output。一個(gè)為

22、二進(jìn)制數(shù)字信號(hào)，一個(gè)是模擬信號(hào)。數(shù)字信號(hào)只有一位，0和1兩種狀態(tài)，主要是控制一些閥門和開關(guān)的開閉；模擬信號(hào)是連續(xù)電壓信號(hào)，主要用來(lái)控制一些流量計(jì)等。輸入（input）是從檢測(cè)裝置傳送到DPC的信號(hào)，是設(shè)備狀態(tài)的一個(gè)反饋信號(hào)；輸出（output）是從DPC發(fā)往一些控制裝置比如閥門和流量計(jì)的控制信號(hào)。具體情況如右圖所示：Digital Input共有16個(gè)，分別為：* 數(shù)字輸入主要是一些設(shè)備當(dāng)前的狀態(tài)信息，DPC通過(guò)他們來(lái)判斷程序是否正確運(yùn)行。Tempress數(shù)字輸入（Digital Input）Nr.MNEMONICConditionAlarm ActiveStatement1Press N2O

23、NYES氮?dú)鈮毫κ欠裾?PressAirONYES壓縮空氣，用于氣動(dòng)閥3DoorCLSDOFFYES門是否關(guān)閉4RearEXHONYES尾氣是否開啟5UPSPOWERONYESUPS電源是否開啟6UPSLOWONYESUPS電源是否電量太低7TempSCRONYESunknown8OverHeatONYES是否過(guò)熱9FanSwitchONYES風(fēng)扇開關(guān)是否打開10TempPOCL3ONYES源溫是否正常11LevelPOCLONYES源液位是否在可用范圍內(nèi)12EXHDETECONYES廠務(wù)端尾氣檢測(cè)輸入13GASDETECONYES廠務(wù)端氣體檢測(cè)輸入14R2DALARMONYES以下是有關(guān)R

24、2D裝置的輸入15*STARTONYES16*LOADINHOFFYESDigital Output共有16個(gè)，但只有7個(gè)是有效的，分別為：* 數(shù)字輸出主要是控制一些氣體閥門的開關(guān)，若他們關(guān)閉則無(wú)相應(yīng)氣體流入。Tempress數(shù)字輸出（Digital Output）Nr.MNEMONICConditionStatement1N2ON用以控制大氮的閥3O2-LOWOFF用以控制干氧的閥7N2 POCL3OFF用以控制小氮的閥12POCL3 VALVOFF源閥的控制信號(hào)14*FINNORMOFF和R2D相關(guān)15*FINABNOOFF和R2D相關(guān)16*RDY2LDOFF和R2D相關(guān)模擬輸入(Analog Input)：共有8個(gè)，但只有兩個(gè)有作用。* 前者為流量計(jì)的設(shè)置值，是固定的，后者為氮?dú)庋a(bǔ)足的流量大小，可供程序參考。模擬輸出(Analog Output)：以下幾個(gè)：* 模擬輸出信號(hào)主要是用來(lái)控制和設(shè)定一些流量計(jì)和源溫的參數(shù)等。