常用電子器件

1、關(guān)于常用電子器件第一張，PPT共三十六頁，創(chuàng)作于2022年6月1、電阻的單位：國際單位為歐姆（）。常用單位有： M, K,m,. 2、電阻按材料分可分成以下幾類： a、碳膜電阻 b、金屬膜電阻主要是小功率 1.1 電阻1 常用電子半導(dǎo)體器件第二張，PPT共三十六頁，創(chuàng)作于2022年6月c、繞線電阻 d、水泥電阻大功率第三張，PPT共三十六頁，創(chuàng)作于2022年6月第四張，PPT共三十六頁，創(chuàng)作于2022年6月 B. 標(biāo)準(zhǔn)功率： W, W, W, W,1W,2W,5W,50W,100W. C. 精度：（1%，5%）繞線電阻有0.1%精度1.0，1.2，1.5，1.8，2.0，2.2，2.4，2.7

2、，3.0，3.3，3.6，3.9，4.3，4.7，5.0，5.1，5.6，6.2，6.8，7.5，8.2，9.1 0。A. 標(biāo)稱阻值。如：1，10K.第五張，PPT共三十六頁，創(chuàng)作于2022年6月1.2 電容器1.電容器的符號 第六張，PPT共三十六頁，創(chuàng)作于2022年6月2. 電容單位3. 電容器分類： a、瓷片電容，有高壓低壓之分，高壓瓷片可做成幾萬伏耐壓。 b、 CBB電容（金屬化薄膜電容，高低壓均有）第七張，PPT共三十六頁，創(chuàng)作于2022年6月 c、獨石電容 d、鉭電容 低壓e、鋁電解電容第八張，PPT共三十六頁，創(chuàng)作于2022年6月 貼片元器件貼片鉭電容貼片鋁電解電容電容第九張，P

3、PT共三十六頁，創(chuàng)作于2022年6月穿心電容第十張，PPT共三十六頁，創(chuàng)作于2022年6月4、電容元件的主要技術(shù)參數(shù) a、標(biāo)稱容量, 如:電解電容 100F/25V, 1.0，1.2，1.5，1.8，2.2，2.7，3.3，3.6，3.9，4.2， 4.7，5.6，6.2，6.8，7.5，8.2。 例：CBB電容 2700pF/63V、272J(K)b、耐壓： 6.3V,10V,16V,25V,35V,50V,63V,100V,160V,250V,400V,450V, 630V,1000V,1250V,2KV,3KV,5KV,10KV。c、精度： 5%(J級) 10%(K級)，20%(M級)電

4、解電容允許誤差。d、損耗角： tg e、串聯(lián)等效電阻：ESR高頻電路或開關(guān)電源中這兩個參數(shù)很重要第十一張，PPT共三十六頁，創(chuàng)作于2022年6月f、最大脈動電流：400V/10F /280mAg、壽命：普通電容（CD11系列）壽命1000小時/85下，工作溫度每降低10C ，電解電容壽命增加一倍。每增加10C ，壽命減少一倍。h、漏電流：I=0.02CV+25A、如：400V/10F電容 I=105A 第十二張，PPT共三十六頁，創(chuàng)作于2022年6月第十三張，PPT共三十六頁，創(chuàng)作于2022年6月第十四張，PPT共三十六頁，創(chuàng)作于2022年6月1.3 電感 1、符號 空芯電感 有鐵芯電感 第十

5、五張，PPT共三十六頁，創(chuàng)作于2022年6月2、分類： a、色碼電感：（空芯電感，容量小，只有H級） b、高頻（鐵氧體芯）電感：可做H、mH級，非線性元件，電感量隨工作頻率而改變。 c、低頻（矽鋼片）電感： 可做mH級。第十六張，PPT共三十六頁，創(chuàng)作于2022年6月3、單位（亨利） 4、參數(shù) a、標(biāo)稱容量：（mH） b、額定電流：（載流能力）0.5A，1A。 c、額定電壓：高壓應(yīng)用場合，要考慮耐壓問題。 d、損耗： 鐵損：磁損耗，隨頻率的增加而大幅度增加 銅損：漆包線電阻損耗 第十七張，PPT共三十六頁，創(chuàng)作于2022年6月第十八張，PPT共三十六頁，創(chuàng)作于2022年6月第十九張，PPT共三

6、十六頁，創(chuàng)作于2022年6月第二十張，PPT共三十六頁，創(chuàng)作于2022年6月 1.4、三極管1、符號 2、分類 按材料分： a、硅管（PN結(jié)壓降：0.7V） b、鍺管（PN結(jié)壓降：0.3V）第二十一張，PPT共三十六頁，創(chuàng)作于2022年6月 3、主要技術(shù)指標(biāo)： a、電流放大系數(shù)： 注意標(biāo)志：F標(biāo)志 ：50-70 G標(biāo)志 ：70-90 H標(biāo)志 ：100-120 I 標(biāo)志 ：120-150 *管子耐壓越高，額定工作電流（ICM）越大，則越小。 例:MJE13005，500V/5A，:15-35之間 S8050， 45V/1A， :70-200之間 第二十二張，PPT共三十六頁，創(chuàng)作于2022年6月

7、 b、反向擊穿電壓： Ucbo (發(fā)射極開路) Uebo（集電極開路） Uceo（基極開路） c、集電極最大允許電流ICM d、集電極最大允許耗散功率PCM Pc=IcUce 耗散功率與環(huán)境溫度和散熱條件有關(guān)（RoJ），手冊上一般給出環(huán)境溫度為20時PCM值。 e、截止頻率： 共射極截止頻率fb, 定義為降低到0.707倍時的頻率稱為fb 三個參數(shù)中選最小一個為晶體管擊穿電壓，一般為Uebo 第二十三張，PPT共三十六頁，創(chuàng)作于2022年6月4、封裝形式：第二十四張，PPT共三十六頁，創(chuàng)作于2022年6月第二十五張，PPT共三十六頁，創(chuàng)作于2022年6月第二十六張，PPT共三十六頁，創(chuàng)作于20

8、22年6月第二十七張，PPT共三十六頁，創(chuàng)作于2022年6月第二十八張，PPT共三十六頁，創(chuàng)作于2022年6月1.功率MOSFET的結(jié)構(gòu)1.5 功率場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)特點圖1-19 電力MOSFET的結(jié)構(gòu)和電氣圖形符號第二十九張，PPT共三十六頁，創(chuàng)作于2022年6月 2、MOS管特點 a、電壓控制元件，輸入阻抗高。 b、導(dǎo)通電阻Ron大 . c、工作頻率高（對功率器件而言） d、是一種元細胞集成器件,適合并聯(lián) e、DS極之間內(nèi)部寄生二極管 3、主要技術(shù)指標(biāo)： a、額定電壓Uds,它主要由VMOS管的漏源擊穿電壓U(BR)DS決定 b、最大漏極電流Idmax (標(biāo)稱MOS管電流額定參數(shù)) c、閥

9、值電壓Ugs(th) (又稱門極開啟電壓) d、導(dǎo)通電阻 ：Ron第三十張，PPT共三十六頁，創(chuàng)作于2022年6月 e、最高工作頻率fm : Uds作用下，電子從源區(qū)（S）通過溝道到漏區(qū)所需要的時間f、開通時間和關(guān)斷時間： 開通和關(guān)斷時間越大,則MOS管開關(guān)損耗越大.g、極間電容輸入電容：Ciss = CGS + CGD輸出電容：Coss =CDS + CGD第三十一張，PPT共三十六頁，創(chuàng)作于2022年6月 5、常用MOS器件： 2N7000 60V/0.2A IRFD014 60V/1.7A IRFD210 200V/0.6A IRFD110 100V/1.0A IRF530 100V/15A IRF630 200V/9A IRF730 400V/5.5A IRF830 500V/4.5A IRF840 500V/8A IRFBF20 900V/1.7A IR