硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)

1、關(guān)于硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)第一張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月一、硅酸鹽晶體的組成表征、結(jié)構(gòu)特點(diǎn) 及分類(lèi) 在地殼中形成礦物時(shí)，由于成礦的環(huán)境不可能十分純凈，礦物組成中常含有其它元素，加之硅酸鹽晶體中的正負(fù)離子都可以被其它離子部分或全部地取代，這就使得硅酸鹽晶體的化學(xué)組成甚為復(fù)雜。因此，在表征硅酸鹽晶體的化學(xué)式時(shí)，通常有兩種方法：一種是所謂的氧化物方法，另一種是無(wú)機(jī)絡(luò)鹽表示法。第二張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月氧化物方法：即把構(gòu)成硅酸鹽晶體的所有氧化物按一定的比例和順序全部寫(xiě)出來(lái)，先是1價(jià)的堿金屬氧化物，其次是2價(jià)、3價(jià)的金屬氧化物，最后是SiO2。例如，鉀長(zhǎng)石的化學(xué)式寫(xiě)為 K2OAl

2、2O36SiO2； 無(wú)機(jī)絡(luò)鹽表示法：把構(gòu)成硅酸鹽晶體的所有離子按照一定比例和順序全部寫(xiě)出來(lái)，再把相關(guān)的絡(luò)陰離子用 括起來(lái)。先是1價(jià)、2價(jià)的金屬離子，其次是Al3+和Si4+，最后是O2-或OH。如鉀長(zhǎng)石為KAlSi3O8。第三張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月 （1）構(gòu)成硅酸鹽晶體的基本結(jié)構(gòu)單元SiO4四面體。Si-O-Si鍵是一條夾角不等的折線，一般在145o左右。（2）SiO4四面體的每個(gè)頂點(diǎn)，即O2-離子最多只能為兩個(gè)SiO4四面體所共用。（3）兩個(gè)相鄰的SiO4四面體之間只能共頂而不能共棱或共面連接。（4）SiO4四面體中心的Si4+離子可部分地被Al3+ 所取代。硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)

3、的共同特點(diǎn)：第四張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月硅酸鹽晶體化學(xué)式中不同的Si/O比對(duì)應(yīng)基本結(jié)構(gòu)單元之間的不同結(jié)合方式。X射線結(jié)構(gòu)分析表明，硅酸鹽晶體中SiO4四面體的結(jié)合方式有島狀、組群狀、鏈狀、層狀和架狀等五種方式。硅酸鹽晶體也分為相應(yīng)的五種類(lèi)型，其對(duì)應(yīng)的Si/O由1/4變化到1/2，結(jié)構(gòu)變得越來(lái)越復(fù)雜，見(jiàn)表1-3-1。 第五張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月表1-3-1 硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)類(lèi)型與Si/O比的關(guān)系第六張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月二、島狀結(jié)構(gòu) SiO4四面體以孤島狀存在，各頂點(diǎn)之間并不互相連接，每個(gè)O2-一側(cè)與1個(gè)Si4+連接，另一側(cè)與其它金屬離子相配位使

4、電價(jià)平衡。結(jié)構(gòu)中Si/O比為1：4。 島狀硅酸鹽晶體主要有鋯石英ZrSiO4、鎂橄欖石Mg2SiO4、藍(lán)晶石Al2O3SiO2、莫來(lái)石3Al2O32SiO2以及水泥熟料中的-C2S、-C2S和C3S等。 第七張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月1、鎂橄欖石Mg2SiO4結(jié)構(gòu) 屬斜方晶系，空間群Pbnm；晶胞參數(shù)a=0.476nm，b=1.021nm，c=0.599nm；晶胞分子數(shù)Z=4。如圖1-3-1、1-3-2、1-3-3所示。鎂橄欖石結(jié)構(gòu)中，O2-離子近似于六方最緊密堆積排列，Si4+離子填于四面體空隙的1/8；Mg2+離子填于八面體空隙的1/2。每個(gè)SiO4四面體被MgO6八面體所隔

5、開(kāi)，呈孤島狀分布。 第八張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月圖1-3-1 鎂橄欖石結(jié)構(gòu)（a）（100）面上的投影圖（b）（001）面上的投影圖（c）立體側(cè)視圖鎂橄欖石結(jié)構(gòu)中，O2-離子近似于六方最緊密堆積排列，Si4+離子填于四面體空隙的1/8；Mg2+離子填于八面體空隙的1/2。每個(gè)SiO4四面體被MgO6八面體所隔開(kāi)，呈孤島狀分布。 第九張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月圖1-3-2 鎂橄欖石晶體理想結(jié)構(gòu)第十張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月（a）（100）面上的投影圖（b）（001）面上的投影圖圖1-3-3 鎂橄欖石結(jié)構(gòu)第十一張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月結(jié)構(gòu)中

6、的同晶取代：鎂橄欖石中的Mg2+可以被Fe2+以任意比例取代，形成橄欖石（FexMg1-x）SiO4固溶體。如果圖1-3-2中25、75的Mg2+被Ca2+取代，則形成鈣橄欖石CaMgSiO4。第十二張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月如果Mg2+全部被Ca2+取代，則形成-Ca2SiO4，即-C2S，其中Ca2+的配位數(shù)為6。另一種島狀結(jié)構(gòu)的水泥熟料礦物-Ca2SiO4，即-C2S屬于單斜晶系，其中Ca2+有8和6兩種配位。由于其配位不規(guī)則，化學(xué)性質(zhì)活潑，能與水發(fā)生水化反應(yīng)。而-C2S由于配位規(guī)則，在水中幾乎是惰性的。第十三張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系：結(jié)構(gòu)中

7、每個(gè)O2-離子同時(shí)和1個(gè)SiO4和3個(gè)MgO6相連接，因此，O2-的電價(jià)是飽和的，晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定。由于Mg-O鍵和Si-O鍵都比較強(qiáng)，所以，鎂橄欖石表現(xiàn)出較高的硬度，熔點(diǎn)達(dá)到1890，是鎂質(zhì)耐火材料的主要礦物。同時(shí)，由于結(jié)構(gòu)中各個(gè)方向上鍵力分布比較均勻，所以，橄欖石結(jié)構(gòu)沒(méi)有明顯的解理，破碎后呈現(xiàn)粒狀。 第十四張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月三、組群狀結(jié)構(gòu) 組群狀結(jié)構(gòu)是2個(gè)、3個(gè)、4個(gè)或6個(gè)SiO4四面體通過(guò)共用氧相連接形成單獨(dú)的硅氧絡(luò)陰離子團(tuán)，如圖1-3-4所示。硅氧絡(luò)陰離子團(tuán)之間再通過(guò)其它金屬離子連接起來(lái)，所以，組群狀結(jié)構(gòu)也稱(chēng)為孤立的有限硅氧四面體群。雙四面體Si2O76-三節(jié)環(huán)Si3

8、O96-四節(jié)環(huán)Si4O128-六節(jié)環(huán)Si6O1812-第十五張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月橋氧：有限四面體群中連接兩個(gè)Si4+離子的氧稱(chēng)為橋氧，由于這種氧的電價(jià)已經(jīng)飽和，一般不再與其它正離子再配位，故橋氧亦稱(chēng)為非活性氧。非橋氧：相對(duì)地只有一側(cè)與Si4+離子相連接的氧稱(chēng)為非橋氧或活性氧。 第十六張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月組群狀結(jié)構(gòu)中Si/O比為2：7或1：3。硅鈣石Ca3Si2O7，鋁方柱石Ca2AlAlSiO7和鎂方柱石Ca2MgSi2O7等具有雙四面體結(jié)構(gòu)。藍(lán)錐礦BaTiSi3O9具有三節(jié)環(huán)結(jié)構(gòu)。綠寶石Be3Al2Si6O18具有六節(jié)環(huán)結(jié)構(gòu)。 第十七張，PPT共八十頁(yè)

9、，創(chuàng)作于2022年6月圖1-3-5 綠寶石晶胞在（0001）面上的投影（上半個(gè)晶胞）基本結(jié)構(gòu)單元：由6個(gè)SiO4四面體組成的六節(jié)環(huán)。六節(jié)環(huán)中的1個(gè)Si4+和2個(gè)O2-處在同一高度，環(huán)與環(huán)相疊起來(lái)。圖中粗黑線的六節(jié)環(huán)在上面，標(biāo)高為100，細(xì)黑線的六節(jié)環(huán)在下面，標(biāo)高為50。上下兩層環(huán)錯(cuò)開(kāi)30o，投影方向并不重疊。環(huán)與環(huán)之間通過(guò)Be2+和Al3+離子連接。 綠寶石Be3Al2Si6O18結(jié)構(gòu) 綠寶石屬于六方晶系，空間群P6/mcc，晶胞參數(shù)a=0.921nm，c=0.917nm，晶胞分子數(shù)Z=2，如圖1-3-5。第十八張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系：綠寶石結(jié)構(gòu)的六節(jié)環(huán)內(nèi)沒(méi)有

10、其它離子存在，使晶體結(jié)構(gòu)中存在大的環(huán)形空腔。當(dāng)有電價(jià)低、半徑小的離子（如Na+）存在時(shí)，在直流電場(chǎng)中，晶體會(huì)表現(xiàn)出顯著的離子電導(dǎo)，在交流電場(chǎng)中會(huì)有較大的介電損耗；當(dāng)晶體受熱時(shí)，質(zhì)點(diǎn)熱振動(dòng)的振幅增大，大的空腔使晶體不會(huì)有明顯的膨脹，因而表現(xiàn)出較小的膨脹系數(shù)。結(jié)晶學(xué)方面，綠寶石的晶體常呈現(xiàn)六方或復(fù)六方柱晶形。 第十九張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月介質(zhì)在外加電場(chǎng)時(shí)會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電荷而削弱電場(chǎng)，原外加電場(chǎng)(真空中)與最終介質(zhì)中電場(chǎng)比值即為介電常數(shù)(permeablity),又稱(chēng)誘電率.其小，代表束縛電子能力弱。 介電強(qiáng)度（dielectric strength）是指單位厚度的絕緣材料在擊穿之前能

11、夠承受的最高電壓，即電場(chǎng)強(qiáng)度最大值，單位是kV/mm。包括塑料 介電損耗是指 電介質(zhì)在交變電場(chǎng)中,由于消耗部分電能而使電解質(zhì)本身發(fā)熱的現(xiàn)象。原因,電解質(zhì)中含有能導(dǎo)電的載流子,在外加電場(chǎng)作用下,產(chǎn)生導(dǎo)電電流,消耗掉一部分電能,轉(zhuǎn)為熱能。 第二十張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月堇青石Mg2Al3AlSi5O18 與綠寶石結(jié)構(gòu)相同，但六節(jié)環(huán)中有一個(gè)Si4+被Al3+取代；同時(shí)，環(huán)外的正離子由（Be3Al2）變?yōu)椋∕g2Al3），使電價(jià)得以平衡。此時(shí)，正離子在環(huán)形空腔遷移阻力增大，故堇青石的介電性質(zhì)較綠寶石有所改善。堇青石陶瓷熱學(xué)性能良好，但不宜作無(wú)線電陶瓷，因?yàn)槠涓哳l損耗大。應(yīng)該注意，有的研

12、究者將綠寶石中的BeO4四面體歸到硅氧骨架中，這樣綠寶石就屬于架狀結(jié)構(gòu)的硅酸鹽礦物，分子式改寫(xiě)為Al2Be3Si6O18。至于堇青石，有人提出它是一種帶有六節(jié)環(huán)和四節(jié)環(huán)的結(jié)構(gòu)，化學(xué)式為Mg2Al4Si5O18。 第二十一張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月四、鏈狀結(jié)構(gòu) 1.鏈的類(lèi)型、重復(fù)單元與化學(xué)式 硅氧四面體通過(guò)共用的氧離子相連接，形成向一維方向無(wú)限延伸的鏈。依照硅氧四面體共用頂點(diǎn)數(shù)目的不同，分為單鏈和雙鏈兩類(lèi)。第二十二張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月如果每個(gè)硅氧四面體通過(guò)共用兩個(gè)頂點(diǎn)向一維方向無(wú)限延伸，則形成單鏈，見(jiàn)圖1-3-6 。單鏈結(jié)構(gòu)以Si2O64-為結(jié)構(gòu)單元不斷重復(fù)，結(jié)

13、構(gòu)單元的化學(xué)式為Si2O6。在單鏈結(jié)構(gòu)中，按照重復(fù)出現(xiàn)與第一個(gè)硅氧四面體的空間取向完全一致的周期不等，單鏈分為1節(jié)鏈、2節(jié)鏈、3節(jié)鏈7節(jié)鏈等7種類(lèi)型，見(jiàn)圖1-3-7 。第二十三張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月圖1-3-7 單鏈結(jié)構(gòu)類(lèi)型第二十四張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月圖1-3-6 硅氧四面體所構(gòu)成的鏈（a）單鏈結(jié)構(gòu) （d）雙鏈結(jié)構(gòu) （c）（b）（e）為從箭頭方向觀察所得的投影圖兩條相同的單鏈通過(guò)尚未共用的氧組成帶狀，形成雙鏈。雙鏈以Si4O116-為結(jié)構(gòu)單元向一維方向無(wú)限伸展，化學(xué)式為Si4O11。第二十五張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月輝石類(lèi)硅酸鹽結(jié)構(gòu)中含有Si

14、2O6單鏈，如透輝石、頑火輝石等。鏈間通過(guò)金屬正離子連接，最常見(jiàn)的是Mg2+和Ca2。角閃石類(lèi)硅酸鹽含有雙鏈Si4O11，如斜方角閃石（Mg，F(xiàn)e）7Si4O112（OH）2和透閃石Ca2Mg5Si4O112（OH）2等。 第二十六張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月透輝石CaMgSi2O6結(jié)構(gòu) 透輝石屬單斜晶系，空間群C2/c，晶胞參數(shù)a=0.971nm，b=0.889nm，c=0.524nm，=105o37，。第二十七張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月圖1-3-8 透輝石結(jié)構(gòu)（A）（010）面上的投影（B）（001）面上的投影晶胞分子數(shù)Z=4。如圖1-3-8所示，硅氧單鏈Si2O

15、6平行于c軸方向伸展，圖中兩個(gè)重疊的硅氧鏈分別以粗黑線和細(xì)黑線表示。單鏈之間依靠Ca2+、Mg2+連接。Ca2+的配位數(shù)為8，Mg2+為6。Ca2+負(fù)責(zé)SiO4 底面間的連接，Mg2+負(fù)責(zé)頂點(diǎn)間的連接。若透輝石結(jié)構(gòu)中的Ca2+全部被Mg2+取代，則形成斜方晶系的頑火輝石Mg2Si2O6。第二十八張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月五、層狀結(jié)構(gòu) 1.層狀結(jié)構(gòu)的基本單元、化學(xué)式與類(lèi)型 層狀結(jié)構(gòu)是每個(gè)硅氧四面體通過(guò)3個(gè)橋氧連接，構(gòu)成向二維方向伸展的六節(jié)環(huán)狀的硅氧層（無(wú)限四面體群），見(jiàn)圖1-3-9 。 在六節(jié)環(huán)狀的層中，可取出一個(gè)矩形單元Si4O104-，于是硅氧層的化學(xué)式可寫(xiě)為Si4O10。第二

16、十九張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月圖1-3-9 層狀結(jié)構(gòu)硅氧四面體 （a）立體圖（b）投影圖Si4O10第三十張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月按照硅氧層中活性氧的空間取向不同，硅氧層分為單網(wǎng)層和復(fù)網(wǎng)層。單網(wǎng)層結(jié)構(gòu)中，硅氧層的所有活性氧均指向同一個(gè)方向。而復(fù)網(wǎng)層結(jié)構(gòu)中，兩層硅氧層中的活性氧交替地指向相反方向?；钚匝醯碾妰r(jià)由其它金屬離子來(lái)平衡，一般為6配位的Mg2+或Al3+離子，同時(shí)，水分子以O(shè)H形式存在于這些離子周?chē)?，形成所謂的水鋁石或水鎂石層。單網(wǎng)層相當(dāng)于一個(gè)硅氧層加上一個(gè)水鋁（鎂）石層，稱(chēng)為1：1層。復(fù)網(wǎng)層相當(dāng)于兩個(gè)硅氧層中間加上一個(gè)水鋁（鎂）石層，稱(chēng)為2：1層，見(jiàn)圖1-

17、3-10、圖1-3-11示。根據(jù)水鋁（鎂）石層中八面體空隙的填充情況，結(jié)構(gòu)又分為三八面體型和二八面體型。前者八面體空隙全部被金屬離子所占據(jù)，后者只有2/3的八面體空隙被填充。第三十一張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月圖1-3-10 層狀結(jié)構(gòu)硅酸鹽晶體中硅氧四面體層和鋁氧八面體層的連接方式（）：型（）：型第三十二張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月圖1-3-11 單網(wǎng)層及復(fù)網(wǎng)層的構(gòu)成 第三十三張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月高嶺石Al2O32SiO22H2O的結(jié)構(gòu) (即Al4Si4O10(OH)8)高嶺石是一種主要的粘土礦物，屬三斜晶系，空間群C1；晶胞參數(shù)a=0.514nm，

18、b=0.893nm，c=0.737nm，=91o36，=104o48，=89o54，；晶胞分子數(shù)Z=1。結(jié)構(gòu)如圖1-3-13，高嶺石的基本結(jié)構(gòu)單元是由硅氧層和水鋁石層構(gòu)成的單網(wǎng)層，單網(wǎng)層平行疊放形成高嶺石結(jié)構(gòu)。Al3+配位數(shù)為6，其中2個(gè)是O2-，4個(gè)是OH-，形成AlO2(OH)4八面體，正是這兩個(gè)O2-把水鋁石層和硅氧層連接起來(lái)。水鋁石層中，Al3+占據(jù)八面體空隙的2/3。 第三十四張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月圖1-3-13 高嶺石的結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)如圖1-3-13，高嶺石的基本結(jié)構(gòu)單元是由硅氧層和水鋁石層構(gòu)成的單網(wǎng)層，單網(wǎng)層平行疊放形成高嶺石結(jié)構(gòu)。Al3+配位數(shù)為6，其中2個(gè)是O2-

19、，4個(gè)是OH-，形成AlO2(OH)4八面體，正是這兩個(gè)O2-把水鋁石層和硅氧層連接起來(lái)。水鋁石層中，Al3+占據(jù)八面體空隙的2/3。 第三十五張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月(d)(a)(001)面上的投影(b)（100）面上的投影（顯示出單網(wǎng)層中Al3+填充2/3八面體空隙）(c)（001）面上的投影（顯示出硅氧層的六節(jié)環(huán)及各離子的配位信息）（d）（010）面上的投影（顯示出單網(wǎng)層的構(gòu)成）第三十六張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系：根據(jù)電價(jià)規(guī)則計(jì)算出單網(wǎng)層中O2-的電價(jià)是平衡的，即理論上層內(nèi)是電中性的，所以，高嶺石的層間只能靠物理鍵來(lái)結(jié)合，這就決定了高嶺石也容

20、易解理成片狀的小晶體。但單網(wǎng)層在平行疊放時(shí)是水鋁石層的OH與硅氧層的O2-相接觸，故層間靠氫鍵來(lái)結(jié)合。由于氫鍵結(jié)合比分子間力強(qiáng)，所以，水分子不易進(jìn)入單網(wǎng)層之間，晶體不會(huì)因?yàn)樗吭黾佣蛎洝?第三十七張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月滑石Mg3Si4O10（OH）2的結(jié)構(gòu) 滑石屬單斜晶系，空間群C2/c，晶胞參數(shù)a=0.525nm，b=0.910nm，c=1.881nm，=100o；結(jié)構(gòu)屬于復(fù)網(wǎng)層結(jié)構(gòu)，如圖1-3-12所示。（a）所示 OH位于六節(jié)環(huán)中心，Mg2+位于Si4+與OH形成的三角形的中心，但高度不同。 （b）所示，兩個(gè)硅氧層的活性氧指向相反，中間通過(guò)鎂氫氧層連接，形成復(fù)網(wǎng)層。

21、復(fù)網(wǎng)層平行排列即形成滑石結(jié)構(gòu)。水鎂石層中Mg2+的配位數(shù)為6，形成MgO4（OH）2八面體。其中全部八面體空隙被Mg2+所填充，因此，滑石結(jié)構(gòu)屬于三八面體型結(jié)構(gòu)。 第三十八張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月圖1-3-12 滑石的結(jié)構(gòu) （a）（001）面上的投影（b）圖（a）結(jié)構(gòu)的縱剖面圖（a）所示 OH位于六節(jié)環(huán)中心。 （b）所示，兩個(gè)硅氧層的活性氧指向相反，中間通過(guò)鎂氫氧層連接，形成復(fù)網(wǎng)層。復(fù)網(wǎng)層平行排列即形成滑石結(jié)構(gòu)。水鎂石層中Mg2+的配位數(shù)為6，形成MgO4（OH）2八面體。其中全部八面體空隙被Mg2+所填充，因此，滑石結(jié)構(gòu)屬于三八面體型結(jié)構(gòu)。 第三十九張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于

22、2022年6月結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系：復(fù)網(wǎng)層中每個(gè)活性氧同時(shí)與3個(gè)Mg2+相連接，從Mg2+處獲得的靜電鍵強(qiáng)度為32/6=1，從Si4+處也獲得1價(jià)，故活性氧的電價(jià)飽和。同理，OH中的氧的電價(jià)也是飽和的，所以，復(fù)網(wǎng)層內(nèi)是電中性的。這樣，層與層之間只能依靠較弱的分子間力來(lái)結(jié)合，致使層間易相對(duì)滑動(dòng)，所有滑石晶體具有良好的片狀解理特性，并具有滑膩感。 第四十張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月離子取代現(xiàn)象：用2個(gè)Al3+取代滑石中的3個(gè)Mg2+，則形成二八面體型結(jié)構(gòu)（Al3+占據(jù)2/3的八面體空隙）的葉蠟石Al2Si4O10（OH）2結(jié)構(gòu)。同樣，葉蠟石也具有良好的片狀解理和滑膩感。晶體加熱時(shí)結(jié)構(gòu)的變化

23、：滑石和葉蠟石中都含有OH，加熱時(shí)會(huì)產(chǎn)生脫水效應(yīng)。滑石脫水后變成斜頑火輝石-Mg2Si2O6，葉蠟石脫水后變成莫來(lái)石3Al2O32SiO2。它們都是玻璃和陶瓷工業(yè)的重要原料，滑石可以用于生成絕緣、介電性能良好的滑石瓷和堇青石瓷，葉蠟石常用作硼硅質(zhì)玻璃中引入Al2O3的原料。 第四十一張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月蒙脫石的結(jié)構(gòu) 蒙脫石是一種粘土類(lèi)礦物，屬單斜晶系，空間群C2/ma；理論化學(xué)式為 Al2Si4O10(OH)2nH2O晶胞參數(shù)a=0.515nm，b=0.894nm，c=1.520nm，=90o；單位晶胞中Z=2。實(shí)際化學(xué)式為 (Al2-xMgx)Si4O10(OH)2（Na

24、xnH2O），式中x=0.33，晶胞參數(shù)a0.532nm，b0.906nm，c的數(shù)值隨含水量而變化，無(wú)水時(shí)c0.960nm。 第四十二張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月蒙脫石具有復(fù)網(wǎng)層結(jié)構(gòu)，由兩層硅氧四面體層和夾在中間的水鋁石層所組成，如圖1-3-14所示。理論上復(fù)網(wǎng)層內(nèi)呈電中性，層間靠分子間力結(jié)合。實(shí)際上，由于結(jié)構(gòu)中Al3+可被Mg2+取代，使復(fù)網(wǎng)層并不呈電中性，帶有少量負(fù)電荷（一般為-0.33e，也可有很大變化）；因而復(fù)網(wǎng)層之間有斥力，使略帶正電性的水化正離子易于進(jìn)入層間；與此同時(shí)，水分子也易滲透進(jìn)入層間，使晶胞c軸膨脹，隨含水量變化，由0.960nm變化至2.140nm，因此，蒙脫

25、石又稱(chēng)為膨潤(rùn)土。 第四十三張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月圖1-3-14 蒙脫石的結(jié)構(gòu) 第四十四張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月結(jié)構(gòu)中的離子置換現(xiàn)象：由于晶格中可發(fā)生多種離子置換，使蒙脫石的組成常與理論化學(xué)式有出入。其中硅氧四面體層內(nèi)的Si4+可以被Al3+或P5+等取代，這種取代量是有限的；八面體層（即水鋁石層）中的Al3+可被Mg2+、Ca2+、Fe2+、Zn2+或Li+等所取代，取代量可以從極少量到全部被取代。 第四十五張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月結(jié)構(gòu)與性質(zhì)關(guān)系：蒙脫石晶胞c軸長(zhǎng)度隨含水量而變化，甚至空氣濕度的波動(dòng)也能導(dǎo)致c軸參數(shù)的變化，所以，晶體易于膨脹或壓

26、縮。加水膨脹，加熱脫水并產(chǎn)生較大收縮，一直干燥到脫去結(jié)構(gòu)水之前，其晶格結(jié)構(gòu)不會(huì)被破壞。隨層間水進(jìn)入的正離子使復(fù)網(wǎng)層電價(jià)平衡，它們易于被交換，使礦物具有很高的陽(yáng)離子交換能力。 第四十六張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月白云母KAl2AlSi3O10（OH）2的結(jié)構(gòu) 屬單斜晶系，空間群C2/c；晶胞參數(shù)a=0.519nm，b=0.900nm，c=2.004nm，=95o11，；Z=2。其結(jié)構(gòu)如圖1-3-15所示，圖中重疊的O2-已稍行移開(kāi)。白云母屬于復(fù)網(wǎng)層結(jié)構(gòu)，復(fù)網(wǎng)層由兩個(gè)硅氧層及其中間的水鋁石層所構(gòu)成。連接兩個(gè)硅氧層的水鋁石層中的Al3+之配位數(shù)為6，形成AlO4（OH）2八面體。由圖可以

27、看出，兩相鄰復(fù)網(wǎng)層之間呈現(xiàn)對(duì)稱(chēng)狀態(tài)，因此相鄰兩硅氧六節(jié)環(huán)處形成一個(gè)巨大的空隙。 第四十七張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月圖1-3-15 白云母的結(jié)構(gòu)（A）（100）面上的投影（B）（010）面上的投影第四十八張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月結(jié)構(gòu)與性質(zhì)關(guān)系：白云母結(jié)構(gòu)與蒙脫石相似，但因其硅氧層中有1/4的Si4+被Al3+取代，復(fù)網(wǎng)層不呈電中性，所以，層間有K+進(jìn)入以平衡其負(fù)電荷。K+的配位數(shù)為12，呈統(tǒng)計(jì)地分布于復(fù)網(wǎng)層的六節(jié)環(huán)的空隙間，與硅氧層的結(jié)合力較層內(nèi)化學(xué)鍵弱得多，故云母易沿層間發(fā)生解理，可剝離成片狀。第四十九張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月1)2個(gè)Al3+被3個(gè)

28、Mg2+取代，形成金云母KMg3AlSi3O10(OH)2；用F取代OH，得到人工合成的氟金云母KMg3AlSi3O10F2，作絕緣材料使用時(shí)耐高溫達(dá)1000，而天然的僅600。 2)用(Mg2+, Fe2+)代替Al3+，形成黑云母K ( Mg，F(xiàn)e )3AlSi3O10(OH )2； 3)用( Li+，F(xiàn)e2+ ) 取代1個(gè)Al3+，得鋰鐵云母KLiFe2+AlAlSi3O10 (OH )2； 4)若2個(gè)Li+取代1個(gè)Al3+，同時(shí)AlSi3O10中的Al3+被Si4+取代，則形成鋰云母Kli2AlSi4O10 (OH) 2。 5)如果K+被Na+取代，形成鈉云母；若K+被Ca2+取代，同

29、時(shí)硅氧層內(nèi)有1/2的Si4+被Al3+取代，則成為珍珠云母CaAl2Al2Si2O10 (OH ) 2，由于Ca2+連接復(fù)網(wǎng)層較K+牢固，因而珍珠云母的解理性較白云母差。 結(jié)構(gòu)中的離子取代：第五十張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月云母類(lèi)礦物的用途：合成云母作為一種新型材料，在現(xiàn)代工業(yè)和科技領(lǐng)域用途很廣。云母陶瓷具有良好的抗腐蝕性、耐熱沖擊性、機(jī)械強(qiáng)度和高溫介電性能，可作為新型的電絕緣材料。云母型微晶玻璃具有高強(qiáng)度、耐熱沖擊、可切削等特性，廣泛應(yīng)用于國(guó)防和現(xiàn)代工業(yè)中。 第五十一張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月六、架狀結(jié)構(gòu) 架狀結(jié)構(gòu)中硅氧四面體的每個(gè)頂點(diǎn)均為橋氧，硅氧四面體之間以共頂

30、方式連接，形成三維“骨架”結(jié)構(gòu)。結(jié)構(gòu)的重復(fù)單元為SiO2，作為骨架的硅氧結(jié)構(gòu)單元的化學(xué)式為SiO22。其中Si/O為1：2。 當(dāng)硅氧骨架中的Si被Al取代時(shí)，結(jié)構(gòu)單元的化學(xué)式可以寫(xiě)成AlSiO4或AlSi3O8，其中（Al+Si）：O仍為1：2。此時(shí)，由于結(jié)構(gòu)中有剩余負(fù)電荷，一些電價(jià)低、半徑大的正離子（如K+、Na+、Ca2+、Ba2+等）會(huì)進(jìn)入結(jié)構(gòu)中。典型的架狀結(jié)構(gòu)有石英族晶體，化學(xué)式為SiO2，以及一些鋁硅酸鹽礦物，如霞石NaAlSiO4、長(zhǎng)石（Na，K）AlSi3O8、方沸石NaAlSi2O6H2O等沸石型礦物等。 第五十二張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月1、石英族晶體的結(jié)構(gòu) S

31、iO2晶體具有多種變體，常壓下可分為三個(gè)系列：石英、鱗石英和方石英。它們的轉(zhuǎn)變關(guān)系如下： 870 1470 1723 -石英 -鱗石英 -方石英 熔體 573 160 268 -石英 -鱗石英 -方石英 117 -鱗石英 第五十三張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月在上述各變體中，同一系列（即縱向）之間的轉(zhuǎn)變不涉及晶體結(jié)構(gòu)中鍵的破裂和重建，僅是鍵長(zhǎng)、鍵角的調(diào)整，轉(zhuǎn)變迅速且可逆，對(duì)應(yīng)的是位移性轉(zhuǎn)變。不同系列（即橫向）之間的轉(zhuǎn)變，如-石英和-鱗石英、-鱗石英和-方石英之間的轉(zhuǎn)變都涉及鍵的破裂和重建，轉(zhuǎn)變速度緩慢，屬于重建性轉(zhuǎn)變。第五十四張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月 石英的三個(gè)主要變

32、體：-石英、-鱗石英和-方石英結(jié)構(gòu)上的主要差別在于硅氧四面體之間的連接方式不同（見(jiàn)圖1-3-16）。在-方石英中，兩個(gè)共頂連接的硅氧四面體以共用O2-為中心處于中心對(duì)稱(chēng)狀態(tài)。在-鱗石英中，兩個(gè)共頂?shù)墓柩跛拿骟w之間相當(dāng)于有一對(duì)稱(chēng)面。在-石英中，相當(dāng)于在-方石英結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，使Si-O-Si鍵由180o轉(zhuǎn)變?yōu)?50o。由于這三種石英中硅氧四面體的連接方式不同，因此，它們之間的轉(zhuǎn)變屬于重建性轉(zhuǎn)變。 第五十五張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月圖1-3-16 硅氧四面體的連接方式 （a）-方石英（存在對(duì)稱(chēng)中心）（b）-鱗石英（存在對(duì)稱(chēng)面）（c）-石英（無(wú)對(duì)稱(chēng)中心和對(duì)稱(chēng)面）第五十六張，PPT共八十頁(yè)，

33、創(chuàng)作于2022年6月（1） -方石英結(jié)構(gòu)-方石英屬立方晶系，空間群Fd3m；晶胞參數(shù)a=0.713nm；晶胞分子數(shù)Z=8。結(jié)構(gòu)如圖1-3-17所示。-方石英冷卻到268會(huì)轉(zhuǎn)變?yōu)樗姆骄档?方石英，其晶胞參數(shù)a=0.497nm，c=0.692nm。第五十七張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月圖1-3-17 -方石英的結(jié)構(gòu) Si4+位于晶胞頂點(diǎn)及面心，晶胞內(nèi)部還有4個(gè)Si4+，其位置相當(dāng)于金剛石中C原子的位置。第五十八張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月圖1-3-18 -方石英的硅氧層的平行疊放 由交替地指向相反方向的硅氧四面體組成六節(jié)環(huán)狀的硅氧層（不同于層狀結(jié)構(gòu)中的硅氧層，該硅氧層內(nèi)四面

34、體取向的一致的）;以3層為一個(gè)重復(fù)周期在平行于（111）面的方向上平行疊放而形成的架狀結(jié)構(gòu)。疊放時(shí)，兩平行的硅氧層中的四面體相互錯(cuò)開(kāi)60o，并以共頂方式對(duì)接，共頂?shù)腛2-形成對(duì)稱(chēng)中心.第五十九張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月（2） -鱗石英的結(jié)構(gòu) 圖1-3-19 -鱗石英的結(jié)構(gòu) -鱗石英屬六方晶系，空間群P63/mmc；晶胞參數(shù)a=0.504nm，c=0.825nm；晶胞分子數(shù)Z=4。其結(jié)構(gòu)如圖1-3-19所示。結(jié)構(gòu)由交替指向相反方向的硅氧四面體組成的六節(jié)環(huán)狀的硅氧層平行于（0001）面疊放而形成架狀結(jié)構(gòu)。平行疊放時(shí)，硅氧層中的四面體共頂連接，并且共頂?shù)膬蓚€(gè)四面體處于鏡面對(duì)稱(chēng)狀態(tài)，Si

35、-O-Si鍵角是180o，對(duì)于-鱗石英，有的認(rèn)為屬于斜方晶系，晶胞參數(shù)a=0.874nm，b=0.504nm，c=0.824nm。而有的認(rèn)為屬于單斜晶系，參數(shù)為a=1.845nm，b=0.499nm，c=2.383nm，=105o39，。 第六十張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月（2） -鱗石英的結(jié)構(gòu) -鱗石英屬六方晶系，空間群P63/mmc；晶胞參數(shù)a=0.504nm，c=0.825nm；晶胞分子數(shù)Z=4。其結(jié)構(gòu)如圖1-3-19所示。結(jié)構(gòu)由交替指向相反方向的硅氧四面體組成的六節(jié)環(huán)狀的硅氧層平行于（0001）面疊放而形成架狀結(jié)構(gòu)。平行疊放時(shí)，硅氧層中的四面體共頂連接，并且共頂?shù)膬蓚€(gè)四面體

36、處于鏡面對(duì)稱(chēng)狀態(tài)，Si-O-Si鍵角是180o，對(duì)于-鱗石英，有的認(rèn)為屬于斜方晶系，晶胞參數(shù)a=0.874nm，b=0.504nm，c=0.824nm。而有的認(rèn)為屬于單斜晶系，參數(shù)為a=1.845nm，b=0.499nm，c=2.383nm，=105o39，。 第六十一張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月下圖即為-方石英、 -鱗石英中硅氧四面體的不同連接方式對(duì)比：第六十二張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月（3） -石英的結(jié)構(gòu) -石英屬六方晶系，空間群P6422或P6222；晶胞參數(shù)a=0.496nm，c=0.545nm；晶胞分子數(shù)Z=3。-石英在（0001）面上的投影如圖1-3-20

37、所示。結(jié)構(gòu)中每個(gè)Si4+周?chē)?個(gè)O2-，空間取向是2個(gè)在Si4+上方、2個(gè)在其下方。各四面體中的離子，排列于高度不同的三層面上，最上一層用粗線表示，其次一層用細(xì)線表示，最下方一層以虛線表示。-石英結(jié)構(gòu)中存在6次螺旋軸，圍繞螺旋軸的Si4+離子，在（0001）面上的投影可連接成正六邊形，如圖1-3-21（a）和1-3-22（a）所示。根據(jù)螺旋軸的旋轉(zhuǎn)方向不同，-石英有左形和右形之分，其空間群分別為P6422和P6222。-石英中Si-O-Si鍵角為150o。 第六十三張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月圖1-3-20 -石英在（0001）面上的投影 第六十四張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于202

38、2年6月圖1-3-21 （a） -石英、（b） -石英中Si4+在（0001）面上的投影 第六十五張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月-石英屬三方晶系，空間群P3221或P3121；晶胞參數(shù)a=0.491nm，c=0.540nm；晶胞分子數(shù)Z=3。-石英是-石英的低溫變體，兩者之間通過(guò)位移性轉(zhuǎn)變實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)的相互轉(zhuǎn)換。兩結(jié)構(gòu)中的Si4+在（0001）面上的投影示于圖1-3-21。在-石英結(jié)構(gòu)中，Si-O-Si鍵角由-石英中的150o變?yōu)?37o，這一鍵角變化，使對(duì)稱(chēng)要素從-石英中的6次螺旋軸轉(zhuǎn)變?yōu)?石英中的3次螺旋軸。圍繞3次螺旋軸的Si4+在（0001）面上的投影已不再是正六邊形，而是復(fù)三角

39、形，見(jiàn)圖1-3-21（b）。-石英也有左、右形之分。 第六十六張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月圖1-3-22 （a） -石英、（b） -石英中硅氧四面體在（0001）面上的投影 第六十七張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系：SiO2結(jié)構(gòu)中Si-O鍵的強(qiáng)度很高，鍵力分別在三維空間比較均勻，因此SiO2晶體的熔點(diǎn)高、硬度大、化學(xué)穩(wěn)定性好，無(wú)明顯解理。 第六十八張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月關(guān)于-石英的壓電效應(yīng)：某些晶體在機(jī)械力作用下發(fā)生變形，使晶體內(nèi)正負(fù)電荷中心相對(duì)位移而極化，致使晶體兩端表面出現(xiàn)符號(hào)相反的束縛電荷，其電荷密度與應(yīng)力成比例。這種由“壓力”產(chǎn)生“

40、電”的現(xiàn)象稱(chēng)為正壓電效應(yīng)(direct piezoelectric effect)。反之，如果具有壓電效應(yīng)的晶體置于外電場(chǎng)中，電場(chǎng)使晶體內(nèi)部正負(fù)電荷中心位移，導(dǎo)致晶體產(chǎn)生形變。這種由“電”產(chǎn)生“機(jī)械形變”的現(xiàn)象稱(chēng)為逆壓電效應(yīng)(converse piezoelectric effect)。正壓電效應(yīng)和逆壓電效應(yīng)統(tǒng)稱(chēng)為壓電效應(yīng)。第六十九張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月根據(jù)轉(zhuǎn)動(dòng)對(duì)稱(chēng)性，晶體分為32個(gè)點(diǎn)群，在無(wú)對(duì)稱(chēng)中心的21個(gè)點(diǎn)群中，除O-432點(diǎn)群外，有20種點(diǎn)群具有壓電效應(yīng)。在20種壓電晶體中又有10種具有熱釋電效應(yīng)（pyroelectric effect）。晶體的壓電性質(zhì)與自發(fā)極化性質(zhì)都

41、是由晶體的對(duì)稱(chēng)性決定的。產(chǎn)生壓電效應(yīng)的條件是：晶體結(jié)構(gòu)中無(wú)對(duì)稱(chēng)中心，否則，晶體受外力時(shí)，正負(fù)電荷中心不會(huì)分離，因而沒(méi)有壓電性。 第七十張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月 由于晶體的各向異性，壓電效應(yīng)產(chǎn)生的方向、電荷的正負(fù)等都隨晶體切片的方位而變化。如圖1-3-23(a)顯示無(wú)外力作用時(shí)，晶體中正負(fù)電荷中心是重合的，整個(gè)晶體中總電矩為零；圖(b)表明，在垂直方向?qū)w施加壓力時(shí)，晶體發(fā)生變形，使正電荷中心相對(duì)下移，負(fù)電荷中心相對(duì)上移，導(dǎo)致正負(fù)電荷中心分離，使晶體在垂直于外力方向的表面上產(chǎn)生電荷(上負(fù)、下正)。圖(c)顯示出晶體水平方向受壓時(shí)，在平行于外力的表面上產(chǎn)生電荷的過(guò)程，此時(shí)，電荷為

42、上正下負(fù)。由此可見(jiàn)，壓電效應(yīng)是由于晶體在外力作用下發(fā)生變形，正負(fù)電荷中心產(chǎn)生相對(duì)位移，使晶體總電矩發(fā)生變化造成的。因此，在使用壓電晶體時(shí)，為了獲得良好的壓電性，須根據(jù)實(shí)際要求，切割出相應(yīng)方位的晶片。 第七十一張，PPT共八十頁(yè)，創(chuàng)作于2022年6月圖1-3-23 -石英中壓電效應(yīng)產(chǎn)生的機(jī)理及方位關(guān)系 無(wú)外力作用時(shí)，晶體中正負(fù)電荷中心是重合的，整個(gè)晶體中總電矩為零垂直方向?qū)w施加壓力時(shí)，晶體發(fā)生變形，使正電荷中心相對(duì)下移，負(fù)電荷中心相對(duì)上移，導(dǎo)致正負(fù)電荷中心分離，使晶體在垂直于外力方向的表面上產(chǎn)生電荷（上負(fù)、下正）。晶體水平方向受壓時(shí)，在平行于外力的表面上產(chǎn)生電荷的過(guò)程，此時(shí)，電荷為上正下負(fù)。 第七十二張，PPT共