福建省2011屆高三物理二輪復(fù)習(xí) 專題訓(xùn)練限時(shí)訓(xùn)練五

1、PAGE PAGE - 7 -用心 愛心 專心福建省2011屆高三物理二輪復(fù)習(xí)專題訓(xùn)練限時(shí)訓(xùn)練五一、單選題(本題共10小題，每小題6分，共60分) 1(2010年廣東茂名二模)如圖，是一固定的點(diǎn)電荷，虛線a、b、c是該點(diǎn)電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)中的三條等勢(shì)線，正點(diǎn)電荷q僅受電場(chǎng)力的作用沿實(shí)線所示的軌跡從a處運(yùn)動(dòng)到b處，然后又運(yùn)動(dòng)到c處由此可知()A. 為負(fù)電荷B. 在整個(gè)過程中q的速度先變大后變小C. 在整個(gè)過程中q的加速度先變大后變小D. 在整個(gè)過程中，電場(chǎng)力做功不為零1【解析】由運(yùn)動(dòng)軌跡可知，正點(diǎn)電荷q受到的庫侖力方向向右，說明固定的點(diǎn)電荷帶正電，A選項(xiàng)錯(cuò)誤；q從a點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到b點(diǎn)庫侖力方向與速度方向夾

2、角大于90，電場(chǎng)力做負(fù)功，速度變小，q從b點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到c點(diǎn)庫侖力方向與速度方向夾角小于90，電場(chǎng)力做正功，速度變大，B選項(xiàng)錯(cuò)誤；在整個(gè)過程中q先靠近后遠(yuǎn)離固定電荷，庫侖力先變大后變小，加速度先變大后變小，C選項(xiàng)正確；a、c兩點(diǎn)同電勢(shì)，電勢(shì)差為零，電場(chǎng)力做功為零，D選項(xiàng)錯(cuò)誤?！敬鸢浮緾2(2010年福建南平二模)Q1、Q2為兩個(gè)帶電質(zhì)點(diǎn)，帶正電的試探電荷q沿中垂線移動(dòng)，在各點(diǎn)所受Q1、Q2作用力的合力大小和方向如圖所示(力的方向都是向左側(cè))，由此可以判斷()AQ2可能是負(fù)電荷BQ2的 電量一定大于Q1的電量CQ1、Q2可能為等量異種電荷 D中垂線上的各點(diǎn)電勢(shì)相等2【解析】如圖，從q在各點(diǎn)所受Q1、Q

3、2作用力的合成情況可以看出Q1、Q2對(duì)q的作用力均為庫侖斥力，即Q1、Q2均帶正電，A、C選項(xiàng)均錯(cuò)誤；由于F2 F1，根據(jù)庫侖定律知Q2的電量一定大于Q1的電量，B選項(xiàng)正確；若q沿中垂線移動(dòng)，庫侖力的合力方向與運(yùn)動(dòng)方向不垂直即庫侖力的合力做功不為零，說明中垂線上的各點(diǎn)電勢(shì)不相等。【答案】B3(2010年福建師大附中二模)在x軸上方有垂直于紙面的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，同一種帶電粒子從O點(diǎn)射入磁場(chǎng)。當(dāng)入射方向與x軸的夾角45 時(shí)，速度為v1、v2的兩個(gè)粒子分別從a、b兩點(diǎn)射出磁場(chǎng)，如圖所示，當(dāng)60時(shí)，為了使粒子從ab的中點(diǎn)c射出磁場(chǎng)，則速度應(yīng)為()A.eq f(1,2)(v1 v2)B.eq f( r(2),

4、2)(v1 v2) C.eq f( r(3),3)(v1 v2) D.eq f( r(6),6)(v1 v2)3【解析】設(shè)從ab的中點(diǎn)c射出的粒子的速度為v，則其在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌道半徑為req f(mv,qB)，速度為v1、v2的兩個(gè)粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌道半徑分別為r1eq f(mv1,qB)、r2eq f(mv2,qB)，eq xto(Oa) eq r(2)r1，eq xto(Ob) eq r(2)r2，則eq xto(ab)eq xto(Ob)eq xto(Oa) eq r(2)(v2v1)eq f(m,qB)，eq xto(Oc)eq xto(Oa) eq f(1,2)eq xto(ab

5、)eq f( r(2),2)(v2 v1)eq f(m,qB)，而eq f(1,2)eq xto(Oc)rsin60， 即eq f(1,2) eq f( r(2),2)(v2 v1)eq f(m,qB)eq f( r(3),2)veq f(m,qB)，解得veq f( r(6),6)(v1 v2)?！敬鸢浮緿4(2010年福建廈門二模)如圖所示將截面為正方形的真空腔abcd放置在一勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，磁場(chǎng)方向垂直紙面向里。若有一束具有不同速率的電子由小孔a沿ab方向射入磁場(chǎng)，打在腔壁上的被吸收。關(guān)于電子由小孔c和小孔d射出所需的時(shí)間比值eq f(tc,td)和運(yùn)動(dòng)速率比值eq f(vc,vd)，正確的

6、是()A.eq f(tc,td)1 B.eq f(tc,td) eq r(2)C.eq f(vc,vd) eq r(2) D.eq f(vc,vd)24【解析】由Teq f(2m,qB) 知周期T與軌道半徑R無關(guān)，由小孔c射出的電子在真空腔中的運(yùn)動(dòng)軌跡是eq f(1,4)圓弧，tceq f(1,4)T，由小孔d射出的電子在真空腔中的運(yùn)動(dòng)軌跡是eq f(1,2)圓弧，tdeq f(1,2)T，所以eq f(tc,td)eq f(1,2)，A、B選項(xiàng)均錯(cuò)誤；由小孔c和d射出的電子在真空腔中的軌跡半徑分別為Rceq xto(ad)，Rdeq f(1,2)eq xto(ad)，由Req f(mv,qB

7、)得eq f(vc,vd)eq f(Rc,Rd)2，D選項(xiàng)正確、C選項(xiàng)錯(cuò)誤?！敬鸢浮緿5(2010年廣東深圳二模)如圖所示，某空間存在正交的勻強(qiáng)電磁場(chǎng)，電場(chǎng)方向水平向右，磁場(chǎng)方向垂直紙面向里一帶負(fù)電微粒由a點(diǎn)以一定初速度進(jìn)入電磁場(chǎng)，剛好能沿直線ab斜向上運(yùn)動(dòng)，則下列說法正確的是()A微粒的電勢(shì)能一定減少B微粒的動(dòng)能一定減少C微粒的動(dòng)能一定增加 D微粒的機(jī)械能一定減少5【解析】“剛好能沿直線ab斜向上運(yùn)動(dòng)”說明微粒受力平衡，做勻速直線運(yùn)動(dòng)，動(dòng)能不變，B、C選項(xiàng)均錯(cuò)誤；電場(chǎng)力水平向左與位移方向夾角小于90，電場(chǎng)力做正功，電勢(shì)能減少，A選項(xiàng)正確；由排除法知D選項(xiàng)錯(cuò)誤(洛倫茲力總是不做功，而電場(chǎng)力做正

8、功，由功能原理知，微粒的機(jī)械能一定增加)?！敬鸢浮緼6(2010年福建師大附中三模)如圖所示，燈絲K處不斷溢出的電子(初速度為零，重力不計(jì))經(jīng)電壓為U0的加速電場(chǎng)后沿平行板電容器兩板中線OO方向垂直于電場(chǎng)線射入電壓為U1的兩平行板間的勻強(qiáng)電場(chǎng)，結(jié)果發(fā)現(xiàn)電子都打在上極板的中點(diǎn)略偏右側(cè)的位置，為使電子能打到極板右側(cè)的熒光屏上，熒光屏足夠長(zhǎng)。下列方法可行的是()A將下極板降低到兩極板間距增大為原來的二倍B將上極板升高到兩極板間距增大為原來的二倍C將加速電壓U0增為原來的二倍D將偏轉(zhuǎn)電壓U1減為原來的一半6【解析】根據(jù)動(dòng)能定理有eU0eq f(1,2) mv2，設(shè)兩板間距為d，則E eq f(U1,d

9、)，a eq f(eE,m)，yeq f(1,2)at2，xvt，聯(lián)立解得x2 eq r(f(2U0dy,U1)。對(duì)A選項(xiàng)，y不變，d 增大為原來的二倍，則x只增大為原來的eq r(2)倍，小于極板的長(zhǎng)度，電子不能打到熒光屏上，A選項(xiàng)錯(cuò)誤；對(duì)B選項(xiàng)，y增為的3倍，d增為原來的2倍，則x增為原來的eq r(6)倍，而eq r(6) 2，所以電子能打到屏上，B選項(xiàng)正確；將U0增為原來的二倍或U1減為原來的一半，x只增大為原來的eq r(2)倍，電子能打到極板上，C、D選項(xiàng)均錯(cuò)誤?！敬鸢浮緽7(2010年福建泉州一中模擬)如圖所示，一簇電場(chǎng)線的分布關(guān)于y軸對(duì)稱，O是坐標(biāo)原點(diǎn)，M、N、P、Q是以O(shè)為圓

10、心的一個(gè)圓周上的四個(gè)點(diǎn)，其中M、N在y軸上，Q點(diǎn)在x軸上，則()AM點(diǎn)的電勢(shì)比P點(diǎn)的電勢(shì)高BOM間的電勢(shì)差等于NO間的電勢(shì)差C一正電荷在O點(diǎn)時(shí)的電勢(shì)能小于在Q點(diǎn)時(shí)的電勢(shì)能D將一負(fù)電荷由M點(diǎn)移到P點(diǎn)，電場(chǎng)力做正功7【解析】根據(jù)等勢(shì)線與電場(chǎng)線垂直，分別畫出P、Q點(diǎn)的等勢(shì)線，與y軸的交點(diǎn)分別為P、Q，則P點(diǎn)與P點(diǎn)電勢(shì)相同，Q點(diǎn)與Q點(diǎn)的電勢(shì)相同，根據(jù)“沿電場(chǎng)線方向，電勢(shì)降低”知M點(diǎn)的電勢(shì)比P點(diǎn)的電勢(shì)低，A選項(xiàng)錯(cuò)誤；由于NO附近的電場(chǎng)線比OM附近的密，所以NO附近的平均場(chǎng)強(qiáng)eq xto(E1)比OM附近的平均場(chǎng)強(qiáng)eq xto(E2)大，由UEd知，OM間的電勢(shì)差小于NO間的電勢(shì)差，B選項(xiàng)錯(cuò)誤；正電荷從O

11、點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到Q點(diǎn)電場(chǎng)力做正功，電勢(shì)能減少，正電荷從Q點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到Q點(diǎn)電場(chǎng)力不做功，電勢(shì)能不變，即正電荷在O點(diǎn)時(shí)的電勢(shì)能大于在Q點(diǎn)時(shí)的電勢(shì)能，C選項(xiàng)錯(cuò)誤；負(fù)電荷從M點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到P點(diǎn)電場(chǎng)力做正功，而從P點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到P點(diǎn)電場(chǎng)力不做功，將負(fù)電荷由M點(diǎn)移到P點(diǎn)，電場(chǎng)力做正功，D選項(xiàng)正確?！敬鸢浮緿8(2010年廣東東莞高級(jí)中學(xué)二模)如圖所示是質(zhì)譜儀的工作原理示意圖，帶電粒子被加速電場(chǎng)加速后，進(jìn)入速度選擇器。速度選擇器內(nèi)相互正交的勻強(qiáng)磁場(chǎng)和勻強(qiáng)電場(chǎng)的強(qiáng)度分別為B和E。平板S上有可讓粒子通過的狹縫P和記錄粒子位置的膠片A1A2。平板S下方有強(qiáng)度為B0的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。下列表述錯(cuò)誤的是()A質(zhì)譜儀是分析同位素的重要工具 B速度選擇

12、中的磁場(chǎng)方向垂直紙面向外C能通過狹縫P的帶電粒子的速率等于eq f(E,B)D粒子打在膠片上的位置越靠近狹縫P，粒子的比荷越小8【解析】由加速電場(chǎng)可知粒子所受電場(chǎng)力向下，即粒子帶正電。在速度選擇器中，電場(chǎng)力與洛倫茲力平衡，電場(chǎng)力水平向右，則洛倫茲力水平向左，由左手定則知磁場(chǎng)方向垂直紙面向外，B選項(xiàng)正確；由qEqvB得能通過狹縫P的粒子的速率veq f(E,B)，C選項(xiàng)正確；粒子進(jìn)入磁場(chǎng)做勻速圓周運(yùn)動(dòng)，軌道半徑req f(mv,qB0)，可見當(dāng)v、B0相同時(shí)，r eq f(m,q)，對(duì)于同位素來說，q相同，rm，所以可以用來區(qū)分同位素，A選項(xiàng)正確；若粒子打在膠片上的位置越靠近狹縫P，即r越小，則

13、由r eq f(m,q) 知，比荷 eq f(q,m) 就越大，D選項(xiàng)錯(cuò)誤?！敬鸢浮緿9(2010年福建廈門二模)如圖所示，A、B兩點(diǎn)各放有電荷量為 Q和 2Q的點(diǎn)電荷，A、B、C、D四點(diǎn)在同一直線上，且ACCDDB。現(xiàn)將一正電荷從C點(diǎn)沿直線移到D點(diǎn)，則()A電勢(shì)能始終增加B電勢(shì)能始終減少C電場(chǎng)力先做正功后做負(fù)功D電場(chǎng)力先做負(fù)功后做正功9【解析】設(shè)A、B間距為L(zhǎng)，AB線段上距A點(diǎn)為r的某一點(diǎn)P的場(chǎng)強(qiáng)為零，則k eq f(Q,r2)k eq f(2Q,Lr2)，得r( eq r(2)1)L0.414L v1，所以R2 R1；在3t04t0內(nèi)無磁場(chǎng)而僅有電場(chǎng)，粒子受到沿y軸負(fù)方向的電場(chǎng)力作用，做初速為v2的勻減