【大學(xué)課件】存儲(chǔ)系統(tǒng)

1、存儲(chǔ)系統(tǒng) 第 6 章6.1 概述 6.1.1 存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu) 6.1.2 存儲(chǔ)器的分類 6.1.3 存儲(chǔ)器的基本組成 6.2 RAM隨機(jī)存儲(chǔ)器 6.2.1 靜態(tài)RAM 6.2.2 動(dòng)態(tài)RAM 6.2.3 動(dòng)態(tài)RAM的刷新 6.3 ROM只讀存儲(chǔ)器 6.3.1 掩膜只讀存儲(chǔ)器(MROM) 6.3.2 可編程的只讀存儲(chǔ)器(PROM) 6.3.3 可編程、擦除的 只讀存儲(chǔ)器(EPROM) 6.3.4 閃速存儲(chǔ)器6.4 存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)與控制 6.4.1 常用的譯碼電路 6.4.2 內(nèi)存容量擴(kuò)充 6.4.3 設(shè)計(jì)實(shí)例6.5 Cache高速緩沖存儲(chǔ)器 6.5.1 高速緩存工作原理 6.5.2 替換策略 6

2、.5.3 Cache讀/寫 6.6 虛擬存儲(chǔ)器 6.6.1 基本原理 6.6.2 虛擬存儲(chǔ)的實(shí)現(xiàn) 6.7 內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展 6.7.1 內(nèi)存的技術(shù)特點(diǎn) 6.7.2 內(nèi)存的硬件新技術(shù)1ppt課件概述 6.1.1 存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu) 存儲(chǔ)層次結(jié)構(gòu)：各種不同存儲(chǔ)容量、不同存取速度的存儲(chǔ)器，按一 定的體系結(jié)構(gòu)組織起來，形成一個(gè)統(tǒng)一整體的存儲(chǔ) 系統(tǒng)。 高速緩沖存儲(chǔ)器和內(nèi)存間稱為Cache內(nèi)存層次 內(nèi)存和外存間稱為內(nèi)存外存層次教學(xué)進(jìn)程6.12ppt課件存儲(chǔ)器的分類 按存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的作用分類 （1）高速緩沖存儲(chǔ)器 （2）內(nèi)存儲(chǔ)器 （3）外存儲(chǔ)器 教學(xué)進(jìn)程 按存取方式分類 （1）隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM（Ra

3、ndom Access Memory ) （2）只讀存儲(chǔ)器ROM（Read Only Memory） （3）順序存取存儲(chǔ)器SAM（Sequential Access Memory） （4）直接存取存儲(chǔ)器DAM（Direct Access Memory） 6.1.23ppt課件6.1.2 按存儲(chǔ)介質(zhì)分類 （1）磁介質(zhì)存儲(chǔ)器 （2）半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 （3）光存儲(chǔ)器 按信息的可保存性分類 （1）易失性存儲(chǔ)器 （2）非易失性存儲(chǔ)器 教學(xué)進(jìn)程存儲(chǔ)器的分類(續(xù)） 4ppt課件存儲(chǔ)器的基本組成1. 內(nèi)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元 教學(xué)進(jìn)程6.1.3 位 二進(jìn)制數(shù)的最基本單位，也是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)信息的最 小單位。 存儲(chǔ)字一個(gè)二進(jìn)

4、制數(shù)由若干位組成，當(dāng)這個(gè)二進(jìn)制數(shù)作為 一個(gè)整體存入或取出時(shí)這個(gè)二進(jìn)制數(shù)稱為存儲(chǔ)字。 存儲(chǔ)單元或內(nèi)存單元存放存儲(chǔ)字的內(nèi)存空間 存儲(chǔ)體大量存儲(chǔ)單元的集合構(gòu)成 在大多數(shù)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，內(nèi)存是以字節(jié)為單位編址的。 5ppt課件6.1.3 存儲(chǔ)器的基本組成 內(nèi)存通常由存儲(chǔ)體、地址譯碼驅(qū)動(dòng)電路、I/O和讀寫電路組成。地址譯碼驅(qū)動(dòng)電路存儲(chǔ)體I/O和讀寫電路教學(xué)進(jìn)程2. 內(nèi)存儲(chǔ)器的基本結(jié)構(gòu) 6ppt課件 雙極型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器TTL 優(yōu)點(diǎn): 速度高，驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)； 缺點(diǎn): 集成度低，功耗大，價(jià)格高。金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）存儲(chǔ)器 優(yōu)點(diǎn)：集成度高，功耗小成本低；

5、缺點(diǎn)：速度比較低。 目前普遍使用的都是MOS型存儲(chǔ)器。 教學(xué)進(jìn)程常用的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器6.2 RAM隨機(jī)存儲(chǔ)器7ppt課件RAM隨機(jī)存儲(chǔ)器 RAM存儲(chǔ)器包括教學(xué)進(jìn)程6.2MOS型RAM又分雙極型 RAM 和 MOS 型 RAM;靜態(tài) RAM，即SRAM（Static RAM）動(dòng)態(tài) RAM，即DRAM（Dynamic RAM）8ppt課件6.2.1 靜態(tài)RAM (I/O)(I/O)T8X地址譯碼線T7ABT6VccT3T4T1T2T5接Y地址譯碼器六管SRAM基本存儲(chǔ)電路1.教學(xué)進(jìn)程六管靜態(tài)存儲(chǔ)電路單元電路由六個(gè)MOS管組成，編號(hào)為T1T8。T1、T2兩個(gè)組成雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器，這是單元電路的基本存儲(chǔ)單元

6、。T3、T4為負(fù)載管；T3和T1構(gòu)成一個(gè)反向器，負(fù)載T4和T1構(gòu)成另外一個(gè)反向器，這兩個(gè)反向器構(gòu)成一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器。9ppt課件T5、T6為控制管，接X地址選擇線（又稱字線），當(dāng)X地址選擇線為高電平時(shí)，T5、T6導(dǎo)通，使雙穩(wěn)態(tài)電路與讀/寫電路連接，可對(duì)其進(jìn)行寫入或讀出。當(dāng)X地址選擇線為低電平時(shí)，T5、T6斷開，雙穩(wěn)態(tài)電路與讀/寫電路斷開，T1、T2存儲(chǔ)信息保持原狀態(tài)不變。 教學(xué)進(jìn)程6.2.1 靜態(tài)RAM (I/O)(I/O)T8X地址譯碼線T7ABT6VccT3T4T1T2T5接Y地址譯碼器六管SRAM基本存儲(chǔ)電路1.六管靜態(tài)存儲(chǔ)電路10ppt課件（1）寫操作 如果要寫入1，則在I/O線上輸入

7、高電平，在I/O線上輸入低電平，它們通過T5、T7和T6、T8分別與A、B端相連，使A1，B0。則T1截止，T2導(dǎo)通。當(dāng)輸入信號(hào)和地址選擇信號(hào)消失后，T5、T6 、T7、T8截止，T1、T2保持被寫入的狀態(tài)。只要不斷電，寫入的信息就保持不變。 （2）讀操作只要某個(gè)存儲(chǔ)單元被選中，則T5、T6 、T7、T8導(dǎo)通，存儲(chǔ)信號(hào)被送到 I/O和I/O線上。讀出時(shí)I/O和I/O線接到一個(gè)差動(dòng)放大器上，由電流的方向可以判定存儲(chǔ)單元的信號(hào)是“1”還是“0”。 教學(xué)進(jìn)程1.六管靜態(tài)存儲(chǔ)電路11ppt課件2.SRAM芯片 A0A12 ：地址信號(hào)線D0D7 ：雙向數(shù)據(jù)線8位CS1、CS2：片選信號(hào)OE ：讀控制信號(hào)

8、WE ：寫控制信號(hào)Vcc：+5V：工作電源GND ：地線NC ：空端教學(xué)進(jìn)程6.2.1 靜態(tài)RAM NCA12A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1D2GND VCC WECS2A8A9A11OEA10CSD7D6D5D4D31 28 2 27 3 26 4 25 5 24 6 23 7 22 8 21 9 20 10 19 11 18 12 17 13 16 14 15 112ppt課件動(dòng)態(tài)RAM字選線數(shù)據(jù)線T1C1. 單管動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)電路 單管存儲(chǔ)電路由一個(gè)MOS管T1和 一個(gè)電容C構(gòu)成。 寫入時(shí): 柵極電容接字選線。 字選線為1，T1導(dǎo)通，寫入信 號(hào)由數(shù)據(jù)線存入電容C中；

9、 讀出時(shí): 選擇線為1，T1導(dǎo)通， 存儲(chǔ)在電容C上的電荷，通過 T1輸出到數(shù)據(jù)線上，通過讀 出放到器即可得到存儲(chǔ)信息。 教學(xué)進(jìn)程6.2.213ppt課件6.2.2 動(dòng)態(tài)RAM2.DRAM芯片 A0A7 ：地址線，輸入DIN、DOUT：數(shù)據(jù)輸入和輸出線RAS ：行地址鎖存信號(hào)CAS ：列地址鎖存信號(hào)WR ：寫允許信號(hào)教學(xué)進(jìn)程N(yùn)CDINWERASAA2A1GND VCCCASDOUTA6A3A4A5A71 16 2 15 3 14 4 13 5 12 6 11 7 10 8 9 DRAM2164A外部引腳圖14ppt課件6.2.2 動(dòng)態(tài)RAMCS2數(shù)據(jù)傳輸狀態(tài)100寫入數(shù)據(jù)1010讀出數(shù)據(jù)00三態(tài)

10、（高阻）1101CS1WEOE教學(xué)進(jìn)程DRAM芯片四個(gè)控制信號(hào)的功能15ppt課件動(dòng)態(tài)RAM的刷新（l）集中刷新方式 刷新時(shí)間存儲(chǔ)矩陣行數(shù)刷新周期 這里刷新周期是指刷新一行所需要的時(shí)間讀寫操作刷新操作393564個(gè)周期（32s）3936個(gè)周期（1968s）刷新間隔（2ms）3936399921集中刷新方式示意圖1.刷新方式 教學(xué)進(jìn)程6.2.316ppt課件把刷新操作分散到每個(gè)存取周期內(nèi)進(jìn)行，系統(tǒng)的存取周期被分為兩部分，前一部分時(shí)間進(jìn)行讀寫操作或保持，后一部分時(shí)間進(jìn)行刷新操作。 分散刷新方式示意圖示意圖周期0讀寫周期63刷新間隔（64s）刷新周期2周期1讀寫刷新讀寫刷新讀寫刷新教學(xué)進(jìn)程分散刷新方

11、式（2）1.刷新方式17ppt課件刷新操作平均分配到整個(gè)最大刷新間隔時(shí)間內(nèi)進(jìn)行，故有：相鄰兩行的刷新間隔最大刷新間隔時(shí)間行數(shù) 異步刷新方式30.75s讀寫31.25s刷新間隔（2ms）刷新0.5s讀寫刷新讀寫刷新31.25s教學(xué)進(jìn)程異步刷新方式（3）1.刷新方式18ppt課件6.2.3 動(dòng)態(tài)RAM的刷新 當(dāng)刷新請(qǐng)求和訪存請(qǐng)求同時(shí)發(fā)生時(shí)，應(yīng)優(yōu)先進(jìn)行刷新操作 。2.教學(xué)進(jìn)程刷新控制DRAM刷新要注意： 刷新不依賴于外部的訪問，對(duì)CPU是透明的。 刷新通常是一行一行地進(jìn)行的，刷新操作時(shí)僅需要行地址， 不需要列地址。 刷新操作類似于讀出操作，但又有所不同。 考慮刷新時(shí)，應(yīng)當(dāng)從單個(gè)芯片的存儲(chǔ)容量著手，而

12、不是從 整個(gè)存儲(chǔ)器的容量著手。 19ppt課件ROM只讀存儲(chǔ)器 6.3.1 掩膜只讀存儲(chǔ)器（MROM） 在生產(chǎn)過程中直接將用戶要求信息中寫入，寫入之后無法改變其內(nèi)容。 優(yōu)點(diǎn)：可靠性高，集成度高，形成批量之后價(jià)格便宜； 缺點(diǎn)：用戶對(duì)制造廠商的依賴性過大，靈活性差。 教學(xué)進(jìn)程 6.3 在制作時(shí)不寫入任何信息，但允許用戶利用專門的設(shè)備（編程器）寫入自己的程序，寫入是一次性的。寫入后，其內(nèi)容將無法改變。 雙極型PROM 有兩種結(jié)構(gòu): 一種是熔絲燒斷型; 一種是PN結(jié)擊穿型;6.3.2 可編程的只讀存儲(chǔ)器（PROM）20ppt課件EPROM（Ereaasble PROM）不僅可以由用戶利用編程器寫入信息

13、，而且可以對(duì)其內(nèi)容進(jìn)行多次改寫。 EPROM又可分為兩種： 一種紫外線擦除（UVEPROM）; 一種是電擦除（EEPROM）;可編程、可擦除的只讀存儲(chǔ)器（EPROM）6.3.4 閃速存儲(chǔ)器（Flash Memory） 可在不加電的情況下長(zhǎng)期保存信息；又能在線進(jìn)行快速擦除與重寫；兼?zhèn)淞薊EPROM和RAM的優(yōu)點(diǎn)。 教學(xué)進(jìn)程6.3.321ppt課件存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)與控制 6.4.1 常用的譯碼電路 三組連線：地址總線（AB）、數(shù)據(jù)總線（DB）和控制總線（CB），主存容量2k字字長(zhǎng)n位CPUMAR MDR 地址總線 k位 數(shù)據(jù)總線 n位 Read Write MFC 1. 內(nèi)存和CPU之間的硬連接 教學(xué)

14、進(jìn)程6.4 把內(nèi)存看作一個(gè)黑盒子，存儲(chǔ)器地址寄存器（MAR） 和存儲(chǔ) 器數(shù)據(jù)寄存器（MDR）是內(nèi)存和CPU之間的接口 。22ppt課件6.4.1 CPU要實(shí)現(xiàn)對(duì)存儲(chǔ)單元的訪問，首先要選擇存儲(chǔ)芯片，即進(jìn)行片選， 然后再從選中的芯片中根據(jù)地址碼選擇出相應(yīng)的存儲(chǔ)單元，以進(jìn)行 數(shù)據(jù)的存取，這稱為字選。 片選信號(hào)的譯碼方法又可分為全譯碼法和部分譯碼法。 全譯碼法除片內(nèi)尋址外的全部高位地址線都作為地址譯碼器的 輸入，譯碼器的輸出作為各芯片的片選信號(hào)，將它們 分別接到存儲(chǔ)芯片的片選端，實(shí)現(xiàn)對(duì)存儲(chǔ)芯片的選擇。 部分譯碼用除片內(nèi)尋址外的高位地址的一部分來譯碼產(chǎn)生片選 信號(hào)。 2. 譯碼電路 教學(xué)進(jìn)程常用的譯碼電

15、路23ppt課件總片數(shù)總?cè)萘?（容量/片） 內(nèi)存容量擴(kuò)充位擴(kuò)展只在位數(shù)方向擴(kuò)展（加大字長(zhǎng)），而芯片的字?jǐn)?shù)和存儲(chǔ) 器的字?jǐn)?shù)是一致的。位擴(kuò)展的連接方式是將各存儲(chǔ)芯片的地 址線、片選線和讀寫線相應(yīng)地并聯(lián)起來，而將各芯片的數(shù)據(jù) 線單獨(dú)列出。1.位擴(kuò)展教學(xué)進(jìn)程6.4.2用1Kl的SRAM芯片組成1K8的存儲(chǔ)器，所需芯片數(shù)為：總片數(shù)(1K8)/ (1K1)8（片） 例如24ppt課件6.4.2 內(nèi)存容量擴(kuò)充 教學(xué)進(jìn)程WECS位擴(kuò)展連接舉例8D7I/OI/O7I/O6I/O5I/O4I/O3I/O210241I/O1 A0A9地址總線 數(shù)據(jù)總線D0825ppt課件6.4.2 內(nèi)存容量擴(kuò)充 字?jǐn)U展僅在字?jǐn)?shù)方向

16、擴(kuò)展，而位數(shù)不變。字?jǐn)U展將芯片的 地址線、數(shù)據(jù)線、讀寫線并聯(lián)，由片選信號(hào)來區(qū)分各個(gè)芯片。字?jǐn)U展教學(xué)進(jìn)程2.用1K8的SRAM組成4K8的存儲(chǔ)器，所需芯片數(shù)為： 總片數(shù)(4K8)/ (1K8)4（片） 例如26ppt課件Cache高速緩沖存儲(chǔ)器 6.5.1 高速緩存工作原理 程序訪問的局部性CPU對(duì)局部范圍的存儲(chǔ)器地址頻繁地訪問， 而對(duì)此范圍以外的地址訪問甚少的現(xiàn)象。 高速緩沖技術(shù)利用程序的局部性原理，把程序中正在使用的 部分（活躍塊）存放在一個(gè)高速的容量較小的Cache 中，使CPU的訪存操作大多數(shù)針對(duì)Cache進(jìn)行，從而 使程序的執(zhí)行速度大大提高。 Cache介于CPU和內(nèi)存之間，將Cach

17、e和內(nèi)存有機(jī)的結(jié)合起來，借助 于輔助硬件組成Cache內(nèi)存層次。Cache的存取速度接近于CPU 的工作速度，但是容量較小。 教學(xué)進(jìn)程6.527ppt課件替換算法主要有: 隨機(jī)替換 最不經(jīng)常使用（LFU）算法 近期最少使用（LRU）算法 6.5.2 替換策略教學(xué)進(jìn)程28ppt課件 當(dāng)CPU發(fā)出讀請(qǐng)求時(shí)，如果Cache命中，就直接對(duì)Cache進(jìn)行 讀操作，與內(nèi)存無關(guān)； 如果Cache不命中，則仍需訪問內(nèi)存，并把該塊信息一次從 內(nèi)存調(diào)入Cache內(nèi)。 若此時(shí)Cache已滿，則須根據(jù)替換算法，用這個(gè)塊替換掉 Cache中原來的某塊信息。 Cache讀/寫1. Cache的讀操作教學(xué)進(jìn)程6.5.329

18、ppt課件6.5.3 Cache讀/寫 Cache中的內(nèi)容只是主存中部分內(nèi)容的一個(gè)副本，因此Cache中的內(nèi)容應(yīng)該與主存中數(shù)據(jù)保持一致。但是對(duì)Cache的寫入將更改其中的內(nèi)容，就會(huì)遇到如何保持Cache與主存中的內(nèi)容一致的問題，處理的方法主要有以下三種：寫回法 全寫法 寫一次法 2.教學(xué)進(jìn)程Cache的寫操作30ppt課件6.6 虛擬存儲(chǔ)器 6.6.1 基本原理 虛擬存儲(chǔ)器主要指: 內(nèi)外存層次虛擬存儲(chǔ)器。 虛擬存儲(chǔ)器建立在內(nèi)外存層次上，由附加硬件裝置及操作系統(tǒng)存儲(chǔ)管理軟件組成的存儲(chǔ)體系。虛擬存儲(chǔ)器將內(nèi)存或外存的地址空間統(tǒng)一編址，形成一個(gè)龐大的存儲(chǔ)空間。 用戶編程的地址稱為虛地址或邏輯地址，實(shí)際

19、的內(nèi)存單元地址稱為實(shí)地址或物理地址。 程序運(yùn)行時(shí)，CPU以虛地址來訪問內(nèi)存，由輔助硬件找出虛地址和實(shí)地址之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系，并判斷這個(gè)虛地址指示的存儲(chǔ)單元內(nèi)容是否已裝入內(nèi)存。如果已在，則通過地址變換，CPU可直接訪問內(nèi)存的實(shí)際單元；如果不在，則把包含這個(gè)字的一個(gè)程序塊調(diào)入內(nèi)存后再由CPU訪問。如果內(nèi)存已滿，則由替換算法從內(nèi)存中將暫時(shí)不運(yùn)行的一塊調(diào)回外存，再從外存調(diào)入新的一塊到內(nèi)存。 教學(xué)進(jìn)程31ppt課件 程序虛地址分為兩個(gè)字段：高位字段為虛頁號(hào)，低位字段為頁內(nèi)地址。虛地址到實(shí)地址之間的變換是由頁表來實(shí)現(xiàn)的。 頁表是一張存放在內(nèi)存中的虛頁號(hào)和實(shí)頁號(hào)的對(duì)照表，記錄著程序的虛頁調(diào)入內(nèi)存時(shí)被安排在內(nèi)存中

20、的位置. 頁表中的每一行記錄了與某個(gè)虛頁對(duì)應(yīng)的若干信息，包括虛頁號(hào)、裝入位和實(shí)頁號(hào)等。虛擬存儲(chǔ)的實(shí)現(xiàn)1.頁式虛擬存儲(chǔ)器 教學(xué)進(jìn)程6.6.232ppt課件6.6.2 虛擬存儲(chǔ)的實(shí)現(xiàn) 頁表基址寄存器和虛頁號(hào)拼接成頁表索引地址。 教學(xué)進(jìn)程頁表基址寄存器頁表基地址虛地址+實(shí)地址頁表1頁內(nèi)地址頁內(nèi)地址實(shí)頁號(hào)虛頁號(hào)33ppt課件6.6.2 虛擬存儲(chǔ)的實(shí)現(xiàn) 段式虛擬存儲(chǔ)器中的段是按照程序的邏輯結(jié)構(gòu)劃分的，各個(gè)段的長(zhǎng)度 因程序而異。為了把程序虛地址變換成內(nèi)存實(shí)地址，需要一個(gè)段表。 段表中每一行記錄了某個(gè)段對(duì)應(yīng)的若干信息，包括段號(hào)、裝入位、段 起點(diǎn)和段長(zhǎng)等。 CPU根據(jù)虛地址訪存時(shí)，首先將段號(hào)與段表的起始地址相

21、拼加，形成 訪問段表對(duì)應(yīng)行的地址，然后根據(jù)段表內(nèi)裝入位判斷該段是否已調(diào)入內(nèi) 存。若已調(diào)入內(nèi)存，從段表讀出該段在內(nèi)存中的起始地址，與段內(nèi)地址 （偏移量）相加，得到對(duì)應(yīng)的內(nèi)存實(shí)地址。 2. 教學(xué)進(jìn)程段式虛擬存儲(chǔ)器34ppt課件6.6.2 虛擬存儲(chǔ)的實(shí)現(xiàn) 段表基址寄存器段表基地址段號(hào)段內(nèi)地址虛地址+內(nèi)存地址實(shí)地址段式虛擬存儲(chǔ)器地址轉(zhuǎn)換段表教學(xué)進(jìn)程35ppt課件6.6.2 虛擬存儲(chǔ)的實(shí)現(xiàn) 段頁式虛擬存儲(chǔ)器。將程序按其邏輯結(jié)構(gòu)分段，每段再劃分為若干 大小相等的頁；內(nèi)存空間也劃分為若干同樣大小的頁。 虛存和實(shí)存之間以頁為基本傳送單位，每個(gè)程序?qū)?yīng)一個(gè)段表， 每段對(duì)應(yīng)一個(gè)頁表。 CPU訪向時(shí)，虛地址包含段號(hào)、段內(nèi)頁號(hào)、頁內(nèi)地址三部分。 首先將段表起始地址與段號(hào)合成，得到段表地址； 然后從段表中取出該段的頁表起始地址，與段內(nèi)頁號(hào)合成， 得到頁表地址； 最后從頁表中取出實(shí)頁號(hào)，與頁內(nèi)地址拼接形成內(nèi)存實(shí)地址。3. 教學(xué)進(jìn)程段頁式虛擬存儲(chǔ)器36ppt課件6.7 內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展 6.7.1 內(nèi)存的技術(shù)特點(diǎn) 內(nèi)存條實(shí)際上是一條焊有多片存儲(chǔ)芯片的印刷電路板，插在主板內(nèi) 存插槽中。 單列直插存儲(chǔ)模塊SIMM（Single In一Line Memory Module）和 雙列直插存儲(chǔ)模塊DIMM（Dual Inline Memory Module）; SIMM有30線和72線