半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)之盛美上海研究報告

1、半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)之盛美上海研究報告1. 盛美上海：國內(nèi)半導(dǎo)體專用制造設(shè)備領(lǐng)先廠商1.1 業(yè)務(wù)主營：專注于半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司主要從事半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷 售，產(chǎn)品包括半導(dǎo)體清洗設(shè)備、半導(dǎo)體電鍍設(shè)備和先進(jìn)封裝濕法設(shè)備等。公司通過向晶 圓制造、先進(jìn)封裝、半導(dǎo)體硅片制造企業(yè)及科研院所等客戶銷售定制化的半導(dǎo)體清洗設(shè) 備、半導(dǎo)體電鍍設(shè)備、無應(yīng)力拋光設(shè)備、立式爐管設(shè)備和先進(jìn)封裝濕法設(shè)備等產(chǎn)品，并 提供服務(wù)，實現(xiàn)收入和利潤。公司堅持差異化競爭和創(chuàng)新的發(fā)展戰(zhàn)略，通過自主研發(fā)的單片兆聲波清洗技術(shù)、單 片槽式組合清洗技術(shù)、電鍍技術(shù)、無應(yīng)力拋光技術(shù)和立式爐管技術(shù)

2、等，向全球晶圓制造、 先進(jìn)封裝及其他客戶提供定制化的設(shè)備及工藝解決方案，有效提升客戶的生產(chǎn)效率、提 升產(chǎn)品良率并降低生產(chǎn)成本。目前，公司在上海有兩處廠房設(shè)施，此外臨港基地正在建 設(shè)中，總面積達(dá) 13.6 萬平方英尺。國內(nèi)半導(dǎo)體清洗設(shè)備龍頭企業(yè)。公司已成功研發(fā)出全球首創(chuàng)的 SAPS/TEBO 兆聲波 清洗技術(shù)和 Tahoe 單片槽式組合清洗技術(shù)，可應(yīng)用于 45nm 及以下技術(shù)節(jié)點的晶圓清 洗領(lǐng)域，有效解決刻蝕后有機沾污和顆粒的清洗難題，并大幅減少濃硫酸等化學(xué)試劑的 使用量。援引中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù)顯示，盛美上海在中國 半導(dǎo)體設(shè)備五強企業(yè)中名列第三。1.2 股權(quán)結(jié)構(gòu)：美國 ACMR 為控股股東，

3、持有發(fā)行后 82.50%股權(quán)美國 ACMR 為公司控股股東。ACM Research（NASDAQ:ACMR）成立于 1998 年，2017 年 11 月 3 日在美國納斯達(dá)克上市。盛美上海的前身于 2005 年 4 月 25 日在上 海松江成立，由美國 ACMR 出資設(shè)立盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司，注冊資本為 120 萬美元；2019 年 10 月 30 日，公司名稱整體變更為“盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股 份有限公司”，注冊資本為 37264.98 萬元。HUI WANG 持有美國 ACMR 16.80 萬股 A 類股股票和 114.69 萬股 B 類股股票，合計持有美國 ACMR 投票權(quán)

4、不低于 35%，并通過 美國 ACMR 控制公司 82.50%的股權(quán)（發(fā)行后），為公司的實際控制人。多家知名投資機構(gòu)參與其中。截止公司招股說明書披露，美國 ACMR 總計持有盛美 上海發(fā)行后 82.50%股權(quán)，為公司控股股東；此外芯時咨詢、芯維咨詢、海通旭初、上 海集成電路產(chǎn)投、浦東產(chǎn)投、金浦投資、張江科創(chuàng)投、芯港咨詢等多家投資機構(gòu)合計持 有公司發(fā)行后 7.50%股權(quán)，其中芯時咨詢和芯港咨詢?yōu)楣締T工持股平臺。公司擁有 5 家控股子公司，其中香港清芯主要從事半導(dǎo)體專用設(shè)備的銷售；盛美無 錫主要為公司部分客戶提供產(chǎn)品售后服務(wù)；盛帷上海擬從事半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生 產(chǎn)和銷售，正在籌建中；盛美韓國

5、進(jìn)行半導(dǎo)體專用設(shè)備和零部件的研發(fā)，同時為公司采 購半導(dǎo)體專用設(shè)備的零部件；盛美加州為公司采購半導(dǎo)體專用設(shè)備的零部件。公司擁有 3 家參股公司，包括盛弈科技（15%）、石溪產(chǎn)恒（10%）、青島聚源（4.34%）。1.3 產(chǎn)品布局：不斷豐富設(shè)備產(chǎn)品，已形成四大半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品系列不斷豐富產(chǎn)品類別，擴寬市場領(lǐng)域。成立至今，公司的技術(shù)和產(chǎn)品經(jīng)歷了從半導(dǎo)體 清洗設(shè)備到先進(jìn)封裝清洗設(shè)備、先進(jìn)封裝電鍍設(shè)備、無應(yīng)力拋光設(shè)備、立式爐管設(shè)備等 不同設(shè)備類型不斷拓展的發(fā)展歷程：持續(xù)積累，形成四大半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品系列布局。經(jīng)過多年持續(xù)的研發(fā)投入和技術(shù)積 累，目前已形成了、單片清洗、槽式清洗以及單片槽式組合清洗等半導(dǎo)體清洗

6、設(shè)備； 、用于芯片制造的前道銅互連電鍍設(shè)備、后道先進(jìn)封裝電鍍設(shè)備等半導(dǎo)體電鍍設(shè)備； 、用于先進(jìn)封裝的濕法刻蝕設(shè)備、涂膠設(shè)備、顯影設(shè)備、去膠設(shè)備、無應(yīng)力拋光設(shè)備 等先進(jìn)封裝濕法設(shè)備；、立式爐管系列設(shè)備等其他設(shè)備的產(chǎn)品布局。 公司的兆聲波 單片清洗設(shè)備、單片槽式組合清洗設(shè)備及銅互連電鍍工藝設(shè)備領(lǐng)域的技術(shù)水平達(dá)到國際 領(lǐng)先或國際先進(jìn)水平。自主研發(fā)，不斷實現(xiàn)技術(shù)突破。截止 2021 年 6 月 30 日，公司及控股子公司擁有 已獲授予專利權(quán)的主要專利 322 項，其中境內(nèi)授權(quán)專利 152 項，境外授權(quán)專利 170 項， 其中發(fā)明專利共計 317 項。公司獲得“上海市集成電路先進(jìn)濕法工藝設(shè)備重點實驗室”

7、 稱號，是“20-14nm 銅互連鍍銅設(shè)備研發(fā)與應(yīng)用”和“65-45nm 銅互連無應(yīng)力拋光設(shè) 備研發(fā)”等中國“02 專項”重大科研項目的主要課題單位。根據(jù)上?？萍嘉⑿殴娞?披露，中國上海網(wǎng)站公布了上海市人民政府關(guān)于表彰 2020 年度上海市科學(xué)技術(shù)獎獲 獎人員（項目）決定，公司的“SAPS（空間交變相位移）兆聲波清洗技術(shù)”獲得“科 技進(jìn)步獎（一等獎）”榮譽。公司憑借在清洗設(shè)備及半導(dǎo)體電鍍設(shè)備領(lǐng)域的技術(shù)和服務(wù)優(yōu)勢，部分產(chǎn)品已經(jīng)通過 驗證并成為海力士、長江存儲、華虹集團等行業(yè)知名半導(dǎo)體企業(yè)的供應(yīng)商，進(jìn)入客戶的 多條生產(chǎn)線，取得了良好的市場口碑，與客戶建立了良好的信任關(guān)系。2. 財務(wù)情況：高速成長

8、，盈利能力強2.1 盈利能力：收入、利潤規(guī)?？焖俪砷L，凈利潤提升明顯收入規(guī)?？焖僭鲩L。公司主營業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，2018、 2019、2020 實現(xiàn)營業(yè)總收入分別為 5.50 億元、7.57 億元和 10.07 億元，分別同比增 116.99%、37.52%和 33.13%，規(guī)模快速增長。歸母凈利潤增速超收入規(guī)模增速。公司 2018、2019、2020 分別實現(xiàn)歸母凈利潤 0.93 億元、1.35 億元和 1.97 億元，分別同比增 751.98%、45.78%和 45.88%，歸母凈 利潤增速超收入規(guī)模增速。目前公司已實現(xiàn)收入的設(shè)備可以分為半導(dǎo)體清洗設(shè)備、半導(dǎo)體電鍍設(shè)備

9、、先進(jìn)封裝 濕法設(shè)備、立式爐管設(shè)備四大類。（1）、半導(dǎo)體清洗設(shè)備為主要收入來源。2018、2019、2020 公司半導(dǎo)體清洗設(shè)備實現(xiàn) 收入分別為 5.01 億元、6.25 億元和 8.16 億元，在主營業(yè)務(wù)收入中占比分別達(dá)到 92.91%、 84.10%和 83.69%。（2）、半導(dǎo)體電鍍設(shè)備收入增長較快。2018、2019、2020 分別實現(xiàn)收入 1191.13 萬元、 7857.39 萬元和 5290.13 萬元，在主營業(yè)務(wù)收入中占比為 2.21%、10.57%和 5.42%。 半導(dǎo)體電鍍設(shè)備收入 2018 年、2019 年持續(xù)增長的原因系銷售數(shù)量及銷售單價均實現(xiàn)增 長所致，其中銷售數(shù)量增

10、長的原因是：2018 年，公司首臺后道先進(jìn)封裝半導(dǎo)體電鍍 設(shè)備成功獲得客戶驗證并實現(xiàn)銷售；2019 年，公司后道先進(jìn)封裝半導(dǎo)體電鍍設(shè)備銷 量繼續(xù)增加以及公司首臺前道銅互連電鍍設(shè)備實現(xiàn)銷售。（3）、先進(jìn)封裝濕法設(shè)備收入 2020 年增長較為明顯。2018、2019、2020 分別實現(xiàn) 2634.07 萬元、3961.12 萬元和 9856.51 萬元，在主營業(yè)務(wù)收入中占比為 4.88%、5.33% 和 10.11%。2020 年先進(jìn)封裝濕法設(shè)備收入增加的原因主要為多家半導(dǎo)體公司增加了先 進(jìn)封裝設(shè)備的投入，導(dǎo)致公司先進(jìn)封裝濕法設(shè)備的銷售量和收入大幅增加。毛利率穩(wěn)中有升。公司 2018、2019、2

11、020 綜合毛利率分別為 44.19%、45.14%和 43.78%。其中主營業(yè)務(wù)毛利率分別為 43.80%、44.67%和 42.65%，其他業(yè)務(wù)毛利率分 別為 63.85%、71.36%和 77.93%。公司其他業(yè)務(wù)主要為備品備件銷售及提供售后服務(wù)， 毛利率相比主營業(yè)務(wù)毛利率高出較多。從細(xì)項來看，2018、2019、2020 半導(dǎo)體清洗設(shè)備的毛利率分別為 44.50%、45.34% 和 45.01%，與綜合毛利率基本持平；2018、2019、2020 半導(dǎo)體電鍍設(shè)備的毛利率分 別為 16.68%、39.25%和 24.65%；2018、2019、2020 先進(jìn)封裝濕法設(shè)備的毛利率分 別為

12、42.73%、44.73%和 34.07%，略低于綜合毛利率水平。凈利率持續(xù)提升。公司2018、2019、2020凈利率分別為16.82%、17.82%和19.53%， 凈利率持續(xù)提升，主要得益于歸母凈利潤的快速增長。2.2 研發(fā)投入：研發(fā)費用率高，人均創(chuàng)利能力持續(xù)增強持續(xù)研發(fā)投入。公司不斷加大研發(fā)投入力度，2018、2019、2020 研發(fā)費用金額分 別為 7941.50 萬元、9926.80 萬元和 14079.11 萬元，占營業(yè)收入的比例分別為 14.43%、 13.12%和 13.97%。體現(xiàn)在專利申請費上，公司 2018、2019、2020 的專利申請費分別 為 156.62 萬元、

13、162.94 萬元和 207.25 萬元，同比增 49.83%和 4.04%和 27.19%，逐 年增加。持續(xù)研發(fā)突破，新產(chǎn)品不斷推出市場、實現(xiàn)銷售。根據(jù)公司招股說明書披露，半導(dǎo) 體清洗設(shè)備、半導(dǎo)體電鍍設(shè)備、先進(jìn)封裝濕法設(shè)備三大設(shè)備產(chǎn)品的銷售平均單價每年略 有不同。主要原因包括：（1）半導(dǎo)體清洗設(shè)備的腔體數(shù)量越多，銷售價格越高，公司目 前銷售的單片清洗設(shè)備從 8 腔向 12 腔升級，12 腔單片清洗設(shè)備的銷售占比提升帶動平 均單價提升；（2）單價較高的前道銅互連電鍍設(shè)備實現(xiàn)銷售，使得半導(dǎo)體電鍍設(shè)備的銷 售平均單價提升；（3）先進(jìn)封裝濕法設(shè)備領(lǐng)域的銷售平均單價變化則是由于產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、 設(shè)備自身配臵

14、（包括腔體數(shù)量、功能差異、客戶定制化要求等）存在差異導(dǎo)致。根據(jù)公司目前主要項目的研發(fā)費用情況來看，SAPS 清洗技術(shù)、ECP 電化學(xué)電鍍技 術(shù)兩個項目的研發(fā)費用較大，2018-2020 兩個項目合計投入研發(fā)費用分別達(dá) 5669.89 萬 元、6359.62 萬元和 5838.88 萬元。此外，公司在 WET Bench 槽式清洗技術(shù)、Backside 背面清洗技術(shù)、Tahoe 技術(shù)、Furnace 立式爐管技術(shù)、Backend Tools 先進(jìn)封裝濕法技 術(shù)等項目上投入的研發(fā)費用增長較快。公司 2018、2019、2020 人均創(chuàng)收分別為 203.80 萬元/人、211.38 萬元/人和 18

15、5.88 萬元/人；人均創(chuàng)利分別為 34.27 萬元/人、37.68 萬元/人和 36.30 萬元/人。我們認(rèn)為公司持續(xù)加大研發(fā)投入力度，在產(chǎn)品品類、產(chǎn)品配臵等方面不斷拓展、升 級迭代，產(chǎn)品核心競爭力不斷提升，做寬做深半導(dǎo)體設(shè)備平臺型企業(yè)，業(yè)績進(jìn)入發(fā)展快 車道非常值得期待。2.3 費用情況：費用規(guī)模擴大，流動性持續(xù)變好期間費用持續(xù)增加。公司 2018、2019、2020 期間費用分別為 1.57 億元、2.11 億 元和 3.29 億元，期間費用占營業(yè)收入比重分別為 28.60%、27.85%和 32.67%?？梢钥?到公司 2020 年期間費用率上升較為明顯，主要是財務(wù)費用、研發(fā)費用有所增加

16、導(dǎo)致。銷售費用方面。公司 2018、2019、2020 銷售費用分別為 6004.69 萬元、8475.49 萬元和 10563.95 萬元，占營業(yè)收入比重分別為 10.91%、11.20%和 10.49%。從細(xì)項來 看，銷售傭金、職工薪酬、售后服務(wù)費占比較大，2020 年銷售傭金、職工薪酬、售后服 務(wù)費在銷售費用中的占比分別達(dá) 38.31%、23.66%和 11.06%，合計占比達(dá) 73.03%。管理費用方面。公司 2018、2019、2020 管理費用分別為 2040.41 萬元、3029.73 萬元和 5031.89 萬元，占營業(yè)收入比重分別為 3.71%、4.00%和 4.99%。從細(xì)

17、項來看， 職工薪酬、中介機構(gòu)費、咨詢服務(wù)費占比較大，2020 年職工薪酬、中介機構(gòu)費、咨詢服 務(wù)費在管理費用中的占比分別達(dá) 38.18%、8.18%和 10.11%，合計占比達(dá) 56.47%。財務(wù)費用方面。公司 2018、2019、2020 財務(wù)費用分別為-251.46 萬元、-357.79 萬元和 3237.14 萬元，占營業(yè)收入比重分別為-0.46%、-0.47%和 3.21%。從細(xì)項來看， 利息費用、利息收入和匯兌損益占比較大，其中 2020 年美元兌人民幣匯率大幅下降， 公司銷售形成的匯兌損失金額較大。流動性方面。公司 2018、2019、2020 流動比率分別為 1.34 倍、2.9

18、3 倍和 2.39 倍，速動比率分別為 0.71 倍、2.18 倍和 1.36 倍。3. 行業(yè)發(fā)展：半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)高景氣周期，設(shè)備供應(yīng)商迎 發(fā)展良機3.1 半導(dǎo)體設(shè)備：預(yù)計 2022E 年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額達(dá) 1140 億美元半導(dǎo)體專用設(shè)備泛指用于生產(chǎn)各類半導(dǎo)體產(chǎn)品所需的生產(chǎn)設(shè)備，屬于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈 的支撐環(huán)節(jié)，其中應(yīng)用于集成電路領(lǐng)域的設(shè)備通?？煞譃榍暗拦に囋O(shè)備（晶圓制造）和 后道工藝設(shè)備（封裝測試）兩大類。根據(jù) SEAJ 官網(wǎng)資料，晶圓加工設(shè)備可以分為光刻 設(shè)備（Exposure/Drawing Device）、抗蝕劑加工設(shè)備（Resist Processing Equipment）、蝕刻設(shè)

19、備（Etching Device）、清洗/干燥設(shè)備（Cleaning/Drying Equipment）、熱處理設(shè) 備（Heat Treatment Equipment）、離子注入設(shè)備（Ion Implanter）、薄膜形成設(shè)備（Thin Film Forming Device）、檢測設(shè)備（Inspection Evaluation Device）、拋光設(shè)備（CMP Device）以及其他設(shè)備等。根據(jù)日本半導(dǎo)體制造裝臵協(xié)會數(shù)據(jù)，2018、2019、2020 全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額分 別為 645.30 億美元、597.50 億美元和 711.80 億美元，分別同比增 13.97%、-7.41%和

20、 19.13%。根據(jù) SEMIWorld Fab Forecast Report(2Q 2021 Update)預(yù)計，全球半導(dǎo)體 制造商將在 2021 年底前開始建造 19 個新的大型晶圓廠，并在 2022 年動工建造另外 10個晶圓廠，這 29家晶圓廠的設(shè)備支出在未來幾年預(yù)計將超過 1400億美元。根據(jù)SEMI 數(shù)據(jù)，2021 年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額達(dá) 1030 億美元，預(yù)計 2022E 將達(dá)到 1140 億美 元，創(chuàng)記錄新高。根據(jù) Besi Investor Presentation(2021.11)援引 VLSI 資料，近 2 年全球半導(dǎo)體晶圓 制造景氣度受宏觀經(jīng)濟波動、國際貿(mào)易、晶圓制

21、造資本開支、疫情、下游終端發(fā)展等因 素影響處于周期性上行波動中。我們認(rèn)為半導(dǎo)體設(shè)備的銷售額與整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的資本 開支息息相關(guān)，未來 2-3 年 5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、新能源汽車、高效能運算等的快 速發(fā)展將帶動半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入高景氣周期，而半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模將不斷創(chuàng)歷史新高。半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，龍頭公司處于壟斷地位。根據(jù) EETimes Japan 援引世界半導(dǎo) 體制造設(shè)備/測試/檢查設(shè)備市場年鑒（2019 年）數(shù)據(jù)，2018 年光刻設(shè)備，ASML 占據(jù) 全球 84%的市場份額，尼康和佳能的總份額下降至 14.3%。此外，可以看到日本半導(dǎo)體 設(shè)備公司在使用液態(tài)材料的制造設(shè)備中占有很高的份額。比如：

22、2018 年涂布機領(lǐng)域 TEL 和 SCREEN 的總份額達(dá)到了 82.6%；單片晶圓清洗設(shè)備領(lǐng)域，SCREEN 和 TEL 的總 份額為 60%；槽式清洗設(shè)備領(lǐng)域，SCREEN 和 TEL 的總份額達(dá) 67.6%；CMP 設(shè)備領(lǐng) 域，荏原制作所和 Tokyo Precision Co., Ltd.的總份額為 35.8%。2020 年前十五大設(shè)備供應(yīng)商實現(xiàn)同比 18%的正增長。根據(jù) VLSI Research 數(shù)據(jù)， 2020 年應(yīng)用材料、ASML、LAM Research、東京電子、KLA 繼續(xù)為全球半導(dǎo)體設(shè)備的 頂級供應(yīng)商（包含服務(wù)+系統(tǒng)收入），排名前十五的公司合計銷售額較 2019 年同

23、期增長 了 18%。從細(xì)分應(yīng)用領(lǐng)域來看，2020 年邏輯/代工領(lǐng)域?qū)τ诎雽?dǎo)體設(shè)備的需求十分強勁， 此外 5G 和數(shù)據(jù)中心芯片以及 7nm/5nm 工藝的需求激增都推動了設(shè)備的資本開支。3.2 半導(dǎo)體清洗設(shè)備：重要性日益凸顯，需求量伴隨制程提升而增加明顯清洗方案以濕法清洗為主。當(dāng)前的芯片制造流程在光刻、刻蝕、沉積等重復(fù)性工序 后均設(shè)臵了清洗工序，清洗步驟數(shù)量約占所有芯片制造工序步驟的 30%以上，是所有芯 片制造工藝步驟中占比最大的工序。根據(jù)清洗介質(zhì)的不同，半導(dǎo)體清洗技術(shù)主要分為濕法清洗和干法清洗兩種工藝路 線，濕法清洗是針對不同的工藝需求，采用特定的化學(xué)藥液和去離子水，對晶圓表面進(jìn) 行無損傷清

24、洗；干法清洗是指不使用化學(xué)溶劑的清洗技術(shù)，主要包括等離子清洗、超臨 界氣相清洗、束流清洗等技術(shù)，晶圓制造產(chǎn)線上通常以濕法清洗為主，少量特定步驟采 用濕法和干法清洗相結(jié)合的方式互補所短，構(gòu)建清洗方案。隨著集成電路制程工藝節(jié)點越來越先進(jìn)，清洗環(huán)節(jié)的重要性日益凸顯。隨著晶圓制 造工藝不斷向精密化方向發(fā)展，芯片結(jié)構(gòu)的復(fù)雜度不斷提高，芯片對雜質(zhì)含量的敏感度 也相應(yīng)提高，微小雜質(zhì)將影響到芯片產(chǎn)品的良率；隨著技術(shù)節(jié)點的繼續(xù)進(jìn)步，清洗工序 的數(shù)量和重要性將隨之提升。集成電路產(chǎn)業(yè)遵循摩爾定律不斷發(fā)展。按照摩爾定律，當(dāng)價格不變時集成電路上可 容納的元器件的數(shù)目約每隔 18-24 個月便會增加一倍，性能也將提升一倍

25、。根據(jù) ASML Industry Roadmap and Technology Strategy（2018）Martin van den Brink 披露， 2021 年 Logic 領(lǐng)域已經(jīng)開始 5nm 制程的 EUV 生產(chǎn)，DRAM 領(lǐng)域進(jìn)入 1Z 時代，3D NAND 領(lǐng)域也在朝 152 層/192 層發(fā)展。制程越先進(jìn)，清洗步驟增加越明顯。根據(jù) ACMRAdvanced Wet-Cleaning Tools For Leading Edge IC Fabs（2020.05）披露數(shù)據(jù)，制程工藝節(jié)點每提升一個節(jié)點，清洗步 驟數(shù)量提升 15%左右。伴隨制程節(jié)點越來越先進(jìn)，清洗步驟在整個工藝步

26、驟中占比將達(dá) 到三分之一，清洗步驟數(shù)高達(dá) 200 次以上。在濕法清洗工藝路線下，目前主流的清洗設(shè)備主要包括單片清洗設(shè)備、槽式清洗設(shè) 備、組合式清洗設(shè)備和批式旋轉(zhuǎn)噴淋清洗設(shè)備等，其中單片清洗設(shè)備市場份額占比最高。 單片清洗能夠在整個制造周期提供更好的工藝控制，改善單個晶圓和不同晶圓間的均勻 性，提高產(chǎn)品良率；更大尺寸的晶圓和更先進(jìn)的工藝對于雜質(zhì)更敏感，槽式清洗出現(xiàn)交 叉污染的影響會更大，進(jìn)而危及整批晶圓的良率，會帶來高成本的芯片返工支出，因此 在集成電路制造的先進(jìn)工藝中，單片清洗已逐步取代槽式清洗成為主流。根據(jù)銳觀網(wǎng)數(shù)據(jù)，在半導(dǎo)體設(shè)備市場中，晶圓制造設(shè)備采購大約占整體的 80%，其 中清洗設(shè)備在

27、晶圓制造設(shè)備中的占比約為 6%，因此可以預(yù)估清洗設(shè)備約占半導(dǎo)體設(shè)備 投資的 4.8%，為了方便計算，我們統(tǒng)一預(yù)估清洗設(shè)備在半導(dǎo)體設(shè)備中占比為 5%。根據(jù) SEAJ 數(shù)據(jù)以及銳觀網(wǎng)數(shù)據(jù)，海通證券研究所測算得出 2018、2019、2020 全球半導(dǎo)體 清洗設(shè)備的市場規(guī)模分別為 32.27 億美元、29.88 億美元和 35.59 億美元。根據(jù) SEMI 預(yù)估 2021E、2022E 全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額將逐年創(chuàng)新高，我們認(rèn)為伴隨制程越先進(jìn)、 清洗設(shè)備的需求越大、單臺清洗設(shè)備的價值量越大，2021E-2022E 全球半導(dǎo)體清洗設(shè) 備的市場規(guī)模將逐年增長、創(chuàng)新高。3.3 半導(dǎo)體電鍍設(shè)備：預(yù)計 202

28、4E 全球市場規(guī)模為 5 億美元左右半導(dǎo)體電鍍是指在芯片制造過程中，將電鍍液中的金屬離子電鍍到晶圓表面形成金 屬互連。1）芯片制造前道電鍍。隨著芯片制造工藝越來越先進(jìn)，芯片內(nèi)的互連線開始從傳 統(tǒng)的鋁材料轉(zhuǎn)向銅材料，半導(dǎo)體鍍銅設(shè)備便被廣泛采用。目前半導(dǎo)體電鍍已經(jīng)不限于銅 線的沉積，還有錫、錫銀合金、鎳、金等金屬，但是金屬銅的沉積依然占主導(dǎo)地位。2）后道先進(jìn)封裝電鍍。半導(dǎo)體電鍍隨著晶圓級封裝工藝的發(fā)展，在三維硅通孔、 重布線、凸塊工藝中都需要金屬化薄膜沉積工藝，使用電鍍工藝進(jìn)行金屬銅、鎳、錫、 銀、金等金屬的沉積。根據(jù) SEMI 和 Besi Investor Presentation(2021.

29、06)援引 VLSI 數(shù)據(jù)，2018、2019、 2020 全球封裝設(shè)備市場規(guī)模分別為 44 億美元、30 億美元和 35 億美元，同比-2.40%、 -31.50%和 16.67%。根據(jù) SEMI 預(yù)計，2021E、2022E 全球封裝設(shè)備市場規(guī)模將分別 實現(xiàn) 8%、5%的正增長。先進(jìn)封裝快速發(fā)展。根據(jù) SEMI Engineering 援引 Cadence，伴隨封裝形式逐漸從 引線框架封裝到 3D IC 封裝的演變，Yole Developpement 預(yù)計 2019-2025E 全球 Fan-Out 封裝、Flip-Chip 封裝、Fan-In WLP、3D Stacking、Embed

30、ded Die 的復(fù)合增 速將分別達(dá) 12.3%、5.9%、1.3%、25%和 17%。根據(jù)盛美上海招股說明書援引 Gartner 數(shù)據(jù)，預(yù)計到 2024E 全球半導(dǎo)體電鍍設(shè)備 的市場規(guī)模將達(dá)到 5 億美元左右。我們認(rèn)為半導(dǎo)體電鍍設(shè)備市場的發(fā)展與晶圓制造前道 互聯(lián)工藝、后道先進(jìn)封裝工藝的發(fā)展息息相關(guān)。目前在前道晶圓制造的電鍍設(shè)備領(lǐng)域，全球市場主要被 LAM 壟斷；后道先進(jìn)封裝 電鍍設(shè)備領(lǐng)域，全球范圍內(nèi)的主要設(shè)備商包括美國 Applied Materials、LAM，日本的 EBARA CORPORATION 和新加坡的 ASM Pacific Technology Limited。3.4 先進(jìn)

31、封裝濕法設(shè)備：先進(jìn)封裝的快速發(fā)展帶動設(shè)備需求半導(dǎo)體封裝設(shè)備主要包括濕法刻蝕設(shè)備、刷片設(shè)備、涂膠設(shè)備、顯影設(shè)備、去膠設(shè) 備、減薄設(shè)備、切割設(shè)備、電鍍設(shè)備、切割成型設(shè)備等。先進(jìn)封裝包括倒裝芯片結(jié)構(gòu) （FC）的封裝、晶圓級封裝（WLP）、2.5D 封裝、3D 封裝和扇出型封裝等。綜上所述， 先進(jìn)封裝濕法設(shè)備則主要指在先進(jìn)封裝領(lǐng)域與化學(xué)試劑使用相關(guān)的半導(dǎo)體封裝設(shè)備，包 括濕法刻蝕設(shè)備、涂膠/顯影設(shè)備、去膠設(shè)備、無應(yīng)力拋光設(shè)備等。1）濕法刻蝕設(shè)備。主要是利用溶液與預(yù)刻蝕材料之間的化學(xué)反應(yīng)來去除未被掩蔽 膜材料遮蔽的部分而達(dá)到刻蝕的目的，濕法刻蝕設(shè)備是濕法刻蝕工序運用的主要設(shè)備。2）涂膠/顯影設(shè)備。主要通

32、過機器人手臂使晶圓在各系統(tǒng)之間傳輸和處理，從而完 成晶圓的光刻膠涂覆、固化、顯影、堅膜等工藝過程，影響到光刻工序細(xì)微曝光圖案的 形成。3）去膠設(shè)備。用于在晶圓刻蝕后，去除晶圓表面作為阻擋層的光刻膠，以避免殘 留的光刻膠影響后續(xù)工藝質(zhì)量。4）無應(yīng)力拋光設(shè)備。該設(shè)備整合了無應(yīng)力拋光、化學(xué)機械研磨和濕法刻蝕工藝， 在化學(xué)機械研磨和濕法刻蝕工藝前，采用電化學(xué)方法無應(yīng)力的去除晶圓表面銅層，釋放 晶圓的應(yīng)力。我們認(rèn)為，伴隨先進(jìn)封裝技術(shù)的不斷發(fā)展，市場規(guī)模不斷擴大，先進(jìn)封裝濕法設(shè)備 的發(fā)展空間也將不斷發(fā)展壯大。4. 公司優(yōu)勢：自主核心技術(shù)驅(qū)動、差異化競爭策略引領(lǐng)， 多產(chǎn)品線布局、受益下游優(yōu)質(zhì)客戶認(rèn)可快速發(fā)展

33、4.1 國家出臺多項重大政策大力支持集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展集成電路的產(chǎn)業(yè)鏈較長，除了設(shè)計、芯片制造和封裝測試三個分支產(chǎn)業(yè)外，還包括 集成電路設(shè)備制造、關(guān)鍵材料生產(chǎn)等相關(guān)支撐產(chǎn)業(yè)。我國為推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，增強 產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和國際競爭力，中國中央及地方政府近年來推出了信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南、 國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要、國務(wù)院關(guān)于印發(fā)新時期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件 產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展若干政策的通知（國發(fā)【2020】8 號）、中國（上海）自由貿(mào)易試驗 區(qū)臨港新片區(qū)集聚發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)若干措施等各項政策支持集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。加強人才培養(yǎng)，集成電路科學(xué)與工程正式成為一級學(xué)科。2020 年 12 月 30 日，教 育

34、部發(fā)布國務(wù)院學(xué)位委員會 教育部關(guān)于設(shè)臵“交叉學(xué)科”門類、“集成電路科學(xué)與工 程”和“國家安全學(xué)”一級學(xué)科的通知（學(xué)位【2020】30 號），根據(jù)黨和國家事業(yè)發(fā) 展需要，經(jīng)專家論證，國務(wù)院學(xué)位委員會批準(zhǔn)，決定設(shè)臵“集成電路科學(xué)與工程”一級 學(xué)科（學(xué)科代碼為“1401”），加強“集成電路科學(xué)與工程”學(xué)科建設(shè)，做好人才培養(yǎng)工 作。進(jìn)一步明確稅收優(yōu)惠政策。2020 年 12 月 11 日，財政部、稅務(wù)總局、發(fā)改委、工 信部四部委聯(lián)合發(fā)布關(guān)于促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展企業(yè)所得稅政策的 公告，明確了相關(guān)企業(yè)享受減免企業(yè)所得稅的具體條件，以及新老所得稅優(yōu)惠政策銜 接問題，并對部分享受優(yōu)惠政策的企業(yè)

35、及項目采取清單進(jìn)行管理。我們認(rèn)為我國集成電路產(chǎn)業(yè)在核心芯片、關(guān)鍵器件、核心裝備等領(lǐng)域仍處于研發(fā)跟 進(jìn)的階段。因為集成電路先進(jìn)工藝制程依賴于最新的半導(dǎo)體設(shè)備，半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)需 要超前半導(dǎo)體產(chǎn)品制造至少一代以上水平，在我國加大集成電路產(chǎn)業(yè)重視程度、從人才、 稅收到資本等各方面都助力集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的背景下，半導(dǎo)體專用設(shè)備行業(yè)在面臨挑 戰(zhàn)的同時，也充滿了重大發(fā)展機遇。4.2 自主研發(fā)、不斷實現(xiàn)技術(shù)突破和差異化發(fā)展公司堅持自主研發(fā)、不斷實現(xiàn)技術(shù)突破；以解決工藝難點為突破口，堅持差異化發(fā) 展戰(zhàn)略。公司高度重視技術(shù)研發(fā)團隊建設(shè)和培養(yǎng)，鼓勵自主創(chuàng)新和獨立研發(fā)，經(jīng)過多年 的積累，公司擁有了一支國際化、專業(yè)化

36、的技術(shù)研發(fā)團隊，以 HUI WANG 博士為核心， 主要的核心技術(shù)人員大多有海外求學(xué)或從業(yè)經(jīng)驗，擁有國際化的視野和思維。截止 2021 年 6 月 30 日，公司及控股子公司擁有已獲授予專利權(quán)的主要專利 322 項，其中境內(nèi)授 權(quán)專利 152 項，境外授權(quán)專利 170 項，其中發(fā)明專利共計 317 項。1）半導(dǎo)體清洗設(shè)備半導(dǎo)體清洗設(shè)備是公司的核心產(chǎn)品， 2018、2019 和 2020 半導(dǎo)體清洗設(shè)備占公司主營業(yè)務(wù)收入的比例分別為 92.91%、84.10%和 83.69%。單片清洗設(shè)備領(lǐng)域，公司解決了兆聲波技術(shù)的全球性難題，并有效提升生產(chǎn)效率。 公司自主研發(fā)并具有全球知識產(chǎn)權(quán)保護的 SAPS

37、 和 TEBO 兆聲波清洗技術(shù)，SAPS 技術(shù) 將兆聲波能量發(fā)生器和晶圓之間的間隙做周期性變化，達(dá)到了對晶圓表面兆聲波能量分 布的精確控制，有效解決了兆聲波能量在晶圓表面分布不均勻的難題，同時 TEBO 清洗 技術(shù)使得兆聲波清洗產(chǎn)生的氣泡不會爆炸，實現(xiàn)了硅片均勻和無損的兆聲波清洗重要突 破。解決了兆聲波技術(shù)在集成電路單片清洗設(shè)備上應(yīng)用時，兆聲波能量如何在晶圓上均 勻分布及如何實現(xiàn)圖形結(jié)構(gòu)無損傷的全球性難題。為實現(xiàn)產(chǎn)能最大化，公司單片清洗設(shè) 備可根據(jù)客戶需求配臵多個工藝腔體，最高可單臺配臵 18 腔體，有效提升客戶的生產(chǎn) 效率。單片槽式組合清洗設(shè)備領(lǐng)域，公司的 Tahoe 清洗設(shè)備可大幅減少硫酸

38、使用量，降 低生產(chǎn)成本。公司自主研發(fā)的具有全球知識產(chǎn)權(quán)的 Tahoe 清洗設(shè)備在單個濕法清洗設(shè)備 中集成了兩個模塊：槽式模塊和單片模塊，該設(shè)備的清洗效果與工藝適用性可與單片清 洗設(shè)備相媲美，同時與單片清洗設(shè)備相比還可大幅減少硫酸使用量，幫助客戶降低生產(chǎn) 成本，又能更好的符合節(jié)能減排的政策。2）半導(dǎo)體電鍍設(shè)備公司自主研發(fā)的具有全球知識產(chǎn)權(quán)保護的電鍍設(shè)備已獲得下游客戶的驗證，用于后 道先進(jìn)封裝的電鍍設(shè)備已進(jìn)入市場并獲得重復(fù)訂單。前道銅互連電鍍銅設(shè)備領(lǐng)域，公司是目前全球少數(shù)幾家掌握芯片銅互連電鍍技術(shù)核 心專利并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的公司之一。后道先進(jìn)封裝電鍍設(shè)備領(lǐng)域，公司進(jìn)行差異化開發(fā)，解決了更大電鍍液流量下

39、實現(xiàn) 平穩(wěn)電鍍的難題，并采用獨創(chuàng)的第二陽極電場控制技術(shù)更好地控制晶圓平邊或缺口區(qū)域 的膜厚均勻性控制。3）半導(dǎo)體拋銅設(shè)備前道銅互連拋銅設(shè)備領(lǐng)域，公司提出 SFP 技術(shù)解決拋光表面損傷的問題。在 CMP 過程中需要有一定的壓力作用在晶圓上，容易造成晶圓表面的劃傷，更有甚者會造成圖 形邊緣銅線的缺失。公司在全球范圍內(nèi)首次提出了全球無應(yīng)力拋光 SFP 技術(shù)，該技術(shù) 的優(yōu)勢是不會對晶圓表面產(chǎn)生機械損傷，保證最終銅互連線的質(zhì)量。后道先進(jìn)封裝無應(yīng)力拋銅設(shè)備領(lǐng)域，公司自主研發(fā)了具有知識產(chǎn)權(quán)保護的無應(yīng)力拋 光設(shè)備，具有工藝無應(yīng)力、化學(xué)可回收使用、降低耗材成本、工藝環(huán)保排放少等特點。4）先進(jìn)封裝濕法設(shè)備公司堅持

40、差異化競爭戰(zhàn)略，基于先進(jìn)的集成電路前端濕法清洗設(shè)備的技術(shù)，將產(chǎn)品 應(yīng)用拓展至先進(jìn)封裝應(yīng)用領(lǐng)域。我們認(rèn)為技術(shù)是公司和龍頭公司競爭的最大武器，公司堅持自主研發(fā)、通過專利保 護的方式為公司未來地持續(xù)成長打下堅實的基礎(chǔ)；公司與龍頭公司相比尚不具正面競爭 的規(guī)模體量，只有找到工藝技術(shù)難點、尋求差異化的解決方案，提供更具吸引力的設(shè)備 產(chǎn)品才能實現(xiàn)不斷成長。4.3 多產(chǎn)品系列布局，發(fā)展的市場空間不斷打開發(fā)展的市場空間不斷打開，目前產(chǎn)品布局為 50 億美金的大賽道?？梢钥吹剑?逐年推出新的設(shè)備產(chǎn)品，目前已形成包括半導(dǎo)體清洗設(shè)備、半導(dǎo)體電鍍設(shè)備、先進(jìn)封裝 濕法設(shè)備、立式爐管設(shè)備等其他設(shè)備在內(nèi)的四大產(chǎn)品系列。

41、根據(jù)盛美上海的測算，包括 半導(dǎo)體清洗設(shè)備、半導(dǎo)體電鍍設(shè)備、先進(jìn)封裝濕法設(shè)備、立式爐管設(shè)備等在內(nèi)的市場規(guī) 模將接近 50 億美金。產(chǎn)品布局有望進(jìn)一步實現(xiàn)在立式爐管設(shè)備領(lǐng)域的延伸，市場空間進(jìn)一步拓展可期。 與此同時，我們看到公司研發(fā)的立式爐管設(shè)備主要由晶圓傳輸模塊，工藝腔體模塊，氣 體分配模塊，溫度控制模塊，尾氣處理模塊以及軟件控制模塊所構(gòu)成，針對不同的應(yīng)用 和工藝需求進(jìn)行設(shè)計制造，首先集中在 LPCVD 設(shè)備，再向氧化爐和擴散爐發(fā)展，最后 逐步進(jìn)入到 ALD 設(shè)備應(yīng)用。我們認(rèn)為伴隨募投項目“盛美半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)與制造中心” 的實施，公司將有望快速實現(xiàn)立式爐管設(shè)備（退火爐、氧化爐、LPCVD、ALD

42、）等關(guān) 聯(lián)工藝設(shè)備的集成開發(fā)與生產(chǎn)，市場空間得到進(jìn)一步擴展可期。2018 年 中 國 大 陸 地 區(qū) 晶 圓 廠 收 入 占 比 極 小 。 根據(jù) U.S. Industry,GlobalCompetition,and Federal Policy中援引的 CRS 數(shù)據(jù)顯示，按照公司總部所在區(qū)域進(jìn) 行劃分，2018 年全球 IDM 的收入規(guī)模中美國、韓國、日本、歐洲、中國臺灣地區(qū)公司 的占比分別為 51%、28%、11%、7%和 2%；全球代工廠的收入規(guī)模中，中國臺灣地區(qū)、 美國、中國大陸、韓國、日本公司的占比分別為 73%、10%、7%、6%和 2%。預(yù)計中國大陸地區(qū)在運營的 300mm 晶

43、圓廠數(shù)量將持續(xù)增加。根據(jù)U.S. Industry,Global Competition,and Federal Policy中援引的 SEMI 數(shù)據(jù)顯示，中國大陸 地區(qū)在運營的 300mm 晶圓廠數(shù)量 2015、2017、2019 分別為 8 座、12 座和 24 座，持 續(xù)增加。中國大陸地區(qū)晶圓廠的等效 300mm 晶圓產(chǎn)能從 2015 年占比 8%提升至 2019 年的 12%。根據(jù)U.S. Industry,Global Competition,and Federal Policy中援引的 IC Insights 數(shù)據(jù)顯示，中國大陸地區(qū)晶圓廠的等效 300mm 晶圓產(chǎn)能在全球晶圓產(chǎn)能的

44、占比從 2015 年的 8%提升至 2019 年的 12%。2021E-2022E 中國大陸將是新建晶圓廠數(shù)量最多的地區(qū)之一。根據(jù) SEMIWorld Fab Forecast Report(2Q 2021 Update)披露，在 2021E、2022E 預(yù)計全球?qū)⒂?29 座 新晶圓廠投入建設(shè)，其中中國大陸將占主力，預(yù)計將有 8 座新晶圓廠開工建設(shè)。公司產(chǎn)品得到眾多國內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可。公司憑借先進(jìn)的技術(shù)和豐富的產(chǎn) 品線，已發(fā)展成為中國大陸少數(shù)具有一定國際競爭力的半導(dǎo)體專用設(shè)備提供商，主要客 戶包括、晶圓制造領(lǐng)域的海力士、華虹集團、長江存儲、合肥長鑫等；、先進(jìn)封裝 領(lǐng)域的中芯長電、NE

45、PES 等；、半導(dǎo)體硅片制造及回收領(lǐng)域的上海新昇、金瑞泓、 中國臺灣合晶科技、中國臺灣昇陽等；、科研院所中國科學(xué)院微電子研究所、上海集成電路、 華進(jìn)半導(dǎo)體等。根據(jù)ACMR Investor Presentation（202101）公開披露，在新客戶 拓展方面，公司已獲得 2 家領(lǐng)先的模擬/電源管理芯片制造廠商的刷洗設(shè)備、濕法刻蝕設(shè) 備、清洗設(shè)備等訂單。綜上，我們認(rèn)為公司設(shè)備產(chǎn)品系列的不斷拓寬、成長的天花板不斷提高，且伴隨中國大陸地區(qū)晶圓制造產(chǎn)能的持續(xù)成長，公司在獲得眾多主流半導(dǎo)體廠商認(rèn)可的背景下， 將獲得更多的設(shè)備訂單，快速成長。5. 募投項目公司在科創(chuàng)板首次公開發(fā)行股票數(shù)量 4335.58

46、萬股，發(fā)行后總股本為 433.56 百萬 股，于 2021 年 11 月 18 日在科創(chuàng)板上市，發(fā)行價格 85 元/股，發(fā)行價格確定后的上市 時市值為 368.52 億元，募集資金凈額為 34.81 億元。根據(jù)招股說明書披露，科創(chuàng)板首 次公開發(fā)行股票募集的資金扣除發(fā)行費用后將投資于以下項目：（1）盛美半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)與制造中心。項目擬在上海臨港新片區(qū)新建半導(dǎo)體設(shè)備 研發(fā)與制造中心，項目實施主體為公司全資子公司盛帷上海。項目建設(shè)用地位于臨港重 裝備產(chǎn)業(yè)區(qū)，總用地面積為 42786.30 平方米，總建筑面積為 125977.50 平方米，計劃 建設(shè)生產(chǎn)廠房 2 座、輔助廠房 1 座、研發(fā)樓 2 座以

47、及化學(xué)品庫等相關(guān)配套設(shè)施。項目將 于 2023 年投入使用，公司全部產(chǎn)能將遷移至新建研發(fā)制造中心。項目的建設(shè)將促成公司擴展和建立起濕法和干法設(shè)備并舉的種類齊全的產(chǎn)品線，加 快研發(fā)成果產(chǎn)業(yè)化，有利于公司快速響應(yīng)集成電路制造、先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)對設(shè)備持續(xù)迭代 升級的需求，將為公司提高市場份額、擴大領(lǐng)先優(yōu)勢奠定堅實的基礎(chǔ)。（2）盛美半導(dǎo)體高端半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)項目。研發(fā)項目具體方向包括 TEBO 兆聲波 清洗設(shè)備技術(shù)改進(jìn)與研發(fā)、Tahoe 單片槽式組合清洗設(shè)備技術(shù)改進(jìn)與研發(fā)、單片背面清 洗設(shè)備技術(shù)改進(jìn)與研發(fā)、單片刷洗設(shè)備技術(shù)改進(jìn)與研發(fā)、前道工藝電鍍設(shè)備技術(shù)改進(jìn)與 研發(fā)、無應(yīng)力拋光設(shè)備技術(shù)改進(jìn)與研發(fā)、以及立式爐

48、管設(shè)備技術(shù)改進(jìn)與研發(fā)七個方向。 投資主要用于研發(fā)項目相關(guān)的研發(fā)材料購臵，支付測試、檢驗費用以及人員薪酬等。本募投項目將在原有產(chǎn)品和技術(shù)的基礎(chǔ)上，針對更先進(jìn)技術(shù)節(jié)點和技術(shù)性能，進(jìn)行 技術(shù)改進(jìn)與研發(fā)，并擴展和建立濕法工藝和干法工藝設(shè)備并舉的種類齊全的產(chǎn)品線，鞏 固公司市場地位，增強盈利能力。（3）補充流動資金項目。擬使用募集資金 65000 萬元補充流動資金。6. 盈利預(yù)測6.1 盈利預(yù)測盛美上海成立至今一直專注于半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要產(chǎn)品包括 半導(dǎo)體清洗設(shè)備、半導(dǎo)體電鍍設(shè)備和先進(jìn)封裝濕法設(shè)備以及其他設(shè)備（立式爐管設(shè)備） 等。我們預(yù)測公司 2021E-2023E 收入分別為 16.

49、37 億元、27.07 億元、38.36 億元，同 比增 62.47%、65.36%和 41.70%；歸母凈利潤（扣非前）分別為 2.99 億元、4.85 億 元、6.46 億元，同比增 51.87%、62.16%和 33.33%。根據(jù)公司招股說明書披露口徑， 我們對主要業(yè)務(wù)進(jìn)行如下假設(shè)：假設(shè) 1： 公司 2018 年、2019 年、2020 年半導(dǎo)體清洗設(shè)備業(yè)務(wù)收入分別為 5.01 億元、6.25億元和8.16億元，在主營業(yè)務(wù)收入中占比分別為92.91%、84.10%和83.69%。 半導(dǎo)體清洗設(shè)備又可以細(xì)分為單片清洗設(shè)備、槽式清洗設(shè)備和單片槽式組合清洗設(shè)備， 2020 年單片清洗設(shè)備、槽式

50、清洗設(shè)備和單片槽式組合清洗設(shè)備收入分別為 7.16 億元、 0.33 億元和 0.67 億元，在主營業(yè)務(wù)收入中占比分別為 73.42%、3.39%和 6.88%。目前全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備市場高度集中，尤其在單片清洗設(shè)備領(lǐng)域，DNS、TEL、LAM 與 SEMES 四家公司合計市場占有率 90%以上。2021E-2022E 中國大陸將是新建晶圓廠數(shù)量最多的地區(qū)之一。根據(jù) SEMIWorld Fab Forecast Report(2Q 2021 Update)披露，在 2021E、2022E 預(yù)計全球?qū)⒂?29 座 新晶圓廠投入建設(shè)，其中中國大陸將占主力，預(yù)計將有 8 座新晶圓廠開工建設(shè)。國內(nèi)晶圓

51、廠的發(fā)展非常快速。我們以長江存儲的發(fā)展為例，長江 存儲首席運營官程衛(wèi)華在 2021 中國閃存市場峰會上發(fā)表了主題為創(chuàng)新協(xié)作共筑存儲 生態(tài)的演講，他表示長江存儲在 2020 年 4 月宣布推出 128 層 QLC 3D NAND 閃存， 以及 128 層 512Gb TLC（3 bit/cell）閃存；并在演講過程中透露長江存儲的 128 層 QLC 已經(jīng)準(zhǔn)備量產(chǎn)，TLC 良率做到相當(dāng)高的水準(zhǔn)，產(chǎn)品也已經(jīng)進(jìn)入高端智能手機和企業(yè)級的 應(yīng)用。根據(jù)中國機電產(chǎn)品招標(biāo)投標(biāo)電子交易平臺公示，盛美中標(biāo)長江存儲 2021 年 8 月 18 日的項目招標(biāo)，我們認(rèn)為伴隨國內(nèi)新增晶圓產(chǎn)能建設(shè)的不斷推進(jìn)，公司憑借差異化

52、 的兆聲波清洗技術(shù)，下游客戶的認(rèn)可度不斷提高，半導(dǎo)體清洗設(shè)備的市占將逐年提升。與此同時，還要考慮到：、公司 TEBO 清洗設(shè)備在器件結(jié)構(gòu)從 2D 轉(zhuǎn)換為 3D 的 技術(shù)轉(zhuǎn)移中，可應(yīng)用于更為精細(xì)的具有 3D 結(jié)構(gòu)的 FinFET、DRAM 和新型 3D NAND 產(chǎn)品，我們認(rèn)為公司在長江存儲、合肥長鑫等下游客戶的設(shè)備銷量將伴隨長江存儲、合 肥長鑫等的擴產(chǎn)而增加較為明顯；、Tahoe 單片槽式組合清洗設(shè)備可以將槽式清洗的 低硫酸使用量優(yōu)勢延伸至更低的技術(shù)節(jié)點，并且保證和單片清洗相媲美的工藝表現(xiàn)，我 們認(rèn)為在 14nm 及以下技術(shù)節(jié)點，公司 Tahoe 單片槽式組合清洗設(shè)備也將逐步獲得客戶 認(rèn)可，銷

53、量增加等。基于以上幾個因素，我們預(yù)計公司的半導(dǎo)體清洗設(shè)備的銷量將從 2020 年的 35 臺 逐步提升，2021E-2023E 的銷量將分別達(dá)到 60 臺、94 臺、126 臺；平均單價則每年維 持一個低個位數(shù)的同比下降水平，2021E-2023E 的平均單價分別為 2230.00 萬元/臺、 2218.09 萬元/臺、2166.67 萬元/臺；我們預(yù)計半導(dǎo)體清洗設(shè)備的毛利率將保持相對穩(wěn) 定，維持在 45.00%左右。假設(shè) 2：公司 2018 年、2019 年、2020 年半導(dǎo)體電鍍設(shè)備業(yè)務(wù)收入分別為 0.12 億 元、0.79 億元和 0.53 億元，在主營業(yè)務(wù)收入中占比分別為 2.21%、

54、10.57%和 5.42%。 半導(dǎo)體電鍍設(shè)備又可以分為前道銅互連電鍍設(shè)備和后道先進(jìn)封裝電鍍設(shè)備兩大類，在前 道晶圓制造的電鍍設(shè)備領(lǐng)域，全球市場主要被 LAM 壟斷，目前除了 LAM 外公司是全球 范圍內(nèi)少數(shù)幾家掌握芯片銅互連電鍍銅技術(shù)核心專利并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的公司之一，自主開 發(fā)了針對 20-14nm 及更先進(jìn)技術(shù)節(jié)點的芯片制造前道銅互連鍍銅技術(shù)（Ultra ECP map），目前公司的半導(dǎo)體電鍍設(shè)備已持續(xù)接到了客戶的訂單。后道先進(jìn)封裝電鍍設(shè)備和無應(yīng)力拋光設(shè)備是公司發(fā)展早期的業(yè)務(wù)方向之一，公司歷 經(jīng)多年的研發(fā)和市場推廣，分別于 2018 年及 2019 年取得了長電科技訂單；前道銅互 連電鍍設(shè)備于

55、 2019 年取得華虹集團的訂單。我們認(rèn)為：、公司的前道銅互連電鍍設(shè)備在下游晶圓制造廠的銷量將伴隨國內(nèi)晶圓制造廠的擴產(chǎn)而逐年增加，比如華虹半導(dǎo)體 21H1 半年報顯示資本開支為 3.04 億美 元；、后道先進(jìn)封裝的重要性越來越重要，長電科技、華天科技、華潤微等定增項目 逐步實施落地，比如長電科技募集資金總額 50 億元，公司后道先進(jìn)封裝電鍍設(shè)備的銷 量將增長較為明顯?；谝陨蠋讉€因素，我們預(yù)計公司的半導(dǎo)體電鍍設(shè)備的銷量將從 2020 年的 4 臺放 量明顯，2021E-2023E 的銷量將分別達(dá)到 10 臺、25 臺、45 臺；平均單價則維持在 1300 萬元/臺；毛利率則隨著規(guī)模效應(yīng)提升，逐

56、漸趨于穩(wěn)定達(dá) 40.00%左右。假設(shè) 3：公司 2018 年、2019 年和 2020 年先進(jìn)封裝濕法設(shè)備業(yè)務(wù)收入分別為 0.26 億元、0.40 億元和 0.99 億元，在主營業(yè)務(wù)收入中的占比分別為 4.88%、5.33%和 10.11%。 目前公司在先進(jìn)封裝行業(yè)的產(chǎn)品領(lǐng)域已覆蓋全部單片濕法設(shè)備，產(chǎn)品先后進(jìn)入封裝企業(yè) 生產(chǎn)線及科研機構(gòu)，包括中芯長電、Nepes、華進(jìn)半導(dǎo)體和中國科學(xué)院微電子研究所等 知名封裝企業(yè)和科研院所。我們認(rèn)為，先進(jìn)封裝越來越重要，公司基于先進(jìn)的集成電路 前端濕法清洗設(shè)備的技術(shù)，將產(chǎn)品應(yīng)用拓展至先進(jìn)封裝應(yīng)用領(lǐng)域，先進(jìn)封裝濕法設(shè)備將 慢慢擴大在封裝企業(yè)中的滲透率，我們預(yù)計公司的先進(jìn)封裝濕法設(shè)備銷量 2021E-2023E 將穩(wěn)步增加，分別為 25 臺、35 臺和 50 臺；平均單價則逐漸從 2020 年的 492.83 萬元 /臺下降到 2023E 的 400 萬元/臺；毛利率則隨著規(guī)模效應(yīng)提升至 40.00%左右。假