Fab內(nèi)部情況及縮寫解釋

1、32/32分享半導(dǎo)體制造、ab以及Silicon Procesi的基本知識(shí)(想入此行當(dāng)?shù)呐笥颜?qǐng)先) 作者：core-logic 提交曰期：25126 5:34：0最近天涯有不少的弟兄談到半導(dǎo)體行業(yè),以及MI、Ga等企業(yè)的相關(guān)信息. 在許多弟兄邁進(jìn)或者想要邁進(jìn)這個(gè)行業(yè)之前，我想有許多知識(shí)和信息還是需要了解的。 正在半導(dǎo)體制造業(yè)剛剛?cè)媾d起的時(shí)候，我加入了SIC,在它的Fab里做了四年多。歷經(jīng)MIC生產(chǎn)線建立的全部過程，認(rèn)識(shí)了許許多多的朋友，也和許許多多不同類型的客戶打過交道。也算有一些小小的經(jīng)驗(yàn)。就著工作的間隙,把這些東西慢慢的寫出來和大家共享. 如果有什么錯(cuò)誤和不當(dāng)?shù)牡胤剑?qǐng)大家留貼指正。作者

2、:fstershag 回復(fù)曰期:2005216:0：10 想問一下樓主，半導(dǎo)體行業(yè)要不要Mrketng方面的人？呵呵,想轉(zhuǎn)半導(dǎo)體做。作者：corelic 回復(fù)曰期：5-2266：1:5 從什么地方開始講呢？就從產(chǎn)業(yè)鏈開始吧。 有需求就有生產(chǎn)就有市場(chǎng)。 市場(chǎng)需求（或者潛在的市場(chǎng)需求)的變化是非?？斓模绕涫窍M(fèi)類電子產(chǎn)品。這類產(chǎn)品不同于DRA，在市場(chǎng)上總是會(huì)有大量的需求。也正是這種變化多端的市場(chǎng)需求，催生了兩個(gè)種特別的半導(dǎo)體行業(yè)-a和Fab Les Design Hous. 我這一系列的帖子主要會(huì)講Fb，但是在一開頭會(huì)讓大家對(duì)ab周圍的東西有個(gè)基本的了解。 像ntl、Tshiba這樣的公司，它既

3、有Design的部分，也有生產(chǎn)的部分。這樣的龐然大物在半導(dǎo)體界擁有極強(qiáng)的實(shí)力。同樣，像英飛凌這樣專注于DRA的公司，活得也很滋潤(rùn)。至于韓國(guó)三星那是個(gè)什么都搞的怪物。這些公司，他們通常都有自己的設(shè)計(jì)部門,自己生產(chǎn)自己的產(chǎn)品。有些業(yè)界人士把這一類的企業(yè)稱之為IDM。 但是隨著技術(shù)的發(fā)展,要把更多的晶體管集成到更小的hi上去,ilicon Pocess的前期投資變得非常的大。一條英寸的生產(chǎn)線，需要投資78億美金;而一條1英寸的生產(chǎn)線，需要的投資達(dá)215億美金。能夠負(fù)擔(dān)這樣投資的全世界來看也沒有幾家企業(yè)，這樣一來就限制了芯片行業(yè)的發(fā)展.準(zhǔn)入的高門檻，使許多試圖進(jìn)入設(shè)計(jì)行業(yè)的人望洋興嘆. 這個(gè)時(shí)候臺(tái)灣半

4、導(dǎo)體教父張忠謀開創(chuàng)了一個(gè)新的行業(yè)ound。他離開I，在臺(tái)灣創(chuàng)立了SMC,T不做Dsign，它只為做Desin的人生產(chǎn)Wafer。這樣,門檻一下子就降低了。隨便幾個(gè)小朋友，只要融到少量資本,就能夠把自己的設(shè)計(jì)變成產(chǎn)品，如果市場(chǎng)還認(rèn)可這些產(chǎn)品，那么他們就發(fā)達(dá)了.同一時(shí)代，臺(tái)灣的聯(lián)華電子也加入了這個(gè)行當(dāng),這就是我們所稱的UMC,他們的老大是曹興誠(chéng)。-題外話，老曹對(duì)七下西洋的鄭和非常欽佩，所以在蘇州的UMC友好廠（明眼人一看就知道是在大陸偷跑）就起名字為“和艦科技”，而且把廠區(qū)的建筑造的非常有個(gè)性,就像一群將要啟航的戰(zhàn)船。在MC和MC的扶植下，F(xiàn)ab Less Dig oue的成長(zhǎng)是非?？捎^的。從UM

5、中分離出去的一個(gè) 小小的eigGou成為了著名的“股神”聯(lián)發(fā)科。當(dāng)年它的CD/D相關(guān)芯片紅透全世界,股票 也漲得令人難以置信。我認(rèn)識(shí)一個(gè)臺(tái)灣人的老婆，在聯(lián)發(fā)科做Supprt工作，靠它的股票在短短 的四年內(nèi)賺了2億臺(tái)幣，從此就再也不上班了。FabLess Desg Houe的成功讓很多的人大跌眼鏡。確實(shí),單獨(dú)維持b的成本太高了，所以很 多公司就把自己的Fab剝離出去，單獨(dú)來做eign。 ondr專注于Wafe的生產(chǎn)，而F ess Dsig House專注于Chip的設(shè)計(jì)，這就是分工。大家都不能壞了行規(guī)。如果Fab ss Desgn He覺得自己太牛了，想要自建Fab來生產(chǎn)自己的Cip,那會(huì)遭到F

6、ound的抵制，像UC就利用專利等方法強(qiáng)行收購(gòu)了一家Fb ess DesgnHos辛辛苦苦建立起來的Fab。而如果Foury自己去做esign，那么Fab Less Desig Huse就會(huì)心存疑惑究竟自己的atrn Dsign會(huì)不會(huì)被對(duì)方盜取使用？結(jié)果導(dǎo)致oundy的吸引力降低，在產(chǎn)業(yè)低潮的時(shí)候就會(huì)被b Les Desigoe拋棄。 總體來講,abss Design Huse站在這個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的最高端，它們擁有利潤(rùn)的最大頭，它們投入小，風(fēng)險(xiǎn)高，收益大。其次是oundry（Fab）,它們總能擁有可觀的利潤(rùn)，它們投入大，風(fēng)險(xiǎn)小，受益中等。再次是封裝測(cè)試（PackageTest），它們投入中等，風(fēng)險(xiǎn)小

7、,收益較少. 當(dāng)然，這里面沒有記入流通領(lǐng)域的分銷商.事實(shí)上分銷商的收益和投入是無法想象和計(jì)量的.我認(rèn)識(shí)一個(gè)分銷商，他曾經(jīng)把MP3賣到了%的利潤(rùn),但也有血本無歸的時(shí)候. 所以Desn Huse是“三年不開張,開張吃三年。而Fa和封裝測(cè)試則是賺個(gè)苦力錢。對(duì)于Fab來講，同樣是。u的8英寸ar，價(jià)格差不多，頂多根據(jù)不同的Metal層數(shù)來算錢,到了封裝測(cè)試那里會(huì)按照封裝所用的模式和腳數(shù)來算錢.這樣Fab賣20美元的Wafr被Desine拿去之后,實(shí)際上賣多少錢就與Fab它們沒有關(guān)系了，也許是美元，甚至更高。但如果市場(chǎng)不買賬，那么DesinHouse可能就直接完蛋了，因?yàn)樗腻X可能只夠到ab去流幾個(gè)Lt

8、的。我的前老板曾經(jīng)在臺(tái)灣TSMC不小心，結(jié)果跑死掉一批貨，結(jié)果導(dǎo)致一家Desgn ose倒閉。題外話ab的小弟小妹看到動(dòng)感地帶的廣告都?xì)鈮牧?，什么“沒事M一下,這不找抽嗎？沒事MO（MssOperain）一下，一批貨25片損失兩萬多美元，獎(jiǎng)金扣光光，然后被fire。在SMIC,我?guī)У囊粋€(gè)工程師MO,結(jié)果導(dǎo)致一家海龜?shù)腄sign ouse直接關(guān)門放狗。這個(gè)小子很不爽的跳槽去了一家封裝廠,現(xiàn)在混得也還好。所以現(xiàn)在大家對(duì)Fb的定位應(yīng)該是比較清楚的了. Fb有過一段黃金時(shí)期，那是在上個(gè)世紀(jì)九十年代末.TSMC干四年的普通工程師一年的股票收益相當(dāng)于10個(gè)月的工資（本薪),而且時(shí)不時(shí)的公司就廣播，“總經(jīng)理

9、感謝大家的努力工作，這個(gè)月加發(fā)一個(gè)月的薪水.” 但是過了2001年，也就是M等在大陸開始量產(chǎn)以來,受到壓價(jià)競(jìng)爭(zhēng)以及市場(chǎng)不景氣的影響，F(xiàn)ab的好時(shí)光就一去不復(fù)返了。高昂的建廠費(fèi)用，高昂的成本折舊，導(dǎo)致連SMC這樣產(chǎn)能利用率高達(dá)的Fa還是賠錢。這樣一來，股票的價(jià)格也就一落千丈，其實(shí)不光是SMIC，像SMC、UM的股票價(jià)格也大幅下滑。 但是已經(jīng)折舊折完的a就過得很滋潤(rùn),比如先進(jìn)（ASC），它是一個(gè)5英寸、6英寸的a，折舊早完了,造多少賺多少，只要不去蓋新廠,大家分分利潤(rùn)，曰子過的好快活。 所以按照目前中國(guó)大陸這邊的狀況,基本所有的ab都在蓋新廠,這樣的結(jié)論就是:很長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi)，F(xiàn)a不會(huì)賺錢，F(xiàn)的股

10、票不會(huì)大漲，F(xiàn)b的工程師不會(huì)有過高的收入.雖然一直在虧本，但是由于虧本的原因主要是折舊,所以Fab總能保持正的現(xiàn)金流。而且正很多.所以結(jié)論是:a賠錢，但絕對(duì)不會(huì)倒閉.如果你去Fa工作，就不必?fù)?dān)心因?yàn)楣S倒閉而失業(yè)。下面講講Fab對(duì)人才的需求狀況. 是一種對(duì)各類人才都有需求的東西.無論文理工,基本上都可以再Fab里找到職位.甚至學(xué)醫(yī)的M都在SIC找到了廠醫(yī)的位置。很久以前有一個(gè)TSMC工程師的帖子,他說Fab對(duì) 人才的吸納是全方位的。(當(dāng)然壞處也就是很多人才的埋沒。)有興趣的網(wǎng)友可以去找來看看。 一般來講，文科的畢業(yè)生可以申請(qǐng)F(tuán)b廠的HR，法務(wù),文秘，財(cái)會(huì),進(jìn)出口，采購(gòu)，公關(guān)之類的職位。但是由于

11、是Suprt部門這些位置的薪水一般不太好.那也有些厲害的MM選擇 做客戶工程師（C)的，某些M居然還能做成制程工程師，真是佩服啊佩服。理工科的畢業(yè)生選擇范圍比較廣： 計(jì)算機(jī)、信息類的畢業(yè)生可以選擇作I，在Fab廠能夠?qū)W到一流的CIM技術(shù)，但是由于不受重視，很多人學(xué)了本事就走人先了.工程類的畢業(yè)生做設(shè)備（EE)的居多，一般而言，做設(shè)備不是長(zhǎng)久之計(jì)?？梢赃x擇做幾年設(shè)備之后轉(zhuǎn)制程，或者去做廠商(vnor)，錢會(huì)比較多。當(dāng)然,也有少數(shù)人一直做設(shè)備也 發(fā)展得不錯(cuò)。比較不建議去做廠務(wù)。 材料、物理類的畢業(yè)生做制程（PE)的比較多，如果遇到老板不錯(cuò)的話，制程倒是可以常做的,挺兩年，下面有了小弟小妹就不用常常

12、進(jìn)a了。如果做的不爽，可以轉(zhuǎn)PIE或者TD, 或者廠商也可以，這個(gè)錢也比較多。 電子類的畢業(yè)生選擇做制程整合,也就是Integation(PIE）得比較多，這個(gè)是在ab里主導(dǎo)的部門，但如果一開始沒有經(jīng)驗(yàn)的話，容易被PE忽悠.所以如果沒有經(jīng)驗(yàn)就去做PE的 話,一定要跟著一個(gè)有經(jīng)驗(yàn)的PIE,不要管他是不是學(xué)歷比你低。 所有碩士或者以上的畢業(yè)生,盡量申請(qǐng)D的職位，TD的職位比較少做雜七雜八的事情。但是在工作中需要發(fā)揮主動(dòng)性，不然會(huì)學(xué)不到東西，也容易被IE之類的人罵。 將來有興趣去做封裝、測(cè)試的人可以選擇去做產(chǎn)品工程師（PD)。 有興趣向sig轉(zhuǎn)型的人可以選擇去做IE或者PD。 喜歡和客戶打交道的人可

13、以選擇去做客戶工程師CE,這個(gè)位置要和PE搞好關(guān)系,他們的uppot是關(guān)鍵. 有虐待別人傾向,喜歡看著他人無助神情的人可以考慮去做QE。QE的弟兄把PIE/PE/D/PE之類的放挺簡(jiǎn)直太容易了。:） 其他的想到再說。下面分部門簡(jiǎn)單介紹一下b的工種.作者:cre-logi回復(fù)曰期:20051226 21：9：5 先轉(zhuǎn)貼一些詞匯表,免得到時(shí)候冒些個(gè)專有名詞大家不好理解:1 ActivAre 主動(dòng)區(qū)（工作區(qū)) 主動(dòng)晶體管（ATERANSIOR）被制造的區(qū)域即所謂的主動(dòng)區(qū)（ACTV ARA)。在標(biāo)準(zhǔn)之MS制造過程中ACIVE AEA是由一層氮化硅光罩即等接氮化硅蝕刻之后的局部場(chǎng)區(qū)氧化所形成的,而由于利

14、用到局部場(chǎng)氧化之步驟，所以ACTVEAREA會(huì)受到鳥嘴(R BEAK）之影響而比原先之氮化硅光罩所定義的區(qū)域來的小,以長(zhǎng)0.6UM之場(chǎng)區(qū)氧化而言，大概會(huì)有0。5UM之BIDS EK存在,也就是說ACTVE A比原在之氮化硅光罩所定義的區(qū)域小。 2ACTONE 丙酮 1.丙酮是有機(jī)溶劑的一種,分子式為CH3OC3。2。 性質(zhì)為無色,具刺激性及薄荷臭味之液體.3. 在F內(nèi)之用途,主要在于黃光室內(nèi)正光阻之清洗、擦拭。4 對(duì)神經(jīng)中樞具中度麻醉性，對(duì)皮膚黏膜具輕微毒性，長(zhǎng)期接觸會(huì)引起皮膚炎,吸入過量之丙酮蒸汽會(huì)刺激鼻、眼結(jié)膜及咽喉黏膜,甚至引起頭痛、惡心、嘔吐、目眩、意識(shí)不明等。 允許濃度1000PP。

15、 3 AI顯影后檢查 1定義：Afr DeelopngIspein 之縮寫2目的：檢查黃光室制程;光阻覆蓋對(duì)準(zhǔn)曝光顯影。發(fā)現(xiàn)缺點(diǎn)后，如覆蓋不良、顯影不良等即予修改,以維護(hù)產(chǎn)品良率、品質(zhì)。3。方法：利用目檢、顯微鏡為之。 4 AEI 蝕刻后檢查 1.定義：AI即ferching pcion，在蝕刻制程光阻去除前及光阻去除后，分別對(duì)產(chǎn)品實(shí)施全檢或抽樣檢查.目的:2-提高產(chǎn)品良率，避免不良品外流。2達(dá)到品質(zhì)的一致性和制程之重復(fù)性。2顯示制程能力之指針2阻止異常擴(kuò)大，節(jié)省成本3。通常AI檢查出來之不良品,非必要時(shí)很少作修改,因?yàn)橹厝パ趸瘜踊蛑亻L(zhǎng)氧化層可能造成組件特性改變可靠性變差、缺點(diǎn)密度增加,生產(chǎn)成

16、本增高，以及良率降低之缺點(diǎn). 5 AIR HER 空氣洗塵室 進(jìn)入潔凈室之前，需穿無塵衣，因在外面更衣室之故,無塵衣上沾著塵埃，故進(jìn)潔凈室之前，需經(jīng)空氣噴洗機(jī)將塵埃吹掉。 6 AIGNEN對(duì)準(zhǔn) 1。 定義：利用芯片上的對(duì)準(zhǔn)鍵，一般用十字鍵和光罩上的對(duì)準(zhǔn)鍵合對(duì)為之。2 目的:在I的制造過程中,必須經(jīng)過610次左右的對(duì)準(zhǔn)、曝光來定義電路圖案，對(duì)準(zhǔn)就是要將層層圖案精確地定義顯像在芯片上面。3方法:A人眼對(duì)準(zhǔn)用光、電組合代替人眼，即機(jī)械式對(duì)準(zhǔn)。 7 LO/NTE熔合 lloy之目的在使鋁與硅基（Silicon Subtrte)之接觸有Ohmic特性,即電壓與電流成線性關(guān)系。lly也可降低接觸的阻值。

17、AL 鋁/硅 靶 此為金屬濺鍍時(shí)所使用的一種金屬合金材料利用Ar游離的離子，讓其撞擊此靶的表面，把Al/Si的原子撞擊出來，而鍍?cè)谛酒砻嫔?，一般使用之組成為A/Si （1),將此當(dāng)作組件與外界導(dǎo)線連接. 9 AL/S/CU 鋁/硅/銅 金屬濺鍍時(shí)所使用的原料名稱,通常是稱為TARE,其成分為0。5銅，1硅及8.5鋁,一般制程通常是使用9鋁硅，后來為了金屬電荷遷移現(xiàn)象(ELEC TROMIGRIN）故滲加0.5銅,以降低金屬電荷遷移。 10 AUMINUN 鋁 此為金屬濺鍍時(shí)所使用的一種金屬材料,利用Ar游離的離子,讓其撞擊此種材料做成的靶表面，把的原子撞擊出來，而鍍?cè)谛酒砻嫔?，將此?dāng)作組件

18、與外界導(dǎo)線之連接。 11 NGLE LAPING角度研磨ngle Lapin 的目的是為了測(cè)量ntio的深度，所作的芯片前處理，這種采用光線干涉測(cè)量的方法就稱之Agle Lapn。公式為Xj=/2 NF即Jucion深度等于入射光波長(zhǎng)的一半與干涉條紋數(shù)之乘積.但漸漸的隨著VLSI組件的縮小，準(zhǔn)確度及精密度都無法因應(yīng).如RP（Sredin esistnce Pqbig)也是應(yīng)用gle Lappng的方法作前處理,采用的方法是以表面植入濃度與阻值的對(duì)應(yīng)關(guān)系求出unct的深度,精確度遠(yuǎn)超過入射光干涉法. 12ANGTRON埃是一個(gè)長(zhǎng)度單位，其大小為公尺的百億分之一，約為人的頭發(fā)寬度之五十萬分之一。此

19、單位常用于C制程上,表示其層(如O2，Poy,Si。）厚度時(shí)用。 13V(ATMOSPRESSURE） 常壓化學(xué)氣相沉積APCVD為tmosphe（大氣）,sue（壓力），Chemi(化學(xué)）,Vapor(氣相）及Dpostion(沉積）的縮寫，也就是說，反應(yīng)氣體（如S（g），B2H6（g），和O2(g）在常壓下起化學(xué)反應(yīng)而生成一層固態(tài)的生成物(如BPSG)于芯片上. 14AS7砷自然界元素之一；由33個(gè)質(zhì)子，2個(gè)中子即75個(gè)電子所組成。半導(dǎo)體工業(yè)用的砷離子(As）可由AsH氣體分解得到。砷是N-TYP OPANT 常用作場(chǎng)區(qū)、空乏區(qū)及S/植入. 15 ASING，STRIPING 電漿光阻去除

20、1。 電漿預(yù)處理,系利用電漿方式(lasma),將芯片表面之光阻加以去除。2. 電漿光阻去除的原理,系利用氧氣在電漿中所產(chǎn)生只自由基（adica）與光阻（高分子的有機(jī)物)發(fā)生作用，產(chǎn)生揮發(fā)性的氣體，再由幫浦抽走，達(dá)到光阻去除的目的。3。 電漿光組的產(chǎn)生速率通常較酸液光阻去除為慢,但是若產(chǎn)品經(jīng)過離子植入或電漿蝕刻后，表面之光阻或發(fā)生碳化或石墨化等化學(xué)作用，整個(gè)表面之光阻均已變質(zhì)，若以硫酸吃光阻，無法將表面已變質(zhì)之光阻加以去除,故均必須先以電漿光阻去除之方式來做。 ASEMBL晶粒封裝 以樹酯或陶瓷材料，將晶粒包在其中，以達(dá)到保護(hù)晶粒，隔絕環(huán)境污染的目的，而此一連串的加工過程，即稱為晶粒封裝(se

21、bl）。封裝的材料不同,其封裝的作法亦不同,本公司幾乎都是以樹酯材料作晶粒的封裝,制程包括：芯片切割晶粒目檢晶粒上架(導(dǎo)線架，即Lad ame）焊線模壓封裝穩(wěn)定烘烤(使樹酯物性穩(wěn)定）切框、彎腳成型腳沾錫蓋印完成。以樹酯為材料之IC，通常用于消費(fèi)性產(chǎn)品,如計(jì)算機(jī)、計(jì)算器，而以陶瓷作封裝材料之IC，屬于高性賴度之組件，通常用于飛彈、火箭等較精密的產(chǎn)品上。 17BC RINDNG晶背研磨 利用研磨機(jī)將芯片背面磨薄以便測(cè)試包裝,著重的是厚度均勻度及背面之干凈度。一般6吋芯片之厚度約20l30 mi左右，為了便于晶粒封裝打線，故需將芯片厚度磨薄至1 m15ml左右。 1 BKE, SOFT BAK，HA

22、RD AKE 烘烤，軟烤，預(yù)烤 烘烤（Bake)：在集成電路芯片上的制造過程中,將芯片至于稍高溫(6050）的烘箱內(nèi)或熱板上均可謂之烘烤,隨其目的的不同,可區(qū)分微軟烤（Soft ake）與預(yù)烤（Harbake)。軟烤（Sot bke)：其使用時(shí)機(jī)是在上完光阻后,主要目的是為了將光阻中的溶劑蒸發(fā)去除,并且可增加光阻與芯片之附著力。預(yù)烤(Harbake)：又稱為蝕刻前烘烤(pretbake)，主要目的為去除水氣，增加光阻附著性，尤其在濕蝕刻(wet etching)更為重要，預(yù)烤不全長(zhǎng)會(huì)造成過蝕刻。 19 F2 二氟化硼 一種供做離子植入用之離子。BF2是由F3+氣體晶燈絲加熱分解成：10、11、

23、F9、B10F2、B112。經(jīng)xtact拉出及質(zhì)譜磁場(chǎng)分析后而得到。是一種ype 離子,通常用作VT植入(閘層)及/D植入。 20BOAT 晶舟 ot原意是單木舟,在半導(dǎo)體IC制造過程中，常需要用一種工具作芯片傳送、清洗及加工，這種承載芯片的工具,我們稱之為Boat。一般ot有兩種材質(zhì),一是石英、另一是鐵氟龍.石英Bat用在溫度較高（大于30)的場(chǎng)合。而鐵氟龍Bat則用在傳送或酸處理的場(chǎng)合。 1 B.O.緩沖蝕刻液E是F與4F依不同比例混合而成。6：BOE蝕刻即表示F：NH4=：的成分混合而成.為主要的蝕刻液，NH4F則作為緩沖劑使用。利用N4F固定H的濃度，使之保持一定的蝕刻率.HF會(huì)浸蝕玻

24、璃及任何含硅石的物質(zhì)，對(duì)皮膚有強(qiáng)烈的腐蝕性，不小心被濺到，應(yīng)用大量水沖洗. 22 BODINGAD 焊墊 焊墊-晶利用以連接金線或鋁線的金屬層。在晶粒封裝（Asmby)的制程中，有一個(gè)步驟是作“焊線”,即是用金線（塑料包裝體）或鋁線（陶瓷包裝體)將晶粒的線路與包裝體之各個(gè)接腳依焊線圖（ndn Diagrm）連接在一起,如此一來，晶粒的功能才能有效地應(yīng)用。由于晶粒上的金屬線路的寬度即間隙都非常窄小,(目前C所致的產(chǎn)品約是微米左右的線寬或間隙)，而用來連接用的金線或鋁線其線徑目前由于受到材料的延展性即對(duì)金屬接線強(qiáng)度要求的限制，祇能做到.01。3mil(25。43j微米）左右,在此情況下,要把二、三

25、十微米的金屬線直接連接到金屬線路間距只有3微米的晶粒上，一定會(huì)造成多條鋁線的接橋,故晶粒上的鋁路，在其末端皆設(shè)計(jì)成一個(gè)約m見方的金屬層，此即為焊墊，以作為接線使用.焊墊通常分布再晶粒之四個(gè)外圍上(以粒封裝時(shí)的焊線作業(yè)）,其形狀多為正方形,亦有人將第一焊線點(diǎn)作成圓形，以資辨識(shí)。焊墊因?yàn)橐鹘泳€，其上得護(hù)層必須蝕刻掉，故可在焊墊上清楚地看到“開窗線”.而晶粒上有時(shí)亦可看到大塊的金屬層，位于晶粒內(nèi)部而非四周,其上也看不到開窗線,是為電容。 23 ORON 硼 自然元素之一。由五個(gè)質(zhì)子及六個(gè)中子所組成。所以原子量是.另外有同位素，是由五個(gè)質(zhì)子及五個(gè)中子所組成原子量是10(0）。自然界中這兩種同位素之比

26、例是4：1,可由磁場(chǎng)質(zhì)譜分析中看出，是一種type的離子（ 11),用來作場(chǎng)區(qū)、井區(qū)、VT及S/植入。 24 PSG含硼及磷的硅化物BPSG乃介于P之上、Metl之下，可做為上下兩層絕緣之用,加硼、磷主要目的在使回流后的Step較平緩，以防止Metllne濺鍍上去后，造成斷線。 25 BREAKDWN VOAGE 崩潰電壓 反向P-N接面組件所加之電壓為P接負(fù)而N接正，如為此種接法則當(dāng)所加電壓通在某個(gè)特定值以下時(shí)反向電流很小，而當(dāng)所加電壓值大于此特定值后，反向電流會(huì)急遽增加,此特定值也就是吾人所謂的崩潰電壓(RKDOWN VOLTAGE）一般吾人所定義反向P+ N接面之反向電流為1UA時(shí)之電壓

27、為崩潰電壓,在P 或 N+P之接回組件中崩潰電壓,隨著N(或者P)之濃度之增加而減小。 26 BRN N預(yù)燒試驗(yàn)預(yù)燒（Burn）為可靠性測(cè)試的一種，旨在檢驗(yàn)出哪些在使用初期即損壞的產(chǎn)品，而在出貨前予以剔除。預(yù)燒試驗(yàn)的作法,乃是將組件（產(chǎn)品）至于高溫的環(huán)境下,加上指定的正向或反向的直流電壓，如此殘留在晶粒上氧化層與金屬層之外來雜質(zhì)離子或腐蝕性離子將容易游離而使故障模式(FaiureMoe）提早顯現(xiàn)出來，達(dá)到篩選、剔除早期夭折產(chǎn)品之目的。預(yù)燒試驗(yàn)分為靜態(tài)預(yù)燒(tatic Burn in）與動(dòng)態(tài)預(yù)燒（yamic urn i)兩種，前者在試驗(yàn)時(shí)，只在組件上加上額定的工作電壓即消耗額定的功率,而后者除此

28、外并有仿真實(shí)際工作情況的訊號(hào)輸入，故較接近實(shí)際狀況,也較嚴(yán)格?；旧?每一批產(chǎn)品在出貨前,皆須作百分之百的預(yù)燒試驗(yàn),馾由于成本及交貨其等因素，有些產(chǎn)品舊祇作抽樣（部分）的預(yù)燒試驗(yàn),通過后才出貨。另外對(duì)于一些我們認(rèn)為它品質(zhì)夠穩(wěn)定且夠水準(zhǔn)的產(chǎn)品,亦可以抽樣的方式進(jìn)行,當(dāng)然，具有高信賴度的產(chǎn)品，皆須通過百分之百的預(yù)燒試驗(yàn). 27 D計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì) CAD:Computer Aded Deig計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)，此名詞所包含的范圍很廣，可泛稱一切計(jì)算機(jī)為工具，所進(jìn)行之設(shè)計(jì)；因此不僅在I設(shè)計(jì)上用得到,建筑上之設(shè)計(jì)，飛機(jī)、船體之設(shè)計(jì)，都可能用到。在以往計(jì)算機(jī)尚未廣泛應(yīng)用時(shí),設(shè)計(jì)者必須以有限之記憶、經(jīng)驗(yàn)來進(jìn)行設(shè)

29、計(jì)，可是有了所謂A后，我們把一些常用之規(guī)則、經(jīng)驗(yàn)存入計(jì)算機(jī)后，后面的設(shè)計(jì)者,變可節(jié)省不少?gòu)念^摸索的工作，如此不僅大幅地提高了設(shè)計(jì)的準(zhǔn)確度，使設(shè)計(jì)的領(lǐng)域進(jìn)入另一新天地。 28CDEARENT 微距測(cè)試D: itial Dieon之簡(jiǎn)稱。通常于某一個(gè)層次中，為了控制其最小線距，我們會(huì)制作一些代表性之量測(cè)圖形于晶方中，通常置于晶方之邊緣.簡(jiǎn)言之,微距測(cè)量長(zhǎng)當(dāng)作一個(gè)重要之制程指針,可代表黃光制程之控制好壞。量測(cè)D之層次通常是對(duì)線距控制較重要之層次,如氮化硅、POLY、CONT、MET等，而目前較常用于測(cè)量之圖形有品字型,LBAR等。 29 H3O 醋酸 CETIC CID醋酸澄清、無色液體、有刺激性氣

30、味、熔點(diǎn)16。63、沸點(diǎn)18。與水、酒精、乙醚互溶。可燃。冰醋酸是99.8以上之純化物,有別于水容易的醋酸食入或吸入純醋酸有中等的毒性，對(duì)皮膚及組織有刺激性,危害性不大，被濺到用水沖洗。 3 HBER 真空室，反應(yīng)室專指一密閉的空間，常有特殊的用途：諸如抽真空、氣體反應(yīng)或金屬濺度等。針對(duì)此特殊空間之種種外在或內(nèi)在環(huán)境：例如外在粒子數(shù)(rtice)、濕度及內(nèi)在溫度、壓力、氣體流量、粒子數(shù)等加以控制。達(dá)到芯片最佳反應(yīng)條件。 31CANNEL 信道當(dāng)在MS晶體管的閘極上加上電壓（POS為負(fù)，NOS為正）,則閘極下的電子或電洞會(huì)被其電場(chǎng)所吸引或排斥而使閘極下之區(qū)域形成一反轉(zhuǎn)層(InvesioLyer)

31、，也就是其下之半導(dǎo)體Ptype變成Ntypi，Ntp變成Ptp Si，而與源極和汲極,我們舊稱此反轉(zhuǎn)層為“信道”.信道的長(zhǎng)度“hannelLengh”對(duì)S組件的參數(shù)有著極重要的影響，故我們對(duì)POLYC的控制需要非常謹(jǐn)慎。 32 CHP ,IE 晶粒 一片芯片(OR晶圓,即Wafer）上有許多相同的方形小單位,這些小單位及稱為晶粒。同一芯片上每個(gè)晶粒都是相同的構(gòu)造，具有相同的功能，每個(gè)晶粒經(jīng)包裝后,可制成一顆顆我們?cè)怀Ｉ钪谐Ｒ姷腎C,故每一芯片所能制造出的I數(shù)量是很可觀的，從幾百個(gè)到幾千個(gè)不等。同樣地,如果因制造的疏忽而產(chǎn)生的缺點(diǎn)，往往就會(huì)波及成百成千個(gè)產(chǎn)品. 33 CLT(CARIRLIFE

32、TME） 截子生命周期 一、 定義少數(shù)戴子再溫度平均時(shí)電子被束縛在原子格內(nèi)，當(dāng)外加能量時(shí),電子獲得能量，脫離原子格束縛，形成自由狀態(tài)而參與電流島通的的工作，但能量消失后，這些電子/電洞將因在結(jié)合因素回復(fù)至平衡狀態(tài)，因子當(dāng)這些載子由被激發(fā)后回復(fù)平衡期間,稱之為少數(shù)載子“LF IME“二、 應(yīng)用范圍.評(píng)估盧管和清洗槽的干凈度2。針對(duì)芯片之清潔度及損傷程度對(duì)CLT值有影響為A芯片中離子污染濃度及污染之金屬種類B.芯片中結(jié)晶缺陷濃度 4CMOS 互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體金屬氧化膜半導(dǎo)體(MOS,METLIDESMICOUCTO)其制程程序及先在單晶硅上形成絕緣氧化膜，再沉積一層復(fù)晶硅(或金屬）作為閘極，利用家

33、到閘極的電場(chǎng)來控制MOS組件的開關(guān)(導(dǎo)電或不導(dǎo)電）.按照導(dǎo)電載子的種類，S，又可分成兩種類型：MO（由電子導(dǎo)電）和PMOS(由電洞導(dǎo)電).而互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOCOPMTY MO)則是由NMOS及OS組合而成，具有省電、抗噪聲能力強(qiáng)、PRTICLE免疫力好等許多優(yōu)點(diǎn),是超大規(guī)模集成電路(LI）的主流。35COAING 光阻覆蓋將光阻劑以浸泡、噴霧、刷怖、或滾壓等方法加于芯片上,稱為光阻覆蓋。目前效果最佳的方法為旋轉(zhuǎn)法；旋轉(zhuǎn)法乃是將芯片以真空吸附于一個(gè)可旋轉(zhuǎn)的芯片支持器上，適量的光阻劑加在芯片中央，然后芯片開始轉(zhuǎn)動(dòng)，芯片上的光阻劑向外流開,很均勻的散在芯片上。要得到均勻的光阻膜，旋轉(zhuǎn)速度必須

34、適中穩(wěn)定。而旋轉(zhuǎn)速度和光阻劑黏滯性絕應(yīng)所鍍光阻劑的厚度.光阻劑加上后，必須經(jīng)過軟烤的步驟，以除去光阻劑中過多的溶劑,進(jìn)而使光阻膜較為堅(jiān)硬，同時(shí)增加光阻膜與芯片的接合能力的主要方法就是在于適當(dāng)調(diào)整軟烤溫度與時(shí)間。經(jīng)過了以上的鍍光阻膜即軟烤過程,也就是完成了整個(gè)光阻覆蓋的步驟。 6 RS STION橫截面I的制造基本上是由一層一層的圖案堆積上去,而為了了解堆積圖案的構(gòu)造，以改善制程或解決制程問題，經(jīng)常會(huì)利用破壞性切割方式以電子顯微鏡(M）來觀察,而切割橫截面、觀察橫截面的方式是其中較為普遍之一種. 39CYL TIME 生產(chǎn)周期時(shí)間 指原料由投入生產(chǎn)線到產(chǎn)品于生產(chǎn)線產(chǎn)生所需之生產(chǎn)/制造時(shí)間.在TA

35、，生產(chǎn)周期有兩種解釋:一為“芯片產(chǎn)出周期時(shí)間”(WAFEROU CCLE TIME ），一為“制程周期時(shí)間”（PROCSS CYLE IME)“芯片產(chǎn)出周期時(shí)間”乃指單一批號(hào)之芯片由投入到產(chǎn)出所需之生產(chǎn)/制造時(shí)間。“制程周期時(shí)間”則指所有芯片于單一工站平均生產(chǎn)/制造時(shí)間，而各工站（從頭至尾）平均生產(chǎn)制造之加總極為該制程之制程周期時(shí)間。目前I-ACR LINEREOT 之生產(chǎn)周期時(shí)間乃采用“制程周期時(shí)間”。一般而言，生產(chǎn)周期時(shí)間可以下列公式概略推算之：生產(chǎn)周期時(shí)間=在制品（WIP)/產(chǎn)能(TROUT） 4 CLETIE生產(chǎn)周期 IC制造流程復(fù)雜，且其程序很長(zhǎng)，自芯片投入至晶圓測(cè)試完成，謂之Cle

36、 Time.由于IC生命周期很短,自開發(fā)、生產(chǎn)至銷售,需要迅速且能掌握時(shí)效,故yce ime越短，競(jìng)爭(zhēng)能力就越高，能掌握產(chǎn)品上市契機(jī),就能獲取最大的利潤(rùn)。由于CycleTe 長(zhǎng)，不容許生產(chǎn)中的芯片因故報(bào)廢或重做，故各項(xiàng)操作過程都要依照規(guī)范進(jìn)行，且要做好故障排除讓產(chǎn)品流程順利，早曰出IB上市銷售. 4DFEC DEIT 缺點(diǎn)密度 缺點(diǎn)密度系指芯片單位面積上（如每平方公分、每平方英吋等）有多少缺點(diǎn)數(shù)之意,此缺點(diǎn)數(shù)一般可分為兩大類:A.可視性缺點(diǎn)B不可視性缺點(diǎn)。前者可藉由一般光學(xué)顯微鏡檢查出來（如橋接、斷線),由于芯片制造過程甚為復(fù)雜漫長(zhǎng)，芯片上缺點(diǎn)數(shù)越少，產(chǎn)品量率品質(zhì)必然越佳,故缺點(diǎn)密度常備用來當(dāng)

37、作一個(gè)工廠制造的產(chǎn)品品質(zhì)好壞的指針. 42 EHYDATON BAKE 去水烘烤 目的：去除芯片表面水分,增加光阻附著力。以免芯片表面曝光顯影后光阻掀起。方法：在光阻覆蓋之前，利用高溫（10或150）加熱方式為之. 4 ESIY 密化 V沉積后,由于所沈積之薄膜（THIFILM之密度很低)，故以高溫步驟使薄膜中之分子重新結(jié)合，以提高其密度,此種高溫步驟即稱為密化.密化通常以爐管在80以上的溫度完成,但也可在快速升降溫機(jī)臺(tái)(TP；RIDTRA OSS）完成。 DESCUM電漿預(yù)處理 1。電漿預(yù)處理,系利用電漿方式（asm)，將芯片表面之光阻加以去除，但其去光阻的時(shí)間,較一般電漿光阻去除(Sipp

38、ing）為短.其目的只是在于將芯片表面之光阻因顯影預(yù)烤等制程所造成之光阻毛邊或細(xì)屑（Sm）加以去除，以使圖形不失真,蝕刻出來之圖案不會(huì)有殘余.2 有關(guān)電漿去除光阻之原理,請(qǐng)參閱電漿光阻去除（sin).3. 通常作電漿預(yù)處理，均以較低之力，及小之功率為之,也就是使光阻之蝕刻率降低得很低，使得均勻度能提高,以保持完整的圖形，達(dá)到電漿預(yù)處理的目的。 5 ESGN RULE 設(shè)計(jì)規(guī)范由于半導(dǎo)體制程技術(shù)，系一們專業(yè)、精致又復(fù)雜的技術(shù)，容易受到不同制造設(shè)備制程方法（RECIP)的影響，故在考慮各項(xiàng)產(chǎn)品如何從事制造技術(shù)完善,成功地制造出來時(shí)，需有一套規(guī)范來做有關(guān)技術(shù)上之規(guī)定，此即“DEIGN RUE，其系依

39、照各種不同產(chǎn)品的需求、規(guī)格,制造設(shè)備及制程方法、制程能力、各項(xiàng)相關(guān)電性參數(shù)規(guī)格等之考慮，訂正了如:. 各制程層次、線路之間距離、線寬等之規(guī)格。2. 各制程層次厚度、深度等之規(guī)格。3. 各項(xiàng)電性參數(shù)等之規(guī)格。以供產(chǎn)品設(shè)計(jì)者及制程技術(shù)工程師等人之遵循、參考。 46 EDSIGNRULE 設(shè)計(jì)準(zhǔn)則 設(shè)計(jì)準(zhǔn)則SGN RULE：反應(yīng)制程能力及制程組件參數(shù),以供IC設(shè)計(jì)者設(shè)計(jì)C時(shí)的參考準(zhǔn)則。一份完整的Deign Rule包括有下列各部分:A。制程參數(shù):如氧化層厚度、復(fù)晶、金屬層厚度等，其它如流程、AI、AEI 參數(shù).主要為擴(kuò)散與黃光兩方面的參數(shù)。電氣參數(shù)：提供給設(shè)計(jì)者做仿真電路時(shí)之參考。C布局參數(shù):及一般

40、所謂的3、2m、1m等等之Rules,提供布局原布局之依據(jù)。D。光罩制作資料:提供給光罩公司做光罩時(shí)之計(jì)算機(jī)資料,如CD BAR、測(cè)試鍵之?dāng)[放位置，各層次之相對(duì)位置之?dāng)[放等。 4IE BYIE ALMENT 每FIELD均對(duì)準(zhǔn) 每個(gè)Field再曝光前均針對(duì)此單一ie對(duì)準(zhǔn)之方法稱之;也就是說每個(gè)l均要對(duì)準(zhǔn). 4 DIFFSION 擴(kuò)散 在一杯很純的水上點(diǎn)一滴墨水，不久后可發(fā)現(xiàn)水表面顏色漸漸淡去,而水面下漸漸染紅,但顏色是越來越淡，這即是擴(kuò)散的一例.在半導(dǎo)體工業(yè)上常在很純的硅芯片上以預(yù)置或離子布植的方式作擴(kuò)散源（即紅墨水）.因固態(tài)擴(kuò)散比液體擴(kuò)散慢很多(約數(shù)億年)，故以進(jìn)爐管加高溫的方式,使擴(kuò)散在數(shù)

41、小時(shí)內(nèi)完成。 49DI TER 去離子水 IC制造過程中，常需要用鹽酸容易來蝕刻、清洗芯片.這些步驟之后又需利用水把芯片表面殘留的鹽酸清除,故水的用量相當(dāng)大。然而IC.工業(yè)用水,并不是一般的自來水或地下水,而是自來水或地下水經(jīng)過一系列的純化而成。原來自來水或地下水中含有大量的細(xì)菌、金屬離子級(jí)PATICLE,經(jīng)廠務(wù)的設(shè)備將之殺菌、過濾和純化后，即可把金屬離子等雜質(zhì)去除,所得的水即稱為去離子水，專供C制造之用。 0 DPING 參入雜質(zhì) 為使組件運(yùn)作，芯片必須參以雜質(zhì)，一般常用的有：1.預(yù)置:在爐管內(nèi)通以飽和的雜質(zhì)蒸氣,使芯片表面有一高濃度的雜質(zhì)層,然后以高溫使雜質(zhì)驅(qū)入擴(kuò)散;或利用沉積時(shí)同時(shí)進(jìn)行預(yù)

42、置。.離子植入：先使雜質(zhì)游離,然后加速植入芯片。 DRAM ，SRAM 動(dòng)態(tài),靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存隨機(jī)存取記憶器可分動(dòng)態(tài)及靜態(tài)兩種，主要之差異在于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRM),在一段時(shí)間(一般是0。ms）后，資料會(huì)消失，故必須在資料未消失前讀取元資料再重寫(rfresh），此為其最大缺點(diǎn),此外速度較慢也是其缺點(diǎn),而M之最大好處為，其每一記憶單元（bit）指需一個(gè)Transisto(晶體管）加一個(gè)Capaitor（電容器），故最省面積，而有最高之密度。而SA則有不需重寫、速度快之優(yōu)點(diǎn),但是密度低,每一記憶單元（bit）有兩類:。需要六個(gè)Tnsisto(晶體管）,B四個(gè)Trnsisto(晶體管)加兩個(gè)L

43、oad resistor（負(fù)載電阻)。由于上述之優(yōu)缺點(diǎn),RAM一般皆用在PC（個(gè)人計(jì)算機(jī)）或其它不需高速且記憶容量大之記憶器，而SRAM則用于高速之中大型計(jì)算機(jī)或其它只需小記憶容量。如監(jiān)視器(Moitor）、打印機(jī)（Pier)等外圍控制或工業(yè)控制上。 5DRVE IN 驅(qū)入 離子植入（n iplanaton)雖然能較精確地選擇雜質(zhì)數(shù)量，但受限于離子能量，無法將雜質(zhì)打入芯片較深（um級(jí)）的區(qū)域，因此需借著原子有從高濃度往低濃度擴(kuò)散的性質(zhì)，在相當(dāng)高的溫度去進(jìn)行,一方面將雜質(zhì)擴(kuò)散道教深的區(qū)域，且使雜質(zhì)原子占據(jù)硅原子位置,產(chǎn)生所要的電性，另外也可將植入時(shí)產(chǎn)生的缺陷消除。此方法稱之驅(qū)入。在驅(qū)入時(shí)，常通入

44、一些氧氣,因?yàn)楣柩趸瘯r(shí)，會(huì)產(chǎn)生一些缺陷,如空洞（Vaccy），這些缺陷會(huì)有助于雜質(zhì)原子的擴(kuò)散速度。另外，由于驅(qū)入世界原子的擴(kuò)散，因此其方向性是各方均等,甚至有可能從芯片逸出(oudffuio)，這是需要注意的地方。 53 E-AM LITHOGAY電子束微影技術(shù) 目前芯片制作中所使用之對(duì)準(zhǔn)機(jī)，其曝光光源波長(zhǎng)約為（365m36m)，其可制作線寬約1之圖形。但當(dāng)需制作更細(xì)之圖形時(shí),則目前之對(duì)準(zhǔn)機(jī)，受曝光光源波長(zhǎng)之限制,而無法達(dá)成，因此在次微米之微影技術(shù)中，及有用以電子數(shù)為曝光光源者，由于電子束波長(zhǎng)甚短(0.1)，故可得甚佳之分辨率,作出更細(xì)之C圖型，此種技術(shù)即稱之電子束微影技術(shù)。電子束微影技術(shù)，目

45、前已應(yīng)用于光罩制作上，至于應(yīng)用于光芯片制作中，則仍在發(fā)展中. 54FR（ARYAILURE RTE） 早期故障率 EryFailure Rae是產(chǎn)品可靠度指針，意謂IC到客戶手中使用其可能發(fā)生故障的機(jī)率.當(dāng)DAM生產(chǎn)測(cè)試流程中經(jīng)過BRN-IN高溫高壓測(cè)試后,體質(zhì)不佳的產(chǎn)品便被淘汰.為了確定好的產(chǎn)品其考靠度達(dá)到要求,所以從母批中取樣本做可靠度測(cè)試，試驗(yàn)中對(duì)產(chǎn)品加高壓高溫,催使不耐久的產(chǎn)品故障，因而得知產(chǎn)品的可靠度。故障機(jī)率與產(chǎn)品生命周期之關(guān)系類似浴缸，稱為attub Curve 55 LROMRATION電子遷移 所謂電子遷移，乃指在電流作用下金屬的質(zhì)量會(huì)搬動(dòng)，此系電子的動(dòng)量傳給帶正電之金屬離子

46、所造成的.當(dāng)組件尺寸越縮小時(shí),相對(duì)地電流密度則越來越大;當(dāng)此大電流經(jīng)過集成電路中之薄金屬層時(shí)，某些地方之金屬離子會(huì)堆積起來，而某些地方則有金屬空缺情形，如此一來，堆積金屬會(huì)使鄰近之導(dǎo)體短路,而金屬空缺則會(huì)引起斷路。材料搬動(dòng)主要原動(dòng)力為晶界擴(kuò)散。有些方法可增加鋁膜導(dǎo)體對(duì)電遷移之抗力,例如：與銅形成合金，沉積時(shí)加氧等方式。 56 ELETRON/HOLE電子/ 電洞 電子是構(gòu)成原子的帶電粒子，帶有一單位的負(fù)電荷,環(huán)繞在原子核四周形成原子。墊洞是晶體中在原子核間的共享電子，因受熱干擾或雜質(zhì)原子取代，電子離開原有的位置所遺留下來的“空缺”因缺少一個(gè)電子，無法維持電中性，可視為帶有一單位的正電荷. 57

47、ELPSOMETER 橢圓測(cè)厚儀 將已知波長(zhǎng)之射入光分成線性偏極或圓偏極，照射在待射芯片,利用所得之不同橢圓偏極光之強(qiáng)度訊號(hào)，以ouier分析及resel方程式,求得待測(cè)芯片模厚度 EM（EECR MGRTINTEST) 電子遷移可靠度測(cè)試 當(dāng)電流經(jīng)過金屬導(dǎo)線，使金屬原子獲得能量，沿區(qū)塊邊界（GRAIN Bouderis）擴(kuò)散(ffusin)，使金屬線產(chǎn)生空洞(oid）,甚至斷裂,形成失效。其對(duì)可靠度評(píng)估可用電流密度線性模型求出:F【（stress）/J(op)】nep【EaKb （1(op）- 1（stes）】TAFT(sres) 59 ENDPOIT DEETO 終點(diǎn)偵測(cè)器 在電漿蝕刻中,

48、利用其反應(yīng)特性,特別設(shè)計(jì)用以偵測(cè)反應(yīng)何時(shí)完成的一種裝置.一般終點(diǎn)偵測(cè)可分為下列三種：A.雷射終點(diǎn)偵測(cè)器（Las Endoint etctor)： 利用雷射光入射反應(yīng)物（即芯片)表 面，當(dāng)時(shí)顆發(fā)生時(shí)，反應(yīng)層之厚度會(huì)逐漸減少,因而反射光會(huì)有干擾訊號(hào)產(chǎn)生，當(dāng)蝕刻完成時(shí)，所接收之訊號(hào)亦已停止變化，即可測(cè)得終點(diǎn)。B.激發(fā)光終點(diǎn)偵測(cè)器（Otical Emision Ed ointDetector) 用一光譜接受器，接受蝕刻反應(yīng)中某一反應(yīng)副產(chǎn)物（Bprodc)所激發(fā)之光譜，當(dāng)蝕刻反應(yīng)逐漸完成,此副產(chǎn)物減少，光譜也漸漸變?nèi)?即可偵測(cè)得其終點(diǎn)。C時(shí)間偵測(cè)器：直接設(shè)定反應(yīng)時(shí)間，當(dāng)時(shí)間終了，即結(jié)束其反應(yīng)。 6 NE

49、RGY 能量能量是物理學(xué)之專有名詞.例如：比之電壓正100伏，若在A板上有一電子受B版正電吸引而加速跑到版，這時(shí)電子在版就比在A版多了100電子伏特的能量。 61 PIAFE磊晶芯片 磊晶系在晶體表面成長(zhǎng)一層晶體。 6EP（EASABOGAMMABLEROM） 電子可程序只讀存儲(chǔ)器MSKRO內(nèi)所存的資料，是在FAB 內(nèi)制造過程中便已設(shè)定好，制造完后便無法改變,就像任天堂游戲卡內(nèi)的MAS RM,存的是金牌瑪麗就無法變成雙截龍.而OM是在RO內(nèi)加一個(gè)特殊結(jié)構(gòu)叫A FAS，它可使OM內(nèi)的資料保存，但當(dāng)紫外光照到它時(shí)，它會(huì)使 RM內(nèi)的資料消失。每一個(gè)晶憶單位都?xì)w口.然后工程人員再依程序的規(guī)范，用30瓦

50、左右的電壓將01。資料灌入每一個(gè)記憶單位。如此就可灌電壓、紫外光重復(fù)使用,存入不同的資料。也就是說如果任天堂卡內(nèi)使用的是EPOM，那么你打膩了金牌瑪麗,然后灌雙截龍的程序進(jìn)去,卡匣就變成雙截龍卡，不用去交換店交換了。 3EDLECTROTATDAAGLECTROTATCDCHARGE 靜電破壞靜電放電 自然界之物質(zhì)均由原子組成，而原子又由質(zhì)子、中子及電子組成。在正常狀態(tài)下,物質(zhì)成中性,而在曰?；顒?dòng)中,會(huì)使物質(zhì)失去電子,或得到電子，此即產(chǎn)生一靜電,得到電子之物質(zhì)為帶負(fù)靜電,失去電子即帶正靜電.靜電大小會(huì)隨著曰常的工作環(huán)境而有所不同。如下表所示.活動(dòng)情形靜 電 強(qiáng) 度(Vlt） 12相對(duì)濕度 65

51、95相對(duì)濕度走過地毯走過塑料地板在以子上工作拿起塑料活頁(yè)夾,袋拿起塑料帶工作椅墊摩擦 35,001，000,007，0，0018，000 ，00015,00 表 曰常工作所產(chǎn)生的靜電強(qiáng)度表2.當(dāng)物質(zhì)產(chǎn)生靜電后，隨時(shí)會(huì)放電,弱放到子組件上，例如I，則會(huì)將組件破壞而使不能正常工作，此即為靜電破壞或靜電放電。3.防止靜電破壞方法有二：在組件設(shè)計(jì)上加上靜電保護(hù)電路。在工作環(huán)境上減少靜電,例如工作桌之接地線，測(cè)試員之靜電環(huán).載運(yùn)送上使用防靜電膠套及海綿等等。 4 ETCH 蝕刻在集成電路的制程中,常需要將整個(gè)電路圖案定義出來，其制造程序通常是先長(zhǎng)出或蓋上一層所需要之薄膜，在利用微影技術(shù)在這層薄膜上，以光

52、阻定義出所欲制造之電路圖案，再利用化學(xué)或物理方式將不需要之部分去除，此種去除步驟便稱為蝕刻（ETCH）一般蝕刻可分為濕性蝕刻（ET TCH)及干性蝕刻(DRY EC）兩種。所謂干性蝕刻乃是利用化學(xué)品(通常是鹽酸）與所欲蝕刻之薄膜起化學(xué)反應(yīng),產(chǎn)生氣體或可溶性生成物，達(dá)到圖案定義之目的.而所謂干蝕刻,則是利用干蝕刻機(jī)臺(tái)產(chǎn)生電漿，將所欲蝕刻之薄膜反映產(chǎn)生氣體由M抽走，達(dá)到圖案定義之目的. 5 XOSR 曝光 其意義略同于照相機(jī)底片之感光在集成電路之制造過程中,定義出精細(xì)之光組圖形為其中重要的步驟,以運(yùn)用最廣之5X TEPR為例,其方式為以對(duì)紫外線敏感之光阻膜作為類似照相機(jī)底片，光罩上則有我們所設(shè)計(jì)之

53、各種圖形，以特殊波長(zhǎng)之光線（G-LN 43N)照射光罩后，經(jīng)過縮小鏡片（REDUTN LENS）光罩上之圖形則成5倍縮小，精確地定義在底片上（芯片上之光阻膜）經(jīng)過顯影后，即可將照到光（正光阻）之光阻顯掉，而得到我們想要之各種精細(xì)圖形,以作為蝕刻或離子植入用。因光阻對(duì)于某特定波長(zhǎng)之光線特別敏感,故在黃光室中早將一切照明用光元過濾成黃色，以避免泛白光源中含有對(duì)光阻有感光能力之波長(zhǎng)成分在，這一點(diǎn)各相關(guān)人員應(yīng)特別注意，否則會(huì)發(fā)生光線污染現(xiàn)象,而擾亂精細(xì)之光阻圖。 6 FABRCATI(B） 制造 abriaion為“裝配或“制造”之意，與Maucture意思一樣，半導(dǎo)體制造程序,其步驟繁多，且制程復(fù)雜

54、，需要有非常精密的設(shè)備和細(xì)心的作業(yè)，才能達(dá)到吳缺點(diǎn)的品質(zhì)。FAB系Fabriat之縮寫,指的是“工廠”之意。我們常稱FIB為“晶圓區(qū)”，例如：進(jìn)去“FAB”之前需穿上防塵衣. 6 BF(L TFUNCTION CHIP） 全功能芯片由于產(chǎn)品上會(huì)有缺陷,所以有些芯片無法全功能工作.因此須要雷射修補(bǔ)前測(cè)試,以便找到缺陷位置及多寡，接著就能利用雷射修補(bǔ)，將有缺陷的芯片修補(bǔ)成全功能的芯片。當(dāng)缺陷超過一定限度時(shí),無法修補(bǔ)成全功能芯片 68FIL/MOAT 場(chǎng)區(qū) FIELD直譯的意思是場(chǎng),足球場(chǎng)和武道場(chǎng)等的場(chǎng)都叫做IED.它的含意就是一個(gè)有專門用途的區(qū)域。在IC內(nèi)部結(jié)構(gòu)中，有一區(qū)域是隔離電場(chǎng)的地方，通常介

55、于兩個(gè)MOS晶體管之間，稱為場(chǎng)區(qū)。場(chǎng)區(qū)之上大部分會(huì)長(zhǎng)一層厚的氧化層。 69FILRATION 過濾 用過濾器(FIER,為一半透膜折疊而成）將液體或氣體中的雜質(zhì)給過濾掉，此稱為ITION【過濾】因C制造業(yè)對(duì)潔凈式的要求是非常嚴(yán)格的,故各種使用的液體或氣體，必須借著一個(gè)PM制造壓差來完成,如何炫則一組恰當(dāng)?shù)倪^濾器及PUMP是首要的課題. 70 F(FAIUEN TIM） FT適用以表示產(chǎn)品可靠度的單位FI=Ealurei 10 Devce-Hours例如10 evie 工作000Hour后1 Devie故障，則該產(chǎn)品的可靠度為：(1Falre）/(1000vices*0 ou）=000FIT 1

56、 FUNDY 客戶委托加工 客戶委托加工主要是接受客戶委托,生產(chǎn)客戶自有權(quán)利的產(chǎn)品，也就是客戶提供光罩，由IC來生產(chǎn)制造,在將成品出售給客戶，指收取代工過程費(fèi)用,這種純粹代工,不涉及銷售的方式在國(guó)際間較通常的稱呼就是硅代工(SiliconFondry)。 7 FOR NT ROBE 四點(diǎn)偵測(cè) 是量測(cè)芯片片阻值（Sheet Ristanc)的儀器。原理如下：有ABCD四針，、D間通以電流I,、C兩針量取電壓差（V),則RS=K. 8GETTERING吸附“Getterin”系于半導(dǎo)體制程中,由于可能受到晶格缺陷（rystalDeec）或金屬類雜質(zhì)污染等之影響,造成組件接口之間可能有漏電流（Jun

57、ionLeaa)存在,而影響組件特性；如何將這些晶格缺陷、金屬雜質(zhì)摒除解決的種種技術(shù)上作法，就叫做”Gttering”吸附。吸附一般又可分“內(nèi)部的吸附”-nisiGtterin及“外部的吸附”-xtinscGeterin。前者系在下線制造之前先利用特殊高溫步驟讓晶圓表面的晶格缺陷或含氧量盡量降低。后者系利用外在方法如:晶背傷言、磷化物（POCl3)預(yù)置T將晶圓表面的缺陷及雜質(zhì)等盡量吸附到晶圓背面。兩者均可有效改善上述問題。81G-LNEG-光線-ne系指一種光波的波長(zhǎng),多系水銀燈所發(fā)出之光波波長(zhǎng)之一，其波長(zhǎng)為436nm。Gline之光源，最常作為tepper所用之水銀燈，本來系由許多不同之波長(zhǎng)

58、的光組成，利用一些or和Fiter反射、過濾的結(jié)果，會(huì)將其它波長(zhǎng)之光過濾掉,僅余Gline作為曝光用。使用單一波長(zhǎng)作為曝光光源可以得到較佳的能量控制和解吸力，但由于其為單色波故產(chǎn)生之駐波效應(yīng)(tandngv)對(duì)光阻圖案產(chǎn)生很大的影響。在選擇最佳光阻厚度，以府合駐波效應(yīng),成為lietaning最要的工作之一. 82LOBALALIGNET整片性對(duì)準(zhǔn)與計(jì)算Globalgment系指整片芯片在曝光前,先作整片性之對(duì)準(zhǔn)與計(jì)算，然后接著可做整片芯片之曝光。83;LBAALIGNN分為兩種:1普通的lollignnt：每片芯片共對(duì)準(zhǔn)左右兩點(diǎn)。2AdvnceGlobaAlgnnt：每片芯片對(duì)準(zhǔn)預(yù)先設(shè)定好之指

59、定數(shù)個(gè)eld的對(duì)準(zhǔn)鍵,連續(xù)對(duì)準(zhǔn)完畢并晶計(jì)算機(jī)計(jì)算后,才整片曝光。 83GO（GATEOXDETEGRITY）閘極氧化層完整性半導(dǎo)體組件中，閘極氧化層的完整與否關(guān)系著電容上電荷的存放能力，故需設(shè)計(jì)一適當(dāng)流程，其主要目的在側(cè)閘極氧化層之崩潰電壓（readwnvoltae）、有效氧化層厚度等,以仿真閘極氧化層的品質(zhì)及可信賴度,通常即以此崩潰電壓值表示O的優(yōu)劣程度。 4RAIS顆粒大小一種晶體材料形成后,從微觀的角度來看,材料都是一大堆顆粒壘疊在一起而成。這些顆粒有大有小，尺寸不一.而且材料的特性也會(huì)因?yàn)轭w粒大小而變化，故常要注意其大小變化。 8RRTUY(UEEPAABILITYNDREPRODUU

60、CIBILITY)測(cè)量?jī)x器重復(fù)性與再現(xiàn)性之研究將良策儀器的重復(fù)性-一其本身的變異,再現(xiàn)性-操作人本身的變異，用統(tǒng)計(jì)的方法算出，以判斷量測(cè)儀器是否符合制程參數(shù)控制之需要. 86HO4硫酸SufuicAc硫酸，為目前最廣泛使用的工業(yè)化學(xué)品.強(qiáng)力腐蝕性、濃稠、油狀液體,依純度不同，由無色至暗棕色,與水以各種不同比例互溶，甚具活性。溶解大部分的金屬。濃硫酸具氧化、脫水、磺化大部分的有機(jī)化合物，常常引起焦黑。比重1.4，沸點(diǎn)315。與水混合時(shí)需格外小心,由于放熱引起爆炸性的濺潑，永遠(yuǎn)是將酸加到水中，而非加水至酸中。不小心被濺到，用大量水沖洗。目前在線上，主要用于SO清洗及光阻去除。 87HO4磷酸PHO