電子科技大學(xué)微電子器件習(xí)題

1、電子科技大學(xué)微電子器件習(xí)題電子科技大學(xué)微電子器件習(xí)題電子科技大學(xué)微電子器件習(xí)題第二章PN結(jié)填空題1、若某突變PN結(jié)的P型區(qū)的混雜濃度為NA=1.51016cm-3，則室溫下該區(qū)的均衡多子濃度pp0與均衡少子濃度np0分別為（）和（）。2、在PN結(jié)的空間電荷區(qū)中，P區(qū)一側(cè)帶（）電荷，N區(qū)一側(cè)帶（）電荷。內(nèi)建電場(chǎng)的方向是從（）區(qū)指向（）區(qū)。3、當(dāng)采納耗盡近似時(shí)，N型耗盡區(qū)中的泊松方程為（）。由此方程可以看出，混雜濃度越高，則內(nèi)建電場(chǎng)的斜率越（）。4、PN結(jié)的混雜濃度越高，則勢(shì)壘區(qū)的長(zhǎng)度就越（），內(nèi)建電場(chǎng)的最大值就越（），內(nèi)建電勢(shì)反向飽和電流I0就越（），勢(shì)壘電容CT就越（），雪崩擊穿電壓就越（）。

2、5、硅突變結(jié)內(nèi)建電勢(shì)Vbi可表為（），在室溫下的典型值為（）伏特。6、當(dāng)對(duì)PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，其勢(shì)壘區(qū)寬度會(huì)（），勢(shì)壘區(qū)的勢(shì)壘高度會(huì)（）。7、當(dāng)對(duì)PN結(jié)外加反向電壓時(shí)，其勢(shì)壘區(qū)寬度會(huì)（），勢(shì)壘區(qū)的勢(shì)壘高度會(huì)（）。8、在P型中性區(qū)與耗盡區(qū)的界限上，少子濃度np與外加電壓V之間的關(guān)系可表示為（17-3，外加電壓V=0.52V，則P型區(qū)與耗盡區(qū)界限上的少子濃度np為（P型區(qū)的混雜濃度NA=1.510cm9、當(dāng)對(duì)PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，中性區(qū)與耗盡區(qū)界限上的少子濃度比該處的均衡少子濃度（結(jié)外加反向電壓時(shí)，中性區(qū)與耗盡區(qū)界限上的少子濃度比該處的均衡少子濃度（）。Vbi就越（），）。若）。）；當(dāng)對(duì)PN10

3、、PN結(jié)的正向電流由（）電流、（）電流和（）電流三部分所構(gòu)成。11、PN結(jié)的正向電流很大，是因?yàn)檎螂娏鞯碾姾筛词牵ǎ籔N結(jié)的反向電流很小，是因?yàn)榉聪螂娏鞯碾姾筛词牵ǎ?2、當(dāng)對(duì)PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，由N區(qū)注入P區(qū)的非均衡電子一邊向前擴(kuò)散，一邊（）。每經(jīng)過(guò)一個(gè)擴(kuò)散長(zhǎng)度的距離，非均衡電子濃度降到本來(lái)的（）。13、PN結(jié)擴(kuò)散電流的表達(dá)式為（）。這個(gè)表達(dá)式在正向電壓下可簡(jiǎn)化為（），在反向電壓下可簡(jiǎn)化為（）。14、在PN結(jié)的正向電流中，當(dāng)電壓較低時(shí)，以（）電流為主；當(dāng)電壓較高時(shí)，以（）電流為主。15、薄基區(qū)二極管是指PN結(jié)的某一個(gè)或兩此中性區(qū)的長(zhǎng)度小于（）。在薄基區(qū)二極管中，少子濃度的散布近似

4、為（）。16、小注入條件是指注入某區(qū)界限周邊的（）濃度遠(yuǎn)小于該區(qū)的（）濃度，所以該區(qū)總的多子濃度中的（）多子濃度可以忽視。17、大注入條件是指注入某區(qū)界限周邊的（）濃度遠(yuǎn)大于該區(qū)的（）濃度，所以該區(qū)總的多子濃度中的（）多子濃度可以忽視。18、勢(shì)壘電容反應(yīng)的是PN結(jié)的（）電荷隨外加電壓的變化率。PN結(jié)的混雜濃度越高，則勢(shì)壘電容就越（）；外加反向電壓越高，則勢(shì)壘電容就越（）。19、擴(kuò)散電容反應(yīng)的是PN結(jié)的（）電荷隨外加電壓的變化率。正向電流越大，則擴(kuò)散電容就越（）；少子壽命越長(zhǎng)，則擴(kuò)散電容就越（）。20、在PN結(jié)開(kāi)關(guān)管中，在外加電壓從正向變?yōu)榉聪蚝蟮囊欢螘r(shí)間內(nèi)，會(huì)出現(xiàn)一個(gè)較大的反向電流。惹起這個(gè)電

5、流的原由是儲(chǔ)蓄在（）區(qū)中的（）電荷。這個(gè)電荷的消迷途子有兩條，即（）和（）。21、從器件自己的角度，提升開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)速度的主要舉措是（）和（）。22、PN結(jié)的擊穿有三種機(jī)理，它們分別是（）、（）和（）。23、PN結(jié)的混雜濃度越高，雪崩擊穿電壓就越（）；結(jié)深越淺，雪崩擊穿電壓就越（）。24、雪崩擊穿和齊納擊穿的條件分別是（）和（）。問(wèn)答與計(jì)算題1、簡(jiǎn)要表達(dá)PN結(jié)空間電荷區(qū)的形成過(guò)程。2、什么叫耗盡近似？什么叫中性近似？3、什么叫突變結(jié)？什么叫單邊突變結(jié)？什么叫線(xiàn)性緩變結(jié)？分別畫(huà)出上述各樣PN結(jié)的雜質(zhì)濃度散布圖、內(nèi)建電場(chǎng)散布圖和外加正向電壓及反向電壓時(shí)的少子濃度散布圖。4、PN結(jié)勢(shì)壘區(qū)的寬度與哪些

6、要素相關(guān)？5、寫(xiě)出PN結(jié)反向飽和電流I0的表達(dá)式，并對(duì)影響I0的各樣要素進(jìn)行討論。6、PN結(jié)的正向電流由正向擴(kuò)散電流和勢(shì)壘區(qū)復(fù)合電流構(gòu)成。試分別說(shuō)明這兩種電流隨外加正向電壓的增添而變化的規(guī)律。當(dāng)正向電壓較小時(shí)以什么電流為主？當(dāng)正向電壓較大時(shí)以什么電流為主？7、什么是小注入條件？什么是大注入條件？寫(xiě)出小注入條件和大注入條件下的結(jié)定律，并討論兩種狀況下中性區(qū)界限上載流子濃度隨外加電壓的變化規(guī)律。8、在工程實(shí)質(zhì)中，一般采納什么方法來(lái)計(jì)算PN結(jié)的雪崩擊穿電壓？9、簡(jiǎn)要表達(dá)PN結(jié)勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容的形成機(jī)理及特色。10、當(dāng)把PN結(jié)作為開(kāi)關(guān)使用時(shí)，在直流特色和瞬態(tài)特色這雙方面，PN結(jié)與理想開(kāi)關(guān)比較有哪些差

7、距？引起PN結(jié)反向恢復(fù)過(guò)程的主要原由是什么？11、某突變PN結(jié)的ND=1.51015cm-3,NA=1.51018cm-3，試求nn0,pn0,pp0和np0的值，并求當(dāng)外加0.5V正向電壓和（-0.5V）反向電壓時(shí)的np(-xp)和pn(xn)的值。12、某突變PN結(jié)的15-318-3，計(jì)算該P(yáng)N結(jié)的內(nèi)建電勢(shì)Vbi之值。ND=1.510cm,NA=1.510cm13、有一個(gè)P溝道MOSFET的襯底混雜濃度為ND=1.51015cm-3，另一個(gè)N溝道MOSFET的襯底混雜濃度為NA=1.51018cm-3。試分別求這兩個(gè)MOSFET的襯底費(fèi)米勢(shì)，并將這兩個(gè)襯底費(fèi)米勢(shì)之和與上題的Vbi比較較。1

8、4、某突變PN結(jié)的ND=1.51015cm-3,NA=1.51018cm-3，試問(wèn)Jdp是Jdn的多少倍？15、已知某PN結(jié)的反向飽和電流為Io=10-12A，試分別求當(dāng)外加0.5V正向電壓和（-0.5V）反向電壓時(shí)的PN結(jié)擴(kuò)散電流。16、已知某PN結(jié)的反向飽和電流為Io=10-11A，若以當(dāng)正向電流達(dá)到10-2A作為正導(dǎo)游通的開(kāi)始，試求正導(dǎo)游通電壓VF之值。若此PN結(jié)存在寄生串聯(lián)電阻Rcs=4，則在相同的測(cè)試條件下VF將變?yōu)槎嗌伲?7、某硅單邊突變結(jié)的雪崩擊穿臨界電場(chǎng)EC=3.5105Vcm-1，開(kāi)始發(fā)生雪崩擊穿時(shí)的耗盡區(qū)寬度xdB=8.57m，求該P(yáng)N結(jié)的雪崩擊穿電壓VB。若對(duì)該P(yáng)N結(jié)外加

9、|V|=0.25VB的反向電壓，則其耗盡區(qū)寬度為多少？18、假如設(shè)單邊突變結(jié)的雪崩擊穿臨界電場(chǎng)eC與雜質(zhì)濃度沒(méi)關(guān)，則為了使雪崩擊穿電壓VB提升1倍，發(fā)生雪崩擊穿時(shí)的耗盡區(qū)寬度xdB應(yīng)為本來(lái)的多少倍？低混雜區(qū)的雜質(zhì)濃度應(yīng)為本來(lái)的多少倍？19、某突變PN結(jié)的Vbi=0.7V，當(dāng)外加-4.3V的反向電壓時(shí)測(cè)得其勢(shì)壘電容為8pF，則當(dāng)外加-19.3V的反向電壓時(shí)其勢(shì)壘電容應(yīng)為多少？20、某突變結(jié)的內(nèi)建電勢(shì)Vbi=0.7V，當(dāng)外加電壓V=0.3V時(shí)的勢(shì)壘電容與擴(kuò)散電容分別是2pF和210-4pF，試求當(dāng)外加電壓V=0.6V時(shí)的勢(shì)壘電容與擴(kuò)散電容分別是多少？21、某硅突變結(jié)的nA=11016cm-3，nD

10、=51016cm-3，試計(jì)算均衡狀態(tài)下的內(nèi)建電勢(shì)Vbi；P區(qū)耗盡區(qū)寬度xp、N區(qū)耗盡區(qū)寬度xn及總的耗盡區(qū)寬度xD；最大電場(chǎng)強(qiáng)度max。22、某單邊突變結(jié)在均衡狀態(tài)時(shí)的勢(shì)壘區(qū)寬度為xD0，試求外加反向電壓應(yīng)為內(nèi)建電勢(shì)Vbi的多少倍時(shí)，才能使勢(shì)壘區(qū)寬度分別達(dá)到2xd0和3xd0。23、一塊同一導(dǎo)電種類(lèi)的半導(dǎo)體，當(dāng)混雜濃度不平均時(shí)，也會(huì)存在內(nèi)建電場(chǎng)和內(nèi)建電勢(shì)。設(shè)一塊N型硅的兩個(gè)相鄰地區(qū)的施主雜質(zhì)濃度分別為nD1和nD2，試推導(dǎo)出這兩個(gè)地區(qū)之間的內(nèi)建電勢(shì)公式。假如nD1=11020cm-3，nD2=11016cm-3，則室溫下內(nèi)建電勢(shì)為多少？24、試推導(dǎo)出雜質(zhì)濃度為指數(shù)散布N=N0exp(-x/l)

11、的中性區(qū)的內(nèi)建電場(chǎng)表達(dá)式。若某擁有這類(lèi)雜質(zhì)濃度散布的硅的表面雜質(zhì)濃度為1018cm-3，=0.4m，試求其內(nèi)建電場(chǎng)的大小。再將此電場(chǎng)與某突變PN結(jié)的耗盡區(qū)中最大電場(chǎng)作比較，該突變PN結(jié)的nA=1018-315-3。cm，nD=10cm25、圖P2-1所示為硅PIN結(jié)的雜質(zhì)濃度散布圖，符號(hào)I代表本征區(qū)。試推導(dǎo)出該P(yáng)IN結(jié)的內(nèi)建電場(chǎng)表達(dá)式和各耗盡區(qū)長(zhǎng)度的表達(dá)式，并畫(huà)出內(nèi)建電場(chǎng)散布圖。(2)將此PIN結(jié)的最大電場(chǎng)與不包含I區(qū)的PN結(jié)的最大電場(chǎng)進(jìn)行比較。設(shè)后者的P區(qū)與別與前者的P區(qū)與N區(qū)的相同。N區(qū)的混雜濃度分圖P2-1圖P2-226、某硅中的雜質(zhì)濃度散布如圖P2-2所示，施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)的濃度分別

12、為ND(x)=1016exp(-x/210-4)cm-3-4-3和NA(x)=NA(0)exp(-x/10)cm(1)假如要使結(jié)深xJ=1m，則受主雜質(zhì)的表面濃度nA(0)應(yīng)為多少？試計(jì)算結(jié)深處的雜質(zhì)濃度梯度A的值。(3)若將此PN結(jié)近似為線(xiàn)性緩變結(jié)，設(shè)Vbi=0.7V，試計(jì)算均衡時(shí)的耗盡區(qū)最大電場(chǎng)max，并畫(huà)出內(nèi)建電場(chǎng)散布圖。27、試證明在一個(gè)P區(qū)電導(dǎo)率p遠(yuǎn)大于N區(qū)電導(dǎo)率n的PN結(jié)中，當(dāng)外加正向電壓時(shí)空穴電流遠(yuǎn)大于電子電流。28、已知nI2=NCNVexp(-eG/kT)=CkT3exp(-eG0/kT)，式中nC、nV分別代表導(dǎo)帶底、價(jià)帶頂?shù)挠行顟B(tài)密度，eG0代表絕對(duì)零度下的禁帶寬度。低

13、溫時(shí)反向飽和電流以勢(shì)壘區(qū)產(chǎn)生電流為主。試求反向飽和電流I0與溫度的關(guān)系，并求I0隨溫度的相對(duì)變化率(dI0/dT)/I0，同時(shí)畫(huà)出電壓一準(zhǔn)時(shí)的I0T曲線(xiàn)。29、某P+N-N+結(jié)的雪崩擊穿臨界電場(chǎng)c為32V/m，當(dāng)N-區(qū)的長(zhǎng)度足夠長(zhǎng)時(shí)，擊穿電壓VB為144V。試求當(dāng)N-區(qū)的長(zhǎng)度縮短為3m時(shí)的擊穿電壓為多少？30、已知某硅單邊突變結(jié)的內(nèi)建電勢(shì)為0.6V，當(dāng)外加反向電壓為3.0V時(shí)測(cè)得勢(shì)壘電容為10pF，試計(jì)算當(dāng)外加0.2V正向電壓時(shí)的勢(shì)壘電容。31、某結(jié)面積為10-5cm2的硅單邊突變結(jié)，當(dāng)（Vbi-V）為1.0V時(shí)測(cè)得其結(jié)電容為1.3pF，試計(jì)算該P(yáng)N結(jié)低摻雜一側(cè)的雜質(zhì)濃度為多少？32、某PN結(jié)

14、當(dāng)正向電流為10mA時(shí)，室溫下的小信號(hào)電導(dǎo)與小信號(hào)電阻各為多少？當(dāng)溫度為100C時(shí)它們的值又為多少？33、某單邊突變P+N結(jié)的N區(qū)雜質(zhì)濃度nD=1016cm-3，N區(qū)少子擴(kuò)散長(zhǎng)度Lp=10m，結(jié)面積A=0.01cm2，外加0.6V的正向電壓。試計(jì)算當(dāng)N區(qū)厚度分別為100m和3m時(shí)儲(chǔ)蓄在N區(qū)中的非均衡少子的數(shù)量。第三章雙極結(jié)型晶體管填空題1、晶體管的基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)是指（）電流與（）電流之比。因?yàn)樯僮釉诙稍交鶇^(qū)的過(guò)程中會(huì)發(fā)生（），進(jìn)而使基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)（）。為了提升基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)，應(yīng)該使基區(qū)寬度（）基區(qū)少子擴(kuò)散長(zhǎng)度。2、晶體管中的少子在渡越（）的過(guò)程中會(huì)發(fā)生（），進(jìn)而使抵達(dá)集電結(jié)的少子比從發(fā)射結(jié)注入基區(qū)的

15、少子（）。3、晶體管的注入效率是指（）電流與（）電流之比。為了提升注入效率，應(yīng)該使（）區(qū)混雜濃度遠(yuǎn)大于（）區(qū)混雜濃度。4、晶體管的共基極直流短路電流放大系數(shù)是指發(fā)射結(jié)（）偏、集電結(jié)（）偏時(shí)的（）電流與（）電流之比。5、晶體管的共發(fā)射極直流短路電流放大系數(shù)是指（）結(jié)正偏、（）結(jié)零偏時(shí)的（）電流與（）電流之比。6、在設(shè)計(jì)與制造晶體管時(shí)，為提升晶體管的電流放大系數(shù)，應(yīng)該（）基區(qū)寬度，（）基區(qū)混雜濃度。7、某長(zhǎng)方形薄層資料的方塊電阻為100，長(zhǎng)度和寬度分別為300m和60m，則其長(zhǎng)度方向和寬度方向上的電阻分別為（）和（）。若要獲取1k的電阻，則該資料的長(zhǎng)度應(yīng)改變?yōu)椋ǎ?、在緩變基區(qū)晶體管的基區(qū)中會(huì)產(chǎn)

16、生一個(gè)（），它對(duì)少子在基區(qū)中的運(yùn)動(dòng)起到（）的作用，使少子的基區(qū)渡越時(shí)間（）。9、小電流時(shí)會(huì)（）。這是因?yàn)樾‰娏鲿r(shí)，發(fā)射極電流中（）的比率增大，使注入效率降落。10、發(fā)射區(qū)重混雜效應(yīng)是指當(dāng)發(fā)射區(qū)混雜濃度太高時(shí)，不單不可以提升（），反而會(huì)使其（）。造成發(fā)射區(qū)重混雜效應(yīng)的原由是（）和（）。11、在異質(zhì)結(jié)雙極晶體管中，發(fā)射區(qū)的禁帶寬度（）于基區(qū)的禁帶寬度，進(jìn)而使異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的（）大于同質(zhì)結(jié)雙極晶體管的。12、當(dāng)晶體管處于放大區(qū)時(shí)，理想狀況下集電極電流隨集電結(jié)反偏的增添而（）。但實(shí)質(zhì)狀況下集電極電流隨集電結(jié)反偏增添而（），這稱(chēng)為（）效應(yīng)。13、當(dāng)集電結(jié)反偏增添時(shí)，集電結(jié)耗盡區(qū)寬度會(huì)（），使基區(qū)寬度（

17、），進(jìn)而使集電極電流（），這就是基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)（即厄爾利效應(yīng)）。14、IES是指（）結(jié)短路、（）結(jié)反偏時(shí)的（）極電流。15、ICS是指（）結(jié)短路、（）結(jié)反偏時(shí)的（）極電流。16、ICBO是指（17、ICEO是指（18、IEBO是指（19、BVCBO是指（20、BVCEO是指（）極開(kāi)路、（）結(jié)反偏時(shí)的（）極電流。）極開(kāi)路、（）結(jié)反偏時(shí)的（）極電流。）極開(kāi)路、（）結(jié)反偏時(shí)的（）極電流。）極開(kāi)路、（）結(jié)反偏，當(dāng)（）時(shí)的VCB。）極開(kāi)路、（）結(jié)反偏，當(dāng)（）時(shí)的VCE。21、BVEBO是指（）極開(kāi)路、（）結(jié)反偏，當(dāng)（）時(shí)的VEB。22、基區(qū)穿通是指當(dāng)集電結(jié)反向電壓增添到使耗盡區(qū)將（）所有占有時(shí)，集電極

18、電流急劇增大的現(xiàn)象。防備基區(qū)穿通的舉措是（）基區(qū)寬度、（）基區(qū)混雜濃度。23、比較各擊穿電壓的大小時(shí)可知，BVCBO（）BVCEO，BVCBO（）BVEBO。24、要降低基極電阻rbb，應(yīng)該（）基區(qū)混雜濃度，（）基區(qū)寬度。25、無(wú)源基區(qū)重混雜的目的是（）。26、發(fā)射極增量電阻re的表達(dá)式是（）。室溫下當(dāng)發(fā)射極電流為1mA時(shí)，re=（）。27、跟著信號(hào)頻次的提升，晶體管的,的幅度會(huì)（），相角會(huì)（）。28、在高頻下，基區(qū)渡越時(shí)間b對(duì)晶體管有三個(gè)作用，它們是：（）、（）和（）。29、基區(qū)渡越時(shí)間b是指（）。當(dāng)基區(qū)寬度加倍時(shí)，基區(qū)渡越時(shí)間增大到本來(lái)的（）倍。30、晶體管的共基極電流放大系數(shù)|隨頻次的（

19、）而降落。當(dāng)晶體管的|降落到（）時(shí)的頻率，稱(chēng)為的截止頻次，記為（）。31、晶體管的共發(fā)射極電流放大系數(shù)|隨頻次的（）而降落。當(dāng)晶體管的|降落到0時(shí)的頻率，稱(chēng)為的（），記為（）。32、當(dāng)ff時(shí)，頻次每加倍，晶體管的|降到本來(lái)的（）；最大功率增益Kpmax降到本來(lái)的（）。33、當(dāng)（）降到1時(shí)的頻次稱(chēng)為特色頻次fT。當(dāng)（）降到1時(shí)的頻次稱(chēng)為最高振蕩頻次fM。34、當(dāng)|降到（）時(shí)的頻次稱(chēng)為特色頻次fT。當(dāng)Kpmax降到（）時(shí)的頻次稱(chēng)為最高振蕩頻次fM。35、晶體管的高頻優(yōu)值M是（）與（）的乘積。36、晶體管在高頻小信號(hào)應(yīng)用時(shí)與直流應(yīng)用時(shí)比較，要多考慮三個(gè)電容的作用，它們是（）電容、（）電容和（）電容。

20、37、關(guān)于頻次不是特別高的一般高頻管，ec中以（）為主，這時(shí)提升特色頻次fT的主要舉措是（）。38、為了提升晶體管的最高振蕩頻次fM，應(yīng)該使特色頻次fT（），基極電阻rbb（），集電結(jié)勢(shì)壘電容CTC（）。39、對(duì)高頻晶體管構(gòu)造上的基本要求是：（）、（）、（）和（）。問(wèn)答與計(jì)算題1、畫(huà)出NPN晶體管在飽和狀態(tài)、截止?fàn)顟B(tài)、放大狀態(tài)和倒向放大狀態(tài)時(shí)的少子散布圖。畫(huà)出NPN晶體管在飽和狀態(tài)、截止?fàn)顟B(tài)、放大狀態(tài)和倒向放大狀態(tài)時(shí)的能帶圖。2、畫(huà)出共基極放大區(qū)晶體管中各樣電流的散布圖，并說(shuō)明當(dāng)輸入電流Ie經(jīng)過(guò)晶體管變?yōu)檩敵鲭娏鱅C時(shí)，發(fā)生了哪兩種損失？3、倒向晶體管的電流放大系數(shù)為何小于正向晶體管的電流放大

21、系數(shù)？4、提升基區(qū)混雜濃度會(huì)對(duì)晶體管的各樣特色，如、CTE、BVEBO、Vpt、VA、rbb等產(chǎn)生什么影響？5、減薄基區(qū)寬度會(huì)對(duì)晶體管的上述各樣特色產(chǎn)生什么影響？6、先畫(huà)出雙極晶體管的理想的共發(fā)射極輸出特色曲線(xiàn)圖，并在圖中標(biāo)出飽和區(qū)與放大區(qū)的分界限，此后再分別畫(huà)出包含厄爾利效應(yīng)和擊穿現(xiàn)象的共發(fā)射極輸出特色曲線(xiàn)圖。7、畫(huà)出包含基極電阻在內(nèi)的雙極型晶體管的簡(jiǎn)化的溝通小信號(hào)等效電路。8、什么是雙極晶體管的特色頻次fT？寫(xiě)出fT的表達(dá)式，并說(shuō)明提升fT的各項(xiàng)舉措。9、寫(xiě)出構(gòu)成雙極晶體管信號(hào)延緩時(shí)間ec的4個(gè)時(shí)間的表達(dá)式。此中的哪個(gè)時(shí)間與電流Ie相關(guān)？這使fT隨Ie的變化而發(fā)生如何的變化？10、說(shuō)明特色

22、頻次fT的丈量方法。11、什么是雙極晶體管的最高振蕩頻次fM？寫(xiě)出fM的表達(dá)式，說(shuō)明提升fM的各項(xiàng)舉措。12、畫(huà)出高頻晶體管構(gòu)造的剖面圖，并標(biāo)出圖中各部分的名稱(chēng)。13、某平均基區(qū)NPN晶體管的WB=1m,DB=20cm2s-1，試求此管的基區(qū)渡越時(shí)間b。當(dāng)此管的基區(qū)少子電流密度JnE=102Acm-2時(shí)，其基區(qū)少子電荷面密度QB為多少？14、某平均基區(qū)晶體管的WB=2m,LB=10m，試求此管的基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)*之值。若將此管的基區(qū)混雜改為如式（3-28）的指數(shù)散布，場(chǎng)因子=6，則其*變?yōu)槎嗌伲?5、某平均基區(qū)NPN晶體管的17-12-17WB=2m,NB=10cm,DB=18cms,B=510s

23、，試求該管的基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)*之值。又當(dāng)在該管的發(fā)射結(jié)上加0.6V的正向電壓，集電結(jié)短路時(shí)，該管的JnE和JnC各為多少？16、某平均基區(qū)晶體管的注入效率=0.98，若將其發(fā)射結(jié)改為異質(zhì)結(jié)，使基區(qū)的禁帶寬度eGB比發(fā)射區(qū)的禁帶寬度eGE小0.08eV，則其注入效率變?yōu)槎嗌?？若要使其仍?.98，則其有源基區(qū)方塊電阻RB1可以減小到本來(lái)的多少？179、某雙極型晶體管的RB1=1000,RE=5，基區(qū)渡越時(shí)間b=10s,當(dāng)IB=0.1mA時(shí),IC=10mA，求該管的基區(qū)少子壽命b。18、某晶體管的基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)*=0.99，注入效率=0.97，試求此管的與。當(dāng)此管的有源基區(qū)方塊電阻RB1乘以3，其他參數(shù)

24、均不變時(shí)，其與變?yōu)槎嗌伲?9、某雙極型晶體管當(dāng)IB1=0.05mA時(shí)測(cè)得IC1=4mA，當(dāng)IB2=0.06mA時(shí)測(cè)得IC2=5mA，試分別求此管當(dāng)IC=4mA時(shí)的直流電流放大系數(shù)與小信號(hào)電流放大系數(shù)O。20、某緩變基區(qū)NPN晶體管的BVCBO=120V，=81，試求此管的BVCEO。21、某高頻晶體管的f=5MHz，當(dāng)信號(hào)頻次為f=40MHz時(shí)測(cè)得其|=10，則當(dāng)f=80MHz時(shí)|為多少？該管的特色頻次fT為多少？該管的0為多少？22、某高頻晶體管的0=50，當(dāng)信號(hào)頻次f為30MHz時(shí)測(cè)得|=5，求此管的特色頻次fT，以及當(dāng)信號(hào)頻率f分別為15MHz和60MHz時(shí)的|之值。23、某高頻晶體管的

25、基區(qū)寬度WB=1m，基區(qū)渡越時(shí)間b=2.710-10s,fT=550MHz。當(dāng)該管的基區(qū)寬度減為0.5m，其他參數(shù)都不變時(shí)，fT變?yōu)槎嗌伲?4、某高頻晶體管的f=20MHz，當(dāng)信號(hào)頻次為f=100MHz時(shí)測(cè)得其最大功率增益為Kpmax=24，則當(dāng)f=200MHz時(shí)Kpmax為多少？該管的最高振蕩頻次fM為多少？25、畫(huà)出NPN緩變基區(qū)晶體管在均衡時(shí)和在放大區(qū)、飽和區(qū)及截止區(qū)工作時(shí)的能帶圖。26、畫(huà)出NPN緩變基區(qū)晶體管在均衡時(shí)和在放大區(qū)、飽和區(qū)及截止區(qū)工作時(shí)的少子散布圖。27、某晶體管當(dāng)IB1=0.05mA時(shí)測(cè)得IC1=4mA，當(dāng)IB2=0.06mA時(shí)測(cè)得IC2=5mA，試分別求此管當(dāng)IC=4

26、mA時(shí)的直流電流放大系數(shù)與增量電流放大系數(shù)0。28、已知某硅NPN平均基區(qū)晶體管的基區(qū)寬度WB=2m，基區(qū)混雜濃度nB=51016cm-3，基區(qū)少子壽命tB=1s，基區(qū)少子擴(kuò)散系數(shù)2-1，以及從發(fā)射結(jié)注入基區(qū)的少子電流密度2DB=15cmsJnE=0.1A/cm。試計(jì)算基區(qū)中湊近發(fā)射結(jié)一側(cè)的非均衡少子電子濃度nB(0)、發(fā)射結(jié)電壓VBE和基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)*。29、已知某硅NPN緩變基區(qū)晶體管的基區(qū)寬度WB=0.5m，基區(qū)少子擴(kuò)散系數(shù)DB=20cm2s-1，基區(qū)自建場(chǎng)因子=20，試計(jì)算該晶體管的基區(qū)渡越時(shí)間tb。30、關(guān)于基區(qū)和發(fā)射區(qū)都是非平均混雜的晶體管，試證明其注入效率可表為上式中，QEO和QB

27、O分別代表中性發(fā)射區(qū)和中性基區(qū)的雜質(zhì)電荷總量，De和DB分別代表中性發(fā)射區(qū)和中性基區(qū)的少子有效擴(kuò)散系數(shù)。31、已知某硅NPN平均基區(qū)晶體管的基區(qū)寬度WB=0.7m，基區(qū)混雜濃度nB=1017cm-3，基區(qū)少子壽命B-72-1，發(fā)射結(jié)注入效率=0.995，發(fā)射結(jié)面積Ae4m2。表面和勢(shì)=10s，基區(qū)少子擴(kuò)散系數(shù)tD=18cms=10壘區(qū)復(fù)合可以忽視。當(dāng)發(fā)射結(jié)上有0.7V的正偏壓時(shí)，試計(jì)算該晶體管的基極電流IB、集電極電流IC和共基極電流放大系數(shù)分別等于多少？32、已知某硅NPN平均基區(qū)晶體管的基區(qū)寬度WB=0.5m，基區(qū)混雜濃度nB=41017cm-3，基區(qū)少子壽命tB=10-6s，基區(qū)少子擴(kuò)散

28、系數(shù)DB=18cm2s-1，發(fā)射結(jié)面積Ae=10-5cm2。(1)假如發(fā)射區(qū)為非平均混雜，92-1，發(fā)射區(qū)的雜質(zhì)總數(shù)為QEO/q=810個(gè)原子，發(fā)射區(qū)少子擴(kuò)散系數(shù)De=2cms試計(jì)算此晶體管的發(fā)射結(jié)注入效率。試計(jì)算此晶體管的基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)*。試計(jì)算此晶體管的共發(fā)射極電流放大系數(shù)。在什么條件下可以按簡(jiǎn)化公式來(lái)預(yù)計(jì)？在此題中若按此簡(jiǎn)化公式來(lái)預(yù)計(jì)，則引入的百分偏差是多少？33、在N型硅片上經(jīng)硼擴(kuò)散后，獲取集電結(jié)結(jié)深xjc=2.1m，有源基區(qū)方塊電阻RB1=800，再經(jīng)磷擴(kuò)散后，得發(fā)射結(jié)結(jié)深xje=1.3m，發(fā)射區(qū)方塊電阻Re=10。設(shè)基區(qū)少子壽命tB=10-7s，基區(qū)少子擴(kuò)散系數(shù)DB=15cm2s-1

29、，基區(qū)自建場(chǎng)因子=8，試求該晶體管的電流放大系數(shù)與分別為多少？34、在資料種類(lèi)相同，混雜濃度散布相同，基區(qū)寬度相同的條件下，PNP晶體管和NPN晶體管比較，哪一種晶體管的發(fā)射結(jié)注入效率較大？哪一種晶體管的基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)*較大？35、已知某硅NPN平均基區(qū)晶體管的基區(qū)寬度WB=2.5m，基區(qū)混雜濃度nB=1017cm-3，集電區(qū)混雜濃度nC=1016cm-3，試計(jì)算當(dāng)VCB=0時(shí)的厄爾利電壓VA的值。36、有人在測(cè)晶體管的ICEO的同時(shí)，錯(cuò)誤地用一個(gè)電流表去測(cè)基極與發(fā)射極之間的浮空電勢(shì)，這時(shí)他宣稱(chēng)測(cè)到的ICEO實(shí)質(zhì)上是什么？37、某高頻晶體管的f=20MHz，當(dāng)信號(hào)頻次f=100MHz時(shí)測(cè)得其最大

30、功率增益Kpmax=24。試求：該晶體管的最高振蕩頻次fM。當(dāng)信號(hào)頻次f為200MHz時(shí)該晶體管的Kpmax之值。38、某硅NPN緩變基區(qū)晶體管的發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度近似為矩形散布，基區(qū)雜質(zhì)濃度為指數(shù)散布，從發(fā)射結(jié)處的nB(0)=1018cm-3，降落到集電結(jié)處的nB(WB)=51015cm-3，基區(qū)寬度WB=2m，基區(qū)少子擴(kuò)散系數(shù)DB=215-3，集電區(qū)寬度WC=10m，發(fā)射結(jié)面積Ae和集電12cm/s，基極電阻Rbb=75，集電區(qū)雜質(zhì)濃度nC=10cm結(jié)面積AC均為510-4cm2。工作點(diǎn)為：Ie=10mA，VCB=6V。（正偏的勢(shì)壘電容可近似為零偏勢(shì)壘電容的2.5倍。）試計(jì)算：該晶體管的四個(gè)時(shí)

31、間常數(shù)teb、tb、tD、tc，并比較它們的大小；該晶體管的特色頻次fT；(3)該晶體管當(dāng)信號(hào)頻次f=400MHz時(shí)的最大功率增益Kpmax；該晶體管的高頻優(yōu)值M；該晶體管的最高振蕩頻次fM。39、在某偏置在放大區(qū)的NPN晶體管的混雜參數(shù)中，假定C完滿(mǎn)部是中性基區(qū)載流子儲(chǔ)蓄的結(jié)果，C完所有是集電結(jié)空間電荷區(qū)中電荷變化的結(jié)果。試問(wèn)：(1)當(dāng)電壓VCE保持常數(shù)，而集電極電流IC加倍時(shí)，基區(qū)中湊近發(fā)射結(jié)一側(cè)的少子濃度nB(0)將加倍、減半、仍是幾乎保持不變？基區(qū)寬度WB將加倍、減半、仍是幾乎保持不變？因?yàn)樯鲜鰠?shù)的變化，參數(shù)Rbb、R、gm、C、C將加倍、減半、仍是幾乎保持不變？(3)當(dāng)電流IC保持

32、常數(shù)，而集電結(jié)反向電壓的值增添，使基區(qū)寬度WB減小一半時(shí)，nB(0)將加倍、減半仍是幾乎保持不變？第五章絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管填空題1、N溝道2、P溝道MOSFETMOSFET的襯底是（的襯底是（）型半導(dǎo)體，源區(qū)和漏區(qū)是（）型半導(dǎo)體，源區(qū)和漏區(qū)是（）型半導(dǎo)體，溝道中的載流子是（）型半導(dǎo)體，溝道中的載流子是（）。）。3、當(dāng)VGS=VT時(shí)，柵下的硅表面發(fā)生（），形成連通（）區(qū)和（）區(qū)的導(dǎo)電溝道，在VDS的作用下產(chǎn)生漏極電流。4、N溝道MOSFET中，VGS越大，則溝道中的電子就越（），溝道電阻就越（），漏極電流就越（）。5、在N溝道MOSFET中，VT0的稱(chēng)為加強(qiáng)型，當(dāng)VGS=0時(shí)MOSFET處于（）

33、狀態(tài)；VT=VDsat時(shí)，MOSFET進(jìn)入（）區(qū)，漏極電流隨VDS的增添而（）。9、因?yàn)殡娮拥倪w徙率n比空穴的遷徙率p（），所以在其他條件相同時(shí)，（）溝道MOSFET的IDsat比（）溝道MOSFET的大。為了使兩種MOSFET的IDsat相同，應(yīng)該使N溝道MOSFET的溝道寬度（）P溝道MOSFET的。10、當(dāng)N溝道MOSFET的VGSVT時(shí)，MOSFET（）導(dǎo)電，這稱(chēng)為（）導(dǎo)電。11、關(guān)于一般的MOSFET，當(dāng)溝道長(zhǎng)度加倍，而其他尺寸、混雜濃度、偏置條件等都不變時(shí)，其以下參數(shù)發(fā)生什么變化：VT（）、IDsat（）、Ron（）、gm（）。12、因?yàn)樵?、漏區(qū)的混雜濃度（）于溝道區(qū)的混雜濃度，所

34、以MOSFET源、漏PN結(jié)的耗盡區(qū)主要向（）區(qū)擴(kuò)展，使MOSFET的源、漏穿通問(wèn)題比雙極型晶體管的基區(qū)穿通問(wèn)題（）。13、MOSFET的跨導(dǎo)gm的定義是（），它反應(yīng)了（）對(duì)（）的控制能力。14、為提升跨導(dǎo)gm的截止角頻次gm，應(yīng)該（），（）L，（）VGS。15、閾電壓VT的短溝道效應(yīng)是指，當(dāng)溝道長(zhǎng)度縮短時(shí)，VT變（）。16、在長(zhǎng)溝道MOSFET中，漏極電流的飽和是因?yàn)椋ǎ?，而在短溝道MOSFET中，漏極電流的飽和則是因?yàn)椋ǎ?7、為了防備短溝道效應(yīng)，可采納按比率減小法例，當(dāng)MOSFET的溝道長(zhǎng)度縮短一半時(shí)，其溝道寬度應(yīng)（），柵氧化層厚度應(yīng)（），源、漏區(qū)結(jié)深應(yīng)（），襯底混雜濃度應(yīng)（）。問(wèn)答與計(jì)

35、算題1、畫(huà)出MOSFET的構(gòu)造圖和輸出特色曲線(xiàn)圖，并簡(jiǎn)要表達(dá)MOSFET的工作原理。2、什么是MOSFET的閾電壓VT？寫(xiě)出VT的表達(dá)式，并討論影響VT的各樣要素。3、什么是MOSFET的襯底偏置效應(yīng)？4、什么是有效溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)？如何控制有效溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)？5、什么是MOSFET的跨導(dǎo)gm？寫(xiě)出gm的表達(dá)式，并討論提升gm的舉措。6、提升MOSFET的最高工作頻次fT的舉措是什么？7、什么是MOSFET的短溝道效應(yīng)？8、什么是MOSFET的按比率減小法例？9、在nA=1015cm-3的P型硅襯底上制作Al柵N溝道MOSFET，柵氧化層厚度為50nm，柵氧化層中正電荷數(shù)量的面密度為1011

36、cm-2，求該MOSFET的閾電壓VT之值。10、某處于飽和區(qū)的N溝道MOSFET當(dāng)VGS=3V時(shí)測(cè)得IDsat=1mA，當(dāng)VGS=4V時(shí)測(cè)得IDsat=4mA，求該管的VT與之值。11、某N溝道MOSFET的VT=1V,=410-3AV-2，求當(dāng)VGS=6V，VDS分別為2V、4V、6V、8V和10V時(shí)的漏極電流之值。12、某N溝道MOSFET的VT=1.5V,=610-3AV-2，求當(dāng)VDS=6V，VGS分別為1.5V、3.5V、5.5V、7.5V和9.5V時(shí)的漏極電流之值。13、某N溝道MOSFET的VT=1.5V,=610-3AV-2，求當(dāng)VGS分別為2V、4V、6V、8V和10V時(shí)的通導(dǎo)電阻Ron之值。14、某N溝道MOSFET的VT=1V,=410-