電容基本知識課件

1、陶瓷電容與鉭質(zhì)電容及電解電容簡介電容概述陶瓷電容鉭質(zhì)電容鋁電解電容電容的性能比較電容失效模式電容的選用電容與電壓、電流紋波1陶瓷電容與鉭質(zhì)電容及電解電容簡介電容概述1一.電容概述1.電容結(jié)構(gòu)自1746年荷蘭科學(xué)家發(fā)現(xiàn)電容以來，經(jīng)過不斷的發(fā)展，電容種類已經(jīng)非常豐富，但其基本結(jié)構(gòu)仍然保持不變，如下圖所示：電容用于存儲電荷 ，它只能允許交流電經(jīng)過，直流電被阻擋。在電路中，通常用于調(diào)諧、濾波、極間耦合等方面，是主要元件之一。2一.電容概述1.電容結(jié)構(gòu)電容用于存儲電荷 ，它只能允許交流電2.容值、電壓、電量關(guān)係 當(dāng)對電容進(jìn)行充電時(shí)，兩個(gè)電極分別聚集了等量 的正負(fù)電荷，從而在兩極之間產(chǎn)生一個(gè)電壓，電壓與電

2、量的關(guān)係可以用如下公式表示： Q=CVV表示電容兩極之間的電壓Q表示電容兩極閒的電荷，單位是庫侖，1庫侖=61019個(gè)電荷。C是電容的容值，是一個(gè)常數(shù)。32.容值、電壓、電量關(guān)係 當(dāng)對電容進(jìn)行3.電容的分類與符號按電容量可否調(diào)整分為：固定電容器、可變電容器和微調(diào)電容器固定電容可變電容微調(diào)電容電解電容按所用介質(zhì)不同分為：有機(jī)介質(zhì)電容器、無機(jī)介質(zhì)電容器、電解電容器和空氣介質(zhì)電容器等。按用途分有：高頻旁路、低頻旁路、濾波、調(diào)諧、高頻耦合、低頻耦合、小型電容器。按電容有無極性分為：無極性電容和有極性電容兩大類 43.電容的分類與符號按電容量可否調(diào)整分為：固定電容器、可變電電容器的單位是法拉(F),常用

3、單位還有微法(F)、納法(nF)和皮法(pF),換算:1F=106F=109 nF=1012 pF4.電容器的單位與標(biāo)示電容器的標(biāo)識方法有三種：直標(biāo)法：直接標(biāo)注在表面，如果數(shù)字是整數(shù)，則單位是pF;數(shù)字帶小數(shù)點(diǎn)，單位是F。文字符號法：用文字與數(shù)字混合標(biāo)注，若字母在中央，則充當(dāng)小數(shù)點(diǎn)。色標(biāo)法：與電阻相同，讀取方向由電容體 引腳。5電容器的單位是法拉(F),常用單位還有微法(F)、4.電容電容器的參數(shù)標(biāo)稱容量：在外殼上標(biāo)明的，由國家規(guī)定的電容器電容量的標(biāo)準(zhǔn)值。允許誤差范圍：實(shí)際電容量與標(biāo)稱電容量的允許最大偏差范圍，分三級I-5%,II-10%,III-20%。額定工作電壓：在允許的環(huán)境溫度范圍內(nèi)，

4、能夠長期施加在電容器上的最大電壓有效值稱為額定電壓（一般為直流電壓）。溫度系數(shù)：在一定溫度范圍內(nèi)，溫度每變化1，電容量的相對變化值。絕緣電阻：指兩個(gè)電極間絕緣介質(zhì)的電阻，越大越好。損耗：在電場的作用下，電容器在單位時(shí)間內(nèi)發(fā)熱而消耗的能量。頻率特性：電容器的電參數(shù)隨電場頻率而變化的性質(zhì)。等效串聯(lián)阻抗:對非理想電容,其內(nèi)部電極與端電極之間存在的電阻值.6電容器的參數(shù)標(biāo)稱容量：在外殼上標(biāo)明的，由國家規(guī)定的電容器電容1.定義:片式多層瓷介電容器(MLCC)-簡稱片式電容器,是由印好電極（內(nèi)電極）的陶瓷介質(zhì)膜片以錯位的方式疊合起來，經(jīng)過一次性高溫?zé)Y(jié)形成陶瓷芯片，再在芯片的兩端封上金屬層（外電極），從而

5、形成一個(gè)類似獨(dú)石的結(jié)構(gòu)體，故也叫獨(dú)石電容器。二、片式多層瓷介電容器(MLCC)71.定義:片式多層瓷介電容器(MLCC)-簡稱片式電容器2.1 尺寸根據(jù)EIA分法有13種通用的SIZE：英制：01005, 0201, 0402, 0603, 0805, 1206, 1210, 1805, 1808, 1812, 1825, 2220, 2225公制：0402, 0603, 1005, 1608, 2012, 3216, 3225, 4512, 4520, 4532, 4564, 5650, 56642.2外形82.1 尺寸根據(jù)EIA分法有13種通用的SIZE：8結(jié)構(gòu)主要包括三大部分:陶瓷介質(zhì)，

6、金屬內(nèi)電極，金屬外電極。而多層片式陶瓷電容器它是一個(gè)多層疊合的結(jié)構(gòu)，是由多個(gè)簡單平行板電容器的并聯(lián)體。3.結(jié)構(gòu)9結(jié)構(gòu)主要包括三大部分:陶瓷介質(zhì)，金屬內(nèi)電極，金屬外電極。而多內(nèi)部構(gòu)造10內(nèi)部構(gòu)造10電極材質(zhì)11電極材質(zhì)11 陶瓷是一個(gè)絕緣體，而作為電容器介質(zhì)用的陶瓷除了具有絕緣特性外，還有一個(gè)很重要的特性：就是極化。即它在外加電場的作用下，正負(fù)電荷會偏離原有的位置，從而表現(xiàn)出正負(fù)兩個(gè)極性。絕緣體的極化特性我們一般用介電常數(shù)來表示，即介質(zhì)的K值。4.陶瓷介質(zhì)的特性下面例舉不同材料的介電常數(shù)：真空： 1.0 空氣： 1.004紙： 46玻璃： 3.719三氧化二鋁（Al2O3）： 9鈦酸鋇（BaTi

7、O3）： 1500結(jié)構(gòu)陶瓷： 102000012 陶瓷是一個(gè)絕緣體，而作為電容器介質(zhì)用的陶瓷除了具有絕5.瓷介的分類陶瓷是一種質(zhì)硬、性脆的無機(jī)燒結(jié)體，一般分為兩大類：功能陶瓷和結(jié)構(gòu)陶瓷。用來制造片式多層瓷介電容（MLCC）的陶瓷是一種結(jié)構(gòu)陶瓷，是電子陶瓷，也叫電容器瓷。1)照EIA三級分類,有五種通用的介質(zhì),COG(NPO),X7R,X5R, Z5U,Y5V類電容器瓷(COG)，它是順電材料類電容器瓷(X7R、 X5R 、)，它是鉄電物質(zhì)材料類電容器瓷（ Y5V、Z5U ），它是鉄電物質(zhì)材料 135.瓷介的分類陶瓷是一種質(zhì)硬、性脆的無機(jī)燒結(jié)體，一般分為兩大6.瓷介代號陶瓷介質(zhì)的代號是按其陶瓷材

8、料的溫度特性來命名的。目前國際上通用美國EIA標(biāo)準(zhǔn)的叫法，用字母來表示。常用的幾種陶瓷材料的含義如下：Y5V：溫度特性Y代表 25； 5代表85； 溫度系數(shù)V代表 80 30 Z5U：溫度特性Z代表 10； 5代表85； 溫度系數(shù)U代表 56 22 X5R: 溫度特性X代表-55C; 5代表+85 溫度係數(shù)R代表 15 X7R：溫度特性X代表 55； 7代表125 溫度系數(shù)R代表 15 NPO：溫度系數(shù)是30ppm/（-55125）146.瓷介代號陶瓷介質(zhì)的代號是按其陶瓷材料的溫度特性來命名的。7.電氣特性電容量:電容量的大小表示電容器貯存電荷的能力。7-1.電容量（C）157.電氣特性電容量

9、:電容量的大小表示電容器貯存電荷的能力。7MLCC介質(zhì)厚度和層數(shù)的發(fā)展16MLCC介質(zhì)厚度和層數(shù)的發(fā)展16MLCC介質(zhì)常數(shù)k與溫度穩(wěn)定性1.介質(zhì)常數(shù)k越高, MLCC體極效率越高;但介質(zhì)常數(shù)k增加時(shí),溫度穩(wěn)定性変差;2.如下所示為COG, Z5U,X7R,Y5V介質(zhì)的MLCC介 質(zhì)常數(shù)與溫度,容值與溫度的曲綫圖：17MLCC介質(zhì)常數(shù)k與溫度穩(wěn)定性1.介質(zhì)常數(shù)k越高, MLCC 由圖可知,EIA 類順電材料介質(zhì)COG(NPO),它的介質(zhì)常數(shù)k幾乎不隨溫度變動,EIA 類鉄電材料介質(zhì)X7R的介質(zhì)常數(shù)變動不大, EIA 類鉄電材料介質(zhì)Z5U,Y5V,溫度越高,介質(zhì)常數(shù)K變小.18 由圖可知,EIA

10、類順電材料介質(zhì)COG(NPO)影響電介常數(shù)k的因素電介質(zhì)有4種基本的極化結(jié)構(gòu)：電子,原子,偶極或方向性,空間電荷EIA 類電介質(zhì)是電子或原子支配的極化結(jié)構(gòu);它可以獲的優(yōu)秀的溫度穩(wěn)定性和低的k值(580),很低的損耗.EIA / 類是偶極或方向性支配的極化結(jié)構(gòu);它可以獲的最高介電常數(shù)k.例如:BaTiO3有高的k值,適合x7r電介質(zhì).19影響電介常數(shù)k的因素電介質(zhì)有4種基本的極化結(jié)構(gòu)：19MLCC 制造流程20MLCC 制造流程20影響電容量的因素:片式電容器的電容量除了由它本身的設(shè)計(jì)與材料特性所決定外，在很大程度下同它的測試條件、溫度、電壓和頻率有很大的關(guān)系。21影響電容量的因素:片式電容器的

11、電容量除了由它本身的設(shè)計(jì)與材料電容量與溫度的關(guān)係:溫度是影響電容器電容量的一個(gè)重要因素，我們把電容量同溫度的這種關(guān)系特性叫做電容器的溫度特性(Temperature Coefficient)。對于較為穩(wěn)定的類電容器，其影響相對較小，幾乎沒有變化;對于類電容器，其影響相對較大。22電容量與溫度的關(guān)係:溫度是影響電容器電容量的一個(gè)重要因素，我電容量與直流電壓的關(guān)系:在電路的實(shí)際應(yīng)用中，電容器兩端可能要放加一個(gè)直流電壓，我們把電容器的這種情況下的特性叫做直流偏壓特性。對于較為穩(wěn)定的類電容器，其影響相對較小，幾乎沒有變化;對于類電容器，其影響相對較大。介質(zhì)厚度越厚，產(chǎn)品的偏壓特性就越好。23電容量與直

12、流電壓的關(guān)系:在電路的實(shí)際應(yīng)用中，電容器兩端可能要電容量與交流電壓的關(guān)系:類電容器的交流特性比較好，基本不隨施加電壓的變化而變化。但是，對于類電容器，其容量基本是隨所加電壓的升高而加速遞升的，特別X7R此特性比較明顯。交流特性圖24電容量與交流電壓的關(guān)系:類電容器的交流特性比較好，基本不隨電容量與工作頻率的關(guān)系:對于類電容器其應(yīng)用頻率的增加，它的容值不會有什么變化，但對于類電容器，容值下降較為明顯。電容量與頻率的關(guān)系曲線圖25電容量與工作頻率的關(guān)系:對于類電容器其應(yīng)用頻率的增加，它的頻率響應(yīng)(串聯(lián)諧振)26頻率響應(yīng)(串聯(lián)諧振)26頻率響應(yīng)(并聯(lián)諧振)：27頻率響應(yīng)(并聯(lián)諧振)：277-2.絕緣

13、電阻(IR)體內(nèi)漏電流:在電介質(zhì)中通?；蚨嗷蛏俅嬖谡?、負(fù)離子，這些離子在電場作用下將定向遷移，形成離子電流，我們稱之為體內(nèi)漏電流。表面漏電流:在電容器的表面，也會或多或少地存在正負(fù)離子，這些離子在外電場的作用下，會發(fā)生定向遷移，形成表面漏電流。電容器的漏電流:是陶瓷介質(zhì)中體內(nèi)漏電流與芯片表面的漏電流兩部分組成。介質(zhì)的絕緣電阻:加在介質(zhì)兩端的電壓和漏電流之比稱之為介質(zhì)的絕緣電阻,即 電容器的絕緣電阻除了同其本身所固有介質(zhì)特性相關(guān)外，同外界環(huán)境溫度、濕度等有很大的關(guān)系。 溫度升高時(shí)，瓷介的自由離子增多，漏電流急劇增加，介質(zhì)絕 緣電阻迅速降低。 濕度對電容器電性能影響最大,會因表面吸潮使表面絕緣電阻

14、 下降。287-2.絕緣電阻(IR)體內(nèi)漏電流:在電介質(zhì)中通?；蚨嗷蛏俅?-3.損耗(DF)DF損亦稱損失角正切:因?yàn)殡娙萦糜诮涣麟娐分袝r(shí)會在電路中產(chǎn)生一個(gè)相位角，此相位角的余角即為損失角。DF=tanDF(耗散因素)用來表明電容將輸入功率轉(zhuǎn)化為熱量的百分（）297-3.損耗(DF)DF損亦稱損失角正切:因?yàn)殡娙萦糜诮涣麟娊橘|(zhì)損耗同溫度的關(guān)系:介質(zhì)損耗同溫度的關(guān)系曲線圖30介質(zhì)損耗同溫度的關(guān)系:介質(zhì)損耗同溫度的關(guān)系曲線圖30介質(zhì)損耗同交流電壓/密爾厚度的關(guān)系:介質(zhì)損耗同交流電壓/密爾厚度的關(guān)系曲線圖31介質(zhì)損耗同交流電壓/密爾厚度的關(guān)系:介質(zhì)損耗同交流電壓/密爾介質(zhì)損耗同頻率的關(guān)系介質(zhì)損耗同頻

15、率的關(guān)系曲線圖32介質(zhì)損耗同頻率的關(guān)系介質(zhì)損耗同頻率的關(guān)系曲線圖327-4.等效串聯(lián)電阻ESR： ESR:ESR的損耗由介質(zhì)損耗(Rsd)和金屬損耗(Rsm)兩部分組成。即:ESR = Rsd + Rsm337-4.等效串聯(lián)電阻ESR： ESR:ESR的損耗由介質(zhì)損耗MLCC等效電路34MLCC等效電路34ESR對電路的影響35ESR對電路的影響35交域下之電容器等效電如右圖；其中等效電阻(RS)，將會隨同頻而有所改變。各頻點(diǎn)之等效電阻(ESR)如右曲線圖所示。ESR越高，通過電所消耗功亦越高，元件越容發(fā)熱。隨著疊層層增加,容值亦增加ESR隨著並而下。MLCC相同設(shè)計(jì)下，容值越高，ESR越低，

16、Ripple Current特性越好。36交域下之電容器等效電如右圖；其中等效電阻(RS)，7-5.品質(zhì)因素(Q)品質(zhì)因素:Q值就是介質(zhì)損耗DF的倒數(shù)。即：Q = 1/DF。一般高Q即具備低ESR的特性。在設(shè)計(jì)時(shí)，高頻下我們應(yīng)考慮ESR和Q值對電路設(shè)計(jì)的影響；低頻下應(yīng)考慮損耗(DF)對電路設(shè)計(jì)的影響。377-5.品質(zhì)因素(Q)品質(zhì)因素:Q值就是介質(zhì)損耗DF的倒數(shù)。7-6.耐電壓(DWV)電容器的耐電壓:是指電容器的陶瓷介質(zhì)在工作狀態(tài)中能夠承受的最大電壓，即擊穿電壓，也就是電容器的極限電壓電容器的標(biāo)稱電壓即電容器的工作電壓，標(biāo)稱電壓一般是相對于直流來說的。而電容器的耐電壓常規(guī)也是相對直流來說的，

17、但有時(shí)也常用交流來表示。電容器的標(biāo)稱電壓遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于其瓷介的耐電壓。標(biāo)稱電壓遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于芯片的耐電壓。比如，1206B102K101NT其標(biāo)稱電壓為100V，也就是其工作直流電壓要低于100V，而實(shí)際上其耐電壓直流可達(dá)1200V左右；交流可達(dá)500V左右。387-6.耐電壓(DWV)電容器的耐電壓:是指電容器的陶瓷介質(zhì)8.應(yīng)用其中高容量,低ESR,ESL的X7R MLCC電容堆,主要用于開關(guān)電源的濾波,低ESL允許在高頻濾波398.應(yīng)用其中高容量,低ESR,ESL的X7R MLCC電容堆三、鉭質(zhì)電容定義:鉭電解電容是用金屬鉭作電極、氧化鉭作介質(zhì)的電容器，其示意圖如下特點(diǎn):化學(xué)穩(wěn)定性高，額定耐壓高，耐高

18、溫性能好，機(jī)械強(qiáng)度高，體積小。 1.定義 2.外形40三、鉭質(zhì)電容定義:鉭電解電容是用金屬鉭作電極、氧化鉭作介質(zhì)的3.各種類型的鉭電容結(jié)構(gòu)1)二氧化錳鉭電容( MnO2 )413.各種類型的鉭電容結(jié)構(gòu)1)二氧化錳鉭電容( MnO2 )42)有機(jī)聚合體鉭電容(KO)422)有機(jī)聚合體鉭電容(KO)423)鋁有機(jī)聚合體鉭電容(AO)433)鋁有機(jī)聚合體鉭電容(AO)43鉭電容的制造流程1)制壓陰極44鉭電容的制造流程1)制壓陰極442)焊接陽極452)焊接陽極454.各類型鉭電容特性鉭電容具有低的ESR,低的漏電流,no ignition failure mode,高的溫度穩(wěn)定性;在ESR,no

19、ignition failure mode方面,KO和AO具有更佳的表現(xiàn).464.各類型鉭電容特性鉭電容具有低的ESR,低的漏電流,no 4.鉭質(zhì)電容的基本電氣參數(shù)4.1 Cp(Capacitance)容值 一般電解電容器的電容量範(fàn)圍為其容量從0.47uF到1000uF , 測試頻率為120Hz。 4.2電容值誤差Tolerance 4.3 D.F(Disspation Factor) 損失因素4.4 UR(Voltage Rating) 額定電壓 電容器在電路中能夠長期穩(wěn)定、可靠工作，所承受的最大直流 電壓。額定電壓壓主要有6.3V、10V、16V、63V幾種。 4.5 LC(Leakage

20、 Current)漏電流4.6 ESR(Equivalent Series Resistance)等效串聯(lián)阻抗4.7 RC(Ripple Current)紋波/濾波電流 常指微小的脈沖電流,表示其在電路中之耐沖擊性能。474.鉭質(zhì)電容的基本電氣參數(shù)4.1 Cp(Capacitanc5.溫度及頻率特性鉭質(zhì)電容的以上電氣參數(shù)通常規(guī)定在20,120Hz條件下測得,它們隨溫度及頻率的變化而變化。5.1溫度對參數(shù)的影響溫度升高,Cp值及LC會增大485.溫度及頻率特性鉭質(zhì)電容的以上電氣參數(shù)通常規(guī)定在20,1溫度對容量的影響:溫度升高,Cp值增大49溫度對容量的影響:溫度升高,Cp值增大49溫度對漏電流的

21、影響:溫度升高,LC值增大50溫度對漏電流的影響:溫度升高,LC值增大505.2頻率對參數(shù)的影響頻率升高,Cp值及ESR值會減小,但DF會增大515.2頻率對參數(shù)的影響頻率升高,Cp值及ESR值會減小,但D頻率對ESR的影響:頻率升高,ESR值減小52頻率對ESR的影響:頻率升高,ESR值減小52頻率對損失因素的影響:頻率升高,DF值會增大53頻率對損失因素的影響:頻率升高,DF值會增大536.貼片鉭質(zhì)電容使用注意事項(xiàng)反相電壓不允許 鉭質(zhì)電容有極性,有絲印的一方為正極,插入時(shí)要確認(rèn)極性的正確性。過壓 不要提供超過額定電壓最大值的電壓，即如圖所示:脈沖電壓的峰值加上直流電壓之和不要超過電容本身的

22、額定電壓。546.貼片鉭質(zhì)電容使用注意事項(xiàng)反相電壓不允許54脈沖電流 不要提供超過規(guī)格最大值的脈沖電流產(chǎn)品在長時(shí)間放置之后,在使用之前一定要確認(rèn)是 否有反?，F(xiàn)象55脈沖電流55四.鋁電解電容Aluminum CAP1.鋁電解電容有液態(tài)和固態(tài)兩類,固態(tài)又有OS-Con和聚合體兩類.2.液態(tài)鋁電解電容的結(jié)構(gòu)56四.鋁電解電容Aluminum CAP1.鋁電解電容有液態(tài)和3.等效線路573.等效線路574.固態(tài)鋁電解電容1)OS-Con鋁電解電容結(jié)構(gòu),該類電容的電解液為固態(tài)電解液584.固態(tài)鋁電解電容1)OS-Con鋁電解電容結(jié)構(gòu),該類電容的2)鋁聚合體電解電容結(jié)構(gòu)該類電容的電解液為固態(tài)電解液(聚合

23、體電解液).592)鋁聚合體電解電容結(jié)構(gòu)該類電容的電解液為固態(tài)電解液(聚合體5.鋁電解電容的特性鋁電解電容具有高容值,高的額定電壓,較小的ESR值,較小的漏電流.固態(tài)鋁電解電容和鋁聚合體電解電容具有更小的ESR值,更佳的溫度穩(wěn)定性.605.鋁電解電容的特性鋁電解電容具有高容值,高的額定電壓,較小6.電解電容的基本電氣參數(shù) :5.1 Cp(Capacitance)容值 一般電解電容器的電容量範(fàn)圍為0.47uF-10000uF, 測試頻率為120Hz。5.2 (Tolerance)電容值誤差Tolerance 一般電解電容器的電容值誤差範(fàn)圍為M 即 +/-20% 5.3 D.F(Disspatio

24、n Factor) 損失因素 一般電解電容器因?yàn)閮?nèi)阻較大故D值較高, 其規(guī)格視電容值高低決定, 為0.1-0.24以下。 5.4 UR ( Voltage Rating) 額定電壓 電容器在電路中能夠長期穩(wěn)定、可靠工作，所承受的最大直流 電壓。對于結(jié)構(gòu)、介質(zhì)、容量相同的器件，耐壓越高，體積越大。5.5 LC(Leakage Current)漏電流 在規(guī)定的環(huán)境溫度中,最大連續(xù)直流電壓下通過電容的電流。此為電解電容器之特定規(guī)格, 一般以電容器本身額定電壓加壓3 Min後, 串接電流表測試, 其漏電流量需在0.01CV ( uF電容量值與額定電壓相乘積) 或3uA以下 (取其較大數(shù)值)。特定低漏電

25、流量使用 (Low leakage type) 則其漏電流量需在0.002CV或0.4uA以下。616.電解電容的基本電氣參數(shù) :5.1 Cp(Capacita5.6 ESR(Equivalent Series Resistance)等效串聯(lián)阻抗 對非理想電容,其內(nèi)部電極與端電極之間存在的電阻值,它表 示轉(zhuǎn)化成熱能的損失量。 ESR=DF/2fc5.7 DS(Dielectric Strength)耐電壓 電容的選擇,其耐電壓應(yīng)大於電路所要求的電壓。 注意:但對電解電容而言,高耐電壓值的電容用於低電壓電路 中,額定電容量會減少。如一個(gè)5V電源電路中用50V額定電壓 的電容,其電容量約減少一半。

26、5.8 SV(Surge Voltage)浪涌電壓 給其加的一個(gè)沖擊電壓(一般為1.3倍RV,充放電1000個(gè)循環(huán))625.6 ESR(Equivalent Series Resi7.溫度及頻率特性:電解電容的以上電氣參數(shù)通常規(guī)定在20,120Hz條件下測得,它們隨溫度及頻率的變化而變化.7.1溫度對參數(shù)的影響A.溫度升高,Cp值及LC會增大,但ESR會減小.B.溫度降低,Cp值及LC會減小,但ESR會增大.637.溫度及頻率特性:電解電容的以上電氣參數(shù)通常規(guī)定在20,溫度對容量的影響:溫度升高,Cp值增大64溫度對容量的影響:溫度升高,Cp值增大64溫度對ESR的影響:溫度升高,ESR值減小

27、65溫度對ESR的影響:溫度升高,ESR值減小65溫度對漏電流的影響:溫度升高,LC值增大66溫度對漏電流的影響:溫度升高,LC值增大66溫度對損失因素的影響:溫度升高,DF值減小67溫度對損失因素的影響:溫度升高,DF值減小677.2 頻率對參數(shù)的影響A. 頻率升高,Cp值及阻抗會減小,但DF會增大.B. 頻率降低,脈衝電流產(chǎn)生熱量增加將導(dǎo)致ESR增大687.2 頻率對參數(shù)的影響A. 頻率升高,Cp值及阻抗會減小,8.貼片電解電容使用注意事項(xiàng)8.1 反相電壓不允許 電解電容有極性,黑色絲印的一方為負(fù)極,插入 時(shí)要確認(rèn)極性的正確性8.2 充/放電使用 標(biāo)準(zhǔn)的電解電容不適合重複充/放電使用8.3

28、 過壓 不要提供超過規(guī)格電壓最大值的電壓8.4 脈沖電流 不要提供超過規(guī)格最大值的脈沖電流698.貼片電解電容使用注意事項(xiàng)8.1 反相電壓不允許69五、電容器的特性比較表70五、電容器的特性比較表70電容器的性能比較表類型典型介質(zhì)吸收優(yōu)點(diǎn)缺點(diǎn)NPO陶瓷電容器吸收0.1%外型尺寸小、價(jià)格便宜、穩(wěn)定性好、電容值范圍寬、 銷售商多、電感低通常電容值很低，但又無法限制到很小的數(shù)值(10nF)單片陶瓷電容器0.2%電感低、電容值范圍寬穩(wěn)定性差、DA性能差、電壓系數(shù)高鋁電解電容器很高電容值高、電流大、電壓高、尺寸小泄漏大、通常有極性、穩(wěn)定性差、精度低鉭電解電容器很高尺寸小、電容值大、電感適中泄漏很大、通常

29、有極性、價(jià)格貴、穩(wěn)定性差、精度差71電容器的性能比較表類型典型介質(zhì)吸收優(yōu)點(diǎn)缺點(diǎn)NPO陶瓷電容器吸MLCC與鉭質(zhì)電容的頻率特性及溫度特性比較72MLCC與鉭質(zhì)電容的頻率特性及溫度特性比較72電容器的Z值比較表73電容器的Z值比較表73電容器的ESR的頻率特性比較表74電容器的ESR的頻率特性比較表74去紋波能力比較（Input pulse 1MHz）75去紋波能力比較（Input pulse 1MHz）75去紋波能力比較（Input pulse 500KHz）76去紋波能力比較（Input pulse 500KHz）766.電容的失效模式1.液態(tài)電解電容失效模式主要有:電極損壞,焊接過熱電解液蒸發(fā),漏電流變大,DF,ESR,Z變大等776.電容的失效模式1.液態(tài)電解電容失效模式主要有:電極損壞,2.MLCC電容失效模式主要有:變形破裂,短路,IR值變小,漏電流,ESR,DF值變大等782.MLCC電容失效模式主要有:變形破裂,短路,IR值變小,3.鋁聚合體鉭電容失效模式主要有:短路,容值,IR變小,ESR,DF變大等793.鋁聚合體鉭電容失效模式主要有