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文檔簡介

1、第11章 其他精密與特種加工技術(shù) 1第11章 其他精密與特種加工技術(shù) 111.1 功率超聲光整加工11.1.1 功率超聲珩磨普通珩磨時(shí),油石易堵塞,加工效率低,尤其是在珩磨銅、鋁、鈦合金等韌性材料管件時(shí),油石極易堵塞,使油石壽命減小,加工表面質(zhì)量差、效率低。采用功率超聲珩磨則珩磨力小、珩磨溫度低、油石不易堵塞、加工質(zhì)量好、效率高,零件滑動(dòng)面耐磨性高,能夠解決上述普通珩磨存在的主要問題。211.1 功率超聲光整加工11.1.1 功率超聲珩磨211.1.2 功率超聲研磨功率超聲研磨是在研磨工具或工件上施加功率超聲振動(dòng)以改善研磨效果的一種新工藝。與普通機(jī)械研磨相比,具有效率高、表面粗糙度低的優(yōu)點(diǎn)。功

2、率超聲研磨裝置由功率超聲發(fā)生器,功率超聲振動(dòng)系統(tǒng)(包括換能器、變幅桿和研磨工具),機(jī)械加壓冷卻或磨料供給系統(tǒng)組成。 311.1.2 功率超聲研磨功率超聲研磨是在研磨工具或工件上11.1.3 功率超聲拋光功率超聲拋光的振動(dòng)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與研磨類似。功率超聲拋光工具有兩類:一類是具有磨削作用的磨具,如燒結(jié)金剛石、燒結(jié)剛玉油石等;另一類是沒有磨削作用的工具,如金屬棒、木片和竹片等,使用時(shí)另加拋光膏。411.1.3 功率超聲拋光功率超聲拋光的振動(dòng)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與研磨11.1.4 功率超聲壓光功率超聲壓光是在傳統(tǒng)壓光工藝基礎(chǔ)上,給工具沿工件表面法線方向上施加功率超聲振動(dòng),在一定壓力下工具與工件表面振動(dòng)接觸,從而對(duì)工

3、件表面進(jìn)行機(jī)械冷作硬化,大大提高了加工表面的硬度和耐磨性,降低表面粗糙度。右圖所示是功率超聲壓光裝置的示意圖。511.1.4 功率超聲壓光功率超聲壓光是在傳統(tǒng)壓光工藝11.2 化 學(xué) 加 工化學(xué)加工(Chemical Machining,CHM)是利用酸、堿、鹽等化學(xué)溶液對(duì)金屬產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),使金屬腐蝕溶解,改變工件尺寸和形狀(以至表面性能)的一種加工方法。化學(xué)加工的應(yīng)用形式很多,但屬于成形加工的主要有化學(xué)銑切(化學(xué)蝕刻)和光化學(xué)腐蝕加工法。屬于表面加工的有化學(xué)拋光和化學(xué)鍍膜等。611.2 化 學(xué) 加 工化學(xué)加工(Chemical Mac11.2.1 化學(xué)銑切加工1. 化學(xué)銑切加工的原理、特點(diǎn)和

4、應(yīng)用范圍1) 化學(xué)銑切的特點(diǎn) (1) 可加工任何難切削的金屬材料,而不受任何硬度和強(qiáng)度的限制,如鋁合金、鉬合金、鈦合金、鎂合金、不銹鋼等。(2) 適于大面積加工,可同時(shí)加工多件。(3) 加工過程中不會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力、裂紋、毛刺等缺陷,表面粗糙度Ra可達(dá)2.51.25。(4) 加工操作技術(shù)比較簡單。711.2.1 化學(xué)銑切加工1. 化學(xué)銑切加工的原理、特點(diǎn)和2) 化學(xué)銑切的缺點(diǎn)(1) 不適宜加工窄而深的槽和型孔等。(2) 原材料中缺陷和表面不平度、劃痕等不易消除。(3) 腐蝕液對(duì)設(shè)備和人體有危害,故需有適當(dāng)?shù)姆雷o(hù)性措施。3) 化學(xué)銑切的應(yīng)用范圍(1) 主要用于較大工件的金屬表面厚度減薄加工。銑切厚度一

5、般小于13mm。如在航空和航天工業(yè)中常用于局部減小結(jié)構(gòu)件的質(zhì)量,對(duì)大面積或不利于機(jī)械加工的薄壁形整體壁板的工件適宜。(2) 用于在厚度小于1.5mm薄壁零件上加工復(fù)雜的形孔。82) 化學(xué)銑切的缺點(diǎn)82. 化學(xué)銑切工藝過程化學(xué)銑切的主要過程如下圖所示,其中主要的工序是涂保護(hù)層、刻形和化學(xué)腐蝕。92. 化學(xué)銑切工藝過程911.2.2 光化學(xué)腐蝕加工光化學(xué)腐蝕加工簡稱光化學(xué)加工(Optical Chemical Machining,OCM)是光學(xué)照相制版和光刻(化學(xué)腐蝕)相結(jié)合的一種精密微細(xì)加工技術(shù)。它與化學(xué)蝕刻(化學(xué)銑削)的主要區(qū)別是不靠樣板人工刻形、劃線,而是用照相感光來確定工件表面要蝕除的圖形

6、、線條,因此可以加工出非常精細(xì)的文字圖案,目前已在工藝美術(shù)、機(jī)制工業(yè)和電子工業(yè)中獲得應(yīng)用。1011.2.2 光化學(xué)腐蝕加工光化學(xué)腐蝕加工簡稱光化學(xué)加工(11.2.3 化學(xué)拋光1. 化學(xué)拋光的原理和特點(diǎn)一般是用硝酸或磷酸等氧化劑溶液,在一定條件下,使工件表面氧化,此氧化層又能逐漸溶入溶液,表面微凸起處被氧化較快而較多,微凹處則被氧化慢而少。同樣凸起處的氧化層又比凹處更多、更快地?cái)U(kuò)散、溶解于酸性溶液中,因此使加工表面逐漸被整平,達(dá)到表面平滑化和光澤化。化學(xué)拋光的特點(diǎn)是:可以大表面或多件拋光薄壁、低剛度零件,可以拋光內(nèi)表面和形狀復(fù)雜的零件,不需外加電源、設(shè)備,操作簡單、成本低。其缺點(diǎn)是化學(xué)拋光效果比

7、電解拋光效果差,且拋光液用后處理較麻煩。1111.2.3 化學(xué)拋光1. 化學(xué)拋光的原理和特點(diǎn)112. 化學(xué)拋光的工藝要求及應(yīng)用1) 金屬的化學(xué)拋光常用硝酸、磷酸、硫酸、鹽酸等酸性溶液拋光鋁、鋁合金、鉬、鉬合金、碳鋼及不銹鋼等。有時(shí)還加入明膠或甘油之類的添加劑。拋光時(shí)必須嚴(yán)格控制溶液溫度和時(shí)間。溫度從室溫到90,時(shí)間自數(shù)秒到數(shù)分鐘,只有材料、溶液成分經(jīng)試驗(yàn)后才能確定最佳值。2) 半導(dǎo)體材料的化學(xué)拋光如鍺和硅等半導(dǎo)體基片在機(jī)械研磨平整后,還要最終用化學(xué)拋光去除表面雜質(zhì)和變質(zhì)層。常用氫氟酸和硝酸、硫酸的混合溶液或雙氧水和氫氧化銨的水溶液。122. 化學(xué)拋光的工藝要求及應(yīng)用1211.2.4 化學(xué)鍍膜1

8、. 化學(xué)鍍膜的原理和特點(diǎn)其原理是在含金屬鹽溶液的鍍液中加入一種化學(xué)還原劑,將鍍液中的金屬離子還原后沉積在被鍍零件表面。其特點(diǎn)是:有很好的均鍍能力,鍍層厚度均勻,這對(duì)大表面和精密復(fù)雜零件很重要;被鍍工件可為任何材料,包括非導(dǎo)體如玻璃、陶瓷、塑料等;不需電源,設(shè)備簡單;鍍液一般可連續(xù)、再生使用。1311.2.4 化學(xué)鍍膜1. 化學(xué)鍍膜的原理和特點(diǎn)132. 化學(xué)鍍膜的工藝要點(diǎn)及應(yīng)用化學(xué)鍍銅主要用硫酸銅、鍍鎳主要用氯化鎳、鍍鉻主要用溴化鉻、鍍鈷主要用氯化鈷溶液,以次磷酸鈉或次硫酸鈉作為還原劑,也有選用酒石酸鉀鈉或葡萄糖等為還原劑的。對(duì)特定的金屬,需選用特定的還原劑。鍍液成分、質(zhì)量分?jǐn)?shù)、溫度和時(shí)間都對(duì)鍍

9、層質(zhì)量有很大影響。鍍前還應(yīng)對(duì)工件表面除油、去銹等作凈化處理。應(yīng)用最廣的是化學(xué)鍍鎳、鈷、鉻、鋅,其次是鍍銅、錫。在電鑄前,常在非金屬的表面用化學(xué)鍍膜法鍍上很薄的一層銀或銅作為導(dǎo)電層和脫模之用。142. 化學(xué)鍍膜的工藝要點(diǎn)及應(yīng)用1411.3 水射流及磨料流加工技術(shù)11.3.1 水射流加工原理1. 射流液滴與材料的相互作用過程1511.3 水射流及磨料流加工技術(shù)11.3.1 水射流加工2. 材料的失效機(jī)理162. 材料的失效機(jī)理1611.3.2 水射流加工工藝及應(yīng)用水射流的壓力和流量取值范圍很廣,形式也多種多樣,因此它的應(yīng)用就非常廣泛。水射流的應(yīng)用起源于采礦業(yè),后來較多用于工業(yè)清洗、工業(yè)除銹和工業(yè)切

10、割。1. 磨料流加工磨料流加工是水射流加工的一種形式。磨料射流是在水射流中混入磨料顆粒即成為磨料射流。磨料射流的引入大大提高了液體射流的作用效果,使得射流在較低壓力下即可進(jìn)行除銹、切割等作業(yè);或者在同等壓力下大大提高作業(yè)效率。因此,一般情況下水射流的工業(yè)切割均采用磨料射流介質(zhì)。 1711.3.2 水射流加工工藝及應(yīng)用水射流的壓力和流量取值范2. 其他水射流加工技術(shù)高壓水射流及磨料射流不僅可應(yīng)用于金屬與非金屬的切割,還可用于車削、磨削、銑削、鉆孔、拋光等。射流或磨料射流可在4 mm薄板上加工出直徑0.4mm的小孔,也可在金屬內(nèi)鉆出幾百毫米的長孔;可車削出內(nèi)外螺紋;可在直徑20 mm的棒材上加工出

11、0.15mm的薄片;對(duì)金屬或其他脆性材料進(jìn)行高精度銑削,深度誤差可控制在0.025mm以內(nèi);對(duì)硬質(zhì)材料進(jìn)行表面拋光等。182. 其他水射流加工技術(shù)1811.4 等離子體加工11.4.1 基本原理下圖所示為等離子體加工原理示意圖。該裝置由直流電源供電,鎢電極5接陰極,工件9接陽極。利用高頻振蕩或瞬時(shí)短路引弧的方法,使鎢電極與工件之間形成電弧。電弧的溫度很高,使工件氣體的原子或分子在高溫中獲得很高的能量。其電子沖破了帶正電的原子的束縛,成為自由的負(fù)電子,而原來呈中性的原子失去電子后成為正離子,這種電離化的氣體,正負(fù)電荷的數(shù)量仍然相等,從整體看呈電中性,稱之為等離子體電弧。在電弧外圍不斷送入工質(zhì)氣體

12、,回旋的工質(zhì)氣流還形成與電弧柱相應(yīng)的氣體鞘,壓縮電弧,使其電流密度和溫度大大提高。采用的工質(zhì)氣體有氮、氬、氦、氫或是這些氣體的混合。1911.4 等離子體加工11.4.1 基本原理19202011.4.2 材料去除速度和加工精度 等離子體切割的速度是很高的,成形切割厚度為25mm的鋁板時(shí)的切割速度為760mm/min,而厚度為6.4mm鋼板的切割速度為4060mm/min,采用水噴射可增加碳鋼的切割速度,對(duì)厚度為5mm的鋼板,切割速度為6100mm/min。切邊的斜度一般為27,當(dāng)仔細(xì)控制工藝參數(shù)時(shí),斜度可保持在12之間。對(duì)厚度小于25mm的金屬,切縫寬度通常為2.55mm;厚度達(dá)150mm的

13、金屬,切縫寬度為1020mm。等離子體加工孔的直徑在10mm以內(nèi),鋼板厚度為4mm時(shí),加工精度為0.25mm,當(dāng)鋼板厚度達(dá)35mm,加工孔或槽的精度為0.8mm。加工后的表面粗糙度Ra通常為1.63.2,熱影響層分布的深度為15mm,決定于工件的熱學(xué)性質(zhì)、加工速度、切割深度,以及所采用的加工參數(shù)。2111.4.2 材料去除速度和加工精度 等離子體切割的11.4.3 設(shè)備和工具簡單的等離子體加工裝置有手持等離子體切割器和小型手提式裝置;比較復(fù)雜的有程序控制和數(shù)字程序控制的設(shè)備、多噴嘴的設(shè)備;還有采用光學(xué)跟蹤的設(shè)備。工作臺(tái)尺寸達(dá)13.4m25m,切割速度為506100mm/min。在大型程序控制成

14、形切削機(jī)床上可安裝先進(jìn)的等離子體切割系統(tǒng),并裝備有噴嘴的自適應(yīng)控制,以自動(dòng)尋找和保持噴嘴與板材的正確距離。除了平面成形切割外,還有用于車削、開槽、鉆孔和刨削的等離子體加工設(shè)備。2211.4.3 設(shè)備和工具簡單的等離子體加工裝置有手持等離子11.4.4 實(shí)際應(yīng)用等離子體加工已廣泛用于切割。各種金屬材料,特別是不銹鋼、銅、鋁的成形切割,已獲得重要的工業(yè)應(yīng)用。它可以快速而較整齊地切割軟鋼、合金鋼、鈦、鑄鐵、鎢、鉬等。切割不銹鋼、鋁及其合金的厚度一般為3100mm。等離子體還用于金屬的穿孔加工。此外,等離子體弧還作為熱輔助加工。這是一種機(jī)械切削和等離子電弧的復(fù)合加工方法,在切削過程中,用等離子電弧對(duì)工

15、件待加工表面進(jìn)行加熱,使工件材料變軟,強(qiáng)度降低,從而使切削加工具有切削力小、效率高、刀具壽命長等優(yōu)點(diǎn),已用于車削、開槽、刨削等。2311.4.4 實(shí)際應(yīng)用等離子體加工已廣泛用于切割。各種金屬11.5 擠 壓 珩 磨擠壓珩磨在國外稱磨料流動(dòng)加工(Abrasive Flow Machining,AFM),是20世紀(jì)70年代發(fā)展起來的一項(xiàng)表面加工的新技術(shù),最初主要用于去除零件內(nèi)部通道或隱蔽部分的毛刺而顯示出優(yōu)越性,隨后擴(kuò)大應(yīng)用到零件表面的拋光。2411.5 擠 壓 珩 磨擠壓珩磨在國外稱磨料流動(dòng)加工(Ab11.5.1 基本原理擠壓珩磨是利用一種含磨料的半流動(dòng)狀態(tài)的黏彈性磨料介質(zhì)、在一定壓力下強(qiáng)迫在被

16、加工表面上流過,由磨料顆粒的刮削作用去除工件表面微觀不平材料的工藝方法。 2511.5.1 基本原理擠壓珩磨是利用一種含磨料的半流動(dòng)狀11.5.2 擠壓珩磨的工藝特點(diǎn)(1) 適用范圍:由于擠壓珩磨介質(zhì)是一種半流動(dòng)狀態(tài)的黏彈性材料,它可以適應(yīng)各種復(fù)雜表面的拋光和去毛刺,如各種型孔、型面,像齒輪、葉輪、交叉孔、噴嘴小孔、液壓部件、各種模具等,所以它的適用范圍是很廣的,而且?guī)缀跄芗庸に械慕饘俨牧?,同時(shí)也能加工陶瓷、硬塑料等。(2) 拋光效果:加工后的表面粗糙度與原始狀態(tài)和磨料粒度等有關(guān),一般可降低為加工前表面粗糙度值的十分之一,最低的表面粗糙度Ra可以達(dá)到0.025。磨料流動(dòng)加工可以去除在0.02

17、5mm深度的表面殘余應(yīng)力,可以去除前面工序(如電火花加工、激光加工等)形成的表面變質(zhì)層和其他表面微觀缺陷。2611.5.2 擠壓珩磨的工藝特點(diǎn)(1) 適用范圍:由于擠壓(3) 材料去除速度:擠壓珩磨的材料去除量一般為0.010.1mm,加工時(shí)間通常為15min,最多十幾分鐘即可完成,與手工作業(yè)相比,加工時(shí)間可減少90%以上,對(duì)一些小型零件,可以多件同時(shí)加工,效率可大大提高。對(duì)多件裝夾的小零件的生產(chǎn)率每小時(shí)可達(dá)1000件。(4) 加工精度:擠壓珩磨是一種表面加工技術(shù),因此它不能修正零件的形狀誤差。切削均勻性可以保持在被切削量的10%以內(nèi),因此,也不至于破壞零件原有的形狀精度。由于去除量很少,可以

18、達(dá)到較高的尺寸精度,一般尺寸精度可控制在微米的數(shù)量級(jí)。27(3) 材料去除速度:擠壓珩磨的材料去除量一般為0.01011.5.3 黏彈性磨料介質(zhì)黏彈性磨料介質(zhì)由一種半固體、半流動(dòng)性的高分子聚合物和磨料顆粒均勻混合而成。這種高分子聚合物是磨料的載體,能與磨粒均勻黏結(jié),而與金屬工件則不發(fā)生黏附。它主要用于傳遞壓力,攜帶磨粒流動(dòng)以及起潤滑作用。2811.5.3 黏彈性磨料介質(zhì)黏彈性磨料介質(zhì)由一種半固體、半11.5.4 夾具夾具是擠壓珩磨的重要組成部分,是使之達(dá)到理想效果的一個(gè)重要措施,它需要根據(jù)具體的工件形狀、尺寸和加工要求而進(jìn)行設(shè)計(jì),但有時(shí)需通過試驗(yàn)加以確定。夾具的主要作用除了用來安裝、夾緊零件、

19、容納介質(zhì)并引導(dǎo)它通過零件以外,更重要的是要控制介質(zhì)的流程。因?yàn)轲椥阅チ辖橘|(zhì)和其他流體的流動(dòng)一樣,最容易通過那些路程最短、截面最大、阻力最小的路徑。為了引導(dǎo)介質(zhì)到所需的零件部位進(jìn)行切削,可以對(duì)夾具進(jìn)行特殊設(shè)計(jì),在某些部位進(jìn)行阻擋、拐彎、干擾,迫使黏彈性磨料通過所需要加工的部位。 2911.5.4 夾具夾具是擠壓珩磨的重要組成部分,是使之達(dá)到11.5.5 擠壓珩磨的實(shí)際應(yīng)用擠壓珩磨可用于邊緣光整、倒圓角、去毛刺、拋光和少量的表面材料去除,特別適用于難以加工的內(nèi)部通道拋光和去毛刺。擠壓珩磨已經(jīng)應(yīng)用于硬質(zhì)合金拉絲模、擠壓模、拉伸模、粉末冶金模、葉輪、齒輪、燃料旋流器等的拋光和去毛刺,還用于去除電火花

20、加工、激光加工等產(chǎn)生的熱影響層。3011.5.5 擠壓珩磨的實(shí)際應(yīng)用擠壓珩磨可用于邊緣光整、倒11.6 光 刻 技 術(shù)光刻(photolithography)也稱照相平版印刷,它源于微電子的集成電路制造,是在微機(jī)械制造領(lǐng)域應(yīng)用較早并仍被廣泛采用且不斷發(fā)展的一類微細(xì)加工方法。光刻是加工制作半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)或器件和集成電路微圖形結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵工藝技術(shù),其原理與印刷技術(shù)中的照相制版相似:在硅等基體材料上涂覆光致抗蝕劑(或稱為光刻膠),然后利用極限分辨率極高的能量束來通過掩模對(duì)光致抗蝕劑層進(jìn)行曝光(或稱光刻)。經(jīng)顯影后,在光致抗蝕劑層上獲得了與掩模圖形相同的極微細(xì)的幾何圖形,再利用刻蝕等方法,在工件材料上制造出

21、微型結(jié)構(gòu)。3111.6 光 刻 技 術(shù)光刻(photolithograp 光刻技術(shù)一般由以下基本的工藝過程構(gòu)成,如下圖所示 32 光刻技術(shù)一般由以下基本的工藝過程構(gòu)成,如下圖所示 3211.6.2 光刻加工應(yīng)用及關(guān)鍵技術(shù)光刻加工中的關(guān)鍵技術(shù)主要包括掩模制作、曝光技術(shù)、刻蝕技術(shù)等。1. 光刻掩模制作掩模的制造技術(shù)發(fā)源于光刻,而后在其發(fā)展中逐漸獨(dú)立于光刻技術(shù)。制造工藝可分為版圖設(shè)計(jì)、掩模原版制造、主掩模制造和工作掩模制造四個(gè)主要階段。 3311.6.2 光刻加工應(yīng)用及關(guān)鍵技術(shù)光刻加工中的關(guān)鍵技術(shù)主2. 曝光技術(shù)1) 遠(yuǎn)紫外曝光技術(shù)2) 電子束曝光技術(shù)3) 離子束及其曝光技術(shù)4) X射線曝光技術(shù)3.

22、 刻蝕技術(shù)化學(xué)刻蝕是通過化學(xué)刻蝕液和被刻蝕物質(zhì)之間的化學(xué)反應(yīng)將被刻蝕物質(zhì)剝離下來的刻蝕方法。大多數(shù)化學(xué)刻蝕是不易控制的各向同性刻蝕。其最大缺點(diǎn)就是在刻蝕圖形時(shí)容易產(chǎn)生塌邊現(xiàn)象,即在縱向刻蝕的同時(shí),也出現(xiàn)側(cè)向刻蝕,以至使刻蝕圖形的最小線寬受到限制。通常、采用刻蝕系數(shù)Kf來反映刻蝕向縱向深入和向側(cè)向刻蝕的情況,刻蝕系數(shù)表示為Et=2D/(W2-W1)=D/R。342. 曝光技術(shù)3411.6.3 光刻技術(shù)的極限和發(fā)展前景1. 相移掩模技術(shù) 相移掩模是相對(duì)于傳統(tǒng)的透射掩模(TM)或振幅掩模而言的。振幅掩模上凡透光部分所透過的光波相位都是相同的,而振幅不同。而相移掩模則是掩模上透過的光波相位處處不同,相

23、鄰區(qū)域相位差為180,而振幅可能相同,也可能不同,隨相移掩模種類而定。相移掩模上,在指定的一些透光區(qū)域中局部地增加一層適當(dāng)厚度的透明介質(zhì)層,即所謂的相移器或相移層,來改變該處透過光的相位,使與無相移器區(qū)域透過光波之間有180相位差,從而改善硅片上光學(xué)像的對(duì)比度,提高分辨率,同時(shí)焦深、像亮度曝光量和寬容度也得到改善。3511.6.3 光刻技術(shù)的極限和發(fā)展前景1. 相移掩模技術(shù) 2. CQUEST和SHRINC技術(shù)CQUEST的原理是選擇和控制用于微細(xì)圖形成像的照明光,使通過透鏡的光程達(dá)到優(yōu)化,以提高像質(zhì)和增加焦深。 SHRINC方法也可用在準(zhǔn)分子激光照明情況下,并可與相移掩模結(jié)合使用。當(dāng)與i線分

24、步重步光刻機(jī)結(jié)合時(shí),可用于大規(guī)模生產(chǎn)64 Mbit DRAM;當(dāng)與KrF準(zhǔn)分子激光光刻結(jié)合時(shí),可用于大規(guī)模生產(chǎn)256 Mbit DRAM;進(jìn)一步與ArF(193 nmm)準(zhǔn)分子激光光刻和相移掩模結(jié)合,可望用于1 Gbit DRAM的生產(chǎn)。362. CQUEST和SHRINC技術(shù)3611.7 磁性磨料加工磁性磨料研磨加工按磨粒的狀態(tài)分為干性研磨和濕性研磨兩種。干性研磨使用的磨料是干性磨料;濕性研磨是將磨料與不同的液體混合。這兩種方式都能進(jìn)行拋光、去毛刺和棱邊倒圓。這里主要介紹干性磁力研磨。3711.7 磁性磨料加工磁性磨料研磨加工按磨粒的狀態(tài)分為干性11.7.1 加工原理 干性磁力研磨的示意圖如

25、右圖所示。把磁性磨料放入磁場中,磁性磨料在磁場中將沿著磁力線的方向有序地排列成磁力刷。把工件放入N-S磁極中間,并使工件相對(duì)N極和S極保持一定的距離,當(dāng)工件相對(duì)磁極作相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí),磁性磨料將對(duì)工件表面進(jìn)行研磨加工。3811.7.1 加工原理 干性磁力研磨的示意圖如右圖所示。把11.7.2 磁性磨料磁性磨料的制造工藝雖不完全相同,但使用的原材料是基本相同的。常用的原料是鐵加普通磨料(例如A12O3、SiC等)。一般的制造方法是將一定粒度的A12O3或SiC與鐵粉混合、燒結(jié),然后粉碎、篩選,制成一定尺寸的磁性磨料,如右圖所示。3911.7.2 磁性磨料磁性磨料的制造工藝雖不完全相同,但使11.7.3 加工工藝參數(shù)對(duì)加工質(zhì)量的影響1. 磁場強(qiáng)度的影響加工間隙中的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小可以通過改變勵(lì)磁電壓的大小來控制。當(dāng)勵(lì)磁電壓一定時(shí),磁性磨料受到的作用力與磁感應(yīng)強(qiáng)度的平方成正比。增大加工間隙中的磁感應(yīng)強(qiáng)度,就能有效地提高研磨拋光效率,因此,要正確選用勵(lì)磁電壓。應(yīng)根據(jù)工件

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