化鎳浸金焊接黑墊的探究與改善

23/23化鎳浸金焊接黑墊之探究與改善一、化鎳浸金流行的緣故

各種周密元件組裝的多層板類，為了焊墊的平坦、焊錫性改善，焊點(diǎn)強(qiáng)度與後續(xù)可靠度更有把握起見(jiàn)，業(yè)界約在十餘年前即於銅面逐漸採(cǎi)用化鎳浸金(ElectrolessNickelandImmersionGold;EN/IG)之鍍層，作為各種SMT焊墊的可焊表面處理(SolderableFinishing)。此等量產(chǎn)板類有：筆記型電腦之主機(jī)板與通訊卡板，行動(dòng)電話手機(jī)板，個(gè)人數(shù)位助理(PDA)板，數(shù)位相機(jī)主板與卡板，與攝錄影機(jī)等高難度板類，以及電腦週邊用途的各種卡板(Card，是指小型電路板而言)等。據(jù)IPC的TMRC調(diào)查指出ENIG在1996年只占PCB表面處理的2%，但到了2000年時(shí)卻已成長(zhǎng)到了14%了。以臺(tái)灣量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)而言，1000l之化鎳大槽中，單位操作量（LoadingFactor）已達(dá)1.5ft2/gal（360cm2/L），工作忙碌時(shí)兩三天就需要換槽。ENIG之因此在此等困難板類大受上下游歡迎的緣故，經(jīng)過(guò)深入瞭解後計(jì)有下面四點(diǎn)：

圖1.此為Errison聞名手機(jī)T-28之HDI六層板（1+4+1），線寬3mil雷射盲孔5mil，其基頻區(qū)共裝了一顆mini-BGA及4顆CSP，其ViainPad之墊徑僅12mil左右，是1999被Prismark推崇的明星機(jī)種。初上市時(shí)售價(jià)臺(tái)幣兩萬(wàn)六，由於競(jìng)爭(zhēng)激烈及電磁波太強(qiáng)，2001年已跌價(jià)到了999元，災(zāi)情之慘重豈僅是唏噓慨嘆而已。

1.1表面平坦好印好焊，小型承墊獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷

當(dāng)板面SMT的細(xì)長(zhǎng)方形、或圓形、或方形之焊墊越來(lái)越多、越密、越小時(shí)，熔錫與噴錫處理墊面之高低不平，造成錫膏印刷不易與零件踩腳困難，進(jìn)而造成熱風(fēng)或熱氮?dú)馊酆福≧elow）品質(zhì)的劣化。此與十餘年前盛行的通孔波焊，或後來(lái)墊面還夠大時(shí)的錫膏熔焊等皆大異其趣。彼時(shí)之墊面噴錫處理，無(wú)論在焊錫（Solderablity）或焊點(diǎn)強(qiáng)度（JointStrength）方面，均非其他可焊處理之所能望其項(xiàng)背。良好的ENIG平均可耐到3次的高溫焊接，目前也是浸銀或浸錫處理所無(wú)法相提並論的。

圖2.由於微小球墊上ENIG之焊接不太可靠，加以黑墊又常發(fā)生，逼得組裝者對(duì)該等難纏的CSP微墊只好改採(cǎi)OSP皮膜，板價(jià)不斷下降，做法反倒更難，如此HDI高科技有何榮耀可言？甚至業(yè)者還將之改成SuperSolder先上銲料，更是大材小用其心良苦

然而現(xiàn)在手機(jī)板上所裝的多顆mini-BGA或CSP，其眾多微墊之焊接，不但讓元件商與組裝者心驚膽跳，PCB業(yè)者更是草木皆兵聞退變色(品質(zhì)不佳退貨賠償)。目前手機(jī)板上一般行情的CSP(此晶片級(jí)封裝品係指墊距Pitch在0.8mm以下之BGA)，其圓型承墊之Pitch僅30mil，而墊徑更只有14mil而已；而且小型QFP長(zhǎng)方焊墊的墊寬更已窄到了只有8mil，如此狹小墊面上所印的周密錫膏，如何能容忍先前噴錫的高低不平?

均勻平坦的可焊處理層，當(dāng)然不是只有ENIG而已，曾經(jīng)量產(chǎn)者尚有OSP有機(jī)保焊處理，浸錫處理（ImmersionTin；最近已出現(xiàn)量產(chǎn)之規(guī)模，後效如何尚待觀察），化鎳浸鈀金處理，甚至化學(xué)浸錫或化學(xué)錫鉛等處理。其中除了OSP外，其他多半由於製程不穩(wěn)或後患太多而無(wú)法成其氣候，實(shí)務(wù)上當(dāng)然全然不是化鎳浸金的對(duì)手。且OSP的耐久性與抗污性又不如化鎳浸金，而免洗錫膏中活性甚弱的助焊劑，是否在焊前瞬間能及時(shí)除去OSP之老化皮膜，而能順利沾錫焊妥者亦大有問(wèn)題。

圖3.左為三四年前赫赫有名電腦心臟CPU，其FC式P-3封裝載板腹底植針焊接之基墊情形。中為較後版本的P-3載板腹面已完成植針與18顆解耦合電容器SMT焊接之畫(huà)面。右為功能更強(qiáng)面積更小的P-4，其尚未植針與焊接電容的腹面。注意，此等FC載板之覆晶正背面中央，小小立錐之地難道擠進(jìn)400-1000顆的銲錫凸塊，做為大號(hào)晶片的顛覆焊緊作用。於是雙面ENIG之皮膜，共經(jīng)正面印膏與熔成凸塊，下游客戶的覆晶焊接，及腹面焊接植針與電容器的貼焊等；至少須經(jīng)三次以上的高溫考驗(yàn)。任何毫厘疏失所造成的恐懼後果，絕不是割地賠款所能善罷甘休的。當(dāng)然其ENIG動(dòng)則棄槽之嚴(yán)酷治理，也只有這種單價(jià)5-9美元的量產(chǎn)載板才能玩得下去。此低單價(jià)高階品的量產(chǎn)，早已不是養(yǎng)尊處優(yōu)吃香喝辣的老外們所能染指，吃苦耐勞的臺(tái)灣人，才正是價(jià)廉物美電腦普及的幕後功臣。

除了上述的一般焊接外，ENIG之墊面當(dāng)然也可做為FC封裝板的球腳之植球基地，或錫膏成半球後的凸塊（Bump）承墊。

1.2墊面之接觸導(dǎo)通一向優(yōu)異別無(wú)分號(hào)

手機(jī)板除需零件焊接外，有些墊面還要執(zhí)行摁鍵導(dǎo)通，黃金不生鏽正是ContactConnection的最佳候選。手機(jī)板的此種摁鍵(KeyPad)做法，與LCD-TFT模組板上的ACF壓著墊等不管是直接佈局在主板上，或是另採(cǎi)極薄的雙面硬板或軟板之搭配主板，其觸墊表面一律都要電鍍鎳金以降低其接觸電阻。現(xiàn)在高難度的HDI手機(jī)板在供過(guò)於求下，身價(jià)早已低落到了廉價(jià)的商品，該等原先之正規(guī)電鍍處理，也只好降格為一次級(jí)的化鎳浸金了。

圖4.左為十年前業(yè)界所生產(chǎn)給Notebook用的LCD模組雙面板，水平面上下共裝16顆驅(qū)動(dòng)IC，垂直用5顆IC。全板ENIG線寬與墊寬僅4mil，平行密集的跑線達(dá)五、六百條之多。此種板顆現(xiàn)已改成縱橫兩長(zhǎng)條形多層板（如上右圖），但仍採(cǎi)ENIG做為ACF壓著導(dǎo)通之皮膜。

尤有甚者ENIG還可當(dāng)成某些低價(jià)多層板上插拔動(dòng)作的金手指用途，雖非合規(guī)之正道，但卻也聊勝於無(wú)。許多低成本DRAM狹長(zhǎng)卡板上無(wú)斜邊之金手指，即採(cǎi)用此等仿冒品式的作法。價(jià)碼掛帥的各種商品，一切只好從簡(jiǎn)。

圖5.此為現(xiàn)行熱門LCD-TFT背光顯示模組中長(zhǎng)條多層板的一小段，其TAB所裝驅(qū)動(dòng)IC之外腳，須採(cǎi)ACF或傳統(tǒng)焊接法，與此板之密集承墊完成互連，是目前業(yè)者的另一項(xiàng)ENIG的主力產(chǎn)品。

圖6.此為電腦主機(jī)板上插接用的DRAM卡板。早期工序採(cǎi)電鍍鎳金，現(xiàn)已降格改為廉價(jià)的ENIG製程，狗尾續(xù)貂情非得已

圖7.此為行動(dòng)電話HDI手機(jī)主板背面之KeyPad按鍵區(qū)，也有業(yè)者另採(cǎi)專用的按鍵軟板或薄板做為主板的搭配，是ENIG所無(wú)法被取代的必須功能。

1.3並具可打線能力而得以替代電鍍鎳金

許多晶片安裝板(ChiponBoard;COB)之承墊表面，需要對(duì)較粗(5-20m)的鋁線進(jìn)行打線(WireBonding)工程，使晶片得可與電路板直接互連，而令元件的封裝成本得以免除。此種不太講究固著力的場(chǎng)合，化鎳浸金自然就取代了成本甚貴的電鍍鎳金了。早期某些計(jì)時(shí)器，如電子錶，電子錶筆等，即採(cǎi)此種“降格”做法。不過(guò)近年來(lái)此類廉價(jià)商品的製造基地，早已轉(zhuǎn)移到中國(guó)大陸去了，其現(xiàn)行的做法甚至連ENIG在成本考量下也一併取消，出貨時(shí)只要用軟橡皮擦拭承墊的銅面，其打線後的拉力甚至還不遜於化鎳浸金。成本至上的原則下，此等更廉價(jià)的“無(wú)格”辦法，當(dāng)然就把相形見(jiàn)拙的“降格”政策取而代之了。

圖8.左上為電鍍鎳金快速打細(xì)金線互連(BalltoWedge)所用周密COB之高階多層板類；下左為低階COB之雙面板，下右為中階COB的四層板，後二者均為慢打粗鋁線（WedgetoWedge）用的產(chǎn)品。由於完工組件單價(jià)太低，故其承接皮膜也只好由電鍍鎳金改為ENIG了。甚至許多大陸的臺(tái)商，連ENIG也都再次省掉，而改成擦拭的裸銅板出貨，黃鼠狼下耗子成何體統(tǒng)？1.4高溫中不氧化可做為散熱之表面

某些高功率的元件除其背面可加裝散熱之鰭片外，其腹底的板面區(qū)域亦可另設(shè)一些散熱用的通孔。此時(shí)其孔壁孔環(huán)即可實(shí)施化鎳浸金處理，在免於氧化下協(xié)助積熱的散逸，並可增加孔壁的機(jī)械強(qiáng)度，有如鉚釘一般可使多層板的結(jié)構(gòu)更為優(yōu)化。許多筆記型電腦板上CPU的承受區(qū)，或BGA式元件的焊接基地，或其他小型卡板上即採(cǎi)用這種全面性的ENIG散熱孔。

圖9.上三種六八層板，均採(cǎi)ENIG做為高功率多腳元件腹底通孔之散熱用途。由於鎳金層對(duì)於銅孔的補(bǔ)強(qiáng)，使得互連兼散熱或只做散熱者，等長(zhǎng)期任務(wù)皆可達(dá)成。中圖為當(dāng)年TAB式Pentium-1之320腳CPU，採(cǎi)SuperSolder法焊墊的十層板，其中央方塊ENIG皮膜區(qū)，共有9.8mil的小孔256個(gè)，花費(fèi)當(dāng)然專門貴。為了降低成本，乾脆打掉所有窗櫺改成喏大個(gè)方門（右圖），不但廉價(jià)而且散熱還更方便。驚奇，早幹嘛去了？

二、化鎳浸金失寵的背景

ENIG兼具可焊接、可觸通、可打線，與可散熱等四種功能於一身，一向是各種密集組裝板類的寵兒，並早已成為其他表面處理所無(wú)法取代的地位。曾幾何時(shí)，當(dāng)筆記型電腦之主機(jī)板與後起的電話手機(jī)板上，其BGA或CSP焊墊既多又小之際，ENIG即逐漸發(fā)生焊錫性的欠佳，焊點(diǎn)強(qiáng)度（JointStrength）不足，焊點(diǎn)後續(xù)可靠度低落，甚至焊點(diǎn)裂開(kāi)分離後，還會(huì)出現(xiàn)黑色鎳墊（BlackPad）的種種的災(zāi)難，均令生產(chǎn)者又恨又愛(ài)，無(wú)詞以對(duì)有苦難言。

圖10.左為ENIG焊後最常發(fā)現(xiàn)黑墊的災(zāi)區(qū)，集中在BGA元件腹底組裝板的球墊上，手機(jī)板上CSP的微墊更加糟糕。右為“能譜儀”ESD分析黑墊中發(fā)現(xiàn)正常鎳面的含磷量為Wt4.6%，而黑帶區(qū)卻高達(dá)9.8wt%。

美國(guó)業(yè)者(多半為下游組裝者)為了從全然上通盤改善ENIG的品質(zhì)起見(jiàn)，聞名的ITRI(互連技術(shù)研究協(xié)會(huì))曾在1997.8月組成了一個(gè)專案研究改善的聯(lián)盟（Consortium），共有22家相關(guān)業(yè)者參與(PCB及PCBA業(yè)者與藥水供應(yīng)商)，希望能在專門考試板(TestVehicle)的小心模擬下，找出故障失效（Failure）的真正緣故。然而5年來(lái)雖經(jīng)眾人不斷努力，非但所得有限而且評(píng)比上也乏善可陳。經(jīng)數(shù)度IPCShow之Proceedings以及其他期刊中，已發(fā)表20多篇的大型論文中，實(shí)在看不到其真正緣故與徹底解決的辦法，細(xì)讀之餘仍然是一頭霧水混沌難清。唯一可行的笨方法，確實(shí)是縮短化鎳與浸金等槽液的使用期限，至於其等減壽的幅度如何，則端視其產(chǎn)品的位階檔次而定。

筆記型電腦主板所採(cǎi)用的ENIG，三四年前許多臺(tái)灣有名的大廠，均發(fā)現(xiàn)過(guò)後續(xù)偶發(fā)性的焊點(diǎn)強(qiáng)度不足，焊後一兩個(gè)月甚至更短的時(shí)間內(nèi)，即發(fā)現(xiàn)少許焊點(diǎn)裂開(kāi)及鎳面發(fā)黑的BlackPad問(wèn)題。其慘遭滑鐵盧割地賠款之痛苦歷史，至今餘悸猶存。瘟疫所及敢說(shuō)無(wú)人無(wú)之。某些天真到近乎無(wú)知的下游客戶與外行的PCB業(yè)者，起初竟以為黑膜是碳成份的累積所致，因此還勞師動(dòng)眾認(rèn)真檢討不已，其之大膽程度實(shí)在不敢恭維。

其實(shí)此黑膜是氧化鎳(NixOy)之複雜組成，全然緣故是化鎳表面在進(jìn)行浸金置換反應(yīng)之際，其鎳面受到過(guò)度氧化反應(yīng)(金屬原子溶成金屬離子其原子價(jià)升高者，稱為廣義的氧化)，加以體積甚大金原子的不規(guī)則沉積，與其粗糙晶粒之稀鬆多孔，形成底鎳?yán)m(xù)經(jīng)“化學(xué)電池效應(yīng)”(GalvanicEffect亦稱賈凡尼效應(yīng))的強(qiáng)力促動(dòng)，而不斷進(jìn)行氧化老化，以致在金面底下產(chǎn)生未能溶走的“鎳鏽”所繼續(xù)累積而成。前述的笨辦法(例如化鎳槽由原先的6個(gè)MTO縮短到目前的4個(gè)MTO)，也只能減輕其正常置換以外的不良之癥狀而已，完全無(wú)法徹底根除黑墊的偶發(fā)與存在。

這種越做越怕而提早換槽的要緊目的，確實(shí)是在縮減槽液中的H3PO4累積量，維持其鍍層中的正常含磷量(7-9%)，使保有較好的焊錫性與抗氧化性（與抗蝕性並不完全相同），期能減輕被高溫金水過(guò)度攻擊的程度，甚至延緩後續(xù)Galvanic效應(yīng)的醞釀發(fā)酵。說(shuō)穿了這也只是一種無(wú)可奈何之下勉強(qiáng)可行的做法罷了。現(xiàn)在不但手機(jī)板上各種大小焊墊幾乎全靠它，甚至連聞名CPU用的覆晶（FlipChip）式封裝載板，其各獨(dú)立覆墊上也不得不採(cǎi)用ENIG做為銲錫“突塊”（SolderBump）的著落點(diǎn)。據(jù)說(shuō)其化鎳槽液的壽命更已縮短到了不足3個(gè)MTO，金水中的鎳污染含量亦應(yīng)拉低到500ppm以下，甚至還將純置換式的鍍金層，不惜成本的更改配方為半置換半還原式的複合金層（如上村的商品TSB-71），以減少後續(xù)黑墊災(zāi)難的發(fā)生。

圖12.左為CPU用高周密FC載板之球腳底面，中為該覆晶區(qū)長(zhǎng)有銲錫突塊的正面，右為檢查ENIG球腳承墊，經(jīng)植球後所具銲點(diǎn)強(qiáng)度之推球剪力試驗(yàn)(BallShearTest)。是檢驗(yàn)ENIG高階用途的有力工具。由於各種深入研究之報(bào)告極多而無(wú)法一一詳述，故只能慎選其內(nèi)容完善者，按作者及所屬公司的不同而簡(jiǎn)述於後，讀者有興趣欲進(jìn)一步追究時(shí)，可直接閱讀大量之原文資料。

三、各種重要研究報(bào)告之內(nèi)容摘要

3.1“故障機(jī)理的全然緣故”ARootCauseFailureMechanism”

本文係Hadco公司NicholasBiunno所撰寫(xiě)。此聞名的Hadco公司原為美PCB排行之亞軍業(yè)者，現(xiàn)已被CEM的龍頭Sanmina於1999年所併購(gòu)。本文原發(fā)表於IPC1999三月展覽之論文集中(S-18-5)，後又轉(zhuǎn)載於1999年6月號(hào)（No.6）英國(guó)所發(fā)行季刊FutureCircuitInternational之P.133共有7頁(yè)。本文對(duì)黑墊的形成說(shuō)明甚詳，其要點(diǎn)如下：

3.1.1原理性說(shuō)明

ENIG可焊層所形成的銲點(diǎn)（SolderJoint）是生長(zhǎng)在鎳層上（即形成Ni3Sn4的IMC），而浸金之薄層（2-4m）於焊接過(guò)程中會(huì)迅速溶入錫體之中。故知黃金本身並未參與銲點(diǎn)的組織，其唯一的功用確實(shí)是在保護(hù)化鎳層免於生鏽或鈍化（Passivation），否則將不能形成IMC也無(wú)法焊牢。金層愈厚熔入銲點(diǎn)的量也將愈多，反而會(huì)造成脆化以致銲點(diǎn)強(qiáng)度愈糟也愈不可靠。

鎳溶解與金沈積同時(shí)發(fā)生置換反應(yīng)，一旦當(dāng)其界面被金層所密封而無(wú)鎳可溶時(shí)，則金層的沈積亦將停止。但由於金層疏孔極多，在並不密實(shí)的結(jié)構(gòu)下仍可緩慢進(jìn)行反應(yīng)。總體而言，金水在某些因素影響下之過(guò)度活躍性（Hyperactive），將造成局部鎳面非規(guī)律性的過(guò)度氧化，縱使鋪滿金層後其與底鎳之界面間，事實(shí)上早已存在了一些可觀的氧化物，繼續(xù)老化惡化之後遂將成為惱人的黑墊。此種災(zāi)難純屬偶發(fā)性，其出沒(méi)的位置也無(wú)從捉摸，是一種完全預(yù)測(cè)不到的隱憂後患。

化鎳槽液的pH值對(duì)鎳層厚度及結(jié)晶外形（Topography）影響最大，而作業(yè)溫度對(duì)鎳層與金層的沈積速率則最具主宰性。

3.1.2所見(jiàn)八種置換模式的說(shuō)明

採(cǎi)用SEM（掃瞄式電子顯微鏡）搭配EDS（能譜儀），AugerSpectroscopy（歐傑氏光譜儀），F(xiàn)IBM（聚焦性離子束微測(cè)頭；FocusIonBeamMicropobe）等儀器，對(duì)ENIG進(jìn)行仔細(xì)的表面分析，說(shuō)明化鎳層（鎳原子）在金水中所產(chǎn)生的氧化性溶解，同時(shí)出現(xiàn)金氰錯(cuò)離子的負(fù)電性還原，而沈積成為金原子等反應(yīng)的結(jié)果，該文以8張高倍顯微照片敘述其置換經(jīng)過(guò)的模式：

(1)金水攻咬鎳層表面之結(jié)晶；只針對(duì)球狀鎳晶交界面之軟弱處進(jìn)行攻擊，側(cè)視方向可看出其深入程度約占晶球直徑的1/4。

(2)金水仍沿鎳晶界面攻擊；俯視可見(jiàn)其效果已較深入，且超過(guò)球徑的1/4。

3)金水已對(duì)鎳磷合金的球晶本體進(jìn)行攻擊，截面所見(jiàn)其攻入之深度雖淺，但面積卻甚廣。

(4)金水之攻擊已十分深廣，過(guò)度活躍的反應(yīng)結(jié)果可由側(cè)視窺見(jiàn)，事實(shí)上其等均已侵入界面及結(jié)晶本體。

(5)鎳磷合金的球狀結(jié)晶體受到金水圍攻，截面可見(jiàn)到其四周及底部界面處俱已滲入。

(6)局部鎳層受攻擊較深，截面可見(jiàn)到區(qū)域性的部份“黑帶”，緣故當(dāng)然是該區(qū)之金水活性太強(qiáng)造成反應(yīng)過(guò)激所致。

7)焊墊轉(zhuǎn)角處受到強(qiáng)力攻擊，致使鎳金屬產(chǎn)生過(guò)度氧化反應(yīng)，在還來(lái)不及溶成離子游走之前，即被粗大的金層所逐漸覆蓋。由於反應(yīng)尚未停止，鎳層也繼續(xù)向內(nèi)部進(jìn)行氧化而變質(zhì)，形成表面看似正常而內(nèi)部卻已變黑異常了。此現(xiàn)象只要選擇良好的剝金液將金層去除掉後，底鎳零星散佈的黑墊立即一目了然無(wú)所遁形。

(8)金水過(guò)猛置換反應(yīng)過(guò)劇，致使鎳層迅速氧化而變黑及增厚，並已超過(guò)鎳晶的1/4，甚至當(dāng)金層已進(jìn)行覆蓋之際，由於本身疏孔太多，以致於擋不住氧化鎳的上下生長(zhǎng)而形成大片黑墊。最後雖被較厚金層所蓋滿，但其夾層中的薄金層仍清晰可見(jiàn)，此時(shí)將會(huì)出現(xiàn)縮錫（Dewetting）的效應(yīng)。

由上述周密儀器所發(fā)現(xiàn)的結(jié)果看來(lái)，黑墊的形成是由於金水活性太猛，造成鎳的氧化速度遠(yuǎn)超過(guò)了金的還原，氧化鎳未能全數(shù)水解之前即被金層所披覆，去路被阻之際只好以黑墊方式附積在金層之下。至於為何此種過(guò)度反應(yīng)只在局部區(qū)域偶而生，則自始至終無(wú)法完全模擬重現(xiàn)出來(lái)，以致其故障模式（FailureMode）與真正緣故至今未明，上述說(shuō)理也只是想當(dāng)然爾。雖然如此但卻也觀察到了某些邏輯性的現(xiàn)象，以下即再試圖從原理探討上加以敘述。

(9)從底部之放大黑鎳表面可看到，其結(jié)構(gòu)是一種有裂紋的黑泥狀組織(見(jiàn)下圖17左上畫(huà)面)，並從3萬(wàn)倍以上的SEM相片看出鎳層組織並不密實(shí)，也幾乎沒(méi)有存在著形成銲點(diǎn)所必須的IMC（Ni3Sn4）。此時(shí)之含磷量已超過(guò)10%，證明所操作的化鎳槽液已十分老化了。一般新配槽液所鍍鎳層之含磷量約在5~6%左右，到了5~6MTO以後平均將會(huì)增加到9~10%，目前較保險(xiǎn)的作業(yè)規(guī)範(fàn)是操縱其含磷量在7~9%。磷量低時(shí)容易形成IMC，故焊錫性較好，磷量較高時(shí)焊性雖較差，但耐蝕性卻較好，不過(guò)因過(guò)氧化物而產(chǎn)生的黑墊卻反倒未見(jiàn)減少。

(10)再用FIBM觀察某些黑墊區(qū)的斷層組織，發(fā)現(xiàn)各球狀鎳晶之界面均已被金水所深深刺入(見(jiàn)下圖17之右二畫(huà)面)。但此種異常並非隨機(jī)任意分佈，而是集中在某些專門的焊墊表面。可能是由於該等焊墊之電場(chǎng)（ElectricField）或擊發(fā)電荷（TriggerCharge）較強(qiáng)，造成金水的攻擊特別猛烈，為證明此假想的可能性，於是就設(shè)計(jì)了