聲表產(chǎn)品生產(chǎn)制作工藝介紹課件

聲表面波器件制作工藝介紹?聲表面波器件制作工藝介紹?1一.聲表面波器件的用途?一.聲表面波器件的用途?2濾波器:電子通訊移動(dòng)設(shè)備無(wú)線寬帶廣播電視-------------------------------諧振器:移動(dòng)設(shè)備無(wú)匙安全系統(tǒng)?濾波器:電子通訊?3射頻識(shí)別：鑒別：身份識(shí)別，物體識(shí)別，運(yùn)輸方式跟蹤-----------------------------------------傳感器：感知：壓力,溫度液體，氣體生物傳感-----------------------------------------特殊應(yīng)用：特殊壓電材料，改變物理特性?射頻識(shí)別：鑒別：身份識(shí)別，?4二.聲表面波器件工作原理?二.聲表面波器件工作原理?5聲表面波—SAW（SurfaceAcousticWave）就是在壓電基片材料表面產(chǎn)生和傳播、且振幅隨深入基片材料的深度增加而迅速減少的彈性波。SAW濾波器的基本結(jié)構(gòu)是在具有壓電特性的基片材料拋光面上制作兩個(gè)聲電換能器——叉指換能器（IDT）。它采用半導(dǎo)體集成電路的平面工藝，在壓電基片表面蒸鍍一定厚度的鋁膜，把設(shè)計(jì)好的兩個(gè)IDT的掩膜圖案，利用光刻方法沉積在基片表面，分別作為輸入換能器和輸出換能器。

?聲表面波—SAW（SurfaceAcousticWave）就6電轉(zhuǎn)換為聲（逆壓電效應(yīng)）聲轉(zhuǎn)換為電（正壓電效應(yīng)）工作原理是輸入換能器將電信號(hào)變成聲信號(hào)，沿晶體表面?zhèn)鞑?，輸出換能器再將接收到的聲信號(hào)變成電信號(hào)輸出。?電轉(zhuǎn)換為聲聲轉(zhuǎn)換為電工作原理是輸入換能器將電信號(hào)變7??8換能器空間圖形對(duì)應(yīng)脈沖響應(yīng)圖形

通過(guò)指條位置和重迭長(zhǎng)度的設(shè)計(jì)即可控制換能器的脈沖響應(yīng)，從而也就控制了換能器的頻率響應(yīng)

?換能器空間圖形對(duì)應(yīng)脈沖響應(yīng)圖形?9SAW濾波器構(gòu)成及頻響

壓電基片+IDT（半導(dǎo)體工藝）電--聲（SAW）--電

Hfilter(f)=HIDT1(f)*HIDT2(f)?SAW濾波器構(gòu)成及頻響

壓電基片+IDT（半導(dǎo)體工藝）10??11三.主要聲表面波器件用晶片材料?三.主要聲表面波器件用晶片材料?12LT、LN主要功能壓電效應(yīng)---表面波器件熱釋電效應(yīng)----紅外探測(cè)電光效應(yīng)---光開關(guān)、光調(diào)制光折變效應(yīng)-----全息存儲(chǔ)非線性光學(xué)效應(yīng)-----激光倍頻

從上面可以看出LN、LT是一種多功能晶體，我們?cè)趯?shí)踐中注意各種性能對(duì)使用和生產(chǎn)相互影響。比如熱釋電產(chǎn)生靜電吸塵、靜電擊裂晶片影響．?LT、LN主要功能壓電效應(yīng)---表面波器件?13常用表面波切型簡(jiǎn)稱主面及傳播方向簡(jiǎn)稱主面及傳播方向128°Y-XLN128°旋轉(zhuǎn)Y切X向傳播鈮酸鋰36°Y-XLT36°旋轉(zhuǎn)Y切X向傳播鉭酸鋰64°Y-XLN64°旋轉(zhuǎn)Y切X向傳播鈮酸鋰42°Y-XLT42°旋轉(zhuǎn)Y切X向傳播鉭酸鋰Y-ZLNY切Z向傳播鈮酸鋰45°X-ZLBO45°旋轉(zhuǎn)X切Z向傳播四硼酸鋰X-112.2°YLTX切112.2°旋轉(zhuǎn)Y向傳播鉭酸鋰ST-XQUARTZST切X向傳播α-石英?常用表面波切型簡(jiǎn)稱主面及傳播方向簡(jiǎn)稱主面及傳播方向128°14晶片背面的加工粗糙度碳化硅規(guī)格號(hào)100#120#180#240#W28W141000#2000#W3.5粒度尺寸范圍160125806328-2014-1015.58.53.5-2.5晶片粗糙度>7≥5≥31-30.50.5-0.70.15-0.3金勝3--51.5—2.20.8-1.50.5-1.0水晶:0.5-1.0其他0.8-1.5DQ備注晶片背面粗糙度數(shù)值為L(zhǎng)N晶片實(shí)測(cè)典型值。晶片材料不同其加工粗糙度值略有差別。?晶片背面的加工粗糙度碳化硅規(guī)格號(hào)100#120#180#2415四.聲表面波器件制作工藝流程?四.聲表面波器件制作工藝流程?161.前工序基片清洗鍍金屬膜涂膠曝光顯影腐蝕探針測(cè)試涂膠曝光顯影鍍金屬膜剝離鍍保護(hù)膜后工序?1.前工序鍍金屬膜涂膠曝光顯影腐蝕探針測(cè)試涂膠曝光顯影鍍金屬17濕法工藝?濕法工藝?18①.鍍膜鋁晶片?①.鍍膜鋁晶片?19鋁晶片光刻膠②.涂光刻膠?鋁晶片光刻膠②.涂光刻膠?20③.曝光UV光光刻膠鋁晶片?③.曝光UV光光刻膠鋁晶片?21④.顯影鋁晶片光刻膠?④.顯影鋁晶片光刻膠?22⑤.刻蝕光刻膠鋁晶片?⑤.刻蝕光刻膠鋁晶片?23⑥.去膠鋁晶片?⑥.去膠鋁晶片?24B、剝離工藝?B、剝離工藝?25①.涂光刻膠光刻膠晶片?①.涂光刻膠光刻膠晶片?26②.曝光光刻膠晶片UV光?②.曝光光刻膠晶片UV光?27③.顯影光刻膠晶片?③.顯影光刻膠晶片?28④.鍍膜光刻膠晶片鋁?④.鍍膜光刻膠晶片鋁?29⑤.去膠鋁晶片?⑤.去膠鋁晶片?30制作完成圖形?制作完成圖形?31主要工藝－清洗全自動(dòng)清洗機(jī)?主要工藝－清洗全自動(dòng)清洗機(jī)?32STANGL精清洗系統(tǒng)

系統(tǒng)精清洗部分由以下構(gòu)成：RBS1槽、RBS2槽、溢流清洗槽、QDR1槽、QDR2槽、兆聲清洗槽、甩干機(jī)。STANGL精清洗采用的是濕法批量式清洗，所用的工藝為RBS洗液超聲清洗結(jié)合SC1洗液兆聲清洗的方式，因該清洗系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)未考慮酸洗槽，有些晶片在清洗前得預(yù)先經(jīng)過(guò)一次酸浸泡處理工藝。該系統(tǒng)專用于Φ3″和Φ4″標(biāo)準(zhǔn)晶圓片的清洗，日產(chǎn)量為300-400片/班（8小時(shí)）。主要工藝－清洗?STANGL精清洗系統(tǒng)系統(tǒng)精清洗部分由以下構(gòu)成：33主要工藝—鍍膜

設(shè)備名稱:BAK-SAW電子束鍍膜機(jī)

主要技術(shù)指標(biāo)

均勻性單片：±1%

片與片：±2%

批與批：±2%鍍層材料AL、AL-CU2%合金、TI、CU

產(chǎn)量3英寸36片/爐4英寸18片/爐

適用工藝

剝離工藝和濕法工藝單層和多層鍍膜?主要工藝—鍍膜設(shè)備名稱:BAK-SAW電子束鍍膜機(jī)?34主要工藝—鍍膜

設(shè)備名稱:KDF磁控濺射鍍膜機(jī)

主要技術(shù)指標(biāo)

均勻性單片±2%〔AL)±2～3%(sio2)

片與片±3～5%(AL)±5～8%(SIO2)

批與批±3～5%(AL)±5～8%(SIO2)

鍍層材料AL、AL-CU2%合金、TI

產(chǎn)量

3英寸16片/爐、4英寸9片/爐適用工藝

濕法工藝

單層金屬膜和SIO2保護(hù)膜?主要工藝—鍍膜設(shè)備名稱:KDF磁控濺射鍍35主要工藝—鍍膜

設(shè)備名稱:LEYBOLD(萊寶)電子束鍍膜機(jī)主要技術(shù)指標(biāo)

均勻性單片±1.5%片與片：±2.5%批與批：±2.5%鍍層材料AL、AL-CU2%合金、TI

產(chǎn)量3英寸36片/爐4英寸18片/爐

適用工藝剝離剝離和濕法工藝

單層和多層金屬膜?主要工藝—鍍膜設(shè)備名稱:LEYBOLD(萊寶)電子束鍍36主要工藝—鍍膜膜厚測(cè)試:FRT表面輪廓儀

ALPHA-STEP臺(tái)階儀?主要工藝—鍍膜膜厚測(cè)試:FRT表面輪廓儀37主要工藝－光刻分布重復(fù)式投影曝光主要技術(shù)指標(biāo):最小分辨率：0.5um最大視場(chǎng)：15×19mm掩膜版尺寸：5英寸晶片尺寸：3英寸光源波長(zhǎng)：I線（365nm）縮影倍率：5：1曝光工作臺(tái)定位精度：100nm適用工藝：剝離工藝和濕法工藝?主要工藝－光刻分布重復(fù)式投影曝光主要技術(shù)指標(biāo):適用工藝：剝離38主要工藝－光刻3＂和4＂標(biāo)準(zhǔn)圓片的光刻膠涂覆及曝光后圖形顯影，滿足特征尺寸CD≤0.35μm聲表面波器件的光刻膠涂覆及曝光后圖形顯影工藝制作要求涂敷光刻膠均勻性和一致性：4＂片內(nèi)為±2%，片與片之間達(dá)到±2%；GAMMA涂膠顯影機(jī)?主要工藝－光刻3＂和4＂標(biāo)準(zhǔn)圓片的光刻膠涂覆及曝光后圖形顯影39M2000涂膠顯影機(jī)3“、4”標(biāo)準(zhǔn)圓片的光刻膠涂覆及曝光后圖形顯影，滿足特征尺寸CD≥0.5μm聲表面波器件的光刻膠涂覆及曝光后圖形顯影工藝制作要求；涂敷光刻膠均勻性和一致性：3＂片內(nèi)為±2%，片與片之間達(dá)到±2%；顯影均勻性和一致性：當(dāng)以CD=0.5um作為測(cè)試線寬時(shí)，3＂片內(nèi)為±6%，片與片之間達(dá)到±6%；涂膠產(chǎn)能達(dá)40片/小時(shí)，顯影產(chǎn)能達(dá)40片/小時(shí)；主要工藝－光刻?M2000涂膠顯影機(jī)3“、4”標(biāo)準(zhǔn)圓片的光刻膠涂覆及曝光后圖40半自動(dòng)探針測(cè)試主要工藝－探針測(cè)試?半自動(dòng)探針測(cè)試主要工藝－探針測(cè)試?412.后工序工藝流程點(diǎn)焊入庫(kù)終測(cè)標(biāo)記儲(chǔ)能封帽篩選試驗(yàn)絲網(wǎng)涂膠劃片光刻檢驗(yàn)粘片前工序點(diǎn)焊檢驗(yàn)初測(cè)預(yù)焊平行封帽編帶?2.后工序工藝流程點(diǎn)焊入庫(kù)終測(cè)標(biāo)記儲(chǔ)能封帽篩選試驗(yàn)絲網(wǎng)涂膠劃42主要工藝－絲網(wǎng)涂膠（吸聲膠）絲網(wǎng)涂膠?主要工藝－絲網(wǎng)涂膠（吸聲膠）絲網(wǎng)涂膠?43SAW濾波器凃膠的重要性?SAW濾波器凃膠的重要性?44主要工藝－絲網(wǎng)涂膠吸聲膠將吸聲膠涂到器件兩端，以消除反射回來(lái)的聲波對(duì)器件性能的干擾?主要工藝－絲網(wǎng)涂膠吸聲膠將吸聲膠涂到器件兩端，以消除反射回來(lái)45主要工藝－劃片半自動(dòng)砂輪劃片機(jī)利用高速旋轉(zhuǎn)的樹脂刀片將晶圓分割成一個(gè)個(gè)小芯片。?主要工藝－劃片半自動(dòng)砂輪劃片機(jī)利用高速旋轉(zhuǎn)的?46主要工藝－劃片?主要工藝－劃片?47主要工藝－粘片（自動(dòng)SMD）將芯片通過(guò)粘片膠粘貼固定到外殼底座上?主要工藝－粘片（自動(dòng)SMD）將芯片通過(guò)粘片膠粘貼固定到外殼底48主要工藝－粘片自動(dòng)粘片?主要工藝－粘片自動(dòng)粘片?49主要工藝－點(diǎn)焊（自動(dòng)鋁絲鍵合）降到第一焊點(diǎn)加超聲能量鍵合上升到線弧高度?主要工藝－點(diǎn)焊（自動(dòng)鋁絲鍵合）降到第一焊點(diǎn)加超聲能量鍵合上升50降到第二焊點(diǎn)加超聲形成第二個(gè)焊點(diǎn)斷線主要工藝－點(diǎn)焊（自動(dòng)鋁絲鍵合）?降到第二焊點(diǎn)加超聲形成第二個(gè)焊點(diǎn)斷線主要工藝－點(diǎn)焊（自動(dòng)鋁絲51主要工藝－點(diǎn)焊6400型自動(dòng)點(diǎn)焊機(jī)?主要工藝－點(diǎn)焊6400型自動(dòng)點(diǎn)焊機(jī)?52主要工藝－點(diǎn)焊線拉力和芯片剪切力測(cè)試?主要工藝－點(diǎn)焊線拉力和芯片剪切力測(cè)試?53主要工藝－預(yù)焊預(yù)焊工序用于將表貼器件的蓋板與基座固定起來(lái)。?主要工藝－預(yù)焊預(yù)焊工序用于將表貼器件的蓋板與基54主要工藝－平行封焊封焊工序?qū)㈩A(yù)焊后的器件焊接完畢。?主要工藝－平行封焊封焊工序?qū)㈩A(yù)焊后的器件焊接完畢。?55主要工藝－平行焊接現(xiàn)有平行封裝設(shè)備工藝能力：能夠封裝從3mm×3mm到25mm×9mm的表貼器件（SMD），深腔外殼最大尺寸可達(dá)250mm×30mm；軍品水汽含量能夠控制在5000PPM以下?主要工藝－平行焊接現(xiàn)有平行封裝設(shè)備工藝能力：?56主要工藝－平行焊接?主要工藝－平行焊接?57主要工藝－儲(chǔ)能封焊同樣利用電阻放電原理，使用大型電容組對(duì)焊接面進(jìn)行充電，放電瞬間在封焊面形成高熱，融化器件封焊環(huán)，達(dá)到焊接到目的，同時(shí)對(duì)器件內(nèi)部水汽含量也可以進(jìn)行控制。?主要工藝－儲(chǔ)能封焊同樣利用電阻放電原理，使用大型電容組對(duì)焊接58主要工藝－測(cè)試?主要工藝－測(cè)試?59主要工藝－測(cè)試自動(dòng)SMD測(cè)試分選系統(tǒng)?主要工藝－測(cè)試自動(dòng)SMD測(cè)試分選系統(tǒng)?60成品?成品?61加強(qiáng)做責(zé)任心，責(zé)任到人，責(zé)任到位才是長(zhǎng)久的發(fā)展。12月-2212月-22Saturday,December17,2022弄虛作假要不得，踏實(shí)肯干第一名。20:22:0920:22:0920:2212/17/20228:22:09PM安全象只弓，不拉它就松，要想保安全，常把弓弦繃。12月-2220:22:0920:22Dec-2217-Dec-22重于泰山，輕于鴻毛。20:22:0920:22:0920:22Saturday,December17,2022安全在于心細(xì)，事故出在麻痹。12月-2212月-2220:22:0920:22:09December17,2022加強(qiáng)自身建設(shè)，增強(qiáng)個(gè)人的休養(yǎng)。2022年12月17日8:22下午12月-2212月-22追求至善憑技術(shù)開拓市場(chǎng)，憑管理增創(chuàng)效益，憑服務(wù)樹立形象。17十二月20228:22:09下午20:22:0912月-22嚴(yán)格把控質(zhì)量關(guān)，讓生產(chǎn)更加有保障。十二月228:22下午12月-2220:22December17,2022重標(biāo)準(zhǔn)，嚴(yán)要求，安全第一。2022/12/1720:22:0920:22:0917December2022好的事情馬上就會(huì)到來(lái)，一切都是最好的安排。8:22:09下午8:22下午20:22:0912月-22每天都是美好的一天，新的一天開啟。12月-2212月-2220:2220:22:0920:22:09Dec-22務(wù)實(shí)，奮斗，成就，成功。2022/12/1720:22:09Saturday,December17,2022相信相信得力量，創(chuàng)造應(yīng)創(chuàng)造的事情。12月-222022/12/1720:22:0912月-22謝謝大家！加強(qiáng)做責(zé)任心，責(zé)任到人，責(zé)任到位才是長(zhǎng)久的發(fā)展。12月-2262聲表面波器件制作工藝介紹?聲表面波器件制作工藝介紹?63一.聲表面波器件的用途?一.聲表面波器件的用途?64濾波器:電子通訊移動(dòng)設(shè)備無(wú)線寬帶廣播電視-------------------------------諧振器:移動(dòng)設(shè)備無(wú)匙安全系統(tǒng)?濾波器:電子通訊?65射頻識(shí)別：鑒別：身份識(shí)別，物體識(shí)別，運(yùn)輸方式跟蹤-----------------------------------------傳感器：感知：壓力,溫度液體，氣體生物傳感-----------------------------------------特殊應(yīng)用：特殊壓電材料，改變物理特性?射頻識(shí)別：鑒別：身份識(shí)別，?66二.聲表面波器件工作原理?二.聲表面波器件工作原理?67聲表面波—SAW（SurfaceAcousticWave）就是在壓電基片材料表面產(chǎn)生和傳播、且振幅隨深入基片材料的深度增加而迅速減少的彈性波。SAW濾波器的基本結(jié)構(gòu)是在具有壓電特性的基片材料拋光面上制作兩個(gè)聲電換能器——叉指換能器（IDT）。它采用半導(dǎo)體集成電路的平面工藝，在壓電基片表面蒸鍍一定厚度的鋁膜，把設(shè)計(jì)好的兩個(gè)IDT的掩膜圖案，利用光刻方法沉積在基片表面，分別作為輸入換能器和輸出換能器。

?聲表面波—SAW（SurfaceAcousticWave）就68電轉(zhuǎn)換為聲（逆壓電效應(yīng)）聲轉(zhuǎn)換為電（正壓電效應(yīng)）工作原理是輸入換能器將電信號(hào)變成聲信號(hào)，沿晶體表面?zhèn)鞑?，輸出換能器再將接收到的聲信號(hào)變成電信號(hào)輸出。?電轉(zhuǎn)換為聲聲轉(zhuǎn)換為電工作原理是輸入換能器將電信號(hào)變69??70換能器空間圖形對(duì)應(yīng)脈沖響應(yīng)圖形

通過(guò)指條位置和重迭長(zhǎng)度的設(shè)計(jì)即可控制換能器的脈沖響應(yīng)，從而也就控制了換能器的頻率響應(yīng)

?換能器空間圖形對(duì)應(yīng)脈沖響應(yīng)圖形?71SAW濾波器構(gòu)成及頻響

壓電基片+IDT（半導(dǎo)體工藝）電--聲（SAW）--電

Hfilter(f)=HIDT1(f)*HIDT2(f)?SAW濾波器構(gòu)成及頻響

壓電基片+IDT（半導(dǎo)體工藝）72??73三.主要聲表面波器件用晶片材料?三.主要聲表面波器件用晶片材料?74LT、LN主要功能壓電效應(yīng)---表面波器件熱釋電效應(yīng)----紅外探測(cè)電光效應(yīng)---光開關(guān)、光調(diào)制光折變效應(yīng)-----全息存儲(chǔ)非線性光學(xué)效應(yīng)-----激光倍頻

從上面可以看出LN、LT是一種多功能晶體，我們?cè)趯?shí)踐中注意各種性能對(duì)使用和生產(chǎn)相互影響。比如熱釋電產(chǎn)生靜電吸塵、靜電擊裂晶片影響．?LT、LN主要功能壓電效應(yīng)---表面波器件?75常用表面波切型簡(jiǎn)稱主面及傳播方向簡(jiǎn)稱主面及傳播方向128°Y-XLN128°旋轉(zhuǎn)Y切X向傳播鈮酸鋰36°Y-XLT36°旋轉(zhuǎn)Y切X向傳播鉭酸鋰64°Y-XLN64°旋轉(zhuǎn)Y切X向傳播鈮酸鋰42°Y-XLT42°旋轉(zhuǎn)Y切X向傳播鉭酸鋰Y-ZLNY切Z向傳播鈮酸鋰45°X-ZLBO45°旋轉(zhuǎn)X切Z向傳播四硼酸鋰X-112.2°YLTX切112.2°旋轉(zhuǎn)Y向傳播鉭酸鋰ST-XQUARTZST切X向傳播α-石英?常用表面波切型簡(jiǎn)稱主面及傳播方向簡(jiǎn)稱主面及傳播方向128°76晶片背面的加工粗糙度碳化硅規(guī)格號(hào)100#120#180#240#W28W141000#2000#W3.5粒度尺寸范圍160125806328-2014-1015.58.53.5-2.5晶片粗糙度>7≥5≥31-30.50.5-0.70.15-0.3金勝3--51.5—2.20.8-1.50.5-1.0水晶:0.5-1.0其他0.8-1.5DQ備注晶片背面粗糙度數(shù)值為L(zhǎng)N晶片實(shí)測(cè)典型值。晶片材料不同其加工粗糙度值略有差別。?晶片背面的加工粗糙度碳化硅規(guī)格號(hào)100#120#180#2477四.聲表面波器件制作工藝流程?四.聲表面波器件制作工藝流程?781.前工序基片清洗鍍金屬膜涂膠曝光顯影腐蝕探針測(cè)試涂膠曝光顯影鍍金屬膜剝離鍍保護(hù)膜后工序?1.前工序鍍金屬膜涂膠曝光顯影腐蝕探針測(cè)試涂膠曝光顯影鍍金屬79濕法工藝?濕法工藝?80①.鍍膜鋁晶片?①.鍍膜鋁晶片?81鋁晶片光刻膠②.涂光刻膠?鋁晶片光刻膠②.涂光刻膠?82③.曝光UV光光刻膠鋁晶片?③.曝光UV光光刻膠鋁晶片?83④.顯影鋁晶片光刻膠?④.顯影鋁晶片光刻膠?84⑤.刻蝕光刻膠鋁晶片?⑤.刻蝕光刻膠鋁晶片?85⑥.去膠鋁晶片?⑥.去膠鋁晶片?86B、剝離工藝?B、剝離工藝?87①.涂光刻膠光刻膠晶片?①.涂光刻膠光刻膠晶片?88②.曝光光刻膠晶片UV光?②.曝光光刻膠晶片UV光?89③.顯影光刻膠晶片?③.顯影光刻膠晶片?90④.鍍膜光刻膠晶片鋁?④.鍍膜光刻膠晶片鋁?91⑤.去膠鋁晶片?⑤.去膠鋁晶片?92制作完成圖形?制作完成圖形?93主要工藝－清洗全自動(dòng)清洗機(jī)?主要工藝－清洗全自動(dòng)清洗機(jī)?94STANGL精清洗系統(tǒng)

系統(tǒng)精清洗部分由以下構(gòu)成：RBS1槽、RBS2槽、溢流清洗槽、QDR1槽、QDR2槽、兆聲清洗槽、甩干機(jī)。STANGL精清洗采用的是濕法批量式清洗，所用的工藝為RBS洗液超聲清洗結(jié)合SC1洗液兆聲清洗的方式，因該清洗系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)未考慮酸洗槽，有些晶片在清洗前得預(yù)先經(jīng)過(guò)一次酸浸泡處理工藝。該系統(tǒng)專用于Φ3″和Φ4″標(biāo)準(zhǔn)晶圓片的清洗，日產(chǎn)量為300-400片/班（8小時(shí)）。主要工藝－清洗?STANGL精清洗系統(tǒng)系統(tǒng)精清洗部分由以下構(gòu)成：95主要工藝—鍍膜

設(shè)備名稱:BAK-SAW電子束鍍膜機(jī)

主要技術(shù)指標(biāo)

均勻性單片：±1%

片與片：±2%

批與批：±2%鍍層材料AL、AL-CU2%合金、TI、CU

產(chǎn)量3英寸36片/爐4英寸18片/爐

適用工藝

剝離工藝和濕法工藝單層和多層鍍膜?主要工藝—鍍膜設(shè)備名稱:BAK-SAW電子束鍍膜機(jī)?96主要工藝—鍍膜

設(shè)備名稱:KDF磁控濺射鍍膜機(jī)

主要技術(shù)指標(biāo)

均勻性單片±2%〔AL)±2～3%(sio2)

片與片±3～5%(AL)±5～8%(SIO2)

批與批±3～5%(AL)±5～8%(SIO2)

鍍層材料AL、AL-CU2%合金、TI

產(chǎn)量

3英寸16片/爐、4英寸9片/爐適用工藝

濕法工藝

單層金屬膜和SIO2保護(hù)膜?主要工藝—鍍膜設(shè)備名稱:KDF磁控濺射鍍97主要工藝—鍍膜

設(shè)備名稱:LEYBOLD(萊寶)電子束鍍膜機(jī)主要技術(shù)指標(biāo)

均勻性單片±1.5%片與片：±2.5%批與批：±2.5%鍍層材料AL、AL-CU2%合金、TI

產(chǎn)量3英寸36片/爐4英寸18片/爐

適用工藝剝離剝離和濕法工藝

單層和多層金屬膜?主要工藝—鍍膜設(shè)備名稱:LEYBOLD(萊寶)電子束鍍98主要工藝—鍍膜膜厚測(cè)試:FRT表面輪廓儀

ALPHA-STEP臺(tái)階儀?主要工藝—鍍膜膜厚測(cè)試:FRT表面輪廓儀99主要工藝－光刻分布重復(fù)式投影曝光主要技術(shù)指標(biāo):最小分辨率：0.5um最大視場(chǎng)：15×19mm掩膜版尺寸：5英寸晶片尺寸：3英寸光源波長(zhǎng)：I線（365nm）縮影倍率：5：1曝光工作臺(tái)定位精度：100nm適用工藝：剝離工藝和濕法工藝?主要工藝－光刻分布重復(fù)式投影曝光主要技術(shù)指標(biāo):適用工藝：剝離100主要工藝－光刻3＂和4＂標(biāo)準(zhǔn)圓片的光刻膠涂覆及曝光后圖形顯影，滿足特征尺寸CD≤0.35μm聲表面波器件的光刻膠涂覆及曝光后圖形顯影工藝制作要求涂敷光刻膠均勻性和一致性：4＂片內(nèi)為±2%，片與片之間達(dá)到±2%；GAMMA涂膠顯影機(jī)?主要工藝－光刻3＂和4＂標(biāo)準(zhǔn)圓片的光刻膠涂覆及曝光后圖形顯影101M2000涂膠顯影機(jī)3“、4”標(biāo)準(zhǔn)圓片的光刻膠涂覆及曝光后圖形顯影，滿足特征尺寸CD≥0.5μm聲表面波器件的光刻膠涂覆及曝光后圖形顯影工藝制作要求；涂敷光刻膠均勻性和一致性：3＂片內(nèi)為±2%，片與片之間達(dá)到±2%；顯影均勻性和一致性：當(dāng)以CD=0.5um作為測(cè)試線寬時(shí)，3＂片內(nèi)為±6%，片與片之間達(dá)到±6%；涂膠產(chǎn)能達(dá)40片/小時(shí)，顯影產(chǎn)能達(dá)40片/小時(shí)；主要工藝－光刻?M2000涂膠顯影機(jī)3“、4”標(biāo)準(zhǔn)圓片的光刻膠涂覆及曝光后圖102半自動(dòng)探針測(cè)試主要工藝－探針測(cè)試?半自動(dòng)探針測(cè)試主要工藝－探針測(cè)試?1032.后工序工藝流程點(diǎn)焊入庫(kù)終測(cè)標(biāo)記儲(chǔ)能封帽篩選試驗(yàn)絲網(wǎng)涂膠劃片光刻檢驗(yàn)粘片前工序點(diǎn)焊檢驗(yàn)初測(cè)預(yù)焊平行封帽編帶?2.后工序工藝流程點(diǎn)焊入庫(kù)終測(cè)標(biāo)記儲(chǔ)能封帽篩選試驗(yàn)絲網(wǎng)涂膠劃104主要工藝－絲網(wǎng)涂膠（吸聲膠）絲網(wǎng)涂膠?主要工藝－絲網(wǎng)涂膠（吸聲膠）絲網(wǎng)涂膠?105SAW濾波器凃膠的重要性?SAW濾波器凃膠的重要性?106主要工藝－絲網(wǎng)涂膠吸聲膠將吸聲膠涂到器件兩端，以消除反射回來(lái)的聲波對(duì)器件性能的干擾?主要工藝－絲網(wǎng)涂膠吸聲膠將吸聲膠涂到器件兩端，以消除反射回來(lái)107主要工藝－劃片半自動(dòng)砂輪劃片機(jī)利用高速旋轉(zhuǎn)的樹脂刀片將晶圓分割成一個(gè)個(gè)小芯片。?主要工藝－劃片半自動(dòng)砂輪劃片機(jī)利用高速旋轉(zhuǎn)的?108主要工藝－劃片?主要工藝－劃片?109主要工藝－粘片（自動(dòng)SMD）將芯片通過(guò)粘片膠粘貼固定到外殼底座上?主要工藝－粘片（自動(dòng)SMD）將芯片通過(guò)粘片膠粘貼固定到外殼底110主要工藝－粘片自動(dòng)粘片?主要工藝－粘片自動(dòng)粘片?111主要工藝－點(diǎn)焊（自動(dòng)鋁絲鍵合）降到第一焊點(diǎn)加超聲能量鍵合上升到線弧高度?主要工藝－點(diǎn)焊（自動(dòng)鋁絲鍵合）降到第一焊點(diǎn)加超聲能量鍵合上升112降到第二焊點(diǎn)加超聲形成第二個(gè)焊點(diǎn)斷線主要工藝－點(diǎn)焊（自動(dòng)鋁絲鍵合）?降到第二焊點(diǎn)加超聲形成第二個(gè)焊點(diǎn)斷線主要工藝－點(diǎn)焊（自動(dòng)鋁絲113主要工藝－點(diǎn)焊6400型自動(dòng)點(diǎn)焊機(jī)?主要工藝－點(diǎn)焊6400型自動(dòng)點(diǎn)焊機(jī)?114主要工藝－點(diǎn)焊線拉力和芯片剪切力測(cè)試?主要工藝－點(diǎn)焊線拉力和芯片剪切力測(cè)試?115主要工藝－預(yù)焊預(yù)焊工序用于將表貼器件的蓋