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6屏蔽的基本原理6屏蔽的基本原理主要內(nèi)容電屏蔽6.16.26.36.4電磁屏蔽屏蔽及屏蔽效能磁屏蔽6.5薄膜屏蔽主要內(nèi)容電屏蔽6.16.26.36.4電磁屏蔽屏蔽及屏蔽效能6.1屏蔽及屏蔽效能抑制以場的形式造成干擾的有效方法是電磁屏蔽。所謂電磁屏蔽就是以某種材料(導(dǎo)電或?qū)Т挪牧希┲瞥傻钠帘螝んw(實(shí)體的或非實(shí)體的)將需要屏蔽的區(qū)域封閉起來,形成電磁隔離,即其內(nèi)的電磁場不能越出這一區(qū)域,而外來的輻射電磁場不能進(jìn)入這一區(qū)域(或者進(jìn)出該區(qū)域的電磁能量將受到很大的衰減)。電磁屏蔽的作用原理是利用屏蔽體對(duì)電磁能流的反射、吸收和引導(dǎo)作用。6.1屏蔽及屏蔽效能抑制以場的形式造成干擾的有效方法是電磁6.1屏蔽及屏蔽效能電磁屏蔽的類型電磁屏蔽靜電屏蔽交變電場屏蔽低頻磁場屏蔽高頻磁場屏蔽電場屏蔽磁場屏蔽電磁屏蔽6.1屏蔽及屏蔽效能電磁屏蔽的類型電磁屏蔽靜電屏蔽交變電場6.1屏蔽及屏蔽效能或或屏蔽效能的新定義:AndrewC.Marvin,etc.Aproposednewdefinitionandmeasurementoftheshieldingeffectofequipmentenclosures[J].IEEEtrans.onEMC46(3),459-468,20046.1屏蔽及屏蔽效能或或屏蔽效能的新定義:6.1屏蔽及屏蔽效能6.1屏蔽及屏蔽效能主要內(nèi)容電屏蔽6.16.26.36.4電磁屏蔽屏蔽及屏蔽效能磁屏蔽6.5薄膜屏蔽主要內(nèi)容電屏蔽6.16.26.36.4電磁屏蔽屏蔽及屏蔽效能6.2電屏蔽電屏蔽的實(shí)質(zhì)是減小兩個(gè)回路(或兩個(gè)元件、組件)間電場感應(yīng)的影響。電磁場理論表明,置于靜電場中的導(dǎo)體在靜電平衡的條件下,具有下列性質(zhì):導(dǎo)體內(nèi)部任何一點(diǎn)的電場為零;導(dǎo)體表面任何一點(diǎn)的電場強(qiáng)度矢量的方向與該點(diǎn)的導(dǎo)體平面垂直;整個(gè)導(dǎo)體是一個(gè)等位體;導(dǎo)體內(nèi)部沒有靜電荷存在,電荷只能分布在導(dǎo)體的表面上。6.2電屏蔽電屏蔽的實(shí)質(zhì)是減小兩個(gè)回路(或兩個(gè)元件、組件)+QAA+Q-Q+QBA+Q-QB(a)孤立帶電導(dǎo)體A(b)導(dǎo)體B包圍帶電導(dǎo)體A的情況(c)靜電屏蔽6.2電屏蔽(d)孤立屏蔽體置于外界場中(e)屏蔽體接地場的觀點(diǎn)看,電屏蔽的實(shí)質(zhì)是干擾源發(fā)出的電力線被終止于屏蔽體,從而切斷了干擾源與感受器之間電力線的交連。+QAA+Q-Q+QBA+Q-QB(a)孤立帶電導(dǎo)體A(b)6.2電屏蔽為減小UB,可增大C2,因此在電子設(shè)備中對(duì)一些敏感導(dǎo)線或元件應(yīng)貼近金屬板或地線布置;另一方面應(yīng)減小C1,在布局時(shí)使干擾源和感受器盡可能遠(yuǎn)離。6.2電屏蔽為減小UB,可增大C2,因此在電子設(shè)備中對(duì)一些6.2電屏蔽在A、B間加入屏蔽金屬板S以后,B的感應(yīng)電壓U'BS在下述情況下可能比無屏蔽時(shí)更大。當(dāng)屏蔽體離地較遠(yuǎn),使C3C4;若還有C3C2C5/(C2C5),則6.2電屏蔽在A、B間加入屏蔽金屬板S以后,B的感應(yīng)電壓U6.2電屏蔽如果把屏蔽金屬板良好接地,就可認(rèn)為C4,US0,因此U'BS0,即獲得良好的屏蔽效能。6.2電屏蔽如果把屏蔽金屬板良好接地,就可認(rèn)為C4,U6.2電屏蔽實(shí)際上由于屏蔽金屬板不是無限大,并非完全無縫隙的封閉體,在A、B間總還存在剩余電容C'1,由于C'1的作用,屏蔽后在B上的感應(yīng)電壓UBS為6.2電屏蔽實(shí)際上由于屏蔽金屬板不是無限大,并非完全無縫隙6.2電屏蔽另外,屏蔽體接地時(shí)總有接地阻抗存在,特別是當(dāng)屏蔽體通過中介導(dǎo)線接地時(shí),接地阻抗還與頻率有關(guān)。屏蔽體接地線在時(shí)變場作用下流過地電流時(shí),接地阻抗ZS的壓降使屏蔽體的電位US不為零,并隨著ZS的上升而增加;感受器B的感應(yīng)電壓UBS又隨US增加。從電路的觀點(diǎn)分析,屏蔽體起著減小干擾源和感受器之間分布電容的作用。6.2電屏蔽另外,屏蔽體接地時(shí)總有接地阻抗存在,特別是當(dāng)屏6.2電屏蔽電屏蔽設(shè)計(jì):屏蔽體必須良好接地正確選擇接地點(diǎn)合理設(shè)計(jì)屏蔽體的形狀注意屏蔽體材料的選擇6.2電屏蔽電屏蔽設(shè)計(jì):屏蔽體必須良好接地正確選擇接地點(diǎn)合主要內(nèi)容電屏蔽6.16.26.36.4電磁屏蔽屏蔽及屏蔽效能磁屏蔽6.5薄膜屏蔽主要內(nèi)容電屏蔽6.16.26.36.4電磁屏蔽屏蔽及屏蔽效能6.3磁屏蔽對(duì)于低頻磁場(包括恒定磁場)屏蔽:渦流的屏蔽作用很小;主要有賴于高磁導(dǎo)率材料所具有的高磁導(dǎo)率起磁分路作用。6.3磁屏蔽對(duì)于低頻磁場(包括恒定磁場)屏蔽:渦流的屏蔽作6.3磁屏蔽磁屏蔽是通過屏蔽盒(罩)的高磁導(dǎo)性能,即低磁阻來實(shí)現(xiàn)的。設(shè)計(jì)時(shí),需仔細(xì)考慮屏蔽體的接縫與孔洞的處理:合理布置接縫與磁場的相對(duì)方位(a)接縫切斷漏磁通(b)接縫順著漏磁通6.3磁屏蔽磁屏蔽是通過屏蔽盒(罩)的高磁導(dǎo)性能,即低磁阻6.3磁屏蔽正確布置通風(fēng)孔開口或縫隙正確開口或縫隙不正確鐵磁材料6.3磁屏蔽正確布置通風(fēng)孔開口或縫隙正確開口或縫隙不正確鐵6.3磁屏蔽合理的結(jié)構(gòu)與工藝接縫的連接工藝及結(jié)構(gòu)對(duì)屏蔽效能的影響較大,應(yīng)根據(jù)使用要求合理地設(shè)計(jì),常用的連接方式有熔焊、點(diǎn)焊、鉚釘和螺釘連接。熔焊時(shí)應(yīng)采用與本體材料相同的焊條,使接縫具有最佳的屏蔽性能。點(diǎn)焊和鉚接時(shí),在接縫處應(yīng)有足夠的重疊。螺釘連接時(shí),在交接處同樣應(yīng)有足夠的重疊和盡可能小的螺釘間距。磁屏蔽體在機(jī)械加工全部完成之后進(jìn)行退火處理。雙層磁屏蔽。6.3磁屏蔽合理的結(jié)構(gòu)與工藝接縫的連接工藝及結(jié)構(gòu)對(duì)屏蔽效能6.3磁屏蔽對(duì)于高頻磁場屏蔽:其屏蔽原理是利用電磁感應(yīng)現(xiàn)象在屏蔽體表面所產(chǎn)生的渦流的反磁場來達(dá)到屏蔽的目的,也就是說,利用了渦流反磁場對(duì)于原騷擾磁場的排斥作用,來抑制或抵消屏蔽體外的磁場。高頻磁場的屏蔽采用的是低電阻率的良導(dǎo)體材料,例如銅、鋁等。6.3磁屏蔽對(duì)于高頻磁場屏蔽:其屏蔽原理是利用電磁感應(yīng)現(xiàn)象6.3磁屏蔽開口或縫隙正確開口或縫隙不正確鐵磁材料MLLsrsUsIIs屏蔽線圈等效電路6.3磁屏蔽開口或縫隙正確開口或縫隙不正確鐵磁材料MLLs主要內(nèi)容電屏蔽6.16.26.36.4電磁屏蔽屏蔽及屏蔽效能磁屏蔽6.5薄膜屏蔽主要內(nèi)容電屏蔽6.16.26.36.4電磁屏蔽屏蔽及屏蔽效能6.4電磁屏蔽借助電路理論,即電磁感應(yīng)原理,通過渦流的屏蔽效應(yīng)闡述電磁屏蔽的機(jī)理;根據(jù)電磁場理論,計(jì)算電磁波在不同傳播媒質(zhì)的分界面及媒質(zhì)內(nèi)部傳輸時(shí)產(chǎn)生的反射與衰減;根據(jù)傳輸線理論,行波在有耗非均勻傳輸線中會(huì)產(chǎn)生反射和損耗,這與電磁波在通過金屬時(shí)的現(xiàn)象相似,用它計(jì)算屏蔽材料的反射與衰減。電磁屏蔽機(jī)理常用分析方法有三種:6.4電磁屏蔽借助電路理論,即電磁感應(yīng)原理,通過渦流的屏蔽6.4電磁屏蔽實(shí)心型電磁屏蔽的物理過程:
SE=A
R
B
(倍)SEdB=AdB+RdB+BdB(dB)A—吸收損耗(倍)R—反射損耗(倍)B—多次反射修正系數(shù)(倍)6.4電磁屏蔽實(shí)心型電磁屏蔽的物理過程:SE=A6.4電磁屏蔽吸收損耗(A)鋁銅鋼在1MHz以上,鋁、鋼和銅等金屬均可對(duì)平面電磁波提供良好的屏蔽效能6.4電磁屏蔽吸收損耗(A)鋁銅鋼在1MHz以上,鋁、鋼和6.4電磁屏蔽R=(Zs+Zw)2/(4ZsZw)反射損耗(R)RdB=20lgR(dB)Zw—自由空間的波阻抗Zs—金屬板的波阻抗良導(dǎo)體:在1MHz時(shí),銅對(duì)電磁波的波阻抗只有0.368?m!
6.4電磁屏蔽R=(Zs+Zw)2/(4ZsZ6.4電磁屏蔽反射損耗(R)R=(Zs+Zw)2/(4ZsZw)6.4電磁屏蔽反射損耗(R)R=(Zs+Zw)2/6.4電磁屏蔽6.4電磁屏蔽6.4電磁屏蔽B—多次反射修正系數(shù)(B)當(dāng)金屬板吸收損耗較大時(shí)(一般是A10
dB),多次反射修正系數(shù)可忽略。6.4電磁屏蔽B—多次反射修正系數(shù)(B)當(dāng)金屬板吸收損耗較主要內(nèi)容電屏蔽6.16.26.36.4電磁屏蔽屏蔽及屏蔽效能磁屏蔽6.5薄膜屏蔽主要內(nèi)容電屏蔽6.16.26.36.4電磁屏蔽屏蔽及屏蔽效能6.5薄膜屏蔽采用噴涂、真空沉積和粘貼等技術(shù)在塑料機(jī)箱上包覆一層導(dǎo)電薄膜。假定該導(dǎo)電薄膜的厚度為t,電磁波在導(dǎo)電薄膜中的傳播波長為t,若t
t/4,則稱這種屏蔽層為薄膜屏蔽。薄膜屏蔽的導(dǎo)電層很薄,吸收損耗幾乎可以忽略,屏蔽效能主要取決于反射損耗。吸收損耗(A)6.5薄膜屏蔽采用噴涂、真空沉積和粘貼等技術(shù)在塑料機(jī)箱上包6.5薄膜屏蔽銅薄膜屏蔽層的屏蔽效能計(jì)算值dB薄膜的屏蔽效能幾乎與頻率無關(guān)。多次反射修正系數(shù)將為一較大的負(fù)值,起著減少界面反射損耗的作用。只有當(dāng)屏蔽層厚度大于t/4時(shí),由于吸收損耗增加,多次反射修正系數(shù)趨于零,屏蔽效能才隨頻率升高而增加。6.5薄膜屏蔽銅薄膜屏蔽層的屏蔽效能計(jì)算值6.5薄膜屏蔽不同厚度的鋁、銅、金、銀、等薄膜的屏蔽效能與頻率的關(guān)系曲線6.5薄膜屏蔽不同厚度的鋁、銅、金、銀、等薄膜的屏蔽效能與6.5薄膜屏蔽微機(jī)塑料機(jī)殼導(dǎo)電噴涂層屏蔽效能的實(shí)測值dB6.5薄膜屏蔽微機(jī)塑料機(jī)殼導(dǎo)電噴涂層屏蔽效能的實(shí)測值習(xí)題6.1電屏蔽的實(shí)質(zhì)是什么?6.2一個(gè)用0.8
mm薄鋁板制成的完整屏蔽體,求該屏蔽體對(duì)頻率為1
MHz平面波場的屏蔽效能。習(xí)題6.1電屏蔽的實(shí)質(zhì)是什么?6屏蔽的基本原理6屏蔽的基本原理主要內(nèi)容電屏蔽6.16.26.36.4電磁屏蔽屏蔽及屏蔽效能磁屏蔽6.5薄膜屏蔽主要內(nèi)容電屏蔽6.16.26.36.4電磁屏蔽屏蔽及屏蔽效能6.1屏蔽及屏蔽效能抑制以場的形式造成干擾的有效方法是電磁屏蔽。所謂電磁屏蔽就是以某種材料(導(dǎo)電或?qū)Т挪牧希┲瞥傻钠帘螝んw(實(shí)體的或非實(shí)體的)將需要屏蔽的區(qū)域封閉起來,形成電磁隔離,即其內(nèi)的電磁場不能越出這一區(qū)域,而外來的輻射電磁場不能進(jìn)入這一區(qū)域(或者進(jìn)出該區(qū)域的電磁能量將受到很大的衰減)。電磁屏蔽的作用原理是利用屏蔽體對(duì)電磁能流的反射、吸收和引導(dǎo)作用。6.1屏蔽及屏蔽效能抑制以場的形式造成干擾的有效方法是電磁6.1屏蔽及屏蔽效能電磁屏蔽的類型電磁屏蔽靜電屏蔽交變電場屏蔽低頻磁場屏蔽高頻磁場屏蔽電場屏蔽磁場屏蔽電磁屏蔽6.1屏蔽及屏蔽效能電磁屏蔽的類型電磁屏蔽靜電屏蔽交變電場6.1屏蔽及屏蔽效能或或屏蔽效能的新定義:AndrewC.Marvin,etc.Aproposednewdefinitionandmeasurementoftheshieldingeffectofequipmentenclosures[J].IEEEtrans.onEMC46(3),459-468,20046.1屏蔽及屏蔽效能或或屏蔽效能的新定義:6.1屏蔽及屏蔽效能6.1屏蔽及屏蔽效能主要內(nèi)容電屏蔽6.16.26.36.4電磁屏蔽屏蔽及屏蔽效能磁屏蔽6.5薄膜屏蔽主要內(nèi)容電屏蔽6.16.26.36.4電磁屏蔽屏蔽及屏蔽效能6.2電屏蔽電屏蔽的實(shí)質(zhì)是減小兩個(gè)回路(或兩個(gè)元件、組件)間電場感應(yīng)的影響。電磁場理論表明,置于靜電場中的導(dǎo)體在靜電平衡的條件下,具有下列性質(zhì):導(dǎo)體內(nèi)部任何一點(diǎn)的電場為零;導(dǎo)體表面任何一點(diǎn)的電場強(qiáng)度矢量的方向與該點(diǎn)的導(dǎo)體平面垂直;整個(gè)導(dǎo)體是一個(gè)等位體;導(dǎo)體內(nèi)部沒有靜電荷存在,電荷只能分布在導(dǎo)體的表面上。6.2電屏蔽電屏蔽的實(shí)質(zhì)是減小兩個(gè)回路(或兩個(gè)元件、組件)+QAA+Q-Q+QBA+Q-QB(a)孤立帶電導(dǎo)體A(b)導(dǎo)體B包圍帶電導(dǎo)體A的情況(c)靜電屏蔽6.2電屏蔽(d)孤立屏蔽體置于外界場中(e)屏蔽體接地場的觀點(diǎn)看,電屏蔽的實(shí)質(zhì)是干擾源發(fā)出的電力線被終止于屏蔽體,從而切斷了干擾源與感受器之間電力線的交連。+QAA+Q-Q+QBA+Q-QB(a)孤立帶電導(dǎo)體A(b)6.2電屏蔽為減小UB,可增大C2,因此在電子設(shè)備中對(duì)一些敏感導(dǎo)線或元件應(yīng)貼近金屬板或地線布置;另一方面應(yīng)減小C1,在布局時(shí)使干擾源和感受器盡可能遠(yuǎn)離。6.2電屏蔽為減小UB,可增大C2,因此在電子設(shè)備中對(duì)一些6.2電屏蔽在A、B間加入屏蔽金屬板S以后,B的感應(yīng)電壓U'BS在下述情況下可能比無屏蔽時(shí)更大。當(dāng)屏蔽體離地較遠(yuǎn),使C3C4;若還有C3C2C5/(C2C5),則6.2電屏蔽在A、B間加入屏蔽金屬板S以后,B的感應(yīng)電壓U6.2電屏蔽如果把屏蔽金屬板良好接地,就可認(rèn)為C4,US0,因此U'BS0,即獲得良好的屏蔽效能。6.2電屏蔽如果把屏蔽金屬板良好接地,就可認(rèn)為C4,U6.2電屏蔽實(shí)際上由于屏蔽金屬板不是無限大,并非完全無縫隙的封閉體,在A、B間總還存在剩余電容C'1,由于C'1的作用,屏蔽后在B上的感應(yīng)電壓UBS為6.2電屏蔽實(shí)際上由于屏蔽金屬板不是無限大,并非完全無縫隙6.2電屏蔽另外,屏蔽體接地時(shí)總有接地阻抗存在,特別是當(dāng)屏蔽體通過中介導(dǎo)線接地時(shí),接地阻抗還與頻率有關(guān)。屏蔽體接地線在時(shí)變場作用下流過地電流時(shí),接地阻抗ZS的壓降使屏蔽體的電位US不為零,并隨著ZS的上升而增加;感受器B的感應(yīng)電壓UBS又隨US增加。從電路的觀點(diǎn)分析,屏蔽體起著減小干擾源和感受器之間分布電容的作用。6.2電屏蔽另外,屏蔽體接地時(shí)總有接地阻抗存在,特別是當(dāng)屏6.2電屏蔽電屏蔽設(shè)計(jì):屏蔽體必須良好接地正確選擇接地點(diǎn)合理設(shè)計(jì)屏蔽體的形狀注意屏蔽體材料的選擇6.2電屏蔽電屏蔽設(shè)計(jì):屏蔽體必須良好接地正確選擇接地點(diǎn)合主要內(nèi)容電屏蔽6.16.26.36.4電磁屏蔽屏蔽及屏蔽效能磁屏蔽6.5薄膜屏蔽主要內(nèi)容電屏蔽6.16.26.36.4電磁屏蔽屏蔽及屏蔽效能6.3磁屏蔽對(duì)于低頻磁場(包括恒定磁場)屏蔽:渦流的屏蔽作用很小;主要有賴于高磁導(dǎo)率材料所具有的高磁導(dǎo)率起磁分路作用。6.3磁屏蔽對(duì)于低頻磁場(包括恒定磁場)屏蔽:渦流的屏蔽作6.3磁屏蔽磁屏蔽是通過屏蔽盒(罩)的高磁導(dǎo)性能,即低磁阻來實(shí)現(xiàn)的。設(shè)計(jì)時(shí),需仔細(xì)考慮屏蔽體的接縫與孔洞的處理:合理布置接縫與磁場的相對(duì)方位(a)接縫切斷漏磁通(b)接縫順著漏磁通6.3磁屏蔽磁屏蔽是通過屏蔽盒(罩)的高磁導(dǎo)性能,即低磁阻6.3磁屏蔽正確布置通風(fēng)孔開口或縫隙正確開口或縫隙不正確鐵磁材料6.3磁屏蔽正確布置通風(fēng)孔開口或縫隙正確開口或縫隙不正確鐵6.3磁屏蔽合理的結(jié)構(gòu)與工藝接縫的連接工藝及結(jié)構(gòu)對(duì)屏蔽效能的影響較大,應(yīng)根據(jù)使用要求合理地設(shè)計(jì),常用的連接方式有熔焊、點(diǎn)焊、鉚釘和螺釘連接。熔焊時(shí)應(yīng)采用與本體材料相同的焊條,使接縫具有最佳的屏蔽性能。點(diǎn)焊和鉚接時(shí),在接縫處應(yīng)有足夠的重疊。螺釘連接時(shí),在交接處同樣應(yīng)有足夠的重疊和盡可能小的螺釘間距。磁屏蔽體在機(jī)械加工全部完成之后進(jìn)行退火處理。雙層磁屏蔽。6.3磁屏蔽合理的結(jié)構(gòu)與工藝接縫的連接工藝及結(jié)構(gòu)對(duì)屏蔽效能6.3磁屏蔽對(duì)于高頻磁場屏蔽:其屏蔽原理是利用電磁感應(yīng)現(xiàn)象在屏蔽體表面所產(chǎn)生的渦流的反磁場來達(dá)到屏蔽的目的,也就是說,利用了渦流反磁場對(duì)于原騷擾磁場的排斥作用,來抑制或抵消屏蔽體外的磁場。高頻磁場的屏蔽采用的是低電阻率的良導(dǎo)體材料,例如銅、鋁等。6.3磁屏蔽對(duì)于高頻磁場屏蔽:其屏蔽原理是利用電磁感應(yīng)現(xiàn)象6.3磁屏蔽開口或縫隙正確開口或縫隙不正確鐵磁材料MLLsrsUsIIs屏蔽線圈等效電路6.3磁屏蔽開口或縫隙正確開口或縫隙不正確鐵磁材料MLLs主要內(nèi)容電屏蔽6.16.26.36.4電磁屏蔽屏蔽及屏蔽效能磁屏蔽6.5薄膜屏蔽主要內(nèi)容電屏蔽6.16.26.36.4電磁屏蔽屏蔽及屏蔽效能6.4電磁屏蔽借助電路理論,即電磁感應(yīng)原理,通過渦流的屏蔽效應(yīng)闡述電磁屏蔽的機(jī)理;根據(jù)電磁場理論,計(jì)算電磁波在不同傳播媒質(zhì)的分界面及媒質(zhì)內(nèi)部傳輸時(shí)產(chǎn)生的反射與衰減;根據(jù)傳輸線理論,行波在有耗非均勻傳輸線中會(huì)產(chǎn)生反射和損耗,這與電磁波在通過金屬時(shí)的現(xiàn)象相似,用它計(jì)算屏蔽材料的反射與衰減。電磁屏蔽機(jī)理常用分析方法有三種:6.4電磁屏蔽借助電路理論,即電磁感應(yīng)原理,通過渦流的屏蔽6.4電磁屏蔽實(shí)心型電磁屏蔽的物理過程:
SE=A
R
B
(倍)SEdB=AdB+RdB+BdB(dB)A—吸收損耗(倍)R—反射損耗(倍)B—多次反射修正系數(shù)(倍)6.4電磁屏蔽實(shí)心型電磁屏蔽的物理過程:SE=A6.4電磁屏蔽吸收損耗(A)鋁銅鋼在1MHz以上,鋁、鋼和銅等金屬均可對(duì)平面電磁波提供良好的屏蔽效能6.4電磁屏蔽吸收損耗(A)鋁銅鋼在1MHz以上,鋁、鋼和6.4電磁屏蔽R=(Zs+Zw)2/(4ZsZw)反射損耗(R)RdB=20lgR(dB)Zw—自由空間的波阻抗Zs—金屬板的波阻抗良導(dǎo)體:在1MHz時(shí),銅對(duì)電磁波的波阻抗只有0.368?m!
6.4電磁屏蔽R=(Zs+Zw)2/(4ZsZ6.4電磁屏蔽反
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