2018-2019版化學(xué)新導(dǎo)學(xué)筆記蘇教選修三通用版講義：專題3 第二單元 離子鍵　離子晶體

學(xué)必求其心得，業(yè)必貴于專精學(xué)必求其心得，業(yè)必貴于專精學(xué)必求其心得，業(yè)必貴于專精第二單元離子鍵離子晶體[學(xué)習(xí)目標(biāo)定位]1.正確理解離子鍵、離子晶體的概念，知道離子晶體類型與其性質(zhì)的聯(lián)系.2.認(rèn)識(shí)晶格能的概念和意義，能根據(jù)晶格能的大小，會(huì)分析晶體的性質(zhì)。一、離子鍵的形成1．形成過程2．特征(1）沒有方向性：離子鍵的實(shí)質(zhì)是靜電作用,離子的電荷分布通常被看成是球形對稱的，因此一種離子對帶異性電荷離子的吸引作用與其所處的方向無關(guān)。(2）沒有飽和性：在離子化合物中，每個(gè)離子周圍最鄰近的帶異性電荷離子數(shù)目的多少，取決于陰、陽離子的相對大小.只要空間條件允許,陽離子將吸引盡可能多的陰離子排列在其周圍，陰離子也將吸引盡可能多的陽離子排列在其周圍，以達(dá)到降低體系能量的目的。(1）離子鍵的存在只存在于離子化合物中：大多數(shù)鹽、強(qiáng)堿、活潑金屬氧化物(過氧化物如Na2O2)、氫化物(如NaH和NH4H)等.（2）離子鍵的實(shí)質(zhì)是“靜電作用”。這種靜電作用不僅是靜電引力，而是指陰、陽離子之間靜電吸引力與電子與電子之間、原子核與原子核之間的排斥力處于平衡時(shí)的總效應(yīng).(3)成鍵條件:成鍵元素的原子得、失電子的能力差別很大，電負(fù)性差值大于1.7。例1具有下列電子排布的原子中最難形成離子鍵的是（)A．1s22s22p2 B．1s22s22p5C．1s22s22p63s2 D．1s22s22p63s1答案A解析形成離子鍵的元素為活潑金屬元素與活潑非金屬元素,A為C元素，B為F元素，C為Mg元素，D為Na元素，則只有A項(xiàng)碳元素既難失電子，又難得電子，不易形成離子鍵。例2下列關(guān)于離子鍵的說法中錯(cuò)誤的是（)A．離子鍵沒有方向性和飽和性B．非金屬元素組成的物質(zhì)也可以含離子鍵C．形成離子鍵時(shí)離子間的靜電作用包括靜電吸引和靜電排斥D．因?yàn)殡x子鍵無飽和性，故一種離子周圍可以吸引任意多個(gè)帶異性電荷的離子答案D解析活潑金屬和活潑非金屬元素原子間易形成離子鍵,但由非金屬元素組成的物質(zhì)也可含離子鍵，如銨鹽，B項(xiàng)正確;離子鍵無飽和性，體現(xiàn)在一種離子周圍可以盡可能多地吸引帶異性電荷的離子,但也不是任意的,因?yàn)檫@個(gè)數(shù)目還要受兩種離子的半徑比(即空間條件是否允許）和個(gè)數(shù)比的影響,D項(xiàng)錯(cuò)誤。易錯(cuò)警示(1)金屬與非金屬形成的化學(xué)鍵有可能是共價(jià)鍵，如AlCl3.（2）完全由非金屬元素形成的化合物中有可能含離子鍵，如NH4Cl、NH4H，一定有共價(jià)鍵。(3）離子鍵不具有飽和性是相對的,每種離子化合物的組成和結(jié)構(gòu)是一定的，而不是任意的.二、離子晶體1．概念及結(jié)構(gòu)特點(diǎn)(1)概念：陰、陽離子通過離子鍵結(jié)合而形成的晶體.(2)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)①構(gòu)成微粒：陰離子和陽離子，離子晶體中不存在單個(gè)分子，其化學(xué)式表示的是離子的個(gè)數(shù)比。②微粒間的作用力:離子鍵。2．晶格能（U）(1)概念：拆開1_mol離子晶體形成氣態(tài)陰離子和氣態(tài)陽離子所吸收的能量.(2)影響因素：離子晶體中離子半徑越小，所帶電荷越多,晶格能越大.(3）晶格能與晶體物理性質(zhì)的關(guān)系:晶格能越大，離子鍵穩(wěn)定性越強(qiáng),離子晶體的熔、沸點(diǎn)越高，硬度越大。3．離子晶體的結(jié)構(gòu)（1)配位數(shù):離子晶體中一個(gè)離子周圍最鄰近的異電性離子的數(shù)目，叫做離子的配位數(shù)。（2）觀察分析表中AB型離子晶體的結(jié)構(gòu)模型,填寫下表:晶體結(jié)構(gòu)模型配位數(shù)Cl－和Na＋配位數(shù)都為6Cl－和Cs＋配位數(shù)都為8Zn2＋和S2－配位數(shù)都為4晶胞中微粒數(shù)Na＋、Cl－都為4Cs＋、Cl－都為1Zn2＋、S2－都為4陰、陽離子個(gè)數(shù)比1∶11∶11∶1化學(xué)式NaClCsClZnS符合類型Li、Na、K、Rb的鹵化物，AgF、MgO等CsBr、CsI、NH4Cl等BeO、BeS等4。離子晶體的性質(zhì)(1)熔點(diǎn)較高，硬度較大。(2）離子晶體不導(dǎo)電,但熔化或溶于水后能導(dǎo)電。（3）大多數(shù)離子晶體能溶于水，難溶于有機(jī)溶劑。影響離子晶體配位數(shù)的因素(1)離子半徑因素：eq\f（r＋，r－)的值不同，晶體中離子的配位數(shù)不同，其晶體結(jié)構(gòu)不同.eq\f（r＋，r－）數(shù)值越大,離子的配位數(shù)越多.（2)電荷因素:AB型離子晶體的陰、陽離子的配位數(shù)相等；ABn型離子晶體的A、B離子的配位數(shù)比值為n∶1。例3下列性質(zhì)適合于離子晶體的是（）A．熔點(diǎn)1070℃，易溶于水，水溶液能導(dǎo)電B．熔點(diǎn)10.31℃，液態(tài)不導(dǎo)電，水溶液能導(dǎo)電C．能溶于CS2,熔點(diǎn)112。8℃，沸點(diǎn)444。6℃D．熔點(diǎn)97.81℃，質(zhì)軟，導(dǎo)電，密度0.97g·cm－3答案A解析離子晶體在液態(tài)(即熔融態(tài))導(dǎo)電，B項(xiàng)錯(cuò)誤；CS2是非極性溶劑，根據(jù)相似相溶規(guī)律,C項(xiàng)錯(cuò)誤；由于離子晶體質(zhì)硬易碎,且固態(tài)不導(dǎo)電，D項(xiàng)錯(cuò)誤。方法規(guī)律-—離子晶體的判斷方法（1)依據(jù)組成晶體的微粒和微粒間的作用力判斷。（2)依據(jù)物質(zhì)類別判斷?；顫娊饘傺趸?，強(qiáng)堿和絕大多數(shù)鹽類是離子晶體。(3)依據(jù)導(dǎo)電性判斷.離子晶體溶于水和熔融狀態(tài)下均導(dǎo)電。（4)依據(jù)熔、沸點(diǎn)和溶解性判斷。離子晶體熔、沸點(diǎn)較高,多數(shù)能溶于水，難溶于有機(jī)溶劑。例4下列關(guān)于晶格能的敘述中正確的是()A．晶格能僅與形成晶體中的離子所帶電荷數(shù)有關(guān)B．晶格能僅與形成晶體的離子半徑有關(guān)C．晶格能是指相鄰的離子間的靜電作用D．晶格能越大的離子晶體，其熔點(diǎn)越高答案D解析晶格能與離子所帶電荷數(shù)的乘積成正比,與陰、陽離子半徑的大小成反比，A、B項(xiàng)錯(cuò)誤；晶格能越大，離子晶體的熔、沸點(diǎn)越高，硬度也越大，D項(xiàng)正確.例5一種離子晶體的晶胞如圖所示。其中陽離子A以表示，陰離子B以表示.關(guān)于該離子晶體的說法正確的是(）A．陽離子的配位數(shù)為8,化學(xué)式為ABB．陰離子的配位數(shù)為4，化學(xué)式為A2BC．每個(gè)晶胞中含4個(gè)AD．每個(gè)A周圍有4個(gè)與它等距且最近的A答案C解析用均攤法可知，晶胞中含有陽離子數(shù)為8×eq\f(1，8）＋6×eq\f(1,2）＝4;陰離子顯然是8個(gè),故化學(xué)式為AB2，A、B項(xiàng)錯(cuò)誤;每個(gè)A周圍與它等距且最近的A有12個(gè)，D項(xiàng)錯(cuò)誤。離子晶體eq\b\lc\{\rc\(\a\vs4\al\co1（構(gòu)成微粒:陰、陽離子,微粒間作用:離子鍵，堆積形式：非等徑圓球密堆積,物理性質(zhì):與晶格能有關(guān)，典型例子：NaCl、CsCl））1．僅由下列各組元素所構(gòu)成的化合物,不可能形成離子晶體的是（)A．H、O、S B．Na、H、OC．K、Cl、O D．H、N、Cl答案A解析強(qiáng)堿、活潑金屬氧化物、絕大多數(shù)鹽等是離子晶體.B項(xiàng)如NaOH、C項(xiàng)如KClO、D項(xiàng)如NH4Cl。2．下列性質(zhì)中，可以充分說明某晶體是離子晶體的是(）A．具有較高的熔點(diǎn)B．固態(tài)不導(dǎo)電，水溶液能導(dǎo)電C．可溶于水D．固態(tài)不導(dǎo)電，熔融狀態(tài)能導(dǎo)電答案D解析從熔點(diǎn)來看，離子晶體一般具有較高的熔點(diǎn)，但金剛石、石英等原子晶體也有很高的熔點(diǎn)，A項(xiàng)錯(cuò)誤；某些共價(jià)化合物也能溶于水，溶于水后也能導(dǎo)電,例如HCl等，B項(xiàng)錯(cuò)誤;從溶解性上看，蔗糖、葡萄糖等分子晶體也可溶于水,C項(xiàng)錯(cuò)誤;固態(tài)不導(dǎo)電，熔融狀態(tài)能導(dǎo)電說明固態(tài)中原本有陰、陽離子，只是不能自由移動(dòng)，而由陰、陽離子構(gòu)成的晶體一定是離子晶體。3．下列關(guān)于NaCl晶體結(jié)構(gòu)的說法中正確的是（）A．NaCl晶體中，陰、陽離子的配位數(shù)相等B．NaCl晶體中，每個(gè)Na＋周圍吸引1個(gè)Cl－C．NaCl晶胞中的質(zhì)點(diǎn)代表一個(gè)NaClD．NaCl晶體中存在單個(gè)的NaCl分子答案A解析氯化鈉晶體中，每個(gè)Na＋周圍結(jié)合6個(gè)Cl－，而每個(gè)Cl－周圍結(jié)合6個(gè)Na＋；NaCl只表示Na＋和Cl－個(gè)數(shù)比為1∶1。4．下列熱化學(xué)方程式中，能直接表示出氯化鈉晶體晶格能的是（）A．Na＋（g)＋Cl－(g）=NaCl(s）ΔHB．Na(s)＋eq\f（1，2)Cl2(g）=NaCl（s)ΔH1C．Na（g）－e－=Na＋（g)ΔH2D．Cl（g)＋e－=Cl－（g)ΔH3答案A解析1mol氣態(tài)鈉離子和1mol氣態(tài)氯離子結(jié)合生成1mol氯化鈉晶體釋放出的熱能為氯化鈉晶體的晶格能，所以熱化學(xué)方程式中,能直接表示出氯化鈉晶體晶格能的是Na＋（g)＋Cl－(g)=NaCl（s）ΔH，故選A.5．氧化鈣在2973K時(shí)熔化，而氯化鈉在1074K時(shí)熔化，兩者的離子間距離和晶體結(jié)構(gòu)都類似，有關(guān)它們?nèi)埸c(diǎn)差別較大的原因敘述不正確的是（）A．氧化鈣晶體中陰、陽離子所帶的電荷數(shù)多B．氧化鈣的晶格能比氯化鈉的晶格能大C．氧化鈣晶體的結(jié)構(gòu)類型與氯化鈉晶體的結(jié)構(gòu)類型不同D．在氧化鈣與氯化鈉的離子間距離類似的情況下,晶格能主要由陰、陽離子所帶電荷的多少?zèng)Q定答案C解析CaO和NaCl都屬于離子晶體，熔點(diǎn)的高低可根據(jù)晶格能的大小判斷。晶格能的大小與離子所帶電荷多少、離子間距離、晶體結(jié)構(gòu)類型等因素有關(guān)。CaO和NaCl的離子間距離和晶體結(jié)構(gòu)都類似，故晶格能主要由陰、陽離子所帶電荷的多少?zèng)Q定.6．同類晶體物質(zhì)熔、沸點(diǎn)的變化是有規(guī)律的,試分析下列兩組物質(zhì)熔點(diǎn)規(guī)律性變化的原因：物質(zhì)ANaClKClCsCl熔點(diǎn)/K10741049918物質(zhì)BNaMgAl熔點(diǎn)/K317923933晶體熔、沸點(diǎn)的高低,決定于組成晶體微粒間的作用力的大小。A組是______晶體，晶體微粒之間通過________相連,粒子之間的作用力由大到小的順序是________.B組晶體屬于____________晶體，外圍電子數(shù)由少到多的順序是__________，離子半徑由大到小的順序是______________，金屬鍵由弱到強(qiáng)的順序?yàn)開_____________。答案離子離子鍵NaCl>KCl>CsCl金屬Na〈Mg<AlNa＋>Mg2＋〉A(chǔ)l3＋Na〈Mg〈Al解析A組NaCl、KCl、CsCl為同一主族的鹵化物且為離子化合物，故熔點(diǎn)與離子鍵的強(qiáng)弱有關(guān)，離子鍵越弱，熔點(diǎn)越低。而Na＋、K＋、Cs＋的離子半徑逐漸增大，故Na＋與Cl－、K＋與Cl－、Cs＋與Cl－的離子鍵逐漸減弱，NaCl、KCl、CsCl的熔點(diǎn)依次降低；而B組中Na、Mg、Al是金屬晶體且外圍電子數(shù)依次增多,離子半徑逐漸減小，因此金屬原子核對外層電子束縛能力越來越大，形成的金屬鍵越來越牢固，故熔點(diǎn)依次升高。[對點(diǎn)訓(xùn)練］題組一正確理解離子鍵的概念1．下列說法不正確的是(）A．靜電作用只有引力B．離子鍵的實(shí)質(zhì)是靜電作用C．離子鍵沒有方向性和飽和性D．離子鍵雖然沒有飽和性，但離子晶體中陰、陽離子的個(gè)數(shù)比并不是任意的答案A2．下列敘述正確的是(）A．帶相反電荷離子之間的相互吸引稱為離子鍵B．金屬元素和非金屬元素化合時(shí)不一定形成離子鍵C．原子最外層只有1個(gè)電子的主族元素與鹵素所形成的化學(xué)鍵一定是離子鍵D．非金屬元素形成的化合物中不可能含有離子鍵答案B解析離子鍵的本質(zhì)是陰、陽離子之間的靜電作用，靜電作用包括靜電引力和靜電斥力,A項(xiàng)不正確；活潑金屬與活潑非金屬容易形成離子鍵，一般當(dāng)成鍵原子所屬元素的電負(fù)性差值小于1。7時(shí)，原子間不易形成離子鍵,如AlCl3和BeCl2中金屬與非金屬原子形成共價(jià)鍵，B項(xiàng)正確;原子最外層只有1個(gè)電子的主族元素包括H元素和堿金屬元素,H元素與鹵素形成共價(jià)鍵，C項(xiàng)不正確;由非金屬元素形成的化合物中可能含有離子鍵，如銨鹽中NHeq\o\al（＋，4）與陰離子形成離子鍵。3．離子鍵的強(qiáng)弱主要決定于離子的半徑和離子所帶電荷數(shù)。一般規(guī)律是:離子半徑越小，離子電荷值越大，則離子鍵越強(qiáng)。K2O、MgO、CaO三種物質(zhì)中離子鍵由強(qiáng)到弱的順序是(）A．K2O、MgO、CaO B．MgO、K2O、CaOC．MgO、CaO、K2O D．CaO、MgO、K2O答案C解析離子鍵的強(qiáng)弱主要決定于離子的半徑和離子所帶電荷數(shù)。一般規(guī)律是：離子半徑越小,＋＞K＋,所以離子鍵由強(qiáng)到弱的順序?yàn)镸gO、CaO、K2O,故選C。題組二離子晶體的主要性質(zhì)與晶格能4．根據(jù)下列實(shí)驗(yàn)事實(shí),能確定某晶體一定是離子晶體的是（)A．晶體熔點(diǎn)達(dá)2500℃B．晶體固態(tài)不導(dǎo)電，溶于水導(dǎo)電C．晶體固態(tài)不導(dǎo)電,熔融能導(dǎo)電D．溫度越高，溶解度越大答案C5．下列關(guān)于晶格能的說法中正確的是()A．晶格能指形成1mol離子鍵所放出的能量B．晶格能指破壞1mol離子鍵所吸收的能量C．晶格能指1mol離子化合物中的陰、陽離子由相互遠(yuǎn)離的氣態(tài)離子結(jié)合成離子晶體時(shí)所放出的能量D．晶格能的大小與晶體的熔點(diǎn)、硬度都無關(guān)答案C6．堿金屬鹵化物是典型的離子晶體，它的晶格能與eq\f（1,d0)成正比（d0是晶體中最鄰近的導(dǎo)電性離子的核間距）。下面說法錯(cuò)誤的是（)晶格能/kJ·mol－1離子半徑/pm①LiFLiClLiBrLiI1031845807752Li＋Na＋K＋6095133②NaFNaClNaBrNaI915777740693F－Cl－Br－I－136181195216③KFKClKBrKI812708676641A。晶格能的大小與離子半徑成反比B．陽離子相同陰離子不同的離子晶體，陰離子半徑越大，晶格能越小C．陽離子不同陰離子相同的離子晶體，陽離子半徑越小，晶格能越大D．金屬鹵化物晶體中，晶格能越小，氧化性越強(qiáng)答案D解析由表中數(shù)據(jù)可知晶格能的大小與離子半徑成反比,A項(xiàng)正確；由NaF、NaCl、NaBr、NaI晶格能的大小即可確定B項(xiàng)正確；由LiF、NaF、KF晶格能的大小即可確定C項(xiàng)正確；表中晶格能最小的碘化物，因還原性F－<Cl－<Br－<I－，可知D項(xiàng)錯(cuò)誤。7．下列有關(guān)離子晶體的數(shù)據(jù)大小比較不正確的是(）A．熔點(diǎn)：NaF〉MgF2〉A(chǔ)lF3B．晶格能：NaF〉NaCl〉NaBrC．陰離子的配位數(shù):CsCl〉NaCl>CaF2D．硬度：MgO〉CaO〉BaO答案A＋)〉r（Mg2＋)>r(Al3＋），且Na＋、Mg2＋、Al3＋所帶電荷數(shù)依次增大，所以NaF、MgF2、AlF3的離子鍵依次增強(qiáng)，晶格能依次增大，故熔點(diǎn)依次升高.r（F－）〈r(Cl－）〈r（Br－)，故NaF、NaCl、NaBr的晶＋)，故MgO、CaO、BaO中離子鍵依次減弱，晶格能依次減小，硬度依次減小。8．已知金屬鈉能與兩種鹵族元素形成化合物Q、P,它們的晶格能分別為923kJ·mol－1、786kJ·mol－1，下列有關(guān)說法中不正確的是（)A．Q的熔點(diǎn)比P的高B．若P是NaCl，則Q一定是NaFC．Q中成鍵離子核間距較小D．若P是NaCl，則Q可能是NaBr答案D解析Q的晶格能大于P的晶格能,故Q的熔點(diǎn)比P高，A項(xiàng)正確；因F－的半徑比Cl－的小(其他鹵素離子的半徑比Cl－的大)，故NaF的晶格能大于NaCl的，故B項(xiàng)正確，D項(xiàng)錯(cuò)誤；因Q、P中成鍵離子均為一價(jià)離子，電荷數(shù)相同，故晶格能的差異是由成鍵離子核間距決定的,晶格能越大，表明核間距越小，C項(xiàng)正確。題組三離子晶體的結(jié)構(gòu)及其特征9．下列關(guān)于CaF2的表述正確的是()A．Ca2＋與F－間僅存在靜電吸引作用B．F－的離子半徑小于Cl－，則CaF2的熔點(diǎn)低于CaCl2C．陰、陽離子比為2∶1的物質(zhì)，均與CaF2晶體構(gòu)型相同D．CaF2中的化學(xué)鍵為離子鍵，因此CaF2在熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電答案D－的離子半徑小于Cl－，所以CaF2晶體的晶格能大，則CaF2的熔點(diǎn)高于CaCl2，B錯(cuò)誤；晶體構(gòu)型還與離子的大小有關(guān),所以陰、陽離子比為2∶1的物質(zhì)，不一定與CaF2晶體構(gòu)型相同，C錯(cuò)誤；CaF2中的化學(xué)鍵為離子鍵，CaF2在熔融狀態(tài)下發(fā)生電離，因此CaF2在熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電，D正確.10．元素X的某價(jià)態(tài)離子Xn＋中所有電子正好充滿K、L、M三個(gè)電子層，它與N3－形成的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說法中錯(cuò)誤的是（）A．Xn＋的核外電子數(shù)為19B．該晶體中陽離子與陰離子個(gè)數(shù)比為3∶1C．Xn＋中n＝1D．晶體中每個(gè)Xn＋周圍有2個(gè)等距離且最近的N3－答案A解析本題主要考查晶體的結(jié)構(gòu).利用切割法可確定該晶體的化學(xué)式,N3－的個(gè)數(shù)為8×eq\f（1,8)＝1個(gè)，Xn＋的個(gè)數(shù)為12×eq\f（1，4)＝3個(gè)，即晶體的化學(xué)式為X3N，根據(jù)電荷守恒可以確定Xn＋中n＝1，由Xn＋中所有電子正好充滿K、L、M三個(gè)電子層，知Xn＋為Cu＋，其核外電子數(shù)為28，晶體中與Cu＋等距離且最近的N3－有2個(gè)。綜上分析可知A項(xiàng)錯(cuò)誤。11．如圖是NaCl晶體的一個(gè)晶胞的結(jié)構(gòu)模型。KO2的晶體結(jié)構(gòu)與NaCl相似,KO2可以看作是Na＋的位置用K＋代替,Cl－的位置用Oeq\o\al(－，2)代替，則下列對于KO2晶體結(jié)構(gòu)的描述不正確的是（）A．與K＋距離相等且最近的K＋有8個(gè)B．與K＋距離相等且最近的Oeq\o\al(－，2）共有6個(gè)C．一個(gè)KO2晶胞中的K＋和Oeq\o\al（－，2）粒子數(shù)均為4個(gè)D．與K＋距離相等且最近的Oeq\o\al(－,2)構(gòu)成的多面體是正八面體答案A＋距離最近，共4×3＝12個(gè)，錯(cuò)誤；B項(xiàng)，K＋位于晶胞棱心,與K＋距離相等且最近的Oeq\o\al(－,2）位于頂點(diǎn)和面心，共有6個(gè),正確；C項(xiàng)，K＋位于晶胞棱心和體心，數(shù)目為12×eq\f（1,4）＋1＝4，Oeq\o\al(－,2)位于頂點(diǎn)和面心，數(shù)目為8×eq\f（1,8)＋6×eq\f（1,2）＝4，即一個(gè)KO2晶胞中攤得的K＋和Oeq\o\al（－，2)粒子數(shù)均為4個(gè)，正確；D項(xiàng)，與K＋距離相等且最近的Oeq\o\al(－，2）共有6個(gè)，構(gòu)成正八面體,K＋位于正八面體中心,正確.12。如圖是氯化銫晶體的晶胞(晶體中最小的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元)示意圖，已知晶體中2個(gè)最近的Cs＋核間距為acm，氯化銫(CsCl)的相對分子質(zhì)量為M,NA為阿伏加德羅常數(shù)，則氯化銫晶體的密度為（)A。eq\f(8M，NAa3)g·cm－3 B.eq\f(Ma3,8NA）g·cm－3C.eq\f(M，NAa3）g·cm－3 D。eq\f(Ma3，NA)g·cm－3答案C解析ρ＝eq\f(m,V）＝eq\f(\f(M,NA）×1,a3）g·cm－3＝eq\f(M，NAa3)g·cm－3。[綜合強(qiáng)化]13．金屬鎳及其化合物在合金材料以及催化劑等方面應(yīng)用廣泛。請回答下列問題：(1）Ni原子的核外電子排布式為________________。pm，則熔點(diǎn)NiO________FeO（填“<"或“〉”）。（3）NiO晶胞中Ni和O的配位數(shù)分別為____________、__________。（4)金屬鎳與鑭(La)形成的合金是一種良好的儲(chǔ)氫材料,其晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如圖所示。該合金的化學(xué)式為_________________________________________________________。答案（1)1s22s22p63s23p63d84s2或［Ar]3d84s2(2)〉（3）66（4)LaNi5解析（1）核外電子排布式與價(jià)電子排布式要區(qū)別開。（2）NiO、FeO都屬于離子晶體，熔點(diǎn)高低受離子鍵強(qiáng)弱影響，離子半徑越小，離子鍵越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高。(3)因?yàn)镹iO晶體結(jié)構(gòu)與NaCl的相同，而NaCl晶體中Na＋、Cl－的配位數(shù)都是6，所以，NiO晶體中Ni2＋、O2－的配位數(shù)也均是6。(4)根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可計(jì)算,一個(gè)合金晶胞中，La原子數(shù)＝8×eq\f(1,8)＝1，Ni原子數(shù)＝1＋8×eq\f（1,2）＝5。所以該合金的化學(xué)式為LaNi5。14．已知有關(guān)物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)數(shù)據(jù)如下表：物質(zhì)MgOAl2O3MgCl2AlCl3熔點(diǎn)/℃28522072714190(2。6×105Pa)沸點(diǎn)/℃360029801412182。7(1）MgCl2的熔點(diǎn)遠(yuǎn)高于AlCl3熔點(diǎn)的原因是___________________________________________________________________________________________________________.(2）工業(yè)上常用電解熔融MgCl2的方法生產(chǎn)金屬鎂，用電解Al2O3與冰晶石熔融混合物的方法生產(chǎn)鋁.為什么不用電解MgO的方法生產(chǎn)鎂,也不用電解AlCl3的方法生產(chǎn)鋁？________________________________________________________________________________.(3）MgO的熔點(diǎn)比BaO的熔點(diǎn)________(填“高”或“低"）。(4)設(shè)計(jì)可靠的實(shí)驗(yàn)證明MgCl2、AlCl3所屬的晶體類型，其實(shí)驗(yàn)方法是_____________________________________________________________________________________。答案(1)MgCl2是離子晶體,AlCl3是分子晶體，離子鍵的強(qiáng)度遠(yuǎn)大于分子間作用力（2）氧化鎂晶體比氯化鎂晶體晶格能大,熔點(diǎn)高，電解時(shí)消耗電能大.AlCl3不是離子晶體，熔融時(shí)不能導(dǎo)電，因而不能用電解AlCl3的方法生產(chǎn)鋁(3)高(4)將兩晶體加熱到熔融狀態(tài)，MgCl2能導(dǎo)電，AlCl3不能導(dǎo)電，證明AlCl3為分子晶體，MgCl2為離子晶體解析(1）MgCl2是離子晶體，陰、陽離子間以離子鍵結(jié)合，離子間作用力強(qiáng)；AlCl3為共價(jià)化合物，分子間作用力弱，所以MgCl2