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第02章晶體三極管已修改第02章晶體三極管已修改第02章晶體三極管已修改N+NP集電結(jié)Jc發(fā)射結(jié)Je發(fā)射極e集電極c基極b發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)P+發(fā)射區(qū)N基區(qū)P集電區(qū)發(fā)射極e基極b集電極c二、三極管結(jié)構(gòu)示意圖及電路符號NPN管PNP管三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)特點(diǎn):發(fā)射區(qū)高摻雜;基區(qū)很薄;集電結(jié)面積大。結(jié)構(gòu)示意圖:電路符號::2.0概述:2020/12/202第02章晶體三極管已修改第02章晶體三極管已修改第02章晶體1N+NP集電結(jié)Jc發(fā)射結(jié)Je發(fā)射極e集電極c基極b發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)P+發(fā)射區(qū)N基區(qū)P集電區(qū)發(fā)射極e基極b集電極c二、三極管結(jié)構(gòu)示意圖及電路符號NPN管PNP管三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)特點(diǎn):發(fā)射區(qū)高摻雜;基區(qū)很薄;集電結(jié)面積大。結(jié)構(gòu)示意圖:電路符號::2.0概述:2023/1/32N+NP集電結(jié)Jc發(fā)射結(jié)Je發(fā)射極e集電極c基極b發(fā)射區(qū)集電從結(jié)構(gòu)看:從電路符號看:無論是NPN還是PNP管,都有兩個(gè)PN結(jié),三個(gè)區(qū),三個(gè)電極。除了發(fā)射極上的箭頭方向不同外,其他都相同,但箭頭方向都是由P指向N,即PN結(jié)的正向電流方向。2.0概述:2023/1/33從結(jié)構(gòu)看:從電路符號看:無論是NPN還是PNP管,都三、三極管的工作狀態(tài)及其外部工作條件發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏:放大模式發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏:飽和模式發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏:截止模式(最常用)(用于開關(guān)電路中)2.0概述:放大模式截止模式放大模式+5V+0.7V0V+12V+2V+12V0V-5.3V-6V-5V-5.7V-5.3V飽和模式NPNPNPNPNNPN2023/1/34三、三極管的工作狀態(tài)及其外部工作條件發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏:總結(jié):
在放大電路中三極管主要工作于放大狀態(tài),即要求,發(fā)射結(jié)正偏(正偏壓降近似等于其PN結(jié)的導(dǎo)通壓降),集電結(jié)反偏(反偏壓降遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于其導(dǎo)通電壓才行)。對NPN管各極電位間要求:對PNP管各極電位間要求:Ve<Vb<
VcVe>Vb>Vc2.0概述:2023/1/35總結(jié):在放大電路中三極管主要工作于放大狀態(tài),即要求,發(fā)射2.1.1放大模式下晶體三極管的工作原理IEnIBpICBOIBnICnIEICIBJe正偏,以擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)為主Jc反偏,以漂移運(yùn)動(dòng)為主2.1放大模式下晶體三極管的工作原理及電路模型2023/1/362.1.1放大模式下晶體三極管的工作原理IEnIBpIC常用Icn和IE的比值來衡量管子的質(zhì)量令
β表示,受發(fā)射結(jié)電壓控制的基極電流IB對集電極電流IC的控制能力。2.1.1放大模式下晶體三極管的工作原理:IEnIBpICBOIBnICnIEICIB2023/1/37常用Icn和IE的比值來衡量管子的質(zhì)量令β表示,受發(fā)三極管特性——具有正向受控作用在放大狀態(tài)下的三極管輸出的集電極電流IC
,主要受正向發(fā)射結(jié)電壓VBE的控制,而與反向集電結(jié)電壓VCE近似無關(guān)。2.1.1放大模式下晶體三極管的工作原理:IEnIBpICBOIBnICnIEICIB2023/1/38三極管特性——具有正向受控作用在放大狀態(tài)下的三極管輸出發(fā)射結(jié)正偏:保證發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射多子。發(fā)射區(qū)摻雜濃度>>基區(qū):減少基區(qū)向發(fā)射區(qū)發(fā)射的多子,提高發(fā)射效率。基區(qū)的作用:將發(fā)射到基區(qū)的多子,自發(fā)射結(jié)傳輸?shù)郊娊Y(jié)邊界?;鶇^(qū)很?。嚎蓽p少多子傳輸過程中在基區(qū)的復(fù)合機(jī)會(huì),保證絕大部分載流子擴(kuò)散到集電結(jié)邊界。集電結(jié)反偏、且集電結(jié)面積大:保證擴(kuò)散到集電結(jié)邊界的載流子全部漂移到集電區(qū),形成受控的集電極電流。IEnIBpICBOIBnICnIEICIB2.1.1放大模式下晶體三極管的工作原理:2023/1/39發(fā)射結(jié)正偏:保證發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射多子。發(fā)射區(qū)摻雜濃度>>基區(qū)注意:NPN型管與PNP型管工作原理相似,但由于它們形成電流的載流子性質(zhì)不同,結(jié)果導(dǎo)致各極電流方向相反,加在各極上的電壓極性相反。V1PNN+V2-+-+IEICIBNPP+V2V1+
-+
-IEICIB2.1.1放大模式下晶體三極管的工作原理:2023/1/310注意:NPN型管與PNP型管工作原理相似,但由于它們形成電流觀察輸入信號作用在那個(gè)電極上,輸出信號從那個(gè)電極取出,此外的另一個(gè)電極即為組態(tài)形式。2.1.2電流傳輸方程三極管的三種連接方式——三種組態(tài)BCEBTICIEECBETICIBCEBCTIEIB(共發(fā)射極)(共基極)(共集電極)放大電路的組態(tài)是針對交流信號而言的。2023/1/311觀察輸入信號作用在那個(gè)電極上,輸出信號從那個(gè)電極取出,此外共基極直流電流傳輸方程BCEBTICIE共基極直流電流傳輸系數(shù):
直流電流傳輸方程:共發(fā)射極直流電流傳輸方程ECBETICIB直流電流傳輸方程:其中:2023/1/312共基極直流電流傳輸方程BCEBTICIE共基極直流電流傳輸?shù)奈锢砗x:表示,受發(fā)射結(jié)電壓控制的復(fù)合電流IBB,對集電極正向受控電流ICn的控制能力。若忽略ICBO,則:ECBETICIB可見,為共發(fā)射極電流放大系數(shù)。2023/1/313的物理含義:表示,受發(fā)射結(jié)電壓控制的復(fù)合電流IICEO的物理含義:
ICEO指基極開路時(shí),集電極直通到發(fā)射極的電流。
∵
IB=0IEPICBOICnIEn+_VCENPN+CBEICEOIB=0∴
IEp+(IEn-ICn)=IE-ICn
=ICBO因此:即:2023/1/314ICEO的物理含義:ICEO指基極開路時(shí),集電極直通到發(fā)三極管的正向受控作用,服從指數(shù)函數(shù)關(guān)系式:數(shù)學(xué)模型(指數(shù)模型)IS指發(fā)射結(jié)反向飽和電流IEBS轉(zhuǎn)化到集電極上的電流值,它不同于二極管的反向飽和電流IS。式中:2.1.3放大模式下三極管的模型:2023/1/315三極管的正向受控作用,服從指數(shù)函數(shù)關(guān)系式:數(shù)學(xué)模型(指數(shù)放大模式直流簡化電路模型電路模型VBE+-ECBEICIBIBECBETICIB共發(fā)射極直流簡化電路模型VBE(on)ECBEICIBIB+-VBE(on)為發(fā)射結(jié)導(dǎo)通電壓,工程上一般?。汗韫躒BE(on)=0.7V鍺管VBE(on)=0.25V2023/1/316放大模式直流簡化電路模型電路模型VBE+ECBEICIBI
三極管參數(shù)的溫度特性溫度每升高1C,?
/
增大(0.5
1)%,即:溫度每升高1C,VBE(on)減小(22.5)mV,即:溫度每升高10C,ICBO增大一倍,即:
因而溫度對三極管的影響集中體現(xiàn)在對集電極電流的影響。2023/1/317三極管參數(shù)的溫度特性溫度每升高1C,?/增PNN+V1V2R2R12.2晶體三極管的其它工作模式2.2.1飽和模式(E結(jié)正偏,C結(jié)正偏)-+IFFIF+-IRRIRIE=IF-RIRICIC=FIF-IRIE
結(jié)論:三極管失去正向受控作用。2023/1/318PNN+V1V2R2R12.2晶體三極管的其它工作模式2飽和模式直流簡化電路模型ECBETICIB共發(fā)射極通常,飽和壓降VCE(sat)
硅管VCE(sat)0.3V鍺管VCE(sat)0.1V電路模型VBE+-ECBEICIB+-VCE(sat)直流簡化電路模型VBE(on)ECBEICIB+-+-VCE(sat)若忽略飽和壓降,三極管輸出端近似短路。即三極管工作于飽和模式時(shí),相當(dāng)于開關(guān)閉合。2023/1/319飽和模式直流簡化電路模型ECBETICIB共發(fā)射極通常,飽2.2.2截止模式(E結(jié)反偏,C結(jié)反偏)若忽略反向飽和電流,三極管IB0,IC
0。即三極管工作于截止模式時(shí),相當(dāng)于開關(guān)斷開。ECBETICIB共發(fā)射極電路模型VBE+-ECBEICIB截止模式直流簡化電路模型直流簡化電路模型ECBEIC0IB02023/1/3202.2.2截止模式(E結(jié)反偏,C結(jié)反偏)若忽略若忽略反向飽和電流,三極管IB0,IC
0。即三極管工作于截止模式時(shí),相當(dāng)于開關(guān)斷開。電路模型VBE+-ECBEICIB截止模式直流簡化電路模型直流簡化電路模型ECBEIC0IB02.2.2截止模式(Je結(jié)反偏,Jc結(jié)反偏)
:2023/1/321若忽略反向飽和電流,三極管IB0,IC0。2.2.3晶體管三極管直流電路分析步驟:當(dāng)電路滿足兩個(gè)條件:1、直流偏置得當(dāng)(晶體三極管工作在放大區(qū),場效應(yīng)管工作在飽和區(qū))2、交流輸入足夠?。ㄎ⒆儯┪覀兙涂梢园言撾娐房醋魇蔷€性電路,利用疊加定理進(jìn)行直流和交流分析。注意:先直流分析,再交流分析直流分析--直流通路:交流電源置零+旁路,耦合電容開路交流分析--交流通路:直流電源置零+旁路,耦合電容短路(在合適的工作頻率)2023/1/3222.2.3晶體管三極管直流電路分析步驟:當(dāng)電路滿足兩個(gè)1.先確定三極管工作模式(以NPN為例)。用相應(yīng)簡化電路模型替代三極管。(可略)分析電路直流工作點(diǎn)。只要VBE
VBE(on)
(發(fā)射結(jié)反偏)截止模式假定放大模式,估算VCE:若VCE
>VCE(sat)
放大模式若VCE<VCE(sat)
飽和模式2.2.3晶體管三極管直流電路分析步驟:先斷開三極管,判斷VBE大?。?023/1/3231.先確定三極管工作模式(以NPN為例)。用相應(yīng)簡化電路例1已知VBE(on)=0.7V,VCE(sat)=0.3V,=30
,試判斷三極管工作狀態(tài),并計(jì)算VC。
解:三極管若斷開,VBE=6V>VBE(on)VCCRCRB(+6V)1k100kT因?yàn)閂CEQ>0.3V,所以三極管工作在放大模式。VC=VCEQ=4.41V2.2.3晶體管三極管直流電路分析步驟:假設(shè)T工作在放大模式2023/1/324例1已知VBE(on)=0.7V,VCE(sat)=0例2若將上例電路中的電阻RB
改為10k,試重新判斷三極管工作狀態(tài),并計(jì)算VC。解:假設(shè)T工作在放大模式VCCRCRB(+6V)1k10kT因?yàn)閂CEQ<0.3V,所以三極管工作在飽和模式。2.2.3晶體管三極管直流電路分析步驟:2023/1/325例2若將上例電路中的電阻RB改為10k,試重新判斷三例3已知VBE(on)=0.7V,VCE(sat)=0.3V,=30
,試
判斷三極管工作狀態(tài),并計(jì)算VC。解:所以三極管工作在截止模式。VCCRCRB1(+6V)1k100kTRB22k+-VBBRBBRC+-VCC<VBE(on)2.2.3晶體管三極管直流電路分析步驟:2023/1/326例3已知VBE(on)=0.7V,VCE(sat)=作業(yè):2.142.15
2023/1/327作業(yè):2022/12/1127埃伯爾斯—莫爾模型是三極管通用模型,它適用于任何工作模式。IE=IF-RIRIC=FIF-IR
其中ECBIEIFRIRICFIFIRIB2.3埃伯爾斯—莫爾模型2023/1/328埃伯爾斯—莫爾模型是三極管通用模型,它適用于任何工作模式放大模式直流簡化電路模型VBE(on)ECBEICIBIB+-飽和模式直流簡化電路模型VBE(on)ECBEICIB+-+-VCE(sat)截止模式直流簡化電路模型ECBEIC0IB0前節(jié)復(fù)習(xí)2023/1/329放大模式直流簡化電路模型VBE(on)ECBEICIBIB
伏安特性曲線(可由圖示儀直接測出)是三極管通用的曲線模型,它適用于任何工作模式。(三極管有三種組態(tài),以共發(fā)射極為例)。IB=f1E(VBE)VCE=常數(shù)IC=f2E(VCE)IB=常數(shù)共發(fā)射極輸入特性:輸出特性:+-TVCEIBVBEIC+-2.4晶體三極管伏安特性曲線:2023/1/330伏安特性曲線(可由圖示儀直接測出)是三極管通用的曲線模型輸入特性曲線VCE=0IB/AVBE/VVBE(on)0.3V10V0V(BR)BEOIEBO+ICBO
VCE一定:類似二極管伏安特性。
VCE增加:正向特性曲線略右移。由于VCE=VCB+VBEWBWBEBC基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)注:VCE>0.3V后,曲線移動(dòng)可忽略不計(jì)。因此當(dāng)VBE一定時(shí):VCEVCB復(fù)合機(jī)會(huì)
IB
曲線右移。2.4晶體三極管伏安特性曲線:2023/1/331輸入特性曲線VCE=0IB/AVBE/VVBE(o輸出特性曲線飽和區(qū)VCE/VIB=40A30A20A10A0由輸出特性曲線可劃分四個(gè)區(qū)域:放大區(qū)截止區(qū)擊穿區(qū)0IC/mAV(BR)CEO2.4晶體三極管伏安特性曲線:2023/1/332輸出特性曲線飽和區(qū)VCE/VIB=40A30IC/mAVCE/V0IB=40A30A20A10A0特點(diǎn):條件:發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏。IC不受IB控制,而受VCE影響。VCE略增,IC顯著增加。飽和區(qū)(VBE0.7V,VCE<0.3V):2.4晶體三極管伏安特性曲線:2023/1/333IC/mAVCE/V0IB=40A30A20放大區(qū)(VBE0.7V,VCE>0.3V):IC/mAVCE/V0IB=40A30A20A10A0特點(diǎn)條件發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏VCE曲線略上翹具有正向受控作用滿足IC=IB+ICEO2.4晶體三極管伏安特性曲線:2023/1/334放大區(qū)(VBE0.7V,VCE>0.3V):IC/說明:IC/mAVCE/V0VA上翹程度—取決于厄爾利電壓VA上翹原因—基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)(VCEIC略)2.4晶體三極管伏安特性曲線:在考慮三極管基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)時(shí),電流IC的修正方程為:基區(qū)寬度WB越小調(diào)制效應(yīng)對IC影響越大則VA越小。2023/1/335說明:IC/mAVCE/V0VA上翹程度—取決于厄爾利電與IC的關(guān)系:IC0考慮上述因素,IB等量增加時(shí),輸出曲線不再等間隔平行上移。ICVCE02.4晶體三極管伏安特性曲線:在IC一定范圍內(nèi)近似為常數(shù)。IC過小使IB造成。IC過大發(fā)射效率造成。2023/1/336與IC的關(guān)系:IC0考慮上述因素,IB等量增加截止區(qū)(VBE0.5V,VCE
0.3V):IC/mAVCE/V0IB=40A30A20A10A0特點(diǎn):條件:發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏。IC0,IB0近似為IB≤0以下區(qū)域
嚴(yán)格說,截止區(qū)應(yīng)是IE=0即IB=-ICBO以下的區(qū)域。2.4晶體三極管伏安特性曲線:因?yàn)镮B
在0-ICBO時(shí),仍滿足2023/1/337截止區(qū)(VBE0.5V,VCE0.3V):IC擊穿區(qū):特點(diǎn):VCE增大到一定值時(shí),集電結(jié)反向擊穿,IC急劇增大。V(BR)CEO集電結(jié)反向擊穿電壓,隨IB的增大而減小。注意:IB=
0時(shí),擊穿電壓為V(BR)CEOIE=
0時(shí),擊穿電壓為V(BR)CBOV(BR)CBO>V(BR)CEOIC/mAVCE/V0IB=40A30A20A10A0IB=-ICBO(IE=
0)V(BR)CBO2.4晶體三極管伏安特性曲線:2023/1/338擊穿區(qū):特點(diǎn):VCE增大到一定值時(shí),集電結(jié)反向擊穿,IC急劇飽和區(qū)VCE/VIB=40A30A20A10A0條件:特點(diǎn):放大區(qū)條件:特點(diǎn):截止區(qū)條件:特點(diǎn):發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏I(xiàn)C受VCE影響,不受IB
控制。發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏I(xiàn)C受IB控制,不受
VCE控制。發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏I(xiàn)C
0,IB
0。擊穿區(qū)0反向擊穿電壓V(BR)CEOIC/mAV(BR)CEO2.4晶體三極管伏安特性曲線:2023/1/339飽和區(qū)VCE/VIB=40A30A20A1三極管安全工作區(qū)ICVCE0V(BR)CEOICMPCM
最大允許集電極電流ICM(若IC>ICM造成
)
反向擊穿電壓V(BR)CEO(若VCE>V(BR)CEO
管子擊穿)VCE<V(BR)CEO
最大允許集電極耗散功率PCM(PC=ICVCE,若PC>PCM燒管)PC<PCM
要求ICICM2.4晶體三極管伏安特性曲線:2023/1/340三極管安全工作區(qū)ICVCE0V(BR)CEOICMPCM最放大電路小信號運(yùn)用時(shí),在靜態(tài)工作點(diǎn)附近的小范圍內(nèi),特性曲線的非線性可忽略不計(jì),近似用一段直線來代替,從而獲得一線性化的電路模型,即小信號(或微變)電路模型。三極管作為四端網(wǎng)絡(luò),選擇不同的自變量,可以形成多種電路模型。最常用的是混合π型小信號電路模型。2.5晶體三極管小信號電路模型2023/1/341放大電路小信號運(yùn)用時(shí),在靜態(tài)工作點(diǎn)附近的小范圍內(nèi),特混合π型電路模型的引出基區(qū)體電阻發(fā)射結(jié)電阻與電容集電結(jié)電阻與電容反映三極管正向受控作用的電流源由基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)引起的輸出電阻ibicbcerbbrbecbecbcrbcbgmvberce2.5晶體三極管小信號電路模型:2023/1/342混合π型電路模型的引出基區(qū)體電阻發(fā)射結(jié)電阻與電容集電結(jié)電阻混合π型小信號電路模型若忽略rbc影響,整理即可得出混合π型電路模型。rbercecbccberbbbcegmvbebibic電路低頻工作時(shí),可忽略結(jié)電容影響,因此低頻混合π型電路模型簡化為:rbercerbbbcegmvbebibic2.5晶體三極管小信號電路模型:2023/1/343混合π型小信號電路模型若忽略rbc影響,整理即可得出小信號電路參數(shù)rbb基區(qū)體電阻,其值較小,約幾十歐,常忽略不計(jì)。
rbe三極管輸入電阻,約千歐數(shù)量級。rbercerbbbcegmvbebibic2.5晶體三極管小信號電路模型:2023/1/344小信號電路參數(shù)rbb基區(qū)體電阻,其值較小,約幾十歐,跨導(dǎo)gm表示三極管具有正向受控作用的增量電導(dǎo)。rce三極管輸出電阻,數(shù)值較大。RL<<rce
時(shí),常忽略。rbercerbbbcegmvbebibic2.5晶體三極管小信號電路模型:2023/1/345跨導(dǎo)gm表示三極管具有正向受控作用的增量電導(dǎo)。rce三簡化低頻混合Π型小信號電路模型rbercerbbbcegmvbe
=ibbibicrbebceibibicrcerbebceibibic注意:小信號電路模型只能用來分析疊加在Q點(diǎn)上各交流量之間的相互關(guān)系,不能分析直流參量。2.5晶體三極管小信號電路模型:2023/1/346簡化低頻混合Π型小信號電路模型rbercerbbbce由于交流信號均疊加在靜態(tài)工作點(diǎn)上,且交流信號幅度很小,因此對工作在放大模式下的電路進(jìn)行分析時(shí),應(yīng)先進(jìn)行直流分析,后進(jìn)行交流分析。直流分析法分析指標(biāo):IBQ、ICQ、VCEQ分析方法:圖解法、估算法交流分析法分析指標(biāo):Av
、Ri、Ro分析方法:圖解法、微變等效電路法2.6晶體三極管電路分析方法2023/1/347由于交流信號均疊加在靜態(tài)工作點(diǎn)上,且交流信號幅度很小即分析交流輸入信號為零時(shí),放大電路中直流電壓與直流電流的數(shù)值。(對應(yīng)通路:直流通路)即利用三極管的輸入、輸出特性曲線與管外電路所確定的負(fù)載線,通過作圖的方法進(jìn)行求解。要求:已知三極管特性曲線和管外電路元件參數(shù)。優(yōu)點(diǎn):便于直接觀察Q點(diǎn)位置是否合適,輸出信號波形是否會(huì)產(chǎn)生失真。2.6.1晶體三極管的直流分析法:2.6.1晶體三極管的直流分析法:圖解法2023/1/348即分析交流輸入信號為零時(shí),放大電路中直流電壓與直流電例4:已知電路參數(shù)和三極管輸入、輸出特性曲線,試求IBQ、ICQ、VCEQ。Q
輸入回路直流負(fù)載線方程VBE=VBB-IBRBVBBVBB/RBVBEQIBQ+-IBVBBIC-+VCCRBRC+-VBE+-VCE
輸出回路直流負(fù)載線方程VCE=VCC-ICRCICVCE0VBEIB0IB=
IBQVCCVCC/RCQICQVCEQ2.6.1晶體三極管的直流分析法:2023/1/349例4:已知電路參數(shù)和三極管輸入、輸出特性曲線,試求IBQ、I圖解法分析步驟:(1)由電路輸入特性確定IBQ
寫出管外輸入回路直流負(fù)載線方程(VBEIB)。在輸入特性曲線上作輸入回路直流負(fù)載線。找出對應(yīng)交點(diǎn),得IBQ與VBEQ。(2)由電路輸出特性確定ICQ與VCEQ
寫出管外輸出回路直流負(fù)載線方程(VCEIC)。在輸出特性曲線上作輸出回路直流負(fù)載線。找出負(fù)載線與特性曲線中IB=IBQ曲線的交點(diǎn),即Q點(diǎn),得到ICQ與VCEQ。2.6.1晶體三極管的直流分析法:2023/1/350圖解法分析步驟:(1)由電路輸入特性確定IBQ寫出管外輸即利用直流通路,計(jì)算靜態(tài)工作點(diǎn)。直流通路是指輸入信號為零,耦合及旁路電容開路時(shí)對應(yīng)的電路。用相應(yīng)簡化電路模型替代三極管。(可略)分析電路直流工作點(diǎn)。只要VBE
VBE(on)
(發(fā)射結(jié)反偏)截止模式假定放大模式,估算VCE:若VCE
>VCE(sat)
放大模式若VCE<VCE(sat)
飽和模式2.2.3晶體管三極管直流分析方法:工程近似法-估算法(以NPN為例)2023/1/351即利用直流通路,計(jì)算靜態(tài)工作點(diǎn)。直流通路是指輸入信號為零,耦例1已知VBE(on)=0.7V,VCE(sat)=0.3V,=30
,試判斷三極管工作狀態(tài),并計(jì)算VC。
解:三極管若斷開,VBE=6V>VBE(on)VCCRCRB(+6V)1k100kT因?yàn)閂CEQ>0.3V,所以三極管工作在放大模式。VC=VCEQ=4.41V2.2.3晶體管三極管直流分析方法:假設(shè)T工作在放大模式2023/1/352例1已知VBE(on)=0.7V,VCE(sat)=0例2若將上例電路中的電阻RB
改為10k,試重新判斷三極管工作狀態(tài),并計(jì)算VC。解:假設(shè)T工作在放大模式VCCRCRB(+6V)1k10kT因?yàn)閂CEQ<0.3V,所以三極管工作在飽和模式。2.2.3晶體管三極管直流分析方法:討論:對此電路,當(dāng)RB與RC在滿足什么條件時(shí),三極管工作在放大區(qū)和飽和區(qū)?2023/1/353例2若將上例電路中的電阻RB改為10k,試重新判斷三例3已知VBE(on)=0.7V,VCE(sat)=0.3V,=30
,試
判斷三極管工作狀態(tài),并計(jì)算VC。解:所以三極管工作在截止模式。VCCRCRB1(+6V)1k100kTRB22k+-VBBRBBRC+-VCC<VBE(on)2.2.3晶體管三極管直流電路分析步驟:2023/1/354例3已知VBE(on)=0.7V,VCE(sat)=小信號等效電路法分析步驟:畫交流通路(直流電源置零,耦合、旁路電容短路)。用小信號電路模型代替三極管,得小信號等效電路。利用小信號等效電路分析交流指標(biāo)。計(jì)算微變參數(shù)gm、rbe。注意:小信號等效電路只能用來分析交流量的變化規(guī)律及動(dòng)態(tài)性能指標(biāo),不能分析靜態(tài)工作點(diǎn)。2.6.2晶體三極管的交流分析法:2023/1/355小信號等效電路法分析步驟:畫交流通路(直流電源置零,耦合例5已知IEQ=1mA,=100,vi=20sint(mV),
試畫出圖
示電路的交流通路及交流等效電路,并計(jì)算vo。virbeibibicRB+-RCRLvo+-viibicRBRC+-RL+-vovi+-iBVBBiCVCCRBRC+-+-RLC1C25k2.6.2晶體三極管的交流分析法:2023/1/356例5已知IEQ=1mA,=100,vi=20作業(yè)2-24畫出書上P256中圖P
4-7(c)的交流通路2023/1/357作業(yè)2-242022/12/1157tvBE0QvBEiB0iCvCE0QtiBIBQiCtICQtvCE0-1/RLVCEQibvi+-iBVBBiCVCCRBRC+-vBE+-vCE+-+-RLC1C2viibicRBRC+-RL+-vo2.6.2晶體三極管的交流分析法:圖解法2023/1/358tvBE0QvBEiB0iCvCE0QtiBIBQiC確定靜態(tài)工作點(diǎn)(方法同前)。畫交流負(fù)載線。畫波形,分析性能。過Q點(diǎn)、作斜率為-1/RL的直線即交流負(fù)載線。其中RL=RC//
RL圖解法分析步驟:圖解法直觀、實(shí)用,容易看出Q點(diǎn)設(shè)置是否合適,波形是否產(chǎn)生失真,但不適合分析含有電抗元件的復(fù)雜電路。同時(shí)在輸入信號過小時(shí)作圖精確度降低。2.6.2晶體三極管的交流分析法:2023/1/359確定靜態(tài)工作點(diǎn)(方法同前)。畫交流負(fù)載線。畫波形,分析QiCtICQtvCE0VCEQibQ點(diǎn)在中點(diǎn),動(dòng)態(tài)范圍最大,輸出波形不易失真。Q點(diǎn)波動(dòng)對輸出波形的影響:Q點(diǎn)升高,不失真動(dòng)態(tài)范圍減小,輸出易飽和失真(底部失真)。Q點(diǎn)降低,不失真動(dòng)態(tài)范圍減小,輸出易截止失真(頂部失真)。QibibiCvCE0Qvi+-iBVBBiCVCCRBRC+-vBE+-vCE+-+-RLC1C22.6.2晶體三極管的交流分析法:2023/1/360QiCtICQtvCE0VCEQibQ點(diǎn)在中點(diǎn),動(dòng)態(tài)范圍tvBE0QvBEiB0iCvCE0QtiBIBQiCtICQtvCE0-1/RLVCEQibviibicRBRC+-RL+-vo消除飽和失真降低Q點(diǎn):增大RB,減小IBQ減小RC:負(fù)載線變徒,輸出動(dòng)態(tài)范圍增加。vi+-iBVBBiCVCCRBRC+-vBE+-vCE+-+-RLC1C22.6.2晶體三極管的交流分析法:2023/1/361tvBE0QvBEiB0iCvCE0QtiBIBQiCtvBE0QvBEiB0iCvCE0QtiBIBQiCtICQtvCE0-1/RLVCEQibviibicRBRC+-RL+-vo消除截止失真升高Q點(diǎn):減小RB,增大IBQvi+-iBVBBiCVCCRBRC+-vBE+-vCE+-+-RLC1C22.6.2晶體三極管的交流分析法:2023/1/362tvBE0QvBEiB0iCvCE0QtiBIBQiCiCvCE0iBVCE(sat)iCR+-VQ+viB恒值外電路(負(fù)載電路)2.7.1電流源利用三極管放大區(qū)iB恒定時(shí)iC接近恒流的特性,可構(gòu)成集成電路中廣泛采用的一種單元電路--電流源。該電流源不是普通意義的電流源,因它本身不提供能量,電流源電路的輸出電流I0,由外電路中的直流電源提供。I0只受IB控制,與外電路在電流源兩端呈現(xiàn)的電壓大小幾乎無關(guān)。就這個(gè)意義而言,將其看作為電流源。2.7晶體三極管應(yīng)用原理2023/1/363iCvCE0iBVCE(sat)iCR+VQ+2.7.2放大器放大器的作用就是將輸入信號進(jìn)行不失真的放大。放大原理+-iBviiCVCCRC+-+-VIQvoVIQtvBE0IBQtiB0tviICQtiC0VCEQtvCE0tvo0利用ib對ic的控制作用實(shí)現(xiàn)放大。2.7.2放大器:2023/1/3642.7.2放大器放大器的作用就是將輸入信號進(jìn)行不失真的放大實(shí)質(zhì)電源VCC提供的功率:三極管集電極上的功率:負(fù)載電阻RC上的功率:2.7.2放大器:2023/1/365放大實(shí)質(zhì)電源VCC提供的功率:三極管集電極上的功率:注意:放大器放大信號的實(shí)質(zhì):是利用三極管的正向受控作用,將電源VCC提供的直流功率,部分地轉(zhuǎn)換為輸出功率。電源VCC
不僅要為三極管提供偏置,保證管子工作在放大區(qū),同時(shí)還是整個(gè)電路的能源。電源提供的功率PD除了轉(zhuǎn)換成負(fù)載上有用的輸出功率PL外,其余均消耗在晶體三極管上(
PC
)。三極管僅是一個(gè)換能器。2.7.2放大器:2023/1/366注意:放大器放大信號的實(shí)質(zhì):是利用三極管的正向受控作2.7.3
跨導(dǎo)線性電路順時(shí)針與逆時(shí)針方向三極管個(gè)數(shù)相等;跨導(dǎo)線性環(huán)(TL環(huán))vBE2vBE4vBE6vBE8vBE10+-+--++--+vBE1vBE3vBE5vBE7vBE9+-+--++--+N個(gè)放大模式下工作的三極管發(fā)射結(jié)連成一閉合回路;若各管發(fā)射結(jié)面積相等,則:若各管發(fā)射結(jié)面積不等,則:其中:2.7.3跨導(dǎo)線性電路:2023/1/3672.7.3跨導(dǎo)線性電路順時(shí)針與逆時(shí)針方向跨導(dǎo)線性環(huán)(跨導(dǎo)線性環(huán)應(yīng)用電路由圖知:VCCT1T2T3T4IXIYio由TL環(huán)知:則:例7:設(shè)各管發(fā)射結(jié)面積相等。當(dāng)iY為定值時(shí),電路可實(shí)現(xiàn)對iX的平方運(yùn)算。2.7.3跨導(dǎo)線性電路:2023/1/368跨導(dǎo)線性環(huán)應(yīng)用電路由圖知:VCCT1T2T3T4IXIYi謝謝謝謝69第02章晶體三極管已修改第02章晶體三極管已修改第02章晶體三極管已修改N+NP集電結(jié)Jc發(fā)射結(jié)Je發(fā)射極e集電極c基極b發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)P+發(fā)射區(qū)N基區(qū)P集電區(qū)發(fā)射極e基極b集電極c二、三極管結(jié)構(gòu)示意圖及電路符號NPN管PNP管三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)特點(diǎn):發(fā)射區(qū)高摻雜;基區(qū)很薄;集電結(jié)面積大。結(jié)構(gòu)示意圖:電路符號::2.0概述:2020/12/202第02章晶體三極管已修改第02章晶體三極管已修改第02章晶體70N+NP集電結(jié)Jc發(fā)射結(jié)Je發(fā)射極e集電極c基極b發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)P+發(fā)射區(qū)N基區(qū)P集電區(qū)發(fā)射極e基極b集電極c二、三極管結(jié)構(gòu)示意圖及電路符號NPN管PNP管三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)特點(diǎn):發(fā)射區(qū)高摻雜;基區(qū)很薄;集電結(jié)面積大。結(jié)構(gòu)示意圖:電路符號::2.0概述:2023/1/371N+NP集電結(jié)Jc發(fā)射結(jié)Je發(fā)射極e集電極c基極b發(fā)射區(qū)集電從結(jié)構(gòu)看:從電路符號看:無論是NPN還是PNP管,都有兩個(gè)PN結(jié),三個(gè)區(qū),三個(gè)電極。除了發(fā)射極上的箭頭方向不同外,其他都相同,但箭頭方向都是由P指向N,即PN結(jié)的正向電流方向。2.0概述:2023/1/372從結(jié)構(gòu)看:從電路符號看:無論是NPN還是PNP管,都三、三極管的工作狀態(tài)及其外部工作條件發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏:放大模式發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏:飽和模式發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏:截止模式(最常用)(用于開關(guān)電路中)2.0概述:放大模式截止模式放大模式+5V+0.7V0V+12V+2V+12V0V-5.3V-6V-5V-5.7V-5.3V飽和模式NPNPNPNPNNPN2023/1/373三、三極管的工作狀態(tài)及其外部工作條件發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏:總結(jié):
在放大電路中三極管主要工作于放大狀態(tài),即要求,發(fā)射結(jié)正偏(正偏壓降近似等于其PN結(jié)的導(dǎo)通壓降),集電結(jié)反偏(反偏壓降遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于其導(dǎo)通電壓才行)。對NPN管各極電位間要求:對PNP管各極電位間要求:Ve<Vb<
VcVe>Vb>Vc2.0概述:2023/1/374總結(jié):在放大電路中三極管主要工作于放大狀態(tài),即要求,發(fā)射2.1.1放大模式下晶體三極管的工作原理IEnIBpICBOIBnICnIEICIBJe正偏,以擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)為主Jc反偏,以漂移運(yùn)動(dòng)為主2.1放大模式下晶體三極管的工作原理及電路模型2023/1/3752.1.1放大模式下晶體三極管的工作原理IEnIBpIC常用Icn和IE的比值來衡量管子的質(zhì)量令
β表示,受發(fā)射結(jié)電壓控制的基極電流IB對集電極電流IC的控制能力。2.1.1放大模式下晶體三極管的工作原理:IEnIBpICBOIBnICnIEICIB2023/1/376常用Icn和IE的比值來衡量管子的質(zhì)量令β表示,受發(fā)三極管特性——具有正向受控作用在放大狀態(tài)下的三極管輸出的集電極電流IC
,主要受正向發(fā)射結(jié)電壓VBE的控制,而與反向集電結(jié)電壓VCE近似無關(guān)。2.1.1放大模式下晶體三極管的工作原理:IEnIBpICBOIBnICnIEICIB2023/1/377三極管特性——具有正向受控作用在放大狀態(tài)下的三極管輸出發(fā)射結(jié)正偏:保證發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射多子。發(fā)射區(qū)摻雜濃度>>基區(qū):減少基區(qū)向發(fā)射區(qū)發(fā)射的多子,提高發(fā)射效率。基區(qū)的作用:將發(fā)射到基區(qū)的多子,自發(fā)射結(jié)傳輸?shù)郊娊Y(jié)邊界?;鶇^(qū)很薄:可減少多子傳輸過程中在基區(qū)的復(fù)合機(jī)會(huì),保證絕大部分載流子擴(kuò)散到集電結(jié)邊界。集電結(jié)反偏、且集電結(jié)面積大:保證擴(kuò)散到集電結(jié)邊界的載流子全部漂移到集電區(qū),形成受控的集電極電流。IEnIBpICBOIBnICnIEICIB2.1.1放大模式下晶體三極管的工作原理:2023/1/378發(fā)射結(jié)正偏:保證發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射多子。發(fā)射區(qū)摻雜濃度>>基區(qū)注意:NPN型管與PNP型管工作原理相似,但由于它們形成電流的載流子性質(zhì)不同,結(jié)果導(dǎo)致各極電流方向相反,加在各極上的電壓極性相反。V1PNN+V2-+-+IEICIBNPP+V2V1+
-+
-IEICIB2.1.1放大模式下晶體三極管的工作原理:2023/1/379注意:NPN型管與PNP型管工作原理相似,但由于它們形成電流觀察輸入信號作用在那個(gè)電極上,輸出信號從那個(gè)電極取出,此外的另一個(gè)電極即為組態(tài)形式。2.1.2電流傳輸方程三極管的三種連接方式——三種組態(tài)BCEBTICIEECBETICIBCEBCTIEIB(共發(fā)射極)(共基極)(共集電極)放大電路的組態(tài)是針對交流信號而言的。2023/1/380觀察輸入信號作用在那個(gè)電極上,輸出信號從那個(gè)電極取出,此外共基極直流電流傳輸方程BCEBTICIE共基極直流電流傳輸系數(shù):
直流電流傳輸方程:共發(fā)射極直流電流傳輸方程ECBETICIB直流電流傳輸方程:其中:2023/1/381共基極直流電流傳輸方程BCEBTICIE共基極直流電流傳輸?shù)奈锢砗x:表示,受發(fā)射結(jié)電壓控制的復(fù)合電流IBB,對集電極正向受控電流ICn的控制能力。若忽略ICBO,則:ECBETICIB可見,為共發(fā)射極電流放大系數(shù)。2023/1/382的物理含義:表示,受發(fā)射結(jié)電壓控制的復(fù)合電流IICEO的物理含義:
ICEO指基極開路時(shí),集電極直通到發(fā)射極的電流。
∵
IB=0IEPICBOICnIEn+_VCENPN+CBEICEOIB=0∴
IEp+(IEn-ICn)=IE-ICn
=ICBO因此:即:2023/1/383ICEO的物理含義:ICEO指基極開路時(shí),集電極直通到發(fā)三極管的正向受控作用,服從指數(shù)函數(shù)關(guān)系式:數(shù)學(xué)模型(指數(shù)模型)IS指發(fā)射結(jié)反向飽和電流IEBS轉(zhuǎn)化到集電極上的電流值,它不同于二極管的反向飽和電流IS。式中:2.1.3放大模式下三極管的模型:2023/1/384三極管的正向受控作用,服從指數(shù)函數(shù)關(guān)系式:數(shù)學(xué)模型(指數(shù)放大模式直流簡化電路模型電路模型VBE+-ECBEICIBIBECBETICIB共發(fā)射極直流簡化電路模型VBE(on)ECBEICIBIB+-VBE(on)為發(fā)射結(jié)導(dǎo)通電壓,工程上一般取:硅管VBE(on)=0.7V鍺管VBE(on)=0.25V2023/1/385放大模式直流簡化電路模型電路模型VBE+ECBEICIBI
三極管參數(shù)的溫度特性溫度每升高1C,?
/
增大(0.5
1)%,即:溫度每升高1C,VBE(on)減?。?2.5)mV,即:溫度每升高10C,ICBO增大一倍,即:
因而溫度對三極管的影響集中體現(xiàn)在對集電極電流的影響。2023/1/386三極管參數(shù)的溫度特性溫度每升高1C,?/增PNN+V1V2R2R12.2晶體三極管的其它工作模式2.2.1飽和模式(E結(jié)正偏,C結(jié)正偏)-+IFFIF+-IRRIRIE=IF-RIRICIC=FIF-IRIE
結(jié)論:三極管失去正向受控作用。2023/1/387PNN+V1V2R2R12.2晶體三極管的其它工作模式2飽和模式直流簡化電路模型ECBETICIB共發(fā)射極通常,飽和壓降VCE(sat)
硅管VCE(sat)0.3V鍺管VCE(sat)0.1V電路模型VBE+-ECBEICIB+-VCE(sat)直流簡化電路模型VBE(on)ECBEICIB+-+-VCE(sat)若忽略飽和壓降,三極管輸出端近似短路。即三極管工作于飽和模式時(shí),相當(dāng)于開關(guān)閉合。2023/1/388飽和模式直流簡化電路模型ECBETICIB共發(fā)射極通常,飽2.2.2截止模式(E結(jié)反偏,C結(jié)反偏)若忽略反向飽和電流,三極管IB0,IC
0。即三極管工作于截止模式時(shí),相當(dāng)于開關(guān)斷開。ECBETICIB共發(fā)射極電路模型VBE+-ECBEICIB截止模式直流簡化電路模型直流簡化電路模型ECBEIC0IB02023/1/3892.2.2截止模式(E結(jié)反偏,C結(jié)反偏)若忽略若忽略反向飽和電流,三極管IB0,IC
0。即三極管工作于截止模式時(shí),相當(dāng)于開關(guān)斷開。電路模型VBE+-ECBEICIB截止模式直流簡化電路模型直流簡化電路模型ECBEIC0IB02.2.2截止模式(Je結(jié)反偏,Jc結(jié)反偏)
:2023/1/390若忽略反向飽和電流,三極管IB0,IC0。2.2.3晶體管三極管直流電路分析步驟:當(dāng)電路滿足兩個(gè)條件:1、直流偏置得當(dāng)(晶體三極管工作在放大區(qū),場效應(yīng)管工作在飽和區(qū))2、交流輸入足夠小(微變)我們就可以把該電路看作是線性電路,利用疊加定理進(jìn)行直流和交流分析。注意:先直流分析,再交流分析直流分析--直流通路:交流電源置零+旁路,耦合電容開路交流分析--交流通路:直流電源置零+旁路,耦合電容短路(在合適的工作頻率)2023/1/3912.2.3晶體管三極管直流電路分析步驟:當(dāng)電路滿足兩個(gè)1.先確定三極管工作模式(以NPN為例)。用相應(yīng)簡化電路模型替代三極管。(可略)分析電路直流工作點(diǎn)。只要VBE
VBE(on)
(發(fā)射結(jié)反偏)截止模式假定放大模式,估算VCE:若VCE
>VCE(sat)
放大模式若VCE<VCE(sat)
飽和模式2.2.3晶體管三極管直流電路分析步驟:先斷開三極管,判斷VBE大?。?023/1/3921.先確定三極管工作模式(以NPN為例)。用相應(yīng)簡化電路例1已知VBE(on)=0.7V,VCE(sat)=0.3V,=30
,試判斷三極管工作狀態(tài),并計(jì)算VC。
解:三極管若斷開,VBE=6V>VBE(on)VCCRCRB(+6V)1k100kT因?yàn)閂CEQ>0.3V,所以三極管工作在放大模式。VC=VCEQ=4.41V2.2.3晶體管三極管直流電路分析步驟:假設(shè)T工作在放大模式2023/1/393例1已知VBE(on)=0.7V,VCE(sat)=0例2若將上例電路中的電阻RB
改為10k,試重新判斷三極管工作狀態(tài),并計(jì)算VC。解:假設(shè)T工作在放大模式VCCRCRB(+6V)1k10kT因?yàn)閂CEQ<0.3V,所以三極管工作在飽和模式。2.2.3晶體管三極管直流電路分析步驟:2023/1/394例2若將上例電路中的電阻RB改為10k,試重新判斷三例3已知VBE(on)=0.7V,VCE(sat)=0.3V,=30
,試
判斷三極管工作狀態(tài),并計(jì)算VC。解:所以三極管工作在截止模式。VCCRCRB1(+6V)1k100kTRB22k+-VBBRBBRC+-VCC<VBE(on)2.2.3晶體管三極管直流電路分析步驟:2023/1/395例3已知VBE(on)=0.7V,VCE(sat)=作業(yè):2.142.15
2023/1/396作業(yè):2022/12/1127埃伯爾斯—莫爾模型是三極管通用模型,它適用于任何工作模式。IE=IF-RIRIC=FIF-IR
其中ECBIEIFRIRICFIFIRIB2.3埃伯爾斯—莫爾模型2023/1/397埃伯爾斯—莫爾模型是三極管通用模型,它適用于任何工作模式放大模式直流簡化電路模型VBE(on)ECBEICIBIB+-飽和模式直流簡化電路模型VBE(on)ECBEICIB+-+-VCE(sat)截止模式直流簡化電路模型ECBEIC0IB0前節(jié)復(fù)習(xí)2023/1/398放大模式直流簡化電路模型VBE(on)ECBEICIBIB
伏安特性曲線(可由圖示儀直接測出)是三極管通用的曲線模型,它適用于任何工作模式。(三極管有三種組態(tài),以共發(fā)射極為例)。IB=f1E(VBE)VCE=常數(shù)IC=f2E(VCE)IB=常數(shù)共發(fā)射極輸入特性:輸出特性:+-TVCEIBVBEIC+-2.4晶體三極管伏安特性曲線:2023/1/399伏安特性曲線(可由圖示儀直接測出)是三極管通用的曲線模型輸入特性曲線VCE=0IB/AVBE/VVBE(on)0.3V10V0V(BR)BEOIEBO+ICBO
VCE一定:類似二極管伏安特性。
VCE增加:正向特性曲線略右移。由于VCE=VCB+VBEWBWBEBC基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)注:VCE>0.3V后,曲線移動(dòng)可忽略不計(jì)。因此當(dāng)VBE一定時(shí):VCEVCB復(fù)合機(jī)會(huì)
IB
曲線右移。2.4晶體三極管伏安特性曲線:2023/1/3100輸入特性曲線VCE=0IB/AVBE/VVBE(o輸出特性曲線飽和區(qū)VCE/VIB=40A30A20A10A0由輸出特性曲線可劃分四個(gè)區(qū)域:放大區(qū)截止區(qū)擊穿區(qū)0IC/mAV(BR)CEO2.4晶體三極管伏安特性曲線:2023/1/3101輸出特性曲線飽和區(qū)VCE/VIB=40A30IC/mAVCE/V0IB=40A30A20A10A0特點(diǎn):條件:發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏。IC不受IB控制,而受VCE影響。VCE略增,IC顯著增加。飽和區(qū)(VBE0.7V,VCE<0.3V):2.4晶體三極管伏安特性曲線:2023/1/3102IC/mAVCE/V0IB=40A30A20放大區(qū)(VBE0.7V,VCE>0.3V):IC/mAVCE/V0IB=40A30A20A10A0特點(diǎn)條件發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏VCE曲線略上翹具有正向受控作用滿足IC=IB+ICEO2.4晶體三極管伏安特性曲線:2023/1/3103放大區(qū)(VBE0.7V,VCE>0.3V):IC/說明:IC/mAVCE/V0VA上翹程度—取決于厄爾利電壓VA上翹原因—基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)(VCEIC略)2.4晶體三極管伏安特性曲線:在考慮三極管基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)時(shí),電流IC的修正方程為:基區(qū)寬度WB越小調(diào)制效應(yīng)對IC影響越大則VA越小。2023/1/3104說明:IC/mAVCE/V0VA上翹程度—取決于厄爾利電與IC的關(guān)系:IC0考慮上述因素,IB等量增加時(shí),輸出曲線不再等間隔平行上移。ICVCE02.4晶體三極管伏安特性曲線:在IC一定范圍內(nèi)近似為常數(shù)。IC過小使IB造成。IC過大發(fā)射效率造成。2023/1/3105與IC的關(guān)系:IC0考慮上述因素,IB等量增加截止區(qū)(VBE0.5V,VCE
0.3V):IC/mAVCE/V0IB=40A30A20A10A0特點(diǎn):條件:發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏。IC0,IB0近似為IB≤0以下區(qū)域
嚴(yán)格說,截止區(qū)應(yīng)是IE=0即IB=-ICBO以下的區(qū)域。2.4晶體三極管伏安特性曲線:因?yàn)镮B
在0-ICBO時(shí),仍滿足2023/1/3106截止區(qū)(VBE0.5V,VCE0.3V):IC擊穿區(qū):特點(diǎn):VCE增大到一定值時(shí),集電結(jié)反向擊穿,IC急劇增大。V(BR)CEO集電結(jié)反向擊穿電壓,隨IB的增大而減小。注意:IB=
0時(shí),擊穿電壓為V(BR)CEOIE=
0時(shí),擊穿電壓為V(BR)CBOV(BR)CBO>V(BR)CEOIC/mAVCE/V0IB=40A30A20A10A0IB=-ICBO(IE=
0)V(BR)CBO2.4晶體三極管伏安特性曲線:2023/1/3107擊穿區(qū):特點(diǎn):VCE增大到一定值時(shí),集電結(jié)反向擊穿,IC急劇飽和區(qū)VCE/VIB=40A30A20A10A0條件:特點(diǎn):放大區(qū)條件:特點(diǎn):截止區(qū)條件:特點(diǎn):發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏I(xiàn)C受VCE影響,不受IB
控制。發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏I(xiàn)C受IB控制,不受
VCE控制。發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏I(xiàn)C
0,IB
0。擊穿區(qū)0反向擊穿電壓V(BR)CEOIC/mAV(BR)CEO2.4晶體三極管伏安特性曲線:2023/1/3108飽和區(qū)VCE/VIB=40A30A20A1三極管安全工作區(qū)ICVCE0V(BR)CEOICMPCM
最大允許集電極電流ICM(若IC>ICM造成
)
反向擊穿電壓V(BR)CEO(若VCE>V(BR)CEO
管子擊穿)VCE<V(BR)CEO
最大允許集電極耗散功率PCM(PC=ICVCE,若PC>PCM燒管)PC<PCM
要求ICICM2.4晶體三極管伏安特性曲線:2023/1/3109三極管安全工作區(qū)ICVCE0V(BR)CEOICMPCM最放大電路小信號運(yùn)用時(shí),在靜態(tài)工作點(diǎn)附近的小范圍內(nèi),特性曲線的非線性可忽略不計(jì),近似用一段直線來代替,從而獲得一線性化的電路模型,即小信號(或微變)電路模型。三極管作為四端網(wǎng)絡(luò),選擇不同的自變量,可以形成多種電路模型。最常用的是混合π型小信號電路模型。2.5晶體三極管小信號電路模型2023/1/3110放大電路小信號運(yùn)用時(shí),在靜態(tài)工作點(diǎn)附近的小范圍內(nèi),特混合π型電路模型的引出基區(qū)體電阻發(fā)射結(jié)電阻與電容集電結(jié)電阻與電容反映三極管正向受控作用的電流源由基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)引起的輸出電阻ibicbcerbbrbecbecbcrbcbgmvberce2.5晶體三極管小信號電路模型:2023/1/3111混合π型電路模型的引出基區(qū)體電阻發(fā)射結(jié)電阻與電容集電結(jié)電阻混合π型小信號電路模型若忽略rbc影響,整理即可得出混合π型電路模型。rbercecbccberbbbcegmvbebibic電路低頻工作時(shí),可忽略結(jié)電容影響,因此低頻混合π型電路模型簡化為:rbercerbbbcegmvbebibic2.5晶體三極管小信號電路模型:2023/1/3112混合π型小信號電路模型若忽略rbc影響,整理即可得出小信號電路參數(shù)rbb基區(qū)體電阻,其值較小,約幾十歐,常忽略不計(jì)。
rbe三極管輸入電阻,約千歐數(shù)量級。rbercerbbbcegmvbebibic2.5晶體三極管小信號電路模型:2023/1/3113小信號電路參數(shù)rbb基區(qū)體電阻,其值較小,約幾十歐,跨導(dǎo)gm表示三極管具有正向受控作用的增量電導(dǎo)。rce三極管輸出電阻,數(shù)值較大。RL<<rce
時(shí),常忽略。rbercerbbbcegmvbebibic2.5晶體三極管小信號電路模型:2023/1/3114跨導(dǎo)gm表示三極管具有正向受控作用的增量電導(dǎo)。rce三簡化低頻混合Π型小信號電路模型rbercerbbbcegmvbe
=ibbibicrbebceibibicrcerbebceibibic注意:小信號電路模型只能用來分析疊加在Q點(diǎn)上各交流量之間的相互關(guān)系,不能分析直流參量。2.5晶體三極管小信號電路模型:2023/1/3115簡化低頻混合Π型小信號電路模型rbercerbbbce由于交流信號均疊加在靜態(tài)工作點(diǎn)上,且交流信號幅度很小,因此對工作在放大模式下的電路進(jìn)行分析時(shí),應(yīng)先進(jìn)行直流分析,后進(jìn)行交流分析。直流分析法分析指標(biāo):IBQ、ICQ、VCEQ分析方法:圖解法、估算法交流分析法分析指標(biāo):Av
、Ri、Ro分析方法:圖解法、微變等效電路法2.6晶體三極管電路分析方法2023/1/3116由于交流信號均疊加在靜態(tài)工作點(diǎn)上,且交流信號幅度很小即分析交流輸入信號為零時(shí),放大電路中直流電壓與直流電流的數(shù)值。(對應(yīng)通路:直流通路)即利用三極管的輸入、輸出特性曲線與管外電路所確定的負(fù)載線,通過作圖的方法進(jìn)行求解。要求:已知三極管特性曲線和管外電路元件參數(shù)。優(yōu)點(diǎn):便于直接觀察Q點(diǎn)位置是否合適,輸出信號波形是否會(huì)產(chǎn)
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