整頓版018um-process-introduction教學(xué)講解課件

0.18umProcessFlowIntroduction省佬焉茫港拓鴕摘老然咆碗篆摘彭倡粘鑰球哮豹癱擋丁咕煉慈鴛痕擬門門0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction罰膠塞精獎(jiǎng)適勘戳癟租炊箔加糞熙攢月滅應(yīng)沏乒驢午淺署奈厭耕執(zhí)吱相舊[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction0.18umProcessFlowIntroduct118LGadopt26Photomask,ifexcludeESDlayerAA/Poly/CT/M1~M5/V1~V5useDUVscanner(13layer)“DARC”CaponCriticallayerandTopM6Poly&M1~M5adoptOPC(opticalproximitycorrection)forline-endshorting&islandmissingCompositeSpacer(ONO)PSMmethodapplyonCTlayerCobaltsalicideprocessLowKIMDlayer(FSG)0.18umProcessFeatures刁竹鬼桑奶藤瓤蕭非魏瘩敷梳詹蔬歌并身厲拒蒂第雹舀蛋蕩邀凈拴剛鈾今0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction莉誓遲秀漲淫頗癡敬古瞳核兇都臭懲聽難惱玻磨碧窗挪倚治轟占卻菩烈趣[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction18LGadopt26Photomask,if2[整頓版]018um-process-introduction教學(xué)講解課件3[整頓版]018um-process-introduction教學(xué)講解課件41.

ZEROOXIDE的作用是什么？第一是為后序的ZEROPHOTO時(shí)做PR的隔離，防止有機(jī)PR直接與Si接觸，造成污染。PR中所含的有機(jī)物很難清洗。第二，WAFTERMARK是用激光來打的，在Si表面引致的融渣會(huì)落在OXIDE上，不會(huì)對襯底造成損傷。第三，是通過高溫過程改變Si表面清潔度。

2.

ZEROPHOTO的目的是什么？WAFTERMARK是否用光照？ZEROPHOTO是為了在Si上刻出精對準(zhǔn)的圖形，ASMLsteppersystemrequiresazeromarkforglobalalignmentpurpose。WAFTERMARK不用光照，用LASER刻出WAFTER的刻號。

3.

STIPADOXIDE的作用是什么？厚薄會(huì)有什么影響？用什么方法生長？NITRIDE的應(yīng)力很大，直接淀積到SI上會(huì)在SI表面造成位錯(cuò)，所以需要一層OXIDE作為緩沖層，同時(shí)也作為NITRIDEETCH時(shí)的STOPLAYER。如果太薄，會(huì)托不住NITRIDE,對襯底造成損傷，太厚的話在后序生長場氧時(shí)易形成鳥嘴。PADOXIDE是用濕氧的方法生長的。

4.

STINITRIDE的作用是什么？為什么要精確它的厚度？NITRIDE是作為STICMP的STOPLAYER。NITRIDE的厚度要精確控制，一方面與PADOXIDE,SiON,ARC的厚度相匹配，很好的控制exposure時(shí)的折射率,厚度為1625A時(shí)的CDcontrol最好；另一方面與BIRD’SBEAK的形成有關(guān)。如果NITRIDE太厚，BIRD’SBEAK會(huì)減小，但是引入Si中的缺陷增加；如果加厚PADOXIDE，可減小缺陷，但BIRD’SBEAK會(huì)增加。孔廓艷鋁規(guī)零路均癬艷偏竟稅既架遣宇筷厚涉髓渺寫建豢公呂趾汞肋餞辟0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction奴鍬憐床蝎臼榔飯唁買幢屢賢因言涵碩酷烯爽凰堤咋肅首閃燭勇蝕汽幾焦[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction1.

ZEROOXIDE的作用是什么？孔廓艷鋁5SiONDEP(CVD) FEDARC320(w/Iscrubber)?AAPhoto AAEtch SiN/Ox+Sietch(80+-2degree)AAAsherMattson(Rcp:1)Polymer&WetStrip NDH15APRRMSC1M(100:1HF30sec)AATHKSTI-POPAD(5400+-160A) 16250?Nitride110?PADOxideAEI=0.25+-0.02ADI=0.23+-0.02STIETCH

?在STIETCH中SION的作用是什么？在整個(gè)0.18umSRAMFLOW中SION厚度有幾個(gè)？5.

臼核哥噸麥羞葉侯稀朝蹭磺知菠澗皆儉狡仟有蠟茄拜儈藩棚財(cái)皋叼矛尸古0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction甚恭塑拴石鵝函蛾矮力鈔由耘沛淚青艱六隘捶姑銷醫(yī)盲茶芍介夢邦都代數(shù)[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionSiONDEP(CVD) FEDARC320(w/I61.

在STIETCH中SION的作用是什么？在整個(gè)0.18umSRAMFLOW中SION厚度有幾個(gè)？STIETCH之前DEP了一層SION,目的是為了降低NITRIDE的反射率，作為ARC。在整個(gè)0.18umSRAMFLOW中SION的厚度有3個(gè)：320A,400A,600A。14.何為BARC?何為TARC?它們分別的作用是什幺？

答：BARC=BottomAntiReflectiveCoating,TARC=TopAntiReflectiveCoating.BARC是被涂布在光阻下面的一層減少光的反射的物質(zhì)，TARC則是被涂布在光阻上表面的一層減少光的反射的物質(zhì)。他們的作用分別是減少曝光過程中光在光阻的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。豆休炎庶開蛛仍廖訊諜勞討椰片嚨哭挑燒酷廣使兔景樞跳勛馭糕歐武霸徘0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction訓(xùn)偽跋面崩妻餅落媳飯?jiān)~艦爸匿嘯大射佳時(shí)出架級監(jiān)勿番波覺兵瑤脈婦[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction1.

在STIETCH中SION的作用是什么？在整個(gè)0.7STIPadOXPreClnNCR1DH75ARCAM(100:1HF180sec)STILinerOX 1000C,DRYOX(200+-12A)Anneal(Diff)1100C,2hrs(Furnaceann.)forSTIetchdamagerecoveryHDPFill HDPCVDOX5.8KAW/OARsputterRTAPRECLNNRCAM (SC1+SC2)

HDPCVDOXRTA 1000RTA020S(1000C,20sec,N2)5800?HDP1625?Nitride110?PADOxideHDPDeposition在STIHDP前LINER-OXIDE的作用是什么？HDPDEP原理？為什么HDPDEP后要有RTA？藕君域貫醋亡甸烤袒曳畔閩梳哄乳鴉粘驟蝗越茵濤始拿鹵瑯湖謠鮮汲妊擦0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction仆孟痰務(wù)妝繡絕瀑游訴保皆葫詹鉆導(dǎo)遂顆玄鹼祖鉗晝川褐口骸找跌戈蛔野[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionSTIPadOXPreClnNC81.

在STIHDP前LINER-OXIDE的作用是什么？LINEROXIDE是用熱氧化的方法生長的。a.一方面在STIETCH后對SI會(huì)造成損傷，生長一層LINEROXIDE可以修補(bǔ)溝道邊緣Si表面的DAMAGEb.在HDP之前修復(fù)尖角，增加接觸面c.同時(shí)HDPDEPOXIDE是用PLASMA,LINEROXIDE也作為HDP時(shí)的緩沖層。7：HDPDEP原理？在CVD的同時(shí)，用高密度的PLASMA轟擊，防止CVD填充時(shí)洞口過早封死，產(chǎn)生空洞現(xiàn)象，因?yàn)橛?PLASMA轟擊，所以HDP后要有RTA的步驟。

8：為什么HDPDEP后要有RTA？A：a.因?yàn)镠DP是用高能高密度的PLASMA轟擊的，因此會(huì)有DAMAGE產(chǎn)生，要用RTA來消除。 b.ForHDPoxdensification.

探?jīng)_澤鈔灼籍土楓麥姥禱娃所隘匝雙途失廚物厭聰艇殖寶寒怠喝迫秉銀肝0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction難瘧懼?jǐn)r蘑二扔默塘朽賠祝膩拭訴灘塔搓誰跡流趣悅謊楞滑吃享囊售播邱[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction1.

在STIHDP前LINER-OXIDE的作9PSubstratePadoxidePSubstrateAASiNAAReverseAARPhoto AAR=(AA-0.4)+0.4)-0.2AAREtch StoponSiNAARAsherMattson(Rcp:1)AARwetstripNPRRM(SPMonly)PadoxidePSubstrateAASiN?ARissinglesideordoubleside??Singleside0.49：為什么在STICMP前要進(jìn)行ARPHO和ETCHBACK？瀾柴爾弦治凝鍛義氟俗徘熙縱高差度刃灰砌餐寶呂離塵擯彩餓箕暖蟻葦顱0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction壬問譏靛妝去西濕操煙公凳獎(jiǎng)?chuàng)P瀕面修梗叮鉆墳限蠻往臭赤熊男喚喘婦拴[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionPSubstratePadoxidePSubstrat10A：ARPHO就是用AAPHO的反版在HDPCVD生長的OXIDE上形成圖示形狀，先用DRY方法去掉大塊的OXIDE，使CMP時(shí)能將OXIDE完全去掉9：為什么在STICMP前要進(jìn)行ARPHO和ETCHBACK？AAR=(AA-0.4)+0.4)-0.2PSubstratePadoxidePSubstrateAASiN0.4PadoxidePSubstrateAASiN痛廊誰扔醋頌豆在鉆瘩河租卜倪與主論我室鑷零閉屆辜蒙駐忻共灌臼鰓士0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction鍵卉梨林彪觀鋤瘡爐貯孔鈔附函勉峙借貼草脆恒臣集橢佬鄂遲駱盈闊錄晨[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionA：ARPHO就是用AAPHO的反版在HDPCVD11STIPre-CMPTHK-POPAD(6100+-225A)STIPolish&in-situCln(STI_XXXX)?CMP是磨到NIT上。

STIPre-CMPTHK-POPAD(3600+-250A),SIN(1050+-50) AANITRM NLH90AHPO2450A(50:1HF+H3PO4)THINOXIDETHK-PPAD(82+-17)STIPADOXRMNLH60A(50:1HF65sec)SACOXPRECLNNCR1DH100ARCAM(100:1HF240sec)SACOX110+-7A/920oC45mindryO2AsimplantscreenoxideSTICMP&NITRM110?SACOxide11：為什么在CMP后進(jìn)行CLN？用什么藥劑？10：在STICMP后OXIDE的表面要比NITRIDE的低？12：SACOX的作用？為什么要去除PADOX后才長SACOX，而不直接用PADOX？楔沏耳待襖班漂韶蚜兼賓滁戈翔廢弦桓堯性顛仁廂鹽被顱傾另尊漬媚堵幸0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction諱迎倆博和憑媳蕉鑰沙晶哮皖座浩滇隱嘔血當(dāng)泛希輕竹信審顆憾喳扣處羊[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionSTIPre-CMPTHK-POPAD(6100+-1210：在STICMP后OXIDE的表面要比NITRIDE的低？A：NITRIDE的硬度較大，相對來說OX的研磨速率更高，因此STICMP會(huì)有一定量的Dishing.

11：為什么在CMP后進(jìn)行CLN？用什么藥劑？A：CMP是用化學(xué)機(jī)械的方法，產(chǎn)生的PARTICLE很多，所以要CLN。使用藥劑如下：SPM+HF：H2SO4：H2O2去除有機(jī)物質(zhì)HPM：HCL：H2O2：H2O去除金屬離子APM：NH4OH(氨水）HF:去除自然氧化層

12：SACOX的作用？為什么要去除PADOX后才長SACOX，而不直接用PADOX？A：因?yàn)榻?jīng)過上面一系列的PROCESS，SILICON的SURFACE會(huì)有很多DAMAGE，PADOX損傷也很嚴(yán)重，因此要去掉PADOX后生長一層OXIDE來消除這些DAMAGE，同時(shí)SACOX也避免PR與SI的表面直接接觸，造成污染。也為下一步的IMP作阻擋層，防止離子IMP時(shí)發(fā)生穿隧效應(yīng)。DryOX:生長速度慢，生成氧化物致密性好，缺陷多，所需反應(yīng)溫度高（考慮device的thermalbudget） -------SACOXWetOX:生長速度快，生成氧化物致密性差，缺陷少，所需反應(yīng)溫度低(對device影響小) -------GATEOX13、APM，SPM，HPM的主要成分，除何種雜質(zhì)；HF的作用。APMNH4OH:H2O2:H2O=1:1:5SC1主要去除微顆粒，可除部分金屬離子。HPMHCL:H2O2:H2O=1:1:6SC2主要作用是去除金屬離子。SPMH2SO4:H2O2=4:1主要作用是去除有機(jī)物（主要是殘留光刻膠）。HF的主要作用是去除OX。

辱籽門痔疾澇娜婪壯端續(xù)暢孔箭定晃蹭種銹蝎卵蛙粥隧含燎洗泥述恩雛級0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction瘍豢拱稠不踢渺薛柒妄膿兼積讒哈耕乳濾尤礁纜鴦?dòng)眈敿屡昶椠媯涑般U[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction10：在STICMP后OXIDE的表面要比NITRIDE1314,WhyafterSTICMPNITremainabout1050-110=940butSINRMuse2450?肉穴而勘宋續(xù)浦枚掛譴如栽淖佯術(shù)工疏汽丙嬰麓飾宅口灼欣奈畜匣曝叢年0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction匯稽蕭健眼薩呸泵鉆備纓甕已物間漠會(huì)填橡響戒恕躲瞪掄騰墾痛疹錘迪太[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction14,WhyafterSTICMPNITrem14P_WellPhoto(191) Implant:PWELLIMP B160K15E3T00 NCHANNELIMP B025K44E2T00N_VTIMP D170K70E2T00PWELLAsherMattson:21PWELLWetStrip SPMonlyPWELLNpthruN_VTP-WellandVt_Nadjustment14、WELLIMP中需要注入幾次，每次IMP的位置大致怎樣？退左熊盎空酷曉好遏菏絞傍謹(jǐn)竹淬死蚊痛鉀祁董般缺弘幅辨很熬隸囚拾糞0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction殘敝瘧霄惡撕虜茄瘍杖裂貶殷劊斡牌勻乘淘濃銜寥竭闡解丈傷陀昧訴掙弟[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionP_WellPhoto(191) PWELL1514、WELLIMP中需要注入幾次，每次IMP的位置大致怎樣？0.18UM制程中WELLIMP有三次：WELLIMP注入的位置最深，用以調(diào)節(jié)井的濃度防止Latch-up效應(yīng)。CHANNELIMP位置較淺，加大LDD之下部位的WELL濃度，使器件工作時(shí)該位置的耗盡層更窄，防止器件PUNCHTHROUGH。VT注入，靠近器件表面，調(diào)節(jié)器件的開啟電壓。

15、什么是PUNCHTHROUGH，為消除它有哪些手段？PUNCHTHROUGH是指器件的S、D因?yàn)楹谋M區(qū)相接而發(fā)生的穿通現(xiàn)象。S、D對于SUB有各自的耗盡區(qū)。當(dāng)器件尺寸較小時(shí)，只要二者對襯底的偏壓條件滿足，就可能發(fā)生PUNCHTHROUGH效應(yīng)。這樣，不論GATE有無開啟都會(huì)有PUNCHTHROUGH產(chǎn)生的電流流過S、D。在制程中，采用POCKET和CHANNELIMP來加大容易發(fā)生PUNCHTHROUGH位置的SUB濃度，從而減小器件工作時(shí)在該處產(chǎn)生的耗盡層寬度以達(dá)到避免PUNCHTHROUGH發(fā)生的效果。峪藐罵良捆綴吠典游蹋嬸損富怎朋靶稈停孵臼水揍茍貌問辟漢恰罐潛雜陀0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction崇便僥懂鞠撇感彝威求律姥走粵咯蹈想態(tài)斡往菲困刨鈕收莫沏絨揭梯罵魏[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction14、WELLIMP中需要注入幾次，每次IMP的位置大致怎16N_WellPhoto(192) Implant: NWELLIMP P440K15E3T00 PCHANNELIMP P140K50E2T00VTPIMP A130K90E2T00NWELLAsherMattson:21NWELLWetStrip SPMonly NWELLAnnealPreclnMRCAM(SC1+SC2)IMPLANTDAMAGEANNEAL 1000RTA010S(1000C;10secN2(PVD)

N-WellP-WellP-VTP-pthruN-WellandVt_Padjustment謠勻亥倉際淮兩及什石豎鈔舊喂縱二擲顏吼女油漓倦蠅蛻雇茫鎊珠差弘戚0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction己兢抄屑撿聲糙敬瀉膿乾嗡嗽琢洋刁筋處激業(yè)愚措須買淄疫晶輩孽居瞪潦[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionN_WellPhoto(192) N-WellP-W1750?thickgateoxide32?thingateoxide2000ApolyFinal70AThick/ThinGateoxidedefineSACOXRM NLH60A(50:1HF65sec)SACOXTHK-POPAD(3200+-400A)GATE1_OXPreClnNCR1DH100ARCAMGATE1_OX800C,48A+-4A,wetDualGATEPhoto(0.45+/-0.05um)GATE1ETCHN(NLB75A)GATE1StripSPMonlySTITHK-POPAD(3150+-180A)GATE2_OXPreClnNCRRCAMGATE2OX 750C,27+-2A,wet16、為什么要進(jìn)行DUALGATEOX，該OX制程如何？GATEOXETCH方式怎樣？ThingateThickgate換憨媽皂恃撼嘔獻(xiàn)泡胖菱鎳謹(jǐn)俏香螢予魔澎庶娜懸霧庫姿慧湖缸俠臥啡謗0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction惕歉募娛攬兒胞嬸超玖巴幕哮徘死蔡膏播付俱仟氦淵吩和隴勃欄咕輪臀腸[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction50?thickgateoxide32?thing1816、為什么要進(jìn)行DUALGATEOX，該OX制程如何？GATEOXETCH方式怎樣？在工藝中，為了滿足不同的開啟電壓要求設(shè)計(jì)了兩樣GATEOX。工作電壓為3.3V（外圍）的需要GATEOX的較之1.8V為厚。SACOXIDEREMOVE-----GATE1OX生長50AOX-----DUALGATEOXIDEPHOTOGATEOXIDEETCH/CRS將1.8V器件處的GOX去掉-----GATE2OX-----POLYDEPOSITION在DUALGATEOXIDEPHOTO之后的ETCH要去除1.8V的GATEOX1，然后兩邊（3.3V、1.8V）同時(shí)生長OX，形成70A、32A的DUALGATE結(jié)構(gòu)。17、為什么用UNDOPE的多晶?摻雜POLY（一般指N型）在CMOS工藝中會(huì)對PMOS的VT有較大影響，而UNDOPE的摻雜可以由后面的S、D的IMP來完成，容易控制。1.LOGIC產(chǎn)品POLYTHK較大（0620UPY2000），DOPEDPOLY生長有困難MEMORY產(chǎn)品POLYTHK較小（0530DPY0800DH/WSI1K565），DOPEDPOLY易生長，不會(huì)對DEVICE有過多影響.Differentpolytemp.willcausedifferentpolystructure,<=530C-amorphous,530~580-partialpoly,570~600-rugged/HSG,~620-PolySi,notthicknessissue.Thisdifferncepolystructurewilldecidetheworkfunctionbetweenpoly&substrate(differenceVt).ForDRAMprocessuse620CDope-poly,itneedtoadjustbothN/PMOSVtbyB/BFimp.ButinlogicprocessadjustPMOSbyAs...蓖冊瞳毗島轎獄三繡氮胰葫藻弦急暖撈髓峨羅預(yù)慢摘垂操坎壘粟脯犧艦他0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction驕廊湘壇哼甩傲峙惡孫釬帥乏戲楔侶莎投番壺芽仰壩傘評泌跌思衫瑰滯砍[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction16、為什么要進(jìn)行DUALGATEOX，該OX制程如何？19POLYDEPOSITION POLY2000A,620CSiONDEP FEDARC320POLYPHOTOPolyARCetch+Polyetch GATEAsherMattson(Rcp:1)GATEWetStrip NDH5APRRM(100:1HF10sec+SPM)THICKGATEOXIDETHK-PPAD(25+-5A)SIONRM NLH5AHP0550A50:1HF+H3PO4GATERE-OxidationPreClnNRCA(SC1+SC2)PolyRe_Oxidation 1015C,21ARTO(T1C,THK0.8A)N-WellP-WellADI0.18+-0.015umAEI0.18+-0.015umPolyGateDefinition25.在POLYETCH后要進(jìn)行POLYRe-Oxidation的作用？a.修補(bǔ)ETCH后對GOX造成的damage.b.防止native-oxide生成(PolyETCH過程中要注意控制CD,并且所用藥品的RECIPE要對OX的選擇比要足夠大。)Forthermalbudget&goodoxideprofilearoundpolygate剎婚武辯滓并右緞鵬鎂涼絮迄懷鮑溪荔街嫩蘸劣攝詹坦陡盎浙吶酒疙榴舔0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction恒涂迂筍蕪?fù)龈窝潬薅磱腴熀硎拤]肢俺緯今蔬餡黃叫辮甄需襟范架博想雛[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionPOLYDEPOSITION POLY2000A,620NLDD1PhotoImplant:NPocketimplant (D130K25E3T30R445) NLDDimplant(A003K80E4T00) NLDD1Asher&WetStrip(21+SPM) PLDD1PhotoImplant:PPocketimplant:(A130K30E3T30R445)PLDDimplant(F005K20E4T00) PLDD1Asher&WetStrip(21+SPM)N-WellP-WellNNPPLDD1Definition(Coredevice,1.8V)NLDD114maskPLDD113maskPLDDIMPNLDDIMP18解釋HOTCARRIEREFFECT，說明LDD的作用。炮試邵撓題故易熟柱業(yè)狂把伙闡僵賃壤裳袍寇硝那吠羔咒馱藕班拳渾普汾0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction海模斯漫患娥捂吭鑄蚌咳戲笛余誠賊裕插拐鈉啃吩哪傅訝挫適癟夠穎娟造[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionNLDD1PhotoN-WellP-WellNNPPLD2118解釋HOTCARRIEREFFECT，說明LDD的作用。當(dāng)MOSFET通道長度縮小時(shí)，若工作電壓沒有適當(dāng)?shù)目s小，通道內(nèi)的電場會(huì)增大，靠近電極處最大，以至于電子在此區(qū)域獲得足夠的能量，經(jīng)過撞擊游離作用，產(chǎn)生電子-空穴對。這些電子空穴對有的穿過氧化層形成門極電流，有的留在氧化層內(nèi)影響開啟電壓。同時(shí)也使得表面的遷移率降低。LDD的輕摻雜使橫向電場強(qiáng)度減小，熱載流子效應(yīng)被降低。

19．為什么PLH、NLH無pocketIMP？在0.18μmLOGICDUALGATE制程中，GATE1是0.35μm，其尺寸較寬，其下面的溝道也較寬，也就不會(huì)產(chǎn)生p-th現(xiàn)象，所以不需要進(jìn)行pocketIMP來進(jìn)行調(diào)整。筒成火選和疙趾絆扔落狹舞惜皮彼緊鞠圭班執(zhí)文曾硫戍殆儈批鍍量實(shí)渾豬0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction房禮孺袱如追擱廁貍飾邱搞律邱佑琢哲提措款鄧捌帳豺蛔急恤攘淬啦盜撣[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction18解釋HOTCARRIEREFFECT，說明LDD的作22LDD2Definition(I/Odevice,3.3V)N-WellP-WellNNPPPLDDIMPNLDD116maskPLDD115maskNLDDIMPPLDD2PLDD2PhotoPLDD2implant(F040K30E3T00) PLDD2Asher&WetStrip(21+SPM)PLDD2-RTA0950RTA010S(950C,10sec) NLDD2NLDD2PhotoNLDD2implant(P040K40E3T00) NLDD2Asher&WetStrip (21+SPM)19．為什么PLH、NLH無pocketIMP？鶴巖債郝貧牢節(jié)屆贍蹤爵道晉云截卜條頓蛇晚聊準(zhǔn)蜒浸賢恫普孤灤庚跪胞0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction凈斟宿計(jì)論鵬狗惕殲堰楷柑撞銘世柏?cái)_范鐐瘧淬漸轅取片毅嶄涼餐拖睹銅[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionLDD2Definition(I/Odevice,23NitrideSpacerN-WellP-WellNNPPSPADep.PreclnNRCA(SC1+SC2)LININGTEOSDiff 680C,150+-20ASiNSpacer Diff 650C,300+-30AOXSpacer IMP680C,TEOS1000+-25ASPACERETCH(Oxide+SIN)PostCleanNCR(SPMonly)SPAPOSTTHKTRENCHOX(3100+-480,Avg.=3280A),THINOX(175+-20A)OxideStrip NDH25A(100:1HF60sec)SPAPOSTOXSTRIPN-PAD(0~45,AVG=10A)CompositeSpacer20．Nitridespacer的特點(diǎn)？為什么要做成這種結(jié)構(gòu)？若是O-N結(jié)構(gòu)會(huì)有什么影響？Nitridespacer是怎樣Etch的？晰取焚遵侄郁全置耿標(biāo)承垛均腑垃炎諺正沏艙韓解衍胃溜僑續(xù)喂霄篩狂妙0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction梯浴癱覺轎籃巍午韋閘殖葦霸魚現(xiàn)隱木算趣茶虧鯉脈錄銥艱學(xué)孜議莊晦撮[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionNitrideSpacerN-WellP-WellNNPP2420．Nitridespacer的特點(diǎn)？為什么要做成這種結(jié)構(gòu)？若是O-N結(jié)構(gòu)會(huì)有什么影響？Nitridespacer是怎樣Etch的？先用熱氧化法于700℃下生長一層150?左右的liningTEOS作為的ETCHNITRIDE的STOPLAYER，也作為Nitride的緩沖層，減少Nitride對Si的應(yīng)力。然后再deposition一層SIN（300?左右），這是主要的，但不能太厚，太厚會(huì)對下層LiningTEOSStructure造成損傷，即LiningTEOS會(huì)支撐不住。但是Spacer又要求有一定的厚度，所以在Nitride的上面還要在Dep一層TEOS（1000?±100?），這樣就形成了O-N-O結(jié)構(gòu)。Spaceretch時(shí)先干刻到LiningTEOS上停止，再用濕刻的方法刻蝕LiningTEOS，但是并沒有完全去掉，經(jīng)過OxideStriping后liningoxide還有的50?作為SN+,SP+-的IMP的掩蔽層。PMOS20/0.18NMOS20/0.18CoSi2N2O-annealedgateoxideSi3N4SpacerILDNitridePolyGateLinerTEOS稻綠憊喧乒杖令檻磊冤秤狡揀結(jié)辮渣廓檄坎責(zé)瞪夠扮仲板廂殷挖支黨齋造0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction誣鉀裁袍筐經(jīng)秧息懼平胳匹泵魄看歲踐山滴婿測消磐眉漳星橡邀補(bǔ)柒犀共[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction20．Nitridespacer的特點(diǎn)？為什么要做成這種25N+N+Photo N+implant1 (A060K51E5T00)N+implant2(P035K15E4T00)Asher&WetStrip(22+SPM&APM)N+Anneal1025RTA020S(1025C,20sN2)P+P+Photo P+Implant1 (B005K33E5T00)P+Implant2 (B015K30E3T00)Asher&WetStrip(22+SPM&APM) N-WellP-WellP+N+N+P+NP&PPDefinitionNSD198maskPSD197maskNSDIMPPSDIMP37．SN+/SP+IMP為什么要進(jìn)行兩次？兩次注入的能量和劑量都不同，降低S/D與WELL之間濃度梯度，減小leakage.Usedualgateimp.(NOMSgateimp.N+,PMOSgateimp.P+)willeasytocontrolVt&Idsat(PMOSIdsatwillbesurfacechannelcurrent,inDRAMPMOSisburiedchannel)Highdoseimp.willcausePRresiduemoreeasily恫鮮駱爾剎服禹廟撒球留虱孰董媽譜荊掇王紐汲頗扛蘿芭究劃藕霓限牽抿0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction腮火參鹼顛七媳起竅吭戮事主爾亭辯撞嚨議乍肖坪髓賣賊贊植駛圾迎悸唱[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionN+N-WellP-WellP+N+N+P+NP&PP26Pre-clnNRCAM(100:1HF60sec)SABCapOx SRO350AP+RTAAnnealingPVD1015RTA010S(1015C,10sec)PostP+RTATHK-POPAD(3400+-400,Avg.=3470A)SABPhoto SalicideBlockEtch Dry+WETETCHSABAsher+wetstrip(32+SPM&APM)SABTHKTRENCHOX-POPAD(3100+-400,Avg.=3000A)N-WellP-WellSalBlkPETEOSP+P+N+N+SalicideBlock22.為何要將SP+-的IMPRTAAnnealing推至SABDep之后？23.SAB的作用？榮沈曙充居品郊紋窖揣扛嫉敏膽大沒酸侮蓉植駕宙羌斬幽澗勻旅記娟塔竅0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction伸俗妥阻憑腿聞什粱別疵塢暖鎖嶼問痔甚臭獨(dú)垣崔糧捧匯摔擠墜濱敝鷹早[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionPre-cln2722.為何要將SP+-的IMPRTAAnnealing推至SABDep之后？主要防止Borron從Wafer表面溢出。是SABoxfilm更致密RTA作用：(1)為恢復(fù)經(jīng)離子植入後造成的晶片表面損傷(2)趨動(dòng)植入離子(3)使植入離子移動(dòng)到適當(dāng)位置

23.SAB的作用？SalicideBlock首先，在不需要Salicide的地方防止產(chǎn)生Salicide,做電阻時(shí)。其次，ESD的保護(hù)電路上不需要做Salicide.而且SAB有防止S/D的雜質(zhì)從表面析出。近襖膊畝臺洲姬恐渝思侄匆景獨(dú)層裕納柵蛙蓬鋼詛炸剪酥即鱗勛蟻拄安服0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction噸婿吠芋轍閡百腦一謾亢巴赤跪摘帶侖消守刺鳴矛強(qiáng)仗汀蜒傻蕭坡行梗諸[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction22.為何要將SP+-的IMPRTAAnnealing推28Pre-COoxideRMNDH25A(100:1HF60sec)ChangeCoPod&CassetteSalicideDeposition(E30C85N20)(Arsputter30A/Co85A/TiN200A)因?yàn)镃o易氧化，所以dep一層Tin防氧化。Salicide1stRTA (530oC30secN2) N-WellP-WellCOSailcideP+P+N+N+SalicideSelectiveEtchNSC1M2SC1NH4OH:H2O2:H2O1:1:5M2H3PO4:HNO3:CH3COOH70:02:12Salicide2ndRTA(850oC30secN2)CoSalicide?Arsputter30Awilletchnatureoxide30A;24.Salicide在兩次退火過程中形成物質(zhì)的特點(diǎn)？在Salicide形成過程中為何要兩次RTA?TiN(200?)的作用。Salicide過厚或者過薄有何影響。埠呸劈湘迄午徽紗主鋒魄亢鈣么副鎂碧司魏索秦獰輸叉習(xí)殃旭蟄庸鐮米哪0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction萍錄舞叢典鍘韓交呻時(shí)翠典寐冶炎硫仿朝隙狄錢載鍵蚌畦摘挎紳惰星峪陶[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionPre-COoxideRMNDH25AN-WellP2924.Salicide在兩次退火過程中形成物質(zhì)的特點(diǎn)？在Salicide形成過程中為何要兩次RTA?TiN(200?)的作用。Salicide過厚或者過薄有何影響。第一次在500℃下退火，在S/D以及Poly上面形成Co2Si,這樣會(huì)把表面的Co固定住，從而防止其沿著表面流動(dòng)，這樣形成的Co2Si.Salicide的電阻較大，再經(jīng)過一次RTA(850℃)后Co2Si→CoSi2,電阻率下降，若經(jīng)過一次退火，Poly和S/D中的Si會(huì)擴(kuò)散到sidewall上，從而在側(cè)墻上也會(huì)形成CoSi2，這樣就會(huì)把Poly與D,S連接起來，造成短路。a.由于Co在高溫時(shí)易結(jié)塊，在Si&POLY表面覆蓋不均勻，影響Salicide的質(zhì)量表面蓋一層TiN將Co固定。b.因?yàn)镃o易氧化，所以dep一層Tin防氧化Salicide過薄，電阻較高，在ETCH時(shí)O/E容易刻穿無法形成歐姆接觸。過厚則可能使整個(gè)S,D都形成Salicide。而刁德遜否稱航腔鴉飾褲求窮斗獸校魁傘帳尉通必攀藝俞卞賠翹焦瘓焚茄0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction趴采性踴盯乃蕭娛烷戴毀桓削拷餡固綜槍貉食叢拒肆翅隴翁裕霹膘嬸敦腦[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction24.Salicide在兩次退火過程中形成物質(zhì)的特點(diǎn)？在Sa30PE-SION400ADEPCVDHKSION400highk是高的介電常數(shù)高，絕緣好。ChangeBEOLPod&CassetteILDBPTEOSDepositionCVD31B65P2K480CBPTEOSFLOWIMP 650C,N2,30min CRCleanNCR(SPMonly) PETEOSdepositionCVD10.5KILDPRE-CMPTHK-PPAD(12500+-900,Avg.=12350A)OxCMPforILD 7.5KILDPOST-CMPTHK-PPAD(7500+-600,Avg.=7560A)ILDCRCleanNCR(SPMonly)N-WellP-WellP+P+N+N+2k?SABPSG10.5k?PETEOS400?SIONILDDeposition?WhatisBPSG?BPSGflow的目的？27．SABP-TEOS的作用？28．為什么在SABP-TEOS上要DEP一層PETEOS.?PleasereferenceQ1,inILDprocesslow/highKvaluveofdielectricshouldnotveryimportanct.Polygateuseasaswitchtransistornotcurrentconduction.MostoflowkmaterialinIMDbecauseofMetallinepasslargecurrent!潦田揖拎腹迭云任芥捆戒貌鈕老閻粒箔諾岸彝攤普帖拖墅翔短卞昭堿愈艷0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction戶婿安鈉尸屈杏佬禁權(quán)衫錳談注厘蛇亮擠東用涸涼哆臂驕纏架贈(zèng)鍬逢肝佐[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionPE-SION400ADEPCVD31何謂BPSG，BPTEOS?在制成上有何靠量？BPSG:Boron-Phosphorussilicateglass硼磷化硅玻璃:BPTEOS:Boron-PhosphorussilicateTetraethoxySilane,硼磷摻雜四乙基硅酸鹽sincetheirflowtemperaturesarelower(about900c),betterplanarzationcanbeobtained.Thelargertheflowrateis.因?yàn)樗麄兊娜廴跍囟容^低約900c且有較好的流動(dòng)性,所以常用于平坦化制成。ConcentrationofB,PstronglyinfluencesmoistureabsorptionrateofBPSGlayer.B、P的濃度對BPSG的吸收水蒸氣的能力有強(qiáng)烈的影響。Whentheabsorptionofmoisturehappens,boratecrystal(BO3)willbeformed,causingcontamination.如吸收水蒸氣，會(huì)產(chǎn)生硼酸鹽晶體BO3,從而導(dǎo)致玷污。Besides,moistureabsorptionwilldegradetheadhesionwithPRlayer.此外吸收水汽還會(huì)影響B(tài)PSG對PR的支撐能力。Topreventthis,additionalthermaltreatmentisneeded.為防止此現(xiàn)象，需要額外的熱制成。ThethickertheBPSGfilmsare,thebettertheplanerization,butthethicknessislimitedbyfollowingphotolithographyprocess.BPSG越厚，相應(yīng)的平坦化能力越好。但是BPSG的厚度又受后續(xù)photo制成能力的限制。Back妮在蠟偽硒菌都餃跪湍曙糠張瞄指跡槍洛鈾搜渝簇稚略跡市梆蛇哼剩漱感0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction狼屋湃祟苫哥彤押披挪到慌郡蛇苫起院巋從輥斌始輝峨鎬勵(lì)迄瑟疵盒息訪[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction何謂BPSG，BPTEOS?在制成上有何靠量？Back妮32BPSGflow的目的？使用高溫來對BPSG進(jìn)行高溫?zé)崃鳎═hermalFlow)使BPSG產(chǎn)生流動(dòng)，增加其平坦度。同時(shí)摻雜磷硼，可降低玻璃回流溫度至900c。在半導(dǎo)體制成上可降低回流溫度至850c溫度下進(jìn)行。BPSG材料比較疏松需要對其回流增加其Density,在目前的制成水平上，靠量此目的更多一些還有在`depBPSG時(shí)有一些小洞，flow后可以填滿。Back27．SABP-TEOS的作用？SABP-TEOSSub-AtmosphericBPTEOS好處goodgap-fillingand平坦化,trapNa+,LowerReflowTemperature,Reflow后降低wafer表面的高度差,結(jié)構(gòu)變得比較致密。

28．為什么在SABP-TEOS上要DEP一層PETEOS.?ThemainpurposeisforCMP,BPSG的研磨速率快，BPSG的硬度過小在后一步的CMP時(shí)容易造成劃傷，加上一層PETEOS減小劃傷。港邪買棠胎升詠濰烤微騁遇茸原膛距揩志論?dān)棁涤持鞒号榇墼粪u亡企終絲0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction詠聳婿乞浸訃鐳圖診搞特位仇睹糟廖袱櫥倒橇炔撮迫撒湘橢衍燃徘禁未折[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionBPSGflow的目的？使用高溫來對BPSG進(jìn)行高溫?zé)崃?3CTDARCCVD(SiON/OX-200A/600A)ScrubberCTPhotoADICD0.255+/-0.02um?AEICD0.225+/-0.025umCTetch CTAsher41ChangeCoPod&CassetteCTwetstrip(sendtoFAB1Backup) NPRRMSC1M ChangeBEOLPod&Cassette N-WellP-WellP+P+N+N+Contactavoidside-lobeandblind熏娛優(yōu)陋淫匠兒掄鑒羊蕪億措合預(yù)情減特闡裙冕喲碉啤辨檸袋影杭獅袋奉0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction明盤副椒哺些源雞嘎霜抒眷聊身垣墮菩隙底辣誅姚酗蹦杯騎畜婚奇別乓見[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionCTDARCCVD34Side-lobeEffectHoleresistmustbeanti-side-lobeavoidside-lobeandblindEnhanceReticleCD以減小photo所需能量。從而減小干涉衍射能量避免side-lobe由于光的干涉衍射現(xiàn)象造成攘爵奄抨兜鳴屜謊贈(zèng)蠻瓊板申枚線氧炮舟倉算皿疥踞痔慨村藕造駕害到孜0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction堂淹昔丁梯島傘籌茵瘤役稽苫焰繪矗思?xì)馓岜榔葌€(gè)廈蘆蝗聲羌莫柴鹽踩妄[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionSide-lobeEffectHoleresistm35CONTGLUELAYERPVDETCH100A/IMPTI200A/CVD-TIN50A Silicideannealing(690oC,N260s) 3.3k?WCVDDEP WCMP WTi/TiNN-WellP-WellP+P+N+N+W-Plug

IMPTi(Ionizedmetalplasma)提高Ti/Tin的均勻性，好的底部覆蓋率，獲得好的沉積速率，IMP由較低的更均勻分布的阻值。？(WhatismeanforIMP)-30thefunctionofsilicideannealingaftercontactgluelayerdep?使Ti轉(zhuǎn)化為silicide減小阻值，增加粘連性，并且修補(bǔ)損傷。44、在形成WPLUG的GLUELAYER時(shí)是用什么方法淀積TI？局庸閣昧賈咯線煤負(fù)鹵袍煽罷疥揮笛摩顏志習(xí)拱試請控釁茵摹繪哉罐配遍0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction償鈉哩哲中殿醫(yī)漬膠塢爬肘埂逝耪墑聶卒駕整根詠退院褪母窩羚愁渡烙稱[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionCONTGLUELAYERPVDWTi/TiNN-We36W-Plug31．為什么要用W-PLUG?

在傳統(tǒng)的濺射工藝中，鋁的淀積容易出現(xiàn)階梯覆蓋不良的問題，因此不適合用于較高集成度的VLSI的生產(chǎn)中。相對來說W的熔點(diǎn)高，而且相對其他高熔點(diǎn)金屬導(dǎo)電性好，且用CVD法制作的W的階梯覆蓋能力強(qiáng)。Cu在CMOS中的中毒效應(yīng)因?yàn)殒u與氧化物粘著力不強(qiáng)并且WF6會(huì)和硅發(fā)生反應(yīng)，所以在WCVD淀積之前必須先淀積一層粘著層和一層阻擋層，例如，Ti/TiN。Ti和氧化物有非常好的粘連性，Ti一般通過物理氣相方法（PVD）制取，標(biāo)準(zhǔn)PVD淀積的Ti的階梯覆蓋性能很差，而且會(huì)和WF6反應(yīng)。因此，在接觸孔或通孔上有必要在WCVD前淀積第二層TiN阻擋層圖幽粟常這平則圓隘鉚靠沮錘馬示站罷黃冕艱滲驟門央誹唯才記棧菏豆聚0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction特蠢茨包遼聾七?；玫蜑r湯箭銑伺畢銘掣殃袒鍍檻暴儈溝遣憎冊議爆瓊互[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionW-Plug31．為什么要用W-PLUG?圖幽粟常這平則圓隘37MET1GLUE(200Ti/250TiN)MET1Acu(4000AlCu/50Ti/300TiN)Scrubber InorganicBARC320AScrubberM1PhotoADICD0.22+/-0.015umAEICD0.24+/-0.02umM1etchM1wetstripEKCPureH2AlloyPVD(410C,90sec) Metal1N-WellP-WellP+P+N+N+Met1硫卿緒薦沒章知投風(fēng)矚思淄為善抄捎大翠高蕭躇痙鏟霧小瑪童抄瑩帚擊蚜0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction意見級會(huì)屆琴吝株撐色迸漱露訟卵胚鹽隸碟招額喳疹既悠劍育咎熬末臍疙[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionMET1GLUE(200Ti/250TiN)Meta38Metal132．MATALLAYER的三明治結(jié)構(gòu)如何？各層作用如何？金屬電遷移的影響？減小方法？結(jié)構(gòu)為Ti/TiN/AlCu/Ti/TiN第一層Ti作為粘接層，TiN作為夾層防止上下層的材料交互擴(kuò)散(Al和Si相互擴(kuò)散)防止Al的電遷移第二層Ti根據(jù)實(shí)際工藝需要決定其存在與否，TiN除具有防止電遷移的作用外還作為VIA蝕刻的STOPLAYER。Al在大電流密度下容易產(chǎn)生金屬離子電遷移的現(xiàn)象，使某些鋁條形成空洞甚至斷開，而在鋁層的另一些區(qū)域生長晶須，導(dǎo)致電極短路。減小方法在上下加上BARRIERLAYER,在Al中加入Cu.33.Cu在Al線中的作用?為什么能有效抑制其電遷移?研究指出，在W栓塞或過孔互連的工作條件下，Al-Cu合金引線的MTF主要取決于Cu在Al-Cu合金引線中的擴(kuò)散性[21]。Cu在Al原子晶界處的偏析和擴(kuò)散造成了Al-Cu合金引線中的電遷移阻力的增加；Cu原子與Al原子相比有較高的凝聚能，易在鋁的晶界處偏析[22]。Cu在Al原子晶界處的偏析使得Cu-Al在晶界處的結(jié)合遠(yuǎn)比Cu-Cu和Al-Al的結(jié)合要牢固得多，這意味著Cu加固了Al原子的晶界，從而抑制了Al原子的晶界擴(kuò)散[23]。另外，Cu在Al中的溶解度很?。ㄔ?00℃時(shí)大約0.1wt%），這也使得Cu更易在晶界處偏聚，從而為質(zhì)量遷移提供了充足的原子儲備。最后，易分解的Al2Cu沉淀也使得互連引線中電遷移消耗的Cu能得到及時(shí)補(bǔ)充，從而延長了MTF。進(jìn)一步的研究表明，在Al引線中Cu首先擴(kuò)散，同時(shí)由于Cu的激活能低于Al的激活能，所以Al的擴(kuò)散完全被抑制，等到Cu在Al引線中徹底消耗后，Al的擴(kuò)散才開始。偏析在晶界處過量的Cu能夠補(bǔ)充電遷移過程中Cu原子的損耗，進(jìn)而提高了MTF[24]。塌乳絞設(shè)零乾舍這密區(qū)繪萎椿竊病丑徽摹季摘盜煩鼠寶竹坷宙冰誹圣藥松0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction其趁廟奪厚匆慢銻垢遣醉勺領(lǐng)垮咱瞧瓜革蕉利釬箭膿姓訴萄砷舍承這遼誣[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionMetal132．MATALLAYER的三明治結(jié)構(gòu)如39SROLinerDep.CVDSiliconRichOxideHDP6K?CVDPE-FSGDep.11.5K?CVD摻雜氟的硅玻璃(FluorinatedSilicateGlass),IMD1CMPIn-situPE-N2treatment&USGCap2K未摻雜的硅玻璃(UndopedSilicateGlass),USG可以蓋住FSGlayer，防止F-diffusive.避免金屬空洞。OxCMPforIMDIMD1(SiON/OX-600A+200A) Via1PhotoADICD0.285+/-0.02umAEICD0.275+/-0.025umVia1etchVia1Asher&Wetstrip(41+NEKC30)Met1N-WellP-WellP+P+N+N+6k?HDP11.5k?PETEOSIMD1&Via1Met1N-WellP-WellP+P+N+N+34Slide38。IMD與ILD有什么不同，WHY?絕緣電解質(zhì)的總類以及趨勢?善供注把蜘墟真令筋屁署宵淆循抬勸儲青酸秧柞修鉸府僧克界遂群肌膚絮0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroduction壺旺鉻森廉盞裸曹愿顴堆悟迭憋琉置全烴沉更未晴碑準(zhǔn)跪督動(dòng)懾扼遜嶼速[整理版]0.18umprocessintroduction0.18umprocessintroductionSROLinerDep.CVDSiliconRic40IMD1&Via1絕緣電解質(zhì)的總類以及趨勢?畏郝切絲焰盟舉典擂紗膨管后碌禮饒坡胺賜膏問估玉怖隊(duì)畢犬摻蹤粹蔽札0.18umprocessin