半導(dǎo)體物理第5章習(xí)題_第1頁(yè)
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半導(dǎo)體物理習(xí)題課件第五章用強(qiáng)光照射n型樣品，假定光被均勻吸收，產(chǎn)生過(guò)剩載流子，產(chǎn)生率為，空穴的壽命為。⑴寫(xiě)出光照下過(guò)剩載流子滿足的方程⑵求出光照達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)時(shí)過(guò)剩載流子濃度解答：⑴少子（過(guò)剩載流子）滿足的運(yùn)動(dòng)方程為：根據(jù)題意：①光被均勻的吸收,故不存在少子濃度梯度，故擴(kuò)散項(xiàng)為零。②電場(chǎng)為零，不存在漂移因素，則漂移項(xiàng)為零∴過(guò)剩少子滿足⑵穩(wěn)態(tài)時(shí)，半導(dǎo)體材料壽命，光照時(shí)產(chǎn)生非平衡載流子，試求光照突然停止后，非子衰減到原來(lái)的百分之幾？解答：t=0時(shí)非子濃度為當(dāng)而時(shí)非子衰減為原來(lái)的：畫(huà)出p型半導(dǎo)體在光照（小注入）前后的能帶圖，標(biāo)出原來(lái)的費(fèi)米能級(jí)和光照時(shí)的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)。解答：，且，故偏離較小，，偏離較大，，，，對(duì)Si，，光照產(chǎn)生，試計(jì)算準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)位置，并與原來(lái)的費(fèi)米能級(jí)作比較。解答：<2><1><2>代入<1>得：解出又①原來(lái)的費(fèi)米能級(jí)位置：由可得：②由可得：③①+③得②-①得對(duì)N型半導(dǎo)體，偏離較小，而偏離較大p型Ge，T=300K，，解答：，求電子的擴(kuò)散長(zhǎng)度。由愛(ài)因斯坦關(guān)系：，空穴濃度線性分布，

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