半導(dǎo)體物理第5章習(xí)題_第1頁
半導(dǎo)體物理第5章習(xí)題_第2頁
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半導(dǎo)體物理第5章習(xí)題_第5頁
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半導(dǎo)體物理習(xí)題課件第五章用強(qiáng)光照射n型樣品，假定光被均勻吸收，產(chǎn)生過剩載流子，產(chǎn)生率為，空穴的壽命為。⑴寫出光照下過剩載流子滿足的方程⑵求出光照達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)時過剩載流子濃度解答：⑴少子（過剩載流子）滿足的運動方程為：根據(jù)題意：①光被均勻的吸收,故不存在少子濃度梯度，故擴(kuò)散項為零。②電場為零，不存在漂移因素，則漂移項為零∴過剩少子滿足⑵穩(wěn)態(tài)時，半導(dǎo)體材料壽命，光照時產(chǎn)生非平衡載流子，試求光照突然停止后，非子衰減到原來的百分之幾？解答：t=0時非子濃度為當(dāng)而時非子衰減為原來的：畫出p型半導(dǎo)體在光照（小注入）前后的能帶圖，標(biāo)出原來的費米能級和光照時的準(zhǔn)費米能級。解答：，且，故偏離較小，，偏離較大，，，，對Si，，光照產(chǎn)生，試計算準(zhǔn)費米能級位置，并與原來的費米能級作比較。解答：<2><1><2>代入<1>得：解出又①原來的費米能級位置：由可得：②由可得：③①+③得②-①得對N型半導(dǎo)體，偏離較小，而偏離較大p型Ge，T=300K，，解答：，求電子的擴(kuò)散長度。由愛因斯坦關(guān)系：，空穴濃度線性分布，

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