
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
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文檔簡介
1門電路分立元件門電路集成門電路雙極型集成門(TTL集成門)單極型集成門(MOS集成門)集成邏輯門中使用的開關(guān)器件是:晶體管場效應(yīng)管
研究它們的開關(guān)特性門電路是數(shù)字系統(tǒng)最基本的單元電路。與門、或門、與非門、或非門、異或門等。3.1概述2
ViVoK5VRK斷開----K閉合----可用二極管、三極管、場效應(yīng)管代替Vo=5v輸出高電平Vo=0v輸出低電平獲得高低輸出電平的原理電路3、高、低電平的概念電平就是電位,在數(shù)字電路中,人們習(xí)慣于高、低電平一詞來描述電位的高低。它們表示的都是一定的電壓范圍,而不是一個固定不變的數(shù)值。高電平的電壓范圍:1.8-5V低電平的電壓范圍:0-0.8V0V5V0.8V1.8V正邏輯10負(fù)邏輯0143.2.1晶體二極管的開關(guān)特性
二極管正偏與等效電路–+1kΩ5V(a)(b)–RVcc0.7V++–i+–0.7v3.2半導(dǎo)體二極管邏輯門電路5Vcc–R+(b)–5V+0mA–5V+1kΩ(a)
二極管反偏與等效電路6tVi0(a)ti0(b)tre
二極管動態(tài)電流波形7VCC=+5VAFR=2.8KBCABCF00000101001110010111011100000001&ABCFIILIIL=(VCC-0.7)/RIIL
=(5-0.7)/2.8K=1.5mA3.2.2二極管與門電路8思考如下問題:(1)試問IIL,IIL1,IIL2,IIL3其值各為多少?它們之間有何關(guān)系?(設(shè)VCC=5V,UIL=0.3V,UIH=6V)
IIL3IIL2FIIL&IIL1VCC=+5VAFR=2.8KBCIIL1IIL2IIL3IIL&
將幾個輸入端并聯(lián)使用時,總的輸入低電平電流與使用單個輸入端的輸入低電平電流基本相等。IIL=(5-0.7)/2.8(mA)IIL1=
IIL2=
IIL3=IIL/39(2)在下圖中,(設(shè)VCC=5V,UIL=0.3V,UIH=6V)。
F
+6V
&IIHR2.8kΩ
VCC+5VD3D2ABCD1輸入高電平電流IIH=二極管反向飽和電流IIH+6V10在下圖中,IIH,IIH1,IIH2,IIH3其值各為多少?它們之間有何關(guān)系?(設(shè)VCC=5V,UIL=0.3V,UIH=6V)。
IIH3FIIHIIH2+6V
&IIH1VCC=+5VAFR=2.8KBC
將幾個輸入端并聯(lián)使用時,總的輸入高電平電流將按并聯(lián)輸入端的數(shù)目加倍。IIH1+6VIIH2IIH3113.2.3半導(dǎo)體二極管或門電路R=2.8KABCFABCF01110100100001010011011101111111≥1ABCF12二極管與門和或門電路的缺點:(2)負(fù)載能力差(1)在多個門串接使用時,會出現(xiàn)低電平偏離標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值的情況。133.4TTL集成邏輯門電路集成電路(Integratedcircuit),簡稱IC。就是將元器件和連線制作在一個半導(dǎo)體基片上的完整電路。集成度:一個芯片內(nèi)含有等效邏輯門的個數(shù)。小規(guī)模集成電路SSI1-10個邏輯門/片中規(guī)模集成電路MSI10-100個邏輯門/片大規(guī)模集成電路LSI大于100個邏輯門/片超大規(guī)模ICVLSI10000以上個邏輯門/片所用半導(dǎo)體器件的不同TTL電路MOS電路143.4.1晶體三極管的開關(guān)特性1.晶體三極管的工作狀態(tài)截止、放大、飽和iC/mAVCE/V截止區(qū)飽和區(qū)80μA60μA40μA20μAIB=0放大區(qū)0RCRBVCCvivoiBiCb15RCRBVCCvivoiBiCb截止:發(fā)射結(jié)、集電結(jié)都反偏vi<0.7viB≈0iC≈0vo
≈
VCC放大:發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏vo=vce=VCC-iCRCvi>0.7viB>0iC=βiB飽和:發(fā)射結(jié)、集電結(jié)都正偏>0.7viB>0vo=vces≈0.3vβiB>iCviVCE/V截止區(qū)飽和區(qū)80μA60μA40μA20μAIB=0放大區(qū)016iC/mAVCE/V截止區(qū)飽和區(qū)80μA60μA40μA20μAIB=0放大區(qū)0飽和判別條件:iB≥
IBS飽和:ICS(VCC-0.3)/RC臨界飽和:IBS=ICS/RCRBVCCvivoiBiCb-BRBESViV=Bi17RCRBVCCvivoiBiCb(a)截止:vi<0.7viB≈0iC≈0vo
≈
VCC放大:vo=vce=VCC
-iCRCvi>0.7viB>0iC=βiB飽和:vi>0.7viB>0vo=vces≈0.3viCS=(VCC
–0.3)/RCiB≥IBS判斷三極管是否飽和的條件IBS=(VCC–0.3)/βRC18RCRBVCCvivoiBiCb(a)例1.在所示電路中,若VCC=5V,RC=1kΩ,RB=30kΩ時,試分析計算:(1)b=100,試求vi=0V和vi=3V時的輸出電壓vo
解:vi=0V時,VBE=Vi=0V∴三極管截止,Vo=VCC=5Vvi=3V時,047.011003.05=.-=-=BSICESVCCV=CRbCSIb077.0=307.03-=-BRBESViV=Bi由于:iB>IBS,三極管飽和,所以輸出電壓vo=0.3V19(2)若b=50其余條件不變,再求vi=0V和vi=3V時的輸出電壓vo=?(VCC=5V,RC=1kΩ,RB=30kΩ)解:vi=0V時,Vo=5Vvi=3V時,0.094150=.==BSICESV=CRbCSIb5--CCV3.0077.0=307.03-=BRBESViV=Bi由于:iB<IBS,所以三極管處于放大狀態(tài)-RCRBVCCvivoiBiCb20vo=VCC-iCRCiC=biB=50×0.077=3.85mA5v1KΩ?三極管處于放大狀態(tài)時,vo=?RCRBVCCvivoiBiCb(a)vo=1.15V21(3)分析VCC,vi,RB,RC,
b的大小如何變化才有利于三極管的飽和?
飽和條件?iB≥
IBS-=BSICESVCCV=CRbCSIb-BRBESViV=Bi時有利于三極管飽和。VCCviRBRCbRCRBVCCvivoiBiCb(a)222.晶體管的動態(tài)特性
tofftonVO00ViRCRBVCCvivoiBiCb(a)ton:開通時間toff:關(guān)閉時間23R1DR2AF+5V+3V嵌位二極管3.
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