標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 14114-1993 半導(dǎo)體集成電路電壓/頻率和頻率/電壓轉(zhuǎn)換器測(cè)試方法的基本原理》作為一項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路中電壓/頻率轉(zhuǎn)換器(VFC)和頻率/電壓轉(zhuǎn)換器(FVC)的測(cè)試原則、方法及要求。然而,您提供的對(duì)比要求中,《》部分為空,這意味著沒有具體指出要與哪個(gè)標(biāo)準(zhǔn)或版本進(jìn)行比較。因此,直接對(duì)比變更內(nèi)容無法完成。但可以概述該標(biāo)準(zhǔn)本身的一些關(guān)鍵點(diǎn):
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適用范圍:該標(biāo)準(zhǔn)明確了適用于測(cè)試半導(dǎo)體集成電路中的電壓/頻率轉(zhuǎn)換器和頻率/電壓轉(zhuǎn)換器的基本方法,為這類集成電路的性能評(píng)估提供了統(tǒng)一的測(cè)試基準(zhǔn)。
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測(cè)試環(huán)境:標(biāo)準(zhǔn)中詳細(xì)說明了測(cè)試環(huán)境的條件,包括溫度、濕度、電源穩(wěn)定性等,以確保測(cè)試結(jié)果的一致性和可比性。
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測(cè)試項(xiàng)目:涵蓋了基本參數(shù)如轉(zhuǎn)換精度、線性度、響應(yīng)時(shí)間、工作頻率范圍等的測(cè)試方法,確保轉(zhuǎn)換器的功能和性能符合設(shè)計(jì)要求。
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測(cè)量?jī)x器與校準(zhǔn):規(guī)定了測(cè)試中應(yīng)使用的測(cè)量設(shè)備類型及其必要的校準(zhǔn)要求,保證測(cè)試數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。
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測(cè)試程序:詳細(xì)描述了各項(xiàng)測(cè)試的具體步驟,包括預(yù)處理、測(cè)試執(zhí)行、數(shù)據(jù)記錄等,便于操作者遵循。
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結(jié)果判定:提供了測(cè)試結(jié)果的判定準(zhǔn)則,幫助判斷被測(cè)器件是否滿足規(guī)格要求。
若需要對(duì)比該標(biāo)準(zhǔn)與其他特定標(biāo)準(zhǔn)或后續(xù)修訂版之間的差異,請(qǐng)?zhí)峁┚唧w的對(duì)比對(duì)象。
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 1993-01-21 頒布
- 1993-08-01 實(shí)施
文檔簡(jiǎn)介
UDC621.382L56中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T14114一93半導(dǎo)體集成電路電壓/頻率和頻率/電壓轉(zhuǎn)換器測(cè)試方法的基本原理GeneralprinciplesofmeasuringmethodsofV/Frintegratedcircuits1993-01-21發(fā)布1993-08-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布
(京)新登字023號(hào)中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體集成電路電壓/頻率和頻率/電壓轉(zhuǎn)換器測(cè)試方法的基本原理GB/T14114-93中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號(hào)邯政編碼:10XX45電話:63787337637874471993年11月第一版204年12月電子版制作書號(hào):155066·1-9972版權(quán)專有廠侵權(quán)必究舉報(bào)電話:(010)68533533
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體集成電路電壓/頻率和頻率/電壓轉(zhuǎn)換器測(cè)試方法的基本原理GB/T14114-93GeneralprinciplesofmeasuringmethodsofV/FandF/Vconvertersforsemiconductorintegratedcircuits主題內(nèi)客與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路電壓/頻率和頻率/電壓轉(zhuǎn)換器(以下簡(jiǎn)稱器件)測(cè)試方法的基本原理本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體集成電路電壓/頻率和頻率/電壓轉(zhuǎn)換器的電參數(shù)測(cè)試。引用標(biāo)準(zhǔn)GB3439華導(dǎo)體集成電路TTL電路測(cè)試方法的基本原理GB3442半導(dǎo)體集成電路運(yùn)算(電壓)放大器測(cè)試方法的基本原理GB3834半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測(cè)試方法的基本原理總的要求3.1若無特殊說明,測(cè)試期間,環(huán)境或參考點(diǎn)溫度偏離規(guī)定值的范圍應(yīng)符合器件詳細(xì)規(guī)范的規(guī)定.3.2測(cè)試期間,應(yīng)避免外界干擾對(duì)測(cè)試精度的影響,測(cè)試設(shè)備引起的測(cè)試誤差應(yīng)符合器件詳細(xì)規(guī)范的規(guī)定。3.3測(cè)試期間,施于被測(cè)試器件的電參量應(yīng)符合器件詳細(xì)規(guī)范的規(guī)定3.4被測(cè)器件與測(cè)試系統(tǒng)連接或斷開時(shí),不應(yīng)超過器件的使用極限條件。3.5若有要求時(shí),應(yīng)按器件詳細(xì)規(guī)范規(guī)定的順序接通電源。3.6測(cè)試期間,被測(cè)器件應(yīng)按器件詳細(xì)規(guī)范的規(guī)定連接外接網(wǎng)絡(luò),3.7,測(cè)試期間,被測(cè)器件應(yīng)避免出現(xiàn)自激現(xiàn)象。3.8若電參數(shù)值是由幾步測(cè)試的結(jié)果經(jīng)計(jì)算而確定時(shí);這些測(cè)試的時(shí)間間隔應(yīng)盡可能短4電壓/頻率轉(zhuǎn)換器參數(shù)測(cè)試4.1失調(diào)誤差Eo4.1.1目的測(cè)試器件輸出頻率為規(guī)定的起始值時(shí)實(shí)際輸入電壓與理想輸入電壓之
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