




版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶(hù)提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
§4-1離子鍵理論1916年德國(guó)科學(xué)家Kossel(科塞爾)提出離子鍵理論1-1離子鍵的形成(以NaCl為例)化學(xué)鍵—分子中的兩個(gè)(或多個(gè))原子之間的相互作用第一步電子轉(zhuǎn)移形成離子:
Na-e——Na+,Cl+e——Cl-相應(yīng)的電子構(gòu)型變化:2s22p63s1——2s22p6,3s23p5——3s23p6
形成Ne和Ar的稀有氣體原子的結(jié)構(gòu),形成穩(wěn)定離子。第四章化學(xué)鍵與分子結(jié)構(gòu)第二步靠靜電吸引,形成化學(xué)鍵。體系的勢(shì)能與核間距之間的關(guān)系如圖所示:縱坐標(biāo)的零點(diǎn)當(dāng)r無(wú)窮大時(shí),即兩核之間無(wú)限遠(yuǎn)時(shí)的勢(shì)能。下面來(lái)考察Na+
和Cl-
彼此接近的過(guò)程中,勢(shì)能V的變化。圖中可見(jiàn):
r>r0,當(dāng)r減小時(shí),正負(fù)離子靠靜電相互吸引,勢(shì)能V減小,體系趨于穩(wěn)定。r為核間距V為體系的勢(shì)能V0Vr0r0rr=r0,V有極小值,此時(shí)體系最穩(wěn)定,表明形成離子鍵。r<r0,當(dāng)r減小時(shí),V急劇上升。因?yàn)镹a+
和Cl-
彼此再接近時(shí),電子云之間的斥力急劇增加,導(dǎo)致勢(shì)能驟然上升。V0V因此,離子相互吸引,保持一定距離時(shí),體系最穩(wěn)定。這就意味著形成了離子鍵。r0
和鍵長(zhǎng)有關(guān),而V
和鍵能有關(guān)。離子鍵的形成條件1.元素的電負(fù)性差比較大X>1.7,發(fā)生電子轉(zhuǎn)移,產(chǎn)生正、負(fù)離子,形成離子鍵;X<1.7,不發(fā)生電子轉(zhuǎn)移,形成共價(jià)鍵。(X>1.7,實(shí)際上是指離子鍵的成分大于50%)2.易形成穩(wěn)定離子Na+2s22p6,Cl-
3s23p6,只轉(zhuǎn)移少數(shù)的電子就達(dá)到稀有氣體式穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。3.形成離子鍵時(shí)釋放能量多Na(s)+1/2Cl2(g)=NaCl(s)H=-410.9kJ·mol-1在形成離子鍵時(shí),以放熱的形式,釋放較多的能量。離子鍵—由原子間發(fā)生電子的轉(zhuǎn)移,形成正負(fù)離子,并通過(guò)靜電作用而形成的化學(xué)鍵離子型化合物—由離子鍵形成的化合物堿金屬和堿土金屬(Be除外)的鹵化物是典型的離子型化合物
1-2離子鍵的特征(1)作用力的實(shí)質(zhì)是靜電引力
q1,q2
分別為正負(fù)離子所帶電量,r為正負(fù)離子的核間距離,F為靜電引力。(2)離子鍵沒(méi)有方向性與任何方向的電性不同的離子相吸引,所以無(wú)方向性(3)離子鍵沒(méi)有飽和性只要是正負(fù)離子之間,則彼此吸引,即無(wú)飽和性。(4)鍵的離子性與元素的電負(fù)性有關(guān)X>1.7,發(fā)生電子轉(zhuǎn)移,形成離子鍵;X<1.7,不發(fā)生電子轉(zhuǎn)移,形成共價(jià)鍵。但離子鍵和共價(jià)鍵之間,并非可以截然區(qū)分的??蓪㈦x子鍵視為極性共價(jià)鍵的一個(gè)極端,而另一極端則為非極性共價(jià)鍵。1-3離子的特征從離子鍵的實(shí)質(zhì)是靜電引力Fq1q2/r2出發(fā),影響離子鍵強(qiáng)度的因素有:離子的電荷q、離子的電子層構(gòu)型和離子半徑
r(即離子的三個(gè)重要特征)。(1)離子的電荷(2)離子的電子層構(gòu)型電荷高,離子鍵強(qiáng)離子的電子層構(gòu)型大致有5種
(1)2電子構(gòu)型
(2)8電子構(gòu)型
(3)18電子構(gòu)型
(4)(18+2)電子構(gòu)型
(5)8—18電子構(gòu)型
在離子的半徑和電荷大致相同條件下,不同構(gòu)型的正離子對(duì)同種負(fù)離子的結(jié)合力的大小規(guī)律:
8電子層構(gòu)型的離子<8—17電子層構(gòu)型的離子
<18或18+2電子層構(gòu)型的離子(3)離子半徑離子半徑概念將離子晶體中的離子看成是相切的球體,正負(fù)離子的核間距d是r+和r-之和。dr+r-d值可由晶體的X射線(xiàn)衍射實(shí)驗(yàn)測(cè)定得到,例如MgOd=210pm。1926年,哥德希密特(Goldschmidt)用光學(xué)方法測(cè)得了F-和O2-的半徑,分別為133pm和132pm。結(jié)合X射線(xiàn)衍射所得的d值,得到一系列離子半徑。
=dMgO-=210-132=78(pm)
這種半徑為哥德希密特半徑。1927年,Pauling把最外層電子到核的距離,定義為離子半徑。并利用有效核電荷等數(shù)據(jù),求出一套離子半徑數(shù)值,被稱(chēng)為
Pauling半徑。教材上兩套數(shù)據(jù)均列出。在比較半徑大小和討論變化規(guī)律時(shí),多采用Pauling半徑。離子半徑的變化規(guī)律a)同主族從上到下,電子層增加,具有相同電荷數(shù)的離子半徑增加。
Li+<Na+<K+<Rb+<Cs+F-<Cl-<Br-<I-b)同周期的主族元素,從左至右離子電荷數(shù)升高,最高價(jià)離子半徑
減小。Na+>Mg2+>Al3+K+>Ca2+
過(guò)渡元素,離子半徑變化規(guī)律不明顯。c)同一元素,不同價(jià)態(tài)的離子,電荷高的半徑小。如Ti4+<Ti3+;Fe3+<Fe2+。d)負(fù)離子半徑一般較大;正離子半徑一般較小。e)
周期表中對(duì)角線(xiàn)上,左上的元素和右下的元素的離子半徑相近。1-4離子晶體(1)離子晶體的特點(diǎn)導(dǎo)電性熔點(diǎn)、沸點(diǎn)較高正負(fù)離子間的靜電作用力較強(qiáng)硬度高延展性差因離子鍵強(qiáng)度大,所以硬度高。但受到外力沖擊時(shí),易發(fā)生位錯(cuò),導(dǎo)致破碎。水溶液或熔融態(tài)導(dǎo)電,是通過(guò)離子的定向遷移完成的,而不是通過(guò)電子流動(dòng)導(dǎo)電。無(wú)確定的分子量NaCl晶體是個(gè)大分子,晶體中無(wú)單獨(dú)的NaCl分子存在。NaCl是化學(xué)式,因而58.5可以認(rèn)為是式量,不是分子量。因離子鍵強(qiáng)度大,所以硬度高。但受到外力沖擊時(shí),易發(fā)生位錯(cuò),導(dǎo)致破碎。硬度高延展性差F++--++--++--++--位錯(cuò)++--++--++--++--受力時(shí)發(fā)生錯(cuò)位,使正正離子相切,負(fù)負(fù)離子相切,彼此排斥,離子鍵失去作用,故離子晶體無(wú)延展性。如CaCO3可用于雕刻,而不可用于鍛造,即不具有延展性。(2)離子晶體的類(lèi)型(a)CsCl型晶體屬簡(jiǎn)單立方晶格(b)NaCl型晶體屬立方面心晶格(c)立方ZnS型屬立方面心晶格AB型離子化合物的三種晶體結(jié)構(gòu)類(lèi)型
(a)(b)(c)(3)離子半徑比與配位數(shù)和晶體構(gòu)型的關(guān)系+---++++-
r+/r-=0.414----++++++++++
r+/r->0.414r+/r-<0.4141-5晶格能晶格能是氣態(tài)的正負(fù)離子,結(jié)合成1molNaCl晶體時(shí),放出的能量,用U表示。Na+(g)+Cl-(g)=NaCl(s)H=-U晶格能U越大,則形成離子鍵得到離子晶體時(shí)放出的能量越多,離子鍵越強(qiáng)。玻恩-哈伯循環(huán)(Born-HaberCirculation)Born和Haber設(shè)計(jì)了一個(gè)熱力學(xué)循環(huán)過(guò)程,從已知的熱力學(xué)數(shù)據(jù)出發(fā),計(jì)算晶格能。§4-2共價(jià)鍵理論路易斯理論1916年,美國(guó)科學(xué)家Lewis提出共價(jià)鍵理論。認(rèn)為分子中的原子都有形成稀有氣體電子結(jié)構(gòu)的趨勢(shì),求得本身的穩(wěn)定。而達(dá)到這種結(jié)構(gòu),可以不通過(guò)電子轉(zhuǎn)移形成離子和離子鍵來(lái)完成,而是通過(guò)共用電子對(duì)來(lái)實(shí)現(xiàn)。如+ClClHHLewis的貢獻(xiàn),在于提出了一種不同于離子鍵的新的鍵型,解釋了X比較小的元素之間原子的成鍵事實(shí)。但Lewis沒(méi)有說(shuō)明這種鍵的實(shí)質(zhì),所以適應(yīng)性不強(qiáng)。在解釋
BCl3,PCl5等其中的原子未全部達(dá)到稀有氣體結(jié)構(gòu)的分子時(shí),遇到困難。
2-1價(jià)鍵理論(ValenceBondTheory)1927年,Heitler和London用量子力學(xué)處理氫氣分子H2,解決了兩個(gè)氫原子之間的化學(xué)鍵的本質(zhì)問(wèn)題,使共價(jià)鍵理論從經(jīng)典的Lewis理論發(fā)展到今天的現(xiàn)代共價(jià)鍵理論。價(jià)鍵理論的基本論點(diǎn)包括:(1)共價(jià)鍵的本質(zhì)(2)成鍵原理(3)共價(jià)鍵的特點(diǎn)(1)共價(jià)鍵的本質(zhì)E0-DRro從圖中可以看出,r=r0
時(shí),V值最小,為E=-D(D>0,-D<0),表明此時(shí)兩個(gè)H原子之間形成了化學(xué)鍵。計(jì)算表明,若兩個(gè)1s電子以相同自旋的方式靠近,則r越小,V越大。此時(shí),不形成化學(xué)鍵。如圖中上方紅色曲線(xiàn)所示,能量不降低。H2
中的化學(xué)鍵,可以認(rèn)為是電子自旋相反成對(duì),結(jié)果使體系的能量降低。從電子云的觀(guān)點(diǎn)考慮,可認(rèn)為H的1s軌道在兩核間重疊,使電子在兩核間出現(xiàn)的幾率大,形成負(fù)電區(qū)。兩核吸引核間負(fù)電區(qū),使2個(gè)H結(jié)合在一起。(2)成鍵的原理(a)電子配對(duì)原理(b)能量最低原理(c)原子軌道對(duì)大重疊原理(3)共價(jià)鍵的特點(diǎn)(a)結(jié)合力的大小決定于共用電子的數(shù)目和重疊方式(b)共用電子對(duì)在兩核間幾率密度最大(c)具有飽和性(d)具有方向性(e)共價(jià)鍵具有不同的鍵型共價(jià)鍵的方向性和飽和性
共價(jià)鍵的數(shù)目由原子中單電子數(shù)決定,包括原有的和激發(fā)而生成的。例如氧有兩個(gè)單電子,H有一個(gè)單電子,所以結(jié)合成水分子時(shí),只能形成2個(gè)共價(jià)鍵。C最多能與4個(gè)H形成共價(jià)鍵。原子中單電子數(shù)決定了共價(jià)鍵的數(shù)目。即為共價(jià)鍵的飽和性。各原子軌道在空間分布方向是固定的,為了滿(mǎn)足軌道的最大程度重疊,原子間成的共價(jià)鍵,當(dāng)然要具有方向性。+++1sz+3pzz以HCl為例。Cl的3pz
和H的1s軌道重疊,只有沿著z軸重疊,才能保證最大程度的重疊,而且不改變?cè)械膶?duì)稱(chēng)性。Cl2
分子中成鍵的原子軌道,也要保持對(duì)稱(chēng)性和最大程度的重疊。pzzpz++z++共價(jià)鍵的鍵型成鍵的兩個(gè)原子核間的連線(xiàn)稱(chēng)為鍵軸。
按成鍵軌道與鍵軸之間的關(guān)系,共價(jià)鍵的鍵型主要分為兩種。
鍵
將成鍵軌道沿著鍵軸旋轉(zhuǎn)任意角度,圖形及符號(hào)均保持不變。即鍵的鍵軸是成鍵軌道的任意多重軸。一種形象化描述:鍵是成鍵軌道的“頭碰頭”重疊。如HCl分子中的3p和1s的成鍵,和Cl2
中的3p和3p的成鍵。++++鍵成鍵軌道繞鍵軸旋轉(zhuǎn)180°時(shí),圖形復(fù)原,但符號(hào)變?yōu)橄喾?。例如兩個(gè)px
沿z軸方向重疊的情況。xx++px
z繞鍵軸旋轉(zhuǎn)180°++YOZ平面是成鍵軌道的通過(guò)鍵軸的節(jié)面。則鍵的對(duì)稱(chēng)性可以描述為:對(duì)通過(guò)鍵軸的節(jié)面呈反對(duì)稱(chēng),即圖形相同,但符號(hào)相反。形象化的描述,鍵是成鍵軌道的“肩并肩”
重疊。
N2
分子中兩個(gè)原子各有三個(gè)單電子,
pxpypz
沿z軸成鍵時(shí),
pz
與pz“頭碰頭”形成一個(gè)鍵。此時(shí),px
和px,py
和py
以“肩并肩”形式重疊,形成兩個(gè)鍵。所以N2
分子的3鍵中,有1個(gè)鍵,2個(gè)鍵。2-2雜化軌道理論CH4形成的過(guò)程中,C原子的電子曾有過(guò)如下的激發(fā)步驟,以得到4個(gè)單電子。
電子激發(fā)2p2s2p2s顯然,這4個(gè)單電子所在原子軌道不一致。利用這些原子軌道與4個(gè)H原子形成的化學(xué)鍵,應(yīng)該不完全相同,也不應(yīng)該指向正四面體的四個(gè)頂點(diǎn)。CH4
為什么是正四面體結(jié)構(gòu)?AlCl3
鍵角120°,NH4+鍵角109°28′。在成鍵過(guò)程中,軌道之間的夾角是怎樣形成的?這些問(wèn)題用一般價(jià)鍵理論難以解釋。Pauling1931年提出雜化軌道理論,非常成功地解釋了構(gòu)型方面的這類(lèi)問(wèn)題。價(jià)層電子對(duì)互斥理論,可以用來(lái)判斷分子和離子的幾何構(gòu)型。但是這一理論說(shuō)明不了分子和離子的幾何構(gòu)型的形成原因。雜化軌道理論發(fā)展了價(jià)鍵理論,可以對(duì)已知的構(gòu)型進(jìn)行解釋。(1)雜化與雜化軌道的概念在形成多原子分子的過(guò)程中,中心原子的若干能量相近的原子軌道重新組合,形成一組新的原子軌道。這個(gè)過(guò)程叫做軌道的雜化,產(chǎn)生的新軌道叫做雜化軌道。形成CH4分子時(shí),中心碳原子的2s和2px、2py、2pz等四條原子軌道發(fā)生雜化,形成一組(四條)新的雜化軌道,即4條sp3雜化軌道,這些sp3雜化軌道不同于s軌道,也不同于p軌道。雜化軌道有自己的波函數(shù)、能量、形狀和空間取向。(2)雜化軌道的類(lèi)型(a)sp雜化+++=+在sp雜化軌道中,s和p的成份各1/2兩條雜化軌道呈直線(xiàn)形分布互成180°角。BeCl2
分子直線(xiàn)形,用雜化軌道理論分析其成鍵情況,說(shuō)明直線(xiàn)形構(gòu)型的原因。
Besp雜化
2s22p0
2條sp雜化軌道呈直線(xiàn)形分布,分別與2個(gè)Cl的3p軌道成鍵,故分子為直線(xiàn)形。(b)sp2
雜化BCl3
平面三角形構(gòu)型
Bsp2雜化3個(gè)sp2雜化軌道呈三角形分布,分別與3個(gè)Cl的3p成σ鍵,故BCl3分子構(gòu)型為三角形。(c)sp3雜化
CH4
是正四面體結(jié)構(gòu),Csp3雜化,4個(gè)軌道
呈正四面體分布,分別與4個(gè)H的1s成σ鍵。
沒(méi)有未雜化的電子,故CH4無(wú)雙鍵。(d)sp3d2
SF6
呈正八面體形狀,Ssp3d2
雜化。sp3d2
雜化(3)等性雜化與不等性雜化等性雜化如C的sp3雜化,4條sp3
雜化軌道能量一致不等性雜化H2OV形結(jié)構(gòu),Osp3不等性雜化。
有單電子的sp3雜化軌道與H的1s成σ鍵,有對(duì)電子的
sp3不成鍵,為孤對(duì)電子,故H2O分子呈
V字形結(jié)構(gòu)。
HOH鍵角本應(yīng)109°28′,但由
于孤對(duì)電子的斥力,該角變小,為104°45′。OHH????判斷是否等性雜化,要看各條雜化軌道的能量是否相等,不看未參加雜化的軌道的能量。2-3價(jià)層電子對(duì)互斥理論1940年Sidgwick提出價(jià)層電子對(duì)互斥理論,用以判斷分子的幾何構(gòu)型。分子ABn
中,A為中心,B為配體,n為配體的個(gè)數(shù)。配體B均與A有鍵聯(lián)關(guān)系。本節(jié)討論的ABn型分子中,A為主族元素的原子。(1)理論要點(diǎn)(a)ABn型分子的幾何構(gòu)型取決于中心A的價(jià)層中電子對(duì)的排
斥作用。分子的構(gòu)型總是采取電子對(duì)排斥力最小的形式。(b)ABn型分子的幾何構(gòu)型取決于中心A的價(jià)層電子對(duì)的數(shù)目和類(lèi)型(c)多重鍵的處理(d)電子對(duì)間的夾角和成鍵情況決定相互排斥作用的大?。?)判斷共價(jià)分子結(jié)構(gòu)的一般規(guī)則(a)確定中心價(jià)層電子的總數(shù)和對(duì)數(shù)(b)根據(jù)中心原子A周?chē)碾娮訉?duì)數(shù),找出相應(yīng)的理想幾何結(jié)構(gòu)圖形(c)畫(huà)出結(jié)構(gòu)圖(d)確定排斥力最小的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)(3)判斷共價(jià)分子結(jié)構(gòu)的實(shí)例
例1利用價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷下列分子和離子的幾何
構(gòu)型。要求寫(xiě)出價(jià)層電子總數(shù)、對(duì)數(shù)、電子對(duì)構(gòu)型和分子構(gòu)型。
AlCl3H2SSO32-NH4
+NO2IF3解:總數(shù)對(duì)數(shù)電子對(duì)構(gòu)型
6888510344435
三角形正四面體正四面體正四面體三角形三角雙錐分子構(gòu)型
三角形V字構(gòu)型
三角錐正四面體
V字形
T字形(1)理論要點(diǎn)2-4分子軌道理論分子軌道由原子軌道線(xiàn)性組合而成分子軌道由原子軌道線(xiàn)性組合而成。分子軌道的數(shù)目與參與組合的原子軌道數(shù)目相等。H2中的兩個(gè)H,有兩個(gè)1s,可組合成兩個(gè)分子軌道:
MO=c11+c22,*
MO=c11-c22電子的排布也遵從原子軌道電子排布的原則每一個(gè)分子軌道都有一相應(yīng)的能量和圖象
(2)原子軌道線(xiàn)性組合的類(lèi)型
s-s重疊、s-p重疊、p-p重疊、p-d重疊、d-d重疊(3)線(xiàn)性組合的原則(a)對(duì)稱(chēng)性一致原則對(duì)核間連線(xiàn)呈相同的對(duì)稱(chēng)性的軌道可以進(jìn)行線(xiàn)性組合。除上述的s-s,p-p之外,還有s-px沿x方向的組合,兩者的對(duì)稱(chēng)性一致。組成σ分子軌道。
dxypy
++++
py-
dxy
沿
x方向,也可以組合成有效的π分子軌道。
spx++
b)能量相近原則
H1s-1312kJ·mol-1Na3s-496kJ·mol-1O2p-1314kJ·mol-1Cl3p-1251kJ·mol-1(以上數(shù)據(jù)根據(jù)
I1
值估算)左面3個(gè)軌道能量相近,彼此間均可組合,形成分子軌道;但Na3s比左面3個(gè)軌道的能量高許多,不能與之組合。
實(shí)際上Na與H,Cl,O一般不形成共價(jià)鍵,只以離子鍵相結(jié)合。
c)最大重疊原理在對(duì)稱(chēng)性一致、能量相近的基礎(chǔ)上,原子軌道重疊越大,越易形成分子軌道,或說(shuō)共價(jià)鍵越強(qiáng)。(4)同核雙原子分子的分子軌道能級(jí)圖同核雙原子分子的分子軌道能級(jí)圖分為A圖和B圖兩種。
A圖適用于O2,F(xiàn)2
分子;
B圖適用于B2,C2,N2
等分子必須注意A圖和B圖之間的差別2p2p2s2s2s*2s1s*1s
MO1s1sAOAOA圖*2*2*222
21s1s1s*1s2s2s2s*2sAO2p2p
B圖
MOAO*2*2*222
2H2
分子軌道圖AOAO1s1s*1s1s
MO分子軌道式(1s)2電子填充在成鍵軌道中,能量比在原子軌道中低。這個(gè)能量差就是分子軌道理論中化學(xué)鍵的本質(zhì)??捎面I級(jí)表示分子中鍵的個(gè)數(shù)鍵級(jí)=(成鍵電子數(shù)-反鍵電子數(shù))/2
H2分子中,鍵級(jí)=(2-0)/2=1(單鍵)N2
分子軌道圖2p2p*2*2*222
21s1s1s*1s2s2s2s*2sAO
MOAO分子軌道式(1s)2(*1s)2(2s)2(*2s)2
()2
()2
()222
2或簡(jiǎn)寫(xiě)成[
N2]()2
()2
()222
2三鍵一個(gè)鍵,兩個(gè)鍵(5)異核雙原子分子的
分子軌道能級(jí)圖
OMOC222
*2*21s1s*1s1s2s2s*2s2s2p2p
分子軌道圖*2CO異核雙原子分子CO和
N2是等電子體。
其分子軌道能級(jí)圖與N2相似。值得注意的是
C和
O的相應(yīng)的原子軌道能量并不相等。同類(lèi)軌道,Z大的能量低。
分子軌道式[Be2](
)2
()2
()222
2三鍵一個(gè)鍵,兩個(gè)鍵。無(wú)單電子,顯抗磁性。
2-5鍵參數(shù)與分子的性質(zhì)(1)鍵級(jí)
鍵級(jí)=(成鍵電子數(shù)-反鍵電子數(shù))/2(2)鍵能AB(g)——A(g)+B(g)H=EAB
對(duì)于雙原子分子,鍵能EAB等于解離能DAB。但對(duì)于多原子分子,則要注意鍵能與解離能的區(qū)別與聯(lián)系。如NH3:
NH3(g)——
H(g)+NH2(g)D1=435.1kJ·mol-1NH2(g)——H(g)+NH(g)
D2=397.5kJ·mol-1NH(g)——H(g)+N(g)D3=338.9kJ·mol-1三個(gè)D值不同。D1>D2>D3,為什么?
EN-H==390.5(kJ·mol-1)(3)鍵長(zhǎng)分子中成鍵兩原子核之間的距離叫鍵長(zhǎng)。一般鍵長(zhǎng)越小,鍵越強(qiáng)。
鍵長(zhǎng)/pm鍵能/kJ·mol-1C-C154345.6C=C133602.0CC120835.1
在不同化合物中,相同的鍵,鍵長(zhǎng)和鍵能并不相等。例如,CH3OH中和C2H6
中均有C-H鍵,而它們的鍵長(zhǎng)和鍵能不同。(4)鍵角鍵角是分子中鍵與鍵之間的夾角,在多原子分子中才涉及鍵角。如H2S,H-S-H鍵角為92°,決定了H2S分子的構(gòu)型為“V”字形又如
CO2,O-C-O的鍵角為180°,則CO2分子為直線(xiàn)形。鍵角是決定分子幾何構(gòu)型的重要因素。(5)鍵的級(jí)性2-6分子晶體和原子晶體在分子晶體的晶格結(jié)點(diǎn)上排列的都是中性分子。雖然分子內(nèi)部各原子是以強(qiáng)的共價(jià)鍵相結(jié)合,但分子之間是以較弱的范德華力相結(jié)合的。以二氧化碳晶體(圖5-29)為例,它呈面心結(jié)構(gòu),CO2分子分別占據(jù)立方體的8個(gè)頂點(diǎn)和6個(gè)面的中心位置,分子內(nèi)部是以C===O共價(jià)鍵結(jié)合,而在晶體中CO2分子間只存在色散力。而另一些如固體氯化氫、氨、三氯化磷、冰等由極性鍵構(gòu)成的極性分子,晶體中分子間存在色散力、取向力、誘導(dǎo)力,有的還有氫鍵,所以它們的結(jié)點(diǎn)上的粒子間作用力大于相對(duì)分子質(zhì)量相近的非極性分子之間的引力。分子晶體與離子晶體、原子晶體有所不同,它是以獨(dú)立的分子出現(xiàn),因此,化學(xué)式也就是它的分子式。屬于分子晶體的有非金屬單質(zhì),如鹵素、H2、N2、O2;也有非金屬化合物,如CO2、H2S、HCl、HN3等,以及絕大部分的有機(jī)化合物。在稀有氣體的晶體中,雖然在晶格結(jié)點(diǎn)上是原子,但這些原子間并不存在化學(xué)鍵,所以稱(chēng)為單原子分子晶體。(1)分子晶體由于分子之間引力很弱,只要供給較少的能量,晶體就會(huì)被破壞,所以分子晶體的硬度較小,熔點(diǎn)也較低,揮發(fā)性大,在常溫下以氣體或液體存在。即使在常溫下呈固態(tài)的,其揮發(fā)性大,蒸氣壓高,常具有升華性,如碘(I2)、萘(C10H8)等。分子晶體結(jié)點(diǎn)上是電中性分子,故固態(tài)和熔融態(tài)時(shí)都不導(dǎo)電,它們都是性能較好的絕緣材料,尤其鍵能大的非極性分子如SF6等是工業(yè)上極好的氣體絕緣材料。(2)原子晶體在原子晶體的晶格結(jié)點(diǎn)上排列著中性原子,原子間以堅(jiān)強(qiáng)的共價(jià)鍵相結(jié)合,如單質(zhì)硅(Si)、金鋼石(C)、二氧化硅(SiO2)、碳化硅(SiC)金剛砂、金剛石(C)和氮化硼B(yǎng)N(立方)等。以典型原子晶體二氧化硅晶體(SiO2方石英)為例,每一個(gè)硅原子位于正四而體的中心,氧原子位于正四面體的頂點(diǎn),每一個(gè)氧原子和兩硅原子相連。如果這種連接向整個(gè)空間延伸,就形成了三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的巨型“分子”。
原子晶體具有很大的硬度、很高的熔點(diǎn)、不導(dǎo)電、不易溶于任何溶劑,化學(xué)性質(zhì)十分穩(wěn)定。例如金剛石,由于碳原子半徑較小,共價(jià)鍵的強(qiáng)度很大,要破壞4個(gè)共價(jià)鍵或扭歪鍵角都需要很大能量,所以金剛石的硬度最大,熔點(diǎn)達(dá)3570℃,是所有單質(zhì)中最高的。又如立方BN的硬度近于金剛石。因此,原子晶體在工業(yè)上多被用作耐磨、耐熔或耐火材料。金剛石、金剛砂都是極重要的磨料;SiO2是應(yīng)用極廣的耐火材料;石英和它的變體,如水晶、紫晶、燧石和瑪瑙等,是工業(yè)上的貴重材料;SiC、BN(立方)、Si3N4等是性能良好的高溫結(jié)構(gòu)材料?!?-3金屬鍵理論3-1金屬鍵的改性共價(jià)鍵理論金屬鍵的形象說(shuō)法是,失去電子的金屬離子浸在自由電子的海洋中。金屬離子通過(guò)吸引自由電子聯(lián)系在一起,形成金屬晶體。這就是金屬鍵。金屬鍵無(wú)方向性,無(wú)固定的鍵能,金屬鍵的強(qiáng)弱和自由電子的多少有關(guān),也和離子半徑、電子層結(jié)構(gòu)等其它許多因素有關(guān),很復(fù)雜。金屬鍵的強(qiáng)弱可以用金屬原子化熱等來(lái)衡量。金屬原子化熱是指1mol金屬變成氣態(tài)原子所需要的熱量。金屬原子化熱數(shù)值小時(shí),其熔點(diǎn)低,質(zhì)地軟;反之則熔點(diǎn)高,硬度大。
例如
NaAl
原子化熱108.4kJ?mol-1326.4kJ?mol-1
m.p.97.5℃660℃b.p.880℃1800℃金屬可以吸收波長(zhǎng)范圍極廣的光,并重新反射出,故金屬晶體不透明,且有金屬光澤。金屬受外力發(fā)生變形時(shí),金屬鍵不被破壞,故金屬有很好的延展性,與離子晶體的情況相反。在外電壓的作用下,自由電子可以定向移動(dòng),故有導(dǎo)電性。受熱時(shí)通過(guò)自由電子的碰撞及其與金屬離子之間的碰撞,傳遞能量。故金屬是熱的良導(dǎo)體。自由電子+金屬離子金屬原子位錯(cuò)+++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++3-2金屬鍵的能帶理論理論要點(diǎn)(1)電子是離域的
所有電子屬于金屬晶體,或說(shuō)為整個(gè)金屬大分子所共有,不再屬于哪個(gè)原子。我們稱(chēng)電子是離域的。
(2)組成金屬能帶(EnergyBand)
Na2
有分子軌道3s3s3s3s*也可以寫(xiě)成3s3s3s3s*
Na晶體中,n個(gè)3s軌道組成n條分子軌道。這n條分子軌道之間能量差小,電子躍遷所需能量小。這些能量相近的能級(jí)組成能帶。能帶的能量范圍很寬,有時(shí)可達(dá)數(shù)百kJ?mol-1。
Na的n個(gè)3s軌道,形成n個(gè)Na金屬的分子軌道
——3s能帶?!?.能帶如下圖所示(3)滿(mǎn)帶導(dǎo)帶和空帶以L(fǎng)i為例,1s22s12p0
1s軌道充滿(mǎn)電子,故組成的能帶充滿(mǎn)電子,稱(chēng)為滿(mǎn)帶。2s軌道電子半充滿(mǎn),組成的能帶電子也半滿(mǎn),稱(chēng)為導(dǎo)帶。2p能帶中無(wú)電子,稱(chēng)為空帶。從滿(mǎn)帶頂?shù)綄?dǎo)帶底(
或空帶底
)的能量間隔很大,電子躍
遷困難。這個(gè)能量間隔稱(chēng)為禁帶。(4)能帶重疊相鄰近的能帶,有時(shí)可以重疊。即能量范圍有交叉。如Be的2s能帶和2p能帶,可以部分重疊。Be的
2s能帶是滿(mǎn)帶,通過(guò)重疊電子可以躍遷到2p空帶中去。3n個(gè)2pn個(gè)2sn個(gè)1s3n個(gè)2pn個(gè)2s3-3金屬晶體六方緊密堆積——IIIB,IVB面心立方緊密堆積——IB,Ni,Pd,Pt立方體心堆積——IA,VB,VIB金屬的堆積方式金屬晶體中離子是以緊密堆積的形式存在的。六方緊堆晶格面心立方緊堆晶格雙原子分子HCl的正負(fù)電重心不重合,是極性分子。若正電(
和負(fù)電
)重心上的電荷的電量為q,正負(fù)電重心之間的距離為
d(稱(chēng)偶極矩長(zhǎng)
),則偶極矩μ=qd。
§4分子間作用力
分子內(nèi)原子間的結(jié)合靠化學(xué)鍵,物質(zhì)中分子間存在著分子間作用力。1永久偶極分子的正電重心和負(fù)電重心不重合,則為極性分子,其極性的大小可以用偶極矩μ來(lái)度量。偶極矩以德拜(D)為單位,當(dāng)q=1.6210-19
庫(kù)侖(電子的電量),d=1.010-10m(?)時(shí),μ=4.8D。4-1極性分子與非極性分子雙原子分子的偶極矩就是極性鍵的鍵矩??梢酝ㄟ^(guò)下列的數(shù)據(jù)體會(huì)偶極矩單位D的大?。?/p>
HIHBrHClNH3H2O乙醚
μ/D0.380.791.031.661.851.15極性分子的偶極矩稱(chēng)為永久偶極。
非極性分子偶極矩為零,但各鍵矩不一定為零,如BCl3。BCl3
分子H2O分子
多原子分子的偶極矩是各鍵矩的矢量和,如H2O分子。非極性分子在外電場(chǎng)的作用下,可以變成具有一定偶極矩的極性分子。誘導(dǎo)偶極用μ表示,其強(qiáng)度大小和電場(chǎng)強(qiáng)度成正比,也和分子的變形性成正比。所謂分子的變形性,即分子的正負(fù)電重心的可分程度,分子體積越大,電子越多,變形性越大。2誘導(dǎo)偶極和瞬間偶極而極性分子在外電場(chǎng)作用下,其偶極也可以增大。在電場(chǎng)的影響下產(chǎn)生的偶極稱(chēng)為誘導(dǎo)偶極。非極性分子在無(wú)外電場(chǎng)作用時(shí),由于運(yùn)動(dòng)、碰撞,原子核和電子的相對(duì)位置變化……其正負(fù)電重心可有瞬間的不重合;極性分子也會(huì)由于上述原因改變正負(fù)電重心。這種由于分子在一瞬間正負(fù)電重心不重合而造成的偶極叫瞬間偶極。瞬間偶極和分子的變形性大小有關(guān)。4-2分子間作用力(范德華力)化學(xué)鍵的結(jié)合能一般在1.0102
kJ·mol-1
數(shù)量級(jí),而分子間力的能量只有幾個(gè)kJ·mol-1。1取向力極性分子之間的永久偶極
——永久偶極作用稱(chēng)為取向力,
它僅存在于極性分子之間,F(xiàn)∝μ2。2誘導(dǎo)力誘導(dǎo)偶極——
永久偶極之間的作用稱(chēng)為誘導(dǎo)力。極性分子作為電場(chǎng),使非極性分子產(chǎn)生誘導(dǎo)偶極或使極性分子的偶極增大(也產(chǎn)生誘導(dǎo)偶極),這時(shí)誘導(dǎo)偶極與永久偶極之間產(chǎn)生誘導(dǎo)力。因此誘導(dǎo)力存在于極性分子與非極性分子之間,也存在于極性分子與極性分子之間。3色散力瞬間偶極
——瞬間偶極之間有色散力。由于各種分子均有瞬間偶極,故色散力存在于極性分和極性分子,極性分子和非極性分子及非極性分子和非極性分子之間。色散力不僅存在廣泛,而且在分子間力中,色散力經(jīng)常是重要的。下面的數(shù)據(jù)可以說(shuō)明這一點(diǎn)。
kJ?mol-1
取向力誘導(dǎo)力色散力
Ar008.49
HCl3.3051.10416.82取向力、誘導(dǎo)力和色散力統(tǒng)稱(chēng)范德華力,具有以下的共性:
a)永遠(yuǎn)存在于分子之間;
b)力的作用很小;
c)無(wú)方向性和飽和性;
d)是近程力,F(xiàn)∝1/r7;e)經(jīng)常是以色散力為主。
He、Ne、Ar、Kr、Xe從左到右原子半徑(分子半徑)依次增大,變形性增大,色散力增強(qiáng),分子間結(jié)合力增大,故b.p.依次增高。可見(jiàn),范德華力的大小與物質(zhì)的m.p.,b.p.等物理性質(zhì)有關(guān)。4-3離子極化離子在電場(chǎng)中產(chǎn)生誘導(dǎo)偶極的現(xiàn)象稱(chēng)為離子極化現(xiàn)象。離子具有變形性,所以可以被電場(chǎng)極化。離子作為帶電微粒,自身又可以起電場(chǎng)作用,去使其它離子變形。離子這種能力稱(chēng)為極化能力。故離子有二重性:變形性和極化能力。+---+++-+-1影響變形性的因素(1)簡(jiǎn)單離子
r大則變形性大,故陰離子的變形性顯得主要。陽(yáng)離子中只有
r相當(dāng)大的如Hg2+,Pb2+,Ag+等才考慮其變形性。(2)復(fù)雜陰離子變形性小
SO42-,ClO4-,NO3-r雖大,但離子對(duì)稱(chēng)性高,中心氧化數(shù)又高,拉電子能力強(qiáng),不易變形。
電荷數(shù)的代數(shù)值越大,變形性越小,如
Si4+<Al3+<Mg2+<Na+<(Ne)<F-<O2-
電子構(gòu)型,外層(次外層)電子越多,變形性越大。
Na+<Cu+;Ca2+<Cd2+
綜合考慮,變形性大的有I-,S2-,Ag+,Hg2+,Pb2+;
變形性小的有Be2+,Al3+,Si4+,SO42-
等。2影響極化能力的因素極化能力的實(shí)質(zhì)是離子作為電場(chǎng)時(shí)電場(chǎng)強(qiáng)度的體現(xiàn)。
r小則極化能力強(qiáng),因此Na+>K+>Rb+>Cs+,Li+
的極化能力很大,H+
的體積和半徑均極小,故極化能力最強(qiáng)。
r相近,電荷相同時(shí),外層電子數(shù)越多,極化能力越強(qiáng)。原因是外層電子對(duì)核的中和較小,故有效電荷高些。
Pb2+,Zn2+(18,18+2)>>Fe2+,Ni2+(8~18)>>Ca2+,Mg2+(8e)
r相近時(shí),電荷數(shù)越高極化能力越強(qiáng)。
Mg2+(8e,65pm)<Ti4+(8e,68pm)
3離子極化對(duì)化學(xué)鍵類(lèi)型的影響離子鍵是離子之間的引力。正離子的電子轉(zhuǎn)移給了負(fù)離子。當(dāng)極化能力強(qiáng)的正離子和變形性大的負(fù)離子接近時(shí),發(fā)生極化現(xiàn)象。負(fù)離子的電子云變形,即負(fù)離子的電子被拉向兩核之間,使兩核間的電子云密度增大。于是離子鍵的百分?jǐn)?shù)減少,共價(jià)鍵的百分?jǐn)?shù)增大,離子鍵向共價(jià)鍵過(guò)渡。離子極化的結(jié)果使離子晶體中出現(xiàn)離子對(duì)或分子單位,離子晶體向分子晶體過(guò)渡。這種過(guò)渡則使得物質(zhì)的熔點(diǎn),沸點(diǎn)降低,在水中的溶解性降低。從離子鍵強(qiáng)度考慮,Al2O3+3對(duì)-2應(yīng)比MgO+2對(duì)-2的離子鍵強(qiáng),m.p.高。但事實(shí)并非如此。
這說(shuō)明了Al2O3的共價(jià)成份比MgO大。離子鍵和共價(jià)鍵不是絕對(duì)的。離子鍵與共價(jià)鍵之間的聯(lián)系可以通過(guò)下面的例題得到說(shuō)明。從離子極化理論考慮,因?yàn)锳l3+
的極化能力強(qiáng),造成Al2O3比MgO更傾向于分子晶體。例1測(cè)得
KBr的μ=10.41D,鍵長(zhǎng)282pm,通過(guò)計(jì)算,說(shuō)明鍵的離子性百分?jǐn)?shù)。解:282pm=2.8210-10m,即2.82?,由μ=qd,
故q=μ/d=10.41/(4.82.82)=0.77(電子的電量)在K+,Br-
上的電荷不是+1,-1,而是0.77,其余電荷為共用,即為共價(jià)成份。故鍵的離子性百分?jǐn)?shù)為77%
。4相互極化
Al2O3中Al3+
對(duì)O2-
施加電場(chǎng)作用,使O2-變形,當(dāng)然O2-對(duì)Al3+也有極化能力。但Al3+變形性極小,故這部分作用不必考慮;但正離子若不是
8e的
Al3+,而是
(18+2)e、18e的正離子,不考慮自身的變形性則是不行的。討論ZnI2CdI2HgI2三者的離子極化問(wèn)題,若只考慮Zn2+,Cd2+,Hg2+
對(duì)I-
的極化作用,應(yīng)得出ZnI2的極化程度最大的結(jié)論。因?yàn)槿叩碾姾上嗟龋娮訉咏Y(jié)構(gòu)相同,而
Zn2+的r最小。
既考慮陽(yáng)離子對(duì)陰離子的極化,又考慮陰離子對(duì)陽(yáng)離子的極化,總的結(jié)果稱(chēng)相互極化。
但這與實(shí)驗(yàn)結(jié)果是不相符的。
即ZnI2
的熔點(diǎn),沸點(diǎn)低,而HgI2
的熔點(diǎn),沸點(diǎn)高。結(jié)論:在遇到陽(yáng)離子為Pb2+,Ag+,Hg2+
等時(shí),要注意用相互極化解釋問(wèn)題。
5反極化作用
NO3-中心的
N(V),極化作用很強(qiáng),使氧的電子云變形。NO3-的結(jié)構(gòu)
原因在于沒(méi)有考慮Zn2+,Cd2+,Hg2+的變形性,沒(méi)有考慮相互極化。Zn2+的變形性最小,Hg2+的變形性最大。故相互極化的總結(jié)果是HgI2最大。
ZnI2,CdI2,HgI2從左到右,熔點(diǎn)和溶解度依次降低。
由于H+
的極化能力極強(qiáng),這種反極化作用導(dǎo)致O-N鍵結(jié)合力減弱,所以硝酸在較低的溫度下將分解,生成NO2。
HNO3
分子中,H+
對(duì)與其鄰近的氧原子
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 2025-2030年中國(guó)鍍膜玻璃市場(chǎng)發(fā)展動(dòng)態(tài)及投資規(guī)劃研究報(bào)告
- 2025-2030年中國(guó)鋰精礦行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局規(guī)劃分析報(bào)告
- 2025-2030年中國(guó)鉑金首飾市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)狀況及發(fā)展前景分析報(bào)告
- 2025-2030年中國(guó)軌道交通牽引變流器行業(yè)運(yùn)營(yíng)狀況與發(fā)展?jié)摿Ψ治鰣?bào)告
- 2025-2030年中國(guó)箱紙板行業(yè)運(yùn)行動(dòng)態(tài)與發(fā)展建議分析報(bào)告
- 2025貴州省建筑安全員C證考試題庫(kù)
- 2025-2030年中國(guó)硫氰酸鈉市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)現(xiàn)狀及發(fā)展規(guī)劃分析報(bào)告
- 撫順職業(yè)技術(shù)學(xué)院《安裝工程計(jì)量與計(jì)價(jià)》2023-2024學(xué)年第二學(xué)期期末試卷
- 伊春職業(yè)學(xué)院《平面制圖設(shè)計(jì)》2023-2024學(xué)年第二學(xué)期期末試卷
- 隨州職業(yè)技術(shù)學(xué)院《科技文本翻譯》2023-2024學(xué)年第二學(xué)期期末試卷
- 建筑施工規(guī)范大全
- 幼兒園開(kāi)學(xué)家長(zhǎng)會(huì)PPT模板(含完整內(nèi)容)
- 表冷器更換施工方案
- 瀝青集料篩分反算計(jì)算表格(自動(dòng)計(jì)算)
- 哲學(xué)與人生(中職)PPT完整全套教學(xué)課件
- 惡性高熱課件
- 一年級(jí)語(yǔ)文下冊(cè)《我多想去看看》教案
- 真空滅弧室基本知識(shí)課件
- 工程EPC總承包項(xiàng)目安全生產(chǎn)管理辦法
- 川教版四年級(jí)(上、下冊(cè))生命生態(tài)與安全教案及教學(xué)計(jì)劃附安全知識(shí)
- 05臨水臨電臨時(shí)設(shè)施安全監(jiān)理細(xì)則
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論