上傳人：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社

認(rèn)證信息

認(rèn)證類型：機(jī)構(gòu)認(rèn)證

認(rèn)證主體：北京標(biāo)科網(wǎng)絡(luò)科技有限公司

IP屬地：四川

統(tǒng)一社會(huì)信用代碼/組織機(jī)構(gòu)代碼

91110106773390549L

IP屬地：四川 上傳時(shí)間：2023-02-02 格式：PDF 頁(yè)數(shù)：28 大?。?21.33KB 積分：49

ICS77040

CCSH.21

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T1551—2021

代替GB/T1551—2009

硅單晶電阻率的測(cè)定

直排四探針?lè)ê椭绷鲀商结樂(lè)?/p>

Testmethodformeasuringresistivityofmonocrystalsilicon—

In-linefour-pointprobeanddirectcurrenttwo-pointprobemethod

2021-05-21發(fā)布2021-12-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T1551—2021

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替硅單晶電阻率測(cè)定方法與相比除結(jié)構(gòu)調(diào)整

GB/T1551—2009《》,GB/T1551—2009,

和編輯性改動(dòng)外主要技術(shù)變化如下

,:

更改了直排四探針?lè)ǖ倪m用范圍見(jiàn)第章年版的第章

a)(1,20091);

范圍中增加了硅單晶其他范圍電阻率的測(cè)試可參照本文件進(jìn)行見(jiàn)第章

b)“”“”(1);

增加了規(guī)范性引用文件見(jiàn)第章

c)GB/T14264(2);

增加了術(shù)語(yǔ)和定義見(jiàn)第章

d)“”(3);

更改了測(cè)試環(huán)境溫度的要求見(jiàn)第章年版的第章第章

e)(4,20092、13);

更改了干擾因素中光照對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響見(jiàn)年版的

f)“”(5.1,20093.1、14.1);

增加了少數(shù)載流子注入對(duì)測(cè)試結(jié)果具體影響的干擾因素見(jiàn)

g)(5.3);

更改了干擾因素中溫度對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響見(jiàn)年版的

h)“”(5.4,20093.4、14.4);

增加了探針振動(dòng)探針頭類型對(duì)測(cè)試結(jié)果影響的干擾因素見(jiàn)

i)、(5.5、5.6);

增加了直排四探針?lè)y(cè)試時(shí)樣品發(fā)熱探針與樣品接觸的位置對(duì)測(cè)試結(jié)果影響的干擾因素見(jiàn)

j)、[

5.7a)、5.7c)];

增加了直流兩探針?lè)y(cè)試時(shí)樣品電阻率不均勻存在輕微裂痕或其他機(jī)械損傷導(dǎo)電類型不唯

k)、、

一對(duì)測(cè)試結(jié)果影響的干擾因素見(jiàn)

(5.8);

刪除了直流兩探針?lè)y(cè)試干擾因素中探針間距的內(nèi)容見(jiàn)年版的

l)(200914.6);

更改了直排四探針?lè)ǖ臏y(cè)試原理見(jiàn)年版的第章

m)(6.1,20094);

增加了直排四探針?lè)ㄖ性噭┖筒牧弦?jiàn)

n)“”(6.2);

更改了直排四探針?lè)ㄖ袑?duì)針尖形狀和初始標(biāo)稱半徑的要求見(jiàn)年版的

o)[6.3.1a),20095.1.1];

更改了直排四探針?lè)ㄖ袠?biāo)準(zhǔn)電阻的要求見(jiàn)年版的

p)[6.3.2c)、20095.2.4];

更改了直排四探針?lè)ㄖ猩崞鞯囊笠?jiàn)年版的

q)(6.3.4,20095.4);

更改了直排四探針?lè)ㄖ兄茦友b置的要求見(jiàn)年版的

r)(6.3.5,20095.5);

更改了直排四探針?lè)ㄖ泻穸葴y(cè)試儀的要求見(jiàn)年版的

s)(6.3.6,20095.6);

刪除了直排四探針?lè)ㄖ谐暡ㄇ逑雌骰瘜W(xué)實(shí)驗(yàn)室器具的要求見(jiàn)年版的

t)、(20095.13、5.14);

更改了直排四探針?lè)ㄖ袠悠繁砻嫣幚淼拿枋鲆?jiàn)年版的

u)(6.4.1,20096.1);

增加了電阻率大于樣品對(duì)應(yīng)的推薦圓片樣品測(cè)試電流值見(jiàn)表年版的表

v)3000Ω·cm(2,2009

2);

刪除了不同電阻率樣品對(duì)應(yīng)的測(cè)試電流見(jiàn)年版的表

w)(20092);

更改了直排四探針?lè)ㄖ须妼W(xué)測(cè)試裝置的要求見(jiàn)年版的

x)(6.5.1.6,20097.1.6);

更改了直排四探針?lè)ㄖ写_定探針間距用材料的要求見(jiàn)年版的

y)(6.5.2.1,20097.2.1);

刪除了直排四探針?lè)y(cè)試中樣品清洗干燥的過(guò)程見(jiàn)年版的

z)、(20097.3.1);

刪除了直排四探針?lè)y(cè)試中對(duì)于圓片試樣的特殊要求見(jiàn)年版的

aa)(20097.3.2、7.3.3);

刪除了直排四探針?lè)y(cè)試圓片時(shí)探針陣列位置的要求見(jiàn)年版的

bb)(20097.3.4);

更改了直排四探針?lè)y(cè)量組數(shù)的要求見(jiàn)年版的

cc)(6.5.3.7,20097.3.8);

更改了直排四探針?lè)y(cè)試精密度的內(nèi)容見(jiàn)年版的第章

dd)(6.7,20099);

更改了直排四探針?lè)ǖ臏y(cè)試原理見(jiàn)年版的第章

ee)(7.1,200915);

Ⅰ

GB/T1551—2021

刪除了直流兩探針?lè)ㄔ噭┲械谋掖家?jiàn)年版的

ff)“”、(200916.2、16.3);

更改了直流兩探針?lè)ㄖ袣W姆接觸材料和磨料的要求見(jiàn)年版的

gg)(7.2.2、7.2.3,200916.4、16.5);

增加了直流兩探針?lè)ㄖ酗@微鏡放大倍數(shù)的要求見(jiàn)

hh)(7.3.5);

刪除了直流兩探針?lè)ㄖ械幕瘜W(xué)實(shí)驗(yàn)室設(shè)備見(jiàn)年版的

ii)(200917.7);

刪除了直流兩探針?lè)ㄔ嚇又苽渲袑?duì)晶體導(dǎo)電類型的要求見(jiàn)年版中的

jj)“”(200918.1);

更改了直流兩探針?lè)ㄔ诘诙y(cè)量道上測(cè)試的條件見(jiàn)年版的

kk)(7.4.2、7.5.3.10,200918.2、

19.3.10);

更改了直流兩探針?lè)ㄖ袠悠繁砻嫣幚淼拿枋鲆?jiàn)年版的

ll)(7.4.3、7.4.4,200918.3、18.4);

更改了直流兩探針?lè)y(cè)試設(shè)備適用性檢查中模擬電阻平均值R的要求見(jiàn)年版

mm)a(7.5.2.2,2009

的

19.2.2.3);

更改了直流兩探針?lè)y(cè)試精密度的內(nèi)容見(jiàn)年版的第章

nn)(7.7,200921)。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備與材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)和全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備與材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公

:、

司有研半導(dǎo)體材料有限公司廣州市昆德科技有限公司青海芯測(cè)科技有限公司浙江海納半導(dǎo)體有限

、、、、

公司樂(lè)山市產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)所中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院亞洲硅業(yè)青海股份有限公司浙江金瑞泓科

、、、()、

技股份有限公司開(kāi)化縣檢驗(yàn)檢測(cè)研究院南京國(guó)盛電子有限公司青海黃河上游水電開(kāi)發(fā)有限責(zé)任公

、、、

司新能源分公司義烏力邁新材料有限公司

、。

本文件主要起草人劉立娜劉兆楓何烜坤劉剛楊素心孫燕高英王昕梁洪潘金平樓春蘭

:、、、、、、、、、、、

宗冰李慎重潘文賓蔡麗艷王志強(qiáng)皮坤林

、、、、、。

本文件及其所代替文件的歷次版本發(fā)布情況為

:

年首次發(fā)布為

———1979GB1551—1979;

年第一次修訂時(shí)并入了鍺單晶電阻率直流兩探針測(cè)量方法的內(nèi)容

———1995,GB5253—1985《》;

年第二次修訂時(shí)并入了硅鍺單晶電阻率測(cè)定直排四探針?lè)ǖ膬?nèi)

———2009,GB/T1552—1995《、》

容的歷次版本發(fā)布情況為硅單晶電阻率直流四探針測(cè)

(GB/T1552—1995:GB1552—1979《

量方法硅鍺單晶電阻率測(cè)定直排四探針?lè)ㄆ渲?/p>

》、GB/T1552—1995《、》,GB/T1552—1995

代替并刪除了鍺單晶電阻率測(cè)試方法的

GB1552—1979、GB5251—1985、GB6615—1986),

內(nèi)容

;

本次為第三次修訂

———。

Ⅱ

GB/T1551—2021

硅單晶電阻率的測(cè)定

直排四探針?lè)ê椭绷鲀商结樂(lè)?/p>

1范圍

本文件規(guī)定了用直排四探針?lè)ê椭绷鲀商结樂(lè)y(cè)試硅單晶電阻率的方法

。

本文件適用于硅單晶電阻率的測(cè)試其中直排四探針?lè)蓽y(cè)試的型硅單晶電阻率范圍為

,p7×

-43型硅單晶電阻率范圍為-44直流兩探針

10Ω·cm~8×10Ω·cm,n7×10Ω·cm~1.5×10Ω·cm;

法適用于測(cè)試截面積均勻的圓形方形或矩形硅單晶的電阻率測(cè)試范圍為-3

、,1×10Ω·cm~1×

4樣品長(zhǎng)度與截面最大尺寸之比不小于硅單晶其他范圍電阻率的測(cè)試可參照本文件

10Ω·cm,3∶1。

進(jìn)行

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法

GB/T1550

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

4試驗(yàn)條件

環(huán)境溫度為相對(duì)濕度不大于

23℃±5℃,65%。

5干擾因素

51光照可能影響電阻率測(cè)試結(jié)果因此除非是待測(cè)樣品對(duì)周圍的光不敏感否則測(cè)試宜盡量在光線

.,,