GB/T 16595-2019晶片通用網(wǎng)格規(guī)范

ICS29045

H80.

中華人民共和國國家標準

GB/T16595—2019

代替

GB/T16595—1996

晶片通用網(wǎng)格規(guī)范

Specificationforauniversalwafergrid

2019-03-25發(fā)布2020-02-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T16595—2019

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替晶片通用網(wǎng)格規(guī)范與相比除編輯性修改

GB/T16595—1996《》。GB/T16595—1996,

外主要技術變化如下

:

增加了適用范圍本標準適用于標稱直徑的硅片也適用于其他半導體材

———“100mm~200mm,

料晶片見第章

”(1);

將第章范圍中的部分內(nèi)容列入網(wǎng)格的應用見第章年版的第章

———1“5”(5,19961);

刪除了規(guī)范性引用文件中的增加了

———GB/T1554、YS/T209、SEMIM1、SEMIM2、SEMIM11,

見第章年版的第章

GB/T30453(2,19962);

將網(wǎng)格單元平面圖的內(nèi)容修改為網(wǎng)格外徑的選擇應考慮到晶片的邊緣去除直徑

———4.14.1.2“、

允許偏差和倒角通常選擇網(wǎng)格外徑為合格質(zhì)量區(qū)的直徑其中合格質(zhì)量區(qū)的半徑比晶片的

。,

標稱半徑小或?qū)木W(wǎng)格圓直徑見表見年版的

3mm4mm,2”(4.1.2,19964.1.2);

增加了針對直徑和晶片合格質(zhì)量區(qū)半徑比晶片標稱半徑小的網(wǎng)格

———150mm200mm,4mm

圓直徑見表

(2);

將帶副參考面的晶片的內(nèi)容修改為當使用半徑比晶片標稱半徑小的合格質(zhì)量區(qū)

———4.4“3mm

時網(wǎng)格都不會超過晶片副參考面區(qū)域的邊緣因此該網(wǎng)格忽略副參考面見年版

,,”(4.4,1996

的

4.4);

增加了網(wǎng)格的應用見第章

———“5”(5)。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位浙江海納半導體有限公司有色金屬技術經(jīng)濟研究院有研半導體材料有限公司

:、、、

浙江省硅材料質(zhì)量檢驗中心上海合晶硅材料有限公司

、。

本標準主要起草人潘金平饒偉星楊素心盧立延樓春蘭徐新華吳雄杰高海軍王偉棱

:、、、、、、、、、

鄭歡欣余俊軍

、。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T16595—1996。

Ⅰ

GB/T16595—2019

晶片通用網(wǎng)格規(guī)范

1范圍

本標準規(guī)定了可用于定量描述圓形半導體晶片表面缺陷的網(wǎng)格圖形

。

本標準適用于標稱直徑的硅片也適用于其他半導體材料晶片

100mm~200mm,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法

GB/T6624

硅單晶拋光片

GB/T12964

硅外延片

GB/T14139

硅外延層晶體完整性檢驗方法腐蝕法

GB/T14142

半導體材料術語

GB/T14264

硅材料原生缺陷圖譜

GB/T30453

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4網(wǎng)格單元布局

41網(wǎng)格單元平面圖

.

411網(wǎng)格以晶片中心定位規(guī)定兩種網(wǎng)格一種用于不帶主參考面的晶片即晶片的主定位基準是切

..,:(

口另一種用于帶主參考面的晶片網(wǎng)格由個同心圓分割根據(jù)每個圓的直徑確定所包含的徑向分

),。18,

割單元數(shù)由各個圓面積確定同心圓的相對直徑用網(wǎng)格外徑乘以對應的相對直徑可求出任一圓的實

,,,

際直徑具體見表

。1。

表1網(wǎng)格單元平面圖信息

分割單元數(shù)分割線夾角分割單元總數(shù)

圓序號所包含面積比相對直徑