標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 17473.1-2008 微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法 固體含量測定》與《GB/T 17473.1-1998 厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法 固體含量測定》相比,主要存在以下幾方面的差異:

  1. 適用范圍調(diào)整:2008版標(biāo)準(zhǔn)擴大了適用范圍,從原來的“厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料”擴展到更廣泛的“微電子技術(shù)用貴金屬漿料”,這表明新標(biāo)準(zhǔn)旨在覆蓋更多類型的貴金屬漿料應(yīng)用領(lǐng)域。

  2. 測試方法更新:新標(biāo)準(zhǔn)可能引入或修訂了固體含量的測定方法,以適應(yīng)科技進步和行業(yè)發(fā)展的需求。盡管具體的技術(shù)細節(jié)需要查閱標(biāo)準(zhǔn)原文,但通常此類更新旨在提高測試精度、簡化操作流程或采用更現(xiàn)代的分析技術(shù)。

  3. 精密度和準(zhǔn)確度要求變化:2008版標(biāo)準(zhǔn)很可能對測試結(jié)果的精密度和準(zhǔn)確度提出了新的要求,反映了對產(chǎn)品質(zhì)量控制更加嚴格的標(biāo)準(zhǔn),以確保不同實驗室間測試結(jié)果的一致性和可靠性。

  4. 術(shù)語和定義的更新:隨著技術(shù)進步,相關(guān)術(shù)語和定義可能有所變化。新標(biāo)準(zhǔn)會根據(jù)當(dāng)前行業(yè)共識,對關(guān)鍵術(shù)語進行明確或更新,以增強標(biāo)準(zhǔn)的清晰度和適用性。

  5. 規(guī)范性引用文件更新:2008版標(biāo)準(zhǔn)會引用最新的國家標(biāo)準(zhǔn)、國際標(biāo)準(zhǔn)或其他規(guī)范性文件,這些引用文件的更新有助于保證測試方法的先進性和國際兼容性。

  6. 實驗條件和步驟的優(yōu)化:為了提高測試效率和減少人為誤差,新標(biāo)準(zhǔn)可能對實驗條件(如溫度、時間控制)和操作步驟進行了細化或優(yōu)化。

  7. 環(huán)保和安全要求:隨著對環(huán)境保護和操作人員安全重視程度的提高,新標(biāo)準(zhǔn)可能加入了相關(guān)的環(huán)保和安全要求,指導(dǎo)用戶在測試過程中采取必要的防護措施。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2008-03-31 頒布
  • 2008-09-01 實施
?正版授權(quán)
GB/T 17473.1-2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法固體含量測定_第1頁
GB/T 17473.1-2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法固體含量測定_第2頁
GB/T 17473.1-2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法固體含量測定_第3頁
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文檔簡介

犐犆犛77.120.99

犎68

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅/犜17473.1—2008

代替GB/T17473.1—1998

微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法

固體含量測定

犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱狊狅犳狆狉犲犮犻狅狌狊犿犲狋犪犾狊狆犪狊狋犲狊狌狊犲犱犳狅狉

犿犻犮狉狅犲犾犲犮狋狉狅狀犻犮狊—犇犲狋犲狉犿犻狀犪狋犻狅狀狅犳狊狅犾犻犱狊犮狅狀狋犲狀狋

20080331發(fā)布20080901實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

犌犅/犜17473.1—2008

前言

本標(biāo)準(zhǔn)是對GB/T17473—1998《厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法》(所有部分)的整合修

訂,分為7個部分:

———GB/T17473.1—2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法固體含量測定;

———GB/T17473.2—2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法細度測定;

———GB/T17473.3—2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法方阻測定;

———GB/T17473.4—2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法附著力測試;

———GB/T17473.5—2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法粘度測定;

———GB/T17473.6—2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法分辨率測定;

———GB/T17473.7—2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法可焊性、耐焊性測定。

本部分為GB/T17473—2008的第1部分。

本部分代替GB/T17473.1—1998《厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法固體含量測定》。

本部分與GB/T17473.1—1998相比,主要有如下變動:

———將原標(biāo)準(zhǔn)名稱修改為微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法固體含量測定;

———刪除了引用文件GB/T2421—1989;

———本部分增加了聚合物低溫固化型漿料的固體含量測定內(nèi)容;

———對于聚合物低溫固化漿料,根據(jù)漿料使用溫度的不同來確定檢測固體含量的溫度;

———漿料平行取樣由兩份增加為三份;

———刪除了中溫?zé)蓾{料的內(nèi)容,將高溫?zé)蓾{料改為燒結(jié)型漿料;

———試料相互之間測試值之差不大于平均值的1%測定結(jié)果有效。

本部分由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出。

本部分由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口。

本部分由貴研鉑業(yè)股份有限公司負責(zé)起草。

本部分主要起草人:陳一、張駿、朱武勛。

本部分所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:

———GB/T17473.1—1998。

犌犅/犜17473.1—2008

微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法

固體含量測定

1范圍

本部分規(guī)定了微電子技術(shù)用貴金屬漿料中固體含量的測試方法。

本部分適用于各種燒結(jié)型和固化型微電子技術(shù)用貴金屬漿料固體含量的測定。

2引用文件

下列文件中的條款通過本部分的引用而成為本部分的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有

的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本部分,然而,鼓勵根據(jù)本部分達成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本部分。

GB/T8170數(shù)值修約規(guī)則

3方法原理

貴金屬漿料在一定溫度下加熱一定時間,根據(jù)加熱前后的質(zhì)量差測定其固體含量。

4儀器與設(shè)備

4.1天平:感量為0.0001g。

4.2箱式電阻爐:最高使用溫度1000℃,控溫精度為±20℃。

4.3鼓風(fēng)式恒溫烘箱:最高使用溫度300℃,控溫精度為±5℃。

4.4干燥器:變色硅膠作干燥劑。

5試樣

將樣品攪拌均勻,不得引入雜質(zhì)。

6測試步驟

實驗環(huán)境:環(huán)境溫度15℃~35℃、相對濕度45%~75%、大氣壓強86kPa~106kPa。

6.1試料

6.1.1燒結(jié)型漿料:稱取三份1g的試料,準(zhǔn)確到0.0001g,分別置于已恒重的2mL瓷坩堝中。

6.1.2固化型漿料:稱取三份0.2g~0.3g的試料,準(zhǔn)確到0.0001g,分別置于聚酯PET薄膜片上,

適當(dāng)攤開。

6.2實驗溫度與操作

6.2.1燒結(jié)型漿料:將裝有試料的坩堝置于箱式電阻爐中,微開爐門,升溫至150℃,保溫30min。關(guān)

上爐門,繼續(xù)升溫至850℃,保溫30min。燒結(jié)完成后關(guān)閉電源,打開爐門冷卻至80℃~100℃取出坩

堝,置于干燥器中,冷卻至室溫,稱量。

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