第4章、內(nèi)存儲(chǔ)器

第4章內(nèi)存儲(chǔ)器4.1主內(nèi)存的發(fā)展歷程4.2內(nèi)存概述4.3內(nèi)存的分類4.4內(nèi)存的性能指標(biāo)4.5內(nèi)存的技術(shù)規(guī)范4.6內(nèi)存的識(shí)別與選購(gòu)4.1主內(nèi)存的發(fā)展歷程80286時(shí)代，30線、256KB。80486時(shí)代，30線的SIMMFPM和72線的SIMMFP并存，速度是60ns。EDORAM，有72線和168線之分，速度40ns。SDRAM，168線。RambusDRAM，184線。DDRSDRAM，速度是SDRAM的雙倍。DDRII，速度是DDRSDRAM的兩倍。4.2內(nèi)存概述4.2.1內(nèi)存的存在方式4.2.2內(nèi)存與外存的區(qū)別RAM：(RandomAccessMemory，隨機(jī)存儲(chǔ)器)。ROM：(ReadOnlyMemory，只讀存儲(chǔ)器)。Cache：（高速緩沖存儲(chǔ)器）。外存的表現(xiàn)形式有硬盤(pán)、軟盤(pán)、光盤(pán)等。與CPU交換數(shù)據(jù)方式容量?jī)r(jià)格存取速度內(nèi)存直接交換小每存儲(chǔ)單元價(jià)格高快外存間接交換大每存儲(chǔ)單元價(jià)格低慢4.2.3內(nèi)存的結(jié)構(gòu)與封裝內(nèi)存結(jié)構(gòu)圖4.2.3內(nèi)存的結(jié)構(gòu)與封裝標(biāo)注部件名稱說(shuō)明1PCB板多為綠色，4層或6層的電路板，內(nèi)部有金屬布線，6層設(shè)計(jì)要比4層的電氣性能好，性能更穩(wěn)定，名牌內(nèi)存多采用6層設(shè)計(jì)。2金手指金黃色的觸點(diǎn)，與主板連接的部分，數(shù)據(jù)通過(guò)“金手指”傳輸。金手指是銅質(zhì)導(dǎo)線，易氧化，要定期清理表面的氧化物。3內(nèi)存芯片是內(nèi)存的靈魂所在，決定著內(nèi)存的性能、速度、容量等，也叫內(nèi)存顆粒。市場(chǎng)上內(nèi)存種類很多，但內(nèi)存顆粒的型號(hào)卻并不多，常見(jiàn)的有HY、KINGMAX、WINBOND、TOSHIBA、SEC、MT、Apacer等幾種品牌。不同品牌的內(nèi)存顆粒，速度、性能不盡相同。4內(nèi)存顆粒位預(yù)留的一片內(nèi)存芯片位置，供其他采用這種封裝模式的內(nèi)存條使用。此處預(yù)留的是一個(gè)ECC校驗(yàn)?zāi)K位置。5電容是PCB板上必不可少的電子元件之一。一般采用貼片式電容，可以提高內(nèi)存條的穩(wěn)定性，提高電氣性能。6電阻是PCB板上必不可少的電子元件之一，也采用貼片式設(shè)計(jì)。7內(nèi)存固定缺口內(nèi)存插到主板上后，主板內(nèi)存插槽的兩個(gè)夾子便扣入該缺口，可以固定內(nèi)存條。8內(nèi)存腳缺口防止反插，也可以區(qū)分以前的SDRAM內(nèi)存條，以前的SDRAM內(nèi)存有兩個(gè)缺口。9SPD是一個(gè)八腳的小芯片，實(shí)際上是一個(gè)EEPROM，可擦寫(xiě)存儲(chǔ)器。有256字節(jié)的容量，每一位都代表特定的意思，包括內(nèi)存的容量、組成結(jié)構(gòu)、性能參數(shù)和廠家信息。4.2.3內(nèi)存的結(jié)構(gòu)與封裝內(nèi)存的封裝：DIPSOJTSOPBGA4.2.3內(nèi)存的結(jié)構(gòu)與封裝Tiny-BGAmBGA4.2.3內(nèi)存的結(jié)構(gòu)與封裝CSPWLCSP4.2.4內(nèi)存的接口方式SIMM30線

SIMM72線

SIMM168線4.2.4內(nèi)存的接口方式DIMM184線

（DDR）

DIMM240線

（DDRII）

RIMM184線4.3內(nèi)存的分類內(nèi)存：RAM、ROM、CacheFPMDRAM：FastPageModeDRAM快速頁(yè)面模式動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器。

EDODRAM：

ExtendedDataOutDRAM擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器，SDRAM：SynchronousDRAM同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器RAM：4.3內(nèi)存的分類RDRAM：RambusDRAM高頻動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器。DDRSDRAM：DoubleDataRateSDRAM雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDRⅡ：DDRⅡ內(nèi)存能夠提供比傳統(tǒng)SDRAM內(nèi)存快四倍，比DDR內(nèi)存快兩倍的工作頻率4.4內(nèi)存的性能指標(biāo)內(nèi)存容量：是指一根內(nèi)存條可以容納的二進(jìn)制信息量。工作頻率：內(nèi)存的工作頻率表示的是內(nèi)存的傳輸數(shù)據(jù)的頻率，一般使MHz為計(jì)量單位。數(shù)據(jù)帶寬：數(shù)據(jù)帶寬是指內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速度，也就是內(nèi)存一次能處理的數(shù)據(jù)寬度。它是衡量?jī)?nèi)存性能的重要標(biāo)準(zhǔn)。奇偶校驗(yàn)與ECC校驗(yàn)：奇偶校驗(yàn)是最早使用的內(nèi)存軟錯(cuò)誤的檢測(cè)方法。ECC校驗(yàn)，即ErrorCheckingandCorrecting，錯(cuò)誤檢查和糾正。CAS的延遲時(shí)間：ColumnAddressStrobe列地址信號(hào)。CAS的延遲時(shí)間就是指內(nèi)存縱向地址脈沖的反應(yīng)時(shí)間，用CL（CASLatency）來(lái)表示。工作電壓：內(nèi)存正常工作所需要的電壓值，不同類型的內(nèi)存電壓也不同，各有各的規(guī)格，不能超出規(guī)格，否則會(huì)損壞內(nèi)存。SPD：SerialPresenceDetect，串行存在探測(cè)SPD是一個(gè)8針的256字節(jié)EEPROM（電可擦寫(xiě)可編程只讀存儲(chǔ)器）芯片，里面記錄了諸如內(nèi)存的速度、容量、電壓與行、列地址、帶寬等參數(shù)信息。

4.5內(nèi)存的技術(shù)規(guī)范SDRAM:PC100、PC133，DDRSDRAM：PC1600、PC2100、PC2700、PC3200、PC3500、PC3700，RDRAM：PC600、PC800、PC1600，DDRII：PC23200、PC24300、PC25300、PC26400。4.5內(nèi)存的技術(shù)規(guī)范PC100：PC100是JEDEC（JointElectronDeviceEngineeringCouncil，電子元件工業(yè)聯(lián)合會(huì)）和Intel聯(lián)合制定的一種SDRAM內(nèi)存的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，其中100代表該內(nèi)存的工作頻率可達(dá)到100MHz。PC133：

PC133是威盛公司聯(lián)合三星、現(xiàn)代、日立、西門(mén)子、美光和NEC等數(shù)家著名IT廠商共同推出的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)其中133是指該內(nèi)存的工作頻率可達(dá)到133MHz。4.5內(nèi)存的技術(shù)規(guī)范DDR與DDRII技術(shù)規(guī)范規(guī)格傳輸標(biāo)準(zhǔn)實(shí)際工作頻率等效頻率數(shù)據(jù)傳輸率（帶寬）DDR內(nèi)存技術(shù)規(guī)范DDR200PC1600100MHz200MHz1600MB/SDDR266PC2100133MHz266MHz2100MB/SDDR333PC2700166MHz333MHz2700MB/SDDR400PC3200200MHz400MHz3200MB/SDDR433PC3500216MHz433MHz3500MB/SDDR533PC4300266MHz533MHz4300MB/SDDRII內(nèi)存技術(shù)規(guī)范DDRII400PC23200100MHz400MHz3200MB/SDDRII533PC24300133MHz533MHz4300MB/SDDRII667PC25300166MHz667MHz5300MB/SDDRII800PC26400200MHz800MHz6400MB/S4.5內(nèi)存的技術(shù)規(guī)范RIMM:320042004800工作頻率等效工作頻率數(shù)據(jù)帶寬說(shuō)明RIMM3200400MHz800MHz3200MB/S32位的RDRAM內(nèi)存，工作速度與PC800的RDRAM一致。RIMM4200533MHz1066MHz4200MB/S32位的RDRAM內(nèi)存，工作速度與PC1066RDRAM一致。RIMM4800600MHz1200MHz4800MB/S32位的RDRAM內(nèi)存，工作速度與PC1200RDRAM一致。4.5內(nèi)存的技術(shù)規(guī)范流行內(nèi)存比較:1、HYDDR4002、KimgBox黑金剛DDR4003、KingSton金士頓ValueDDR4004.6內(nèi)存的識(shí)別與選購(gòu)4.6.1內(nèi)存的識(shí)別代號(hào)廠商名稱HYHyundai（現(xiàn)代電子）HYBSiemens（西門(mén)子）KM或MSamsung（三星）MBFujitsu（富士通）MCMMotorola（摩托羅拉）MTMicron（美光）TC或TDToshiba（東芝）HMHitachi（日立）uPDNECBMIBM4.6內(nèi)存的識(shí)別與選購(gòu)編號(hào)HYXXXXXXXXXXXXXXXX位數(shù)1234567891011第一位：HY代表該產(chǎn)品是現(xiàn)代的產(chǎn)品。第二位：代表內(nèi)存芯片類型。第三位：代表內(nèi)存工作電壓。第四位：代表芯片密度和刷新速度。第五位：代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位。第六位：代表BANK數(shù)量：1、2、3分別代表2個(gè)、3個(gè)、4個(gè)和8個(gè)Bank，是2的冪次關(guān)系。第七位：I/0界面，1∶SSTL-3；2∶SSTL-2。第八位：芯片內(nèi)核版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后表示越新。第九位：代表功耗：L=低功耗芯片；空白=普通芯片。第十位：內(nèi)存芯片封裝形式。第十一位：代表內(nèi)存工作速度。4.6.2內(nèi)存的選購(gòu)1、確定容量一般推薦選購(gòu)單條容量在256MB以上的內(nèi)存條，單條512MB的更好。單條容量最好不要低于256MB。2、選購(gòu)更快的內(nèi)存選擇何種規(guī)格的DDR內(nèi)存，要根據(jù)搭配的主板和CPU來(lái)決定。當(dāng)然，越快、單條容量越大的內(nèi)存價(jià)格相對(duì)要貴一些。3、選購(gòu)品牌內(nèi)存為了避免買到假貨，建議盡量選購(gòu)知名品牌內(nèi)存，選購(gòu)這些知名品牌的產(chǎn)品可享受優(yōu)質(zhì)的售后服務(wù)和優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品性能。4.6.2內(nèi)存的選購(gòu)4.6.2內(nèi)存的選購(gòu)內(nèi)存名稱適用類型適用機(jī)型容量金手指工作頻率市場(chǎng)參考價(jià)KingMax256MBDDR400(TSOP封裝)DDR臺(tái)式256MB184pin400MHz190元KingMax512MBDDR400(TSOP封裝)DDR臺(tái)式512MB184pin400