半導(dǎo)體芯片制造中級復(fù)習(xí)題A

（word完整版）半導(dǎo)體芯片制造中級復(fù)習(xí)題A半導(dǎo)體芯片制造中級工復(fù)習(xí)題一判斷題：1.單晶是原子或離子沿著三個不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列，并沿一致的晶體學(xué)取向所堆垛起來的遠程有序的晶體。（V）2,遷移率是反映半導(dǎo)體中載流子導(dǎo)電能力的重要參數(shù).摻雜半導(dǎo)體的電導(dǎo)率一方面取決于摻雜的濃度，另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電導(dǎo)率就越高.（V）3.點缺陷，如空位、間隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它們構(gòu)成的復(fù)合體。（V）4,位錯就是由范性形變造成的，它可以使晶體內(nèi)的一原子或離子脫離規(guī)則的周期排列而位移一段距離，位移區(qū)與非位移區(qū)交界處必有原子的錯位，這樣產(chǎn)生線缺陷稱為位錯.（V）5.拋光片的電學(xué)參數(shù)包括電阻率，載流子濃度，遷移率，直徑、厚度、主參考面等.（X）6,液相外延的原理是飽和溶液隨著溫度的降低產(chǎn)生過飽和結(jié)晶.（V）7,離子源是產(chǎn)生離子的裝置。（V）TOC\o"1-5"\h\z.半導(dǎo)體芯片制造工藝對水質(zhì)的要求一般。 （X）.光致抗蝕劑在曝光前對某些溶劑是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物質(zhì)，這一類抗蝕劑稱為負性光致抗蝕劑，由此組成的光刻膠稱為負性膠。 （V）.設(shè)備、試劑、氣瓶等所有物品不需經(jīng)嚴(yán)格清潔處理，可直接進入凈化區(qū)。 （X）.干法腐蝕清潔、干凈、無脫膠現(xiàn)象、圖形精度和分辨率高。 （V）.光刻工藝要求掩膜版圖形黑白區(qū)域之間的反差要低。 （X）.在半導(dǎo)體集成電路中，各元器件都是制作在同一晶片內(nèi).因此要使它們起著預(yù)定的作用而不互相影響，就必須使它們在電性能上相互絕緣.（V）.金屬剝離工藝是以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩膜，帶膠蒸發(fā)或濺射所需的金屬，然后在去除光致抗蝕劑膜的同時，把膠膜上的金屬一起去除干凈.（V）.表面鈍化工藝是在半導(dǎo)體芯片表面復(fù)蓋一層保護膜，使器件的表面與周圍氣氛隔離。（V）二選擇題1,下列材料屬于N型半導(dǎo)體是AC。A硅中摻有元素雜質(zhì)磷（P）、碑（As）B.硅中摻有元素雜質(zhì)硼（B）、鋁（Al）C砷化鎵摻有元素雜質(zhì)硅（Si）、碲（Te）D.砷化鎵中摻元素雜質(zhì)鋅、鎘、鎂2.屬于絕緣體的正確答案是B。A金屬、石墨、人體、大地 B橡膠、塑料、玻璃、云母、陶瓷C硅、鍺、砷化鎵、磷化銦 D各種酸、堿、鹽的水溶液（A）10、說明構(gòu)成每個單元所需的基本門和基本單元的集成電路設(shè)計過程叫：A、邏輯設(shè)計 8、物理設(shè)計C、電路設(shè)計D、系統(tǒng)設(shè)計（D）11、腐蝕二氧化硅的水溶液一般是用

（word完整版）半導(dǎo)體芯片制造中級復(fù)習(xí)題AA、鹽酸8、硫酸C、硝酸D、氫氟酸（D）12、下列晶體管結(jié)構(gòu)中，在晶體管輸出電流很大時常使用的是：A、單基極條圖形 B、雙基極條圖形C、基極和集電極引線孔都是馬蹄形結(jié)構(gòu)D、梳狀結(jié)構(gòu)3.4.5.位錯的形成原因是 C。A位錯就是由彈性形變造成的C3.4.5.位錯的形成原因是 C。A位錯就是由彈性形變造成的C位錯就是由范性形變造成的硅外延生長工藝包括ABCD。A襯底制備C生長溫度，生長壓力，生長速度硅外延片的應(yīng)用包括ABCD.A二極管和三極管C大規(guī)模集成電路位錯就是由重力造成的以上答案都不對原位HCl腐蝕尾氣的處理6.離子注入層的深度主要取決于離子注入的電力電子器件；超大規(guī)模集成電路A。B劑量AB劑量7,離子注入層的雜質(zhì)濃度主要取決于離子注入的 BA能量 B劑量（D）16、從離子源引出的是：A、原子束B、分子束C、中子束D、離子束（B）17、恒定表面源擴散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱為什么分布？A、高斯函數(shù)B、余誤差函數(shù)C、指數(shù)函數(shù)D、線性函數(shù)（A）18、在溫度相同的情況下，制備相同厚度的氧化層，分別用干氧，濕氧和水汽氧化，哪個需要的時間最長？A、干氧B、濕氧C、水汽氧化。、不能確定哪個使用的時間長（D）19、下列說法錯誤的是：人、擴散是微觀離子的一種熱運動方式，運動結(jié)果使?jié)舛确植稼呌诰鶆駼、間隙式雜質(zhì)從一個間隙到相鄰位置的運動為間隙式擴散。、以間隙形式存在于硅中的雜質(zhì)，主要是那些半徑較小的雜質(zhì)原子.I號液是A過氧化氫清洗液.A堿性 B酸性 C中性.二氧化硅在擴散時能對雜質(zhì)起掩蔽作用進行匚擴散.A預(yù)B再C。選擇10,介質(zhì)隔離是以絕緣性能良好的電介質(zhì)作為“隔離墻”來實現(xiàn)電路中各元器件間彼此電絕緣的一種隔離方法。常用的電介質(zhì)是C層。（word完整版）半導(dǎo)體芯片制造中級復(fù)習(xí)題AA多晶硅 B氮化硅 C二氧化硅.光刻工藝是利用感光膠感光后抗腐蝕的特性在半導(dǎo)體晶片表面的掩膜層上的工藝AA刻制圖形 B。繪制圖形 C制作圖形.將預(yù)先制好的掩膜直接和涂有光致抗蝕劑的晶片表面接觸，再用紫外光照射來進行曝光的方法，稱為A曝光。A接觸 B接近式 C投影.按蒸發(fā)源加熱方法的不同，真空蒸發(fā)工藝可分為：A蒸發(fā)、_匕蒸發(fā)、離子束蒸發(fā)等。A電阻加熱 B電子束 C蒸氣原子14,單相3線插座接線有嚴(yán)格規(guī)定AA“左零”“右火" B"左火”“右零”.人們規(guī)定：A電壓為安全電壓。A36伏以下 B50伏以下 C24伏以下三填空題：1、在擴散之前在硅表面先沉積一層雜質(zhì)，在整個過程中這層雜質(zhì)作為擴散的雜質(zhì)源，不再有新的雜質(zhì)補充，這種擴散方式稱為：恒定表面源擴散2、對標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計EDA系統(tǒng)而言，標(biāo)準(zhǔn)單元庫應(yīng)包含以下內(nèi)容：邏輯單元符號庫、和功能單元庫、拓撲單元庫、版圖單元庫。3、在一個晶圓上分布著許多塊集成電路，在封裝時將各塊集成電路切開時的切口叫劃片槽。4、大容量可編程邏輯器件分為復(fù)雜可編程邏輯器件和現(xiàn)場可編程門陣列 .5、全定制、半定制版圖設(shè)計中用到的單元庫包含符號圖、抽象圖、線路圖和版圖。6、半導(dǎo)體材料有兩種載流子參加導(dǎo)電，具有兩種導(dǎo)電類型.一種是^^,另一種是—空穴_。7、年導(dǎo)體材料可根據(jù)其性能、晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶程度、化學(xué)組成分類。比較通用的則是根據(jù)其化學(xué)組成可分為元素半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、固溶半導(dǎo)體三大類。8、半導(dǎo)體材料的主要晶體結(jié)構(gòu)有 金剛石型、閃鋅礦型、纖鋅礦型。9、拋光片的質(zhì)量檢測項目包括：幾何參數(shù)，直徑、厚度、主參考面、副參考面、平整度、彎曲度等； 電學(xué)參數(shù) ，電阻率，載流子濃度，遷移率等；晶體質(zhì)量，晶向，位錯密度。10、外延生長方法比較多，其中主要的有 化學(xué)氣相外延、液相外延、金屬有機化學(xué)氣相外延、分子束外延、原子束外延、固相外延等。（word完整版）半導(dǎo)體芯片制造中級復(fù)習(xí)題A11、 離子注入是借其動能強行進入靶材料中的一個非平衡物理過程。半導(dǎo)體中的離子注入摻雜是把摻雜劑 離子加速到的需要的能量，直接注入到半導(dǎo)體晶片中，并經(jīng)適當(dāng)溫度的 退火處理 .空氣中的一個小塵埃將影響整個芯片的完整性、成品 率,并影響其電學(xué)性能和可靠性，所以半導(dǎo)體芯片制造工藝需在超凈廠房內(nèi)進行。在白光照射二氧化硅時，不同的厚度有不同的干涉色。在半導(dǎo)體工藝中，硫酸常用于去除光刻膠和配制洗液等.化學(xué)清洗中是利用硝酸的強酸性和強氧化性將吸附在硅片表面的雜質(zhì)除去。用肉眼或顯微鏡可觀察二氧化硅的以下質(zhì)量：顏色是否均勻、結(jié)構(gòu)是否致密；表面無斑點、無 白霧、不發(fā)花；表面無裂紋、無針孔。腐蝕V形槽一般采用 各向異性 的濕法化學(xué)腐蝕方法.光刻工藝一般都要經(jīng)過涂膠、前烘、曝光、顯影、堅膜、 腐蝕、去膠等步驟。工藝人員完成工藝操作后要認(rèn)真菽時填寫工藝記錄，做到記錄內(nèi)容詳菽真實、完整、書寫工整、數(shù)據(jù)準(zhǔn)確。四綜合題1,襯底清洗過程包括哪幾個步驟？有什么作用？答：（1）擦洗表面的大塊污物；（2）浸泡；（3）化學(xué)腐蝕；（4）水清洗；（5）干燥。作用：（略）么是離子？答：原子（原子團）、分子（分子團）失去或獲得電子后所形成的帶電粒子稱為離子3,操作人員的質(zhì)量職責(zé)是什么？答：操作人員的質(zhì)量職責(zé)是：（1）按規(guī)定接受培訓(xùn)考核，以達到所要求的技能、能力和知識；（2）嚴(yán)格按工藝規(guī)范和工藝文件進行操作，對工藝質(zhì)量負責(zé)；（3）按規(guī)定填寫質(zhì)量記錄，對其準(zhǔn)確性、完整性負責(zé)；（4）做好所使用的儀器、設(shè)備、工具的日常維護保養(yǎng)工作；（6）對違章作業(yè)造成的質(zhì)量事故負直接責(zé)任。4.為什么說潔凈技術(shù)是半導(dǎo)體芯片制造過程中的一項重要技術(shù)？答：半導(dǎo)體芯片制造，尤其是隨著高度集成復(fù)雜電路和微波器件的發(fā)展，要求獲得細線條、高精度、大面積的圖形，各種形式的污染都將嚴(yán)重影響半導(dǎo)體芯片成品率和可靠性。生產(chǎn)中的污染，除了由于化學(xué)試劑不純、氣體純化不良、去離子質(zhì)量不佳引入之外，環(huán)境中的塵埃、雜質(zhì)及有害氣體、工作人員、設(shè)備、工具、日用雜品等引入的塵埃、毛發(fā)、皮屑、油脂、手汗、煙霧等都是重要污染來源。例如，PN結(jié)表面污染上塵埃、皮屑、油脂等將引起反向漏電或表面溝道，手汗引起的Na離子沾污會使MOS器件閾值電壓飄移，甚至導(dǎo)致晶體管電流放大系數(shù)不穩(wěn)定，空氣中塵埃的沾污將引起器件性能下降，以致失效；光刻涂膠后塵埃的沾污將使二氧化硅層形成針孔（word完整版）半導(dǎo)體芯片制造中級復(fù)習(xí)題A或小島；大顆粒塵埃附著在光刻膠表面，會使掩膜版與芯片間距不一致，使光刻圖形模糊；高溫擴散過程中，附著在硅片上的塵埃將引起局部摻雜和快速擴散，使結(jié)特性變壞。所以潔凈技術(shù)是半導(dǎo)體芯片制造過程中的一項重要技術(shù)。5、對于大尺寸的MOS管版圖設(shè)計，適合采用什么樣的版圖結(jié)構(gòu)？簡述原因。答：（1）S管的版圖一般采用并聯(lián)晶體管結(jié)構(gòu)。采用并聯(lián)晶體管結(jié)構(gòu)后，可共用源區(qū)和漏區(qū)，使得在同樣寬長比的情況下，漏區(qū)和源區(qū)的面積被減小，并因此使得器件源極和漏極的PN結(jié)電容被減小，對提高電路的動態(tài)性能很有好處。（2）寸器件在版圖設(shè)計時還采用折疊的方式減小一維方向上的尺寸。因為器件的尺寸大，即叉指的個數(shù)較多，如果采用簡單并列的方式，將由于叉指到信號引入點的距離不同引起信號強度的差異。同時，由于在一維方向上的工藝離散性，也將導(dǎo)致最左端的叉指和最右端的叉指所對應(yīng)的并聯(lián)器件在參數(shù)和結(jié)構(gòu)上產(chǎn)生失配。6、集成電路封裝有哪些作用？答：（1）機械支撐和機械保護作用。（2）傳輸信號和分配電源的作用。（3）熱耗散的作用。（4）環(huán)境保護的作用。7、什么叫光刻？光刻工藝質(zhì)量的基本要求是什么？答：光刻是一種圖形復(fù)印和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的精密表面加工技術(shù).對光刻工藝質(zhì)量的基本要求是：刻蝕的圖形完整、尺寸準(zhǔn)確、邊緣整齊、線條陡直；圖片（word完整版）半導(dǎo)體芯片制造中級復(fù)習(xí)題A內(nèi)無小島、不染色、腐蝕干凈；圖形套合十分準(zhǔn)確；介質(zhì)膜或金屬膜上