標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 36357-2018 中功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范》是針對(duì)中功率LED芯片的技術(shù)要求而設(shè)立的標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)適用于照明、顯示等領(lǐng)域的中功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和質(zhì)量控制。它規(guī)定了這類產(chǎn)品應(yīng)滿足的基本性能參數(shù)和技術(shù)指標(biāo),包括但不限于電學(xué)特性、光學(xué)特性以及可靠性測(cè)試等方面的要求。
在電學(xué)特性方面,標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)定義了正向電壓、反向漏電流等關(guān)鍵參數(shù)的具體數(shù)值范圍;對(duì)于光學(xué)特性,則涵蓋了光通量、色坐標(biāo)、顯色指數(shù)等內(nèi)容,并給出了相應(yīng)的測(cè)量方法與條件限制。此外,還特別強(qiáng)調(diào)了關(guān)于熱阻值的測(cè)定及其重要性,因?yàn)榱己玫纳嵝阅苤苯雨P(guān)系到LED芯片的工作穩(wěn)定性和使用壽命。
可靠性測(cè)試部分主要包括高溫存儲(chǔ)試驗(yàn)、溫度循環(huán)試驗(yàn)、高壓蒸煮試驗(yàn)等多項(xiàng)內(nèi)容,旨在驗(yàn)證LED芯片在不同環(huán)境條件下長(zhǎng)期工作的能力。通過(guò)這些嚴(yán)格的測(cè)試流程可以確保最終出廠的產(chǎn)品能夠達(dá)到預(yù)期的質(zhì)量水平和服務(wù)壽命。
本標(biāo)準(zhǔn)還提供了有關(guān)如何正確標(biāo)識(shí)產(chǎn)品信息(如型號(hào)、生產(chǎn)日期等)以及包裝運(yùn)輸時(shí)應(yīng)注意的安全事項(xiàng)等方面的指導(dǎo)建議,以幫助制造商更好地遵循相關(guān)法規(guī)并保護(hù)消費(fèi)者權(quán)益。
如需獲取更多詳盡信息,請(qǐng)直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。
....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2018-06-07 頒布
- 2019-01-01 實(shí)施




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GB/T 36357-2018中功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范-免費(fèi)下載試讀頁(yè)文檔簡(jiǎn)介
ICS31260
L53.
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T36357—2018
中功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范
Technicalspecificationformiddlepowerlight-emittingdiodechips
2018-06-07發(fā)布2019-01-01實(shí)施
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布
中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
GB/T36357—2018
目次
前言
…………………………Ⅰ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
要求
3………………………1
檢驗(yàn)方法
4…………………3
檢驗(yàn)規(guī)則
5…………………5
包裝運(yùn)輸和儲(chǔ)存
6、…………………………9
附錄規(guī)范性附錄中功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的目檢
A()…………11
附錄規(guī)范性附錄人體模式和機(jī)器模式的靜電放電敏感度分級(jí)及標(biāo)志
B()…………14
GB/T36357—2018
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任
。。
本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部電子歸口
()。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院廈門市三安光電科技有限公司中國(guó)電子科技集團(tuán)
:、、
公司第十三研究所
。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人劉秀娟趙英張戈蔡偉智張瑞霞趙敏張晨朝
:、、、、、、。
Ⅰ
GB/T36357—2018
中功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了中功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片產(chǎn)品以下簡(jiǎn)稱芯片的技術(shù)要求檢驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)
()、、
則包裝運(yùn)輸和儲(chǔ)存等
、、。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于中功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片
。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)交變濕熱
GB/T2423.4—20082:Db:(12h+
循環(huán)
12h)
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)和導(dǎo)則穩(wěn)態(tài)加
GB/T2423.15—20082:Ga:
速度
環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)溫度變化
GB/T2423.22—20122:N:
半導(dǎo)體器件第部分分立器件和集成電路總規(guī)范
GB/T4589.1—200610:
半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分總則
GB/T4937.1—20061:
半導(dǎo)體發(fā)光二極管測(cè)試方法
SJ/T11394—2009
半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片測(cè)試方法
SJ/T11399—2009
所有部分半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法
IEC60749()(Semiconductordevices—Mechanical
andclimatictestmethods)
半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分芯片剪切強(qiáng)度
IEC60749-19:201019:(Semicon-
ductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part19:Dieshearstrength)
半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分鍵合強(qiáng)度
IEC60749-22:200222:(Semiconductor
devices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part22:Bondstrength)
3要求
31通則
.
311優(yōu)先順序
..
芯片應(yīng)符合本標(biāo)準(zhǔn)和相關(guān)詳細(xì)規(guī)范的要求本標(biāo)準(zhǔn)的要求與相關(guān)詳細(xì)規(guī)范不一致時(shí)應(yīng)以相關(guān)詳
。,
細(xì)規(guī)范為準(zhǔn)
。
312對(duì)詳細(xì)規(guī)范的引用
..
本標(biāo)準(zhǔn)中使用按規(guī)定一詞而未指明引用的文件時(shí)即指引用相關(guān)詳細(xì)規(guī)范
“”,。
32材料和結(jié)構(gòu)
.
321材料
..
應(yīng)采用
溫馨提示
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