標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 4589.1-2006 半導(dǎo)體器件 第10部分:分立器件和集成電路總規(guī)范》與《GB/T 4589.1-1989》相比,在多個(gè)方面進(jìn)行了更新和完善。主要變化包括:

  • 標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)更加清晰,內(nèi)容更為詳細(xì)。2006版對術(shù)語定義、分類以及標(biāo)記等基礎(chǔ)信息進(jìn)行了補(bǔ)充說明,使讀者更容易理解標(biāo)準(zhǔn)的具體要求。
  • 增加了對于環(huán)境條件的要求描述,比如溫度范圍、濕度等因素的影響,這些都直接關(guān)系到半導(dǎo)體器件的工作性能及可靠性。
  • 對于質(zhì)量保證體系提出了更嚴(yán)格的規(guī)定,強(qiáng)調(diào)了從設(shè)計(jì)、生產(chǎn)到測試整個(gè)過程的質(zhì)量控制措施,旨在提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性和一致性。
  • 引入了一些新的測試方法和技術(shù)指標(biāo),反映了當(dāng)時(shí)最新的科學(xué)技術(shù)發(fā)展水平,以確保產(chǎn)品能夠滿足日益增長的應(yīng)用需求。
  • 在安全性方面做了進(jìn)一步強(qiáng)化,增加了更多關(guān)于電氣安全、機(jī)械強(qiáng)度等方面的要求,保障用戶在使用過程中的人身財(cái)產(chǎn)安全。
  • 考慮到環(huán)保因素,新版標(biāo)準(zhǔn)還加入了限制有害物質(zhì)使用的條款,鼓勵(lì)采用綠色材料和生產(chǎn)工藝,減少對環(huán)境的影響。


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  • 正在執(zhí)行有效
  • 2006-10-10 頒布
  • 2007-02-01 實(shí)施
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GB/T 4589.1-2006半導(dǎo)體器件第10部分:分立器件和集成電路總規(guī)范-免費(fèi)下載試讀頁

文檔簡介

ICS31.080.01L40中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T:4589.1—2006/IEC60747-10:1991QC700000代替GB/T4589.1—1989半導(dǎo)體器件第10部分:分立器件和集成電路總規(guī)范Semiconductordevices-Part10:Generiespecificationfordiscretedevicesandintegratedcircuits(IEC60747-10:1991.IDT)2006-10-10發(fā)布2007-02-01實(shí)施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局愛布中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T4589.1-2006/IEC60747-10:1991三前言范圍2總則2.1優(yōu)先順序2.2有關(guān)文件2.3單位、符號(hào)和術(shù)語·2.4電壓、電流和溫度的優(yōu)先值2.5標(biāo)志·……2.6質(zhì)量評定類別2.72.8注意事項(xiàng)3質(zhì)量評定程序3.1定批準(zhǔn)的資格3.2商業(yè)保密信息3.3檢驗(yàn)批的構(gòu)成3.4結(jié)構(gòu)相似器件3.5鑒定批準(zhǔn)的授予3.6質(zhì)量一致性檢驗(yàn)3.7統(tǒng)計(jì)抽樣程序3.8規(guī)定LTPD時(shí)的耐久性試驗(yàn)3.9規(guī)定失效率時(shí)的耐久性試驗(yàn)3.10加速試驗(yàn)程序…………3.11能力批準(zhǔn)4試驗(yàn)和測試程序…………….4.1電測試和光測試的標(biāo)準(zhǔn)大氣條件164.2破壞性試驗(yàn)定義·……·…·…·16物理檢查………4.3164.4電測試和光測試·4.5環(huán)境試驗(yàn)…批允許不合格品率(LTPD)抽樣方案附錄A(規(guī)范性附錄)16附錄B(規(guī)范性附錄)需檢查的尺寸…附錄C(規(guī)范性附錄)20附錄D(資料性附錄)按ppm(百萬分之一)評價(jià)質(zhì)量水平…27附錄NA(資料性附錄)本標(biāo)準(zhǔn)對IEC60747-10:1991所做的編輯性修改和原因

GB/T4589.1-2006/IEC60747-10:1991前本部分是半導(dǎo)體器件系列國家標(biāo)準(zhǔn)之一。下面列出本系列已出版的國家標(biāo)準(zhǔn):GB/T12560—1999半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范(B/T17573—1998半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第1部分:總則GB/T4023—1997半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第2部分:整流二極管GB/T6571—1995半導(dǎo)體器件分立器件第3部分:信號(hào)(包括開關(guān))和調(diào)整二極管GB/T20516—2006半導(dǎo)體器件分立器件第4部分:微波器件GB/T15291—1994半導(dǎo)體器件第6部分:品閘管-B/T4587—1994半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第7部分:雙極型晶體管GB/T4586-1994半導(dǎo)體器件分分立器件第8部分:場效應(yīng)晶體管GB/T16464-1996半導(dǎo)體器件:集成電路第1部分:總則GB/T17574-1998半導(dǎo)體器件集成電路第2部分:數(shù)字集成電路GB/T17940-2000半導(dǎo)體器件集成電路第3部分:模擬集成電路GB/T12750—1991半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范(不包括混合電路)GB/T8976—1996膜集成電路和混合膜集成電路總規(guī)范GB/T11498—1989膜集成電路和混合膜集成電路分規(guī)范(采用鑒定批準(zhǔn)程序)GB/T16465—1996膜集成電路和混合膜集成電路分規(guī)范(采用能力批準(zhǔn)程序)本部分等同采用IEC60747-10:1991(QC700000)《半導(dǎo)體器件第10部分:分立器件和集成電路總規(guī)范》英文版)。同時(shí)將下列三個(gè)修改單的有關(guān)內(nèi)容納入其中:mendement1(1995-02);Amendement2(1996-02)Amendement3(1996-08)。本部分代替GB/T4589.1—1989《半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路總規(guī)范》本部分與GB7T4589.1—1989相比,主要變化如下:-2.1條優(yōu)先順序中"空白詳細(xì)規(guī)范”排在了“族規(guī)范"之前;22.2條有關(guān)文件中刪除了與IEC147、IEC148有關(guān)的標(biāo)準(zhǔn).增加了IEC60747-5:1984.IEC60747-11:1985IEC60748-1:1984、IEC60748-2:1985IEC60748-3:1986IEC60748-11:1990等有關(guān)標(biāo)準(zhǔn).同時(shí)ISO2015:1976被ISO8601:1988替代.ISO1000的年代號(hào)更新為1981.ISO2859的年代號(hào)更新為1989:增加了2.8*注意事項(xiàng)”的內(nèi)容;增加了3.10“加速試驗(yàn)程序"3.11“能力批準(zhǔn)”和4.2“破壞性試驗(yàn)的定義”等相關(guān)內(nèi)容;增加了附錄D(資料性附錄)“按ppm(百萬分之一)評價(jià)質(zhì)量水平";對第3.9.51)的內(nèi)容進(jìn)行了變更;對第4章“電測試”內(nèi)容進(jìn)行了調(diào)整,本章內(nèi)容也適用于光測試.因此該章所有“電測試”改為“電測試和光測試”;對對第4章中正文參考的標(biāo)準(zhǔn),如IEC60747-2、IEC60747-5.本部分刪除該標(biāo)準(zhǔn)號(hào)及其相關(guān)內(nèi)容:附錄B"需檢查的尺寸”中對集成電路部分進(jìn)行了調(diào)整本部分2.2有關(guān)文件中與IEC標(biāo)準(zhǔn)相對應(yīng)等同采用的國家標(biāo)準(zhǔn)是:

GB/T4589.1-2006/IEC60747-10:1991IEC標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)IEC標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)國家標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)國家標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)IEC60068-1:1988GB/T2421-IEC60747-1:1983-1999GB/T17573--1998GB/T2423.1-2001IEC60068-2-1:1990TEC60747-11:1985GB/T12560-—1999IEC60068-2-2:1974GB/T2423.2-2001IEC60748-1:1984GB/T16464-1996IEC600617-12:1991GB/T4728.12-19961EC60748-2:1985GB/T17574-—1998IEC600617-13:1993GB/T4728.13-1996EC60748-3:1986GB/T17940-2000本部分對IEC60747-10:1991的編輯性修改意見見附錄NA本部分的附錄八、附錄B和附錄C是規(guī)范性附錄,附錄D、附錄NA是資料性附錄本部分由中華人民共和國信息產(chǎn)業(yè)部提出。本部分由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口本部分起草單位:中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所(CESI).本部分主要起草人:羅發(fā)明、陳裕昆、金毓鈴

GB/T4589.1-2006/IEC60747-10:1991半導(dǎo)體器件第10部分:分立器件和集成電路總規(guī)范1范圍本規(guī)范構(gòu)成國際電工委員會(huì)電子元器件質(zhì)量評定體系(IECQ)的一部分本規(guī)范是半導(dǎo)體器件(分立器件和集成電路,包括多片集成電路.但不包括混合電路)的總規(guī)范本規(guī)范規(guī)定了在ICQ體系內(nèi)采用的質(zhì)量評定的總程序.并給出了下述方面的總原則:電特性測試方法:氣候和機(jī)械試驗(yàn);耐耐久性試驗(yàn)。注:當(dāng)存在已批準(zhǔn)的、適用于特定的一種或幾種器件類型的分規(guī)范、族規(guī)范和空白詳細(xì)規(guī)范時(shí).必須用這些規(guī)范來補(bǔ)充本規(guī)池。2總則2.1優(yōu)先順序當(dāng)出現(xiàn)矛盾的要求時(shí),各種文件應(yīng)按以下權(quán)限順序排列:詳細(xì)規(guī)范:2空白詳細(xì)規(guī)范;3族規(guī)范(若存在時(shí)):分規(guī)范:5總規(guī)池:6建礎(chǔ)規(guī)范:ECQ程序規(guī)則;需要參考的其他國際文件.如IEC文件:9)國家文件。同樣的優(yōu)先順序也適用于等效的國家文件2.2:有關(guān)文件詳細(xì)規(guī)范應(yīng)指出適用的文件:IEC標(biāo)準(zhǔn):IEC60027電工技術(shù)中使用的文字符號(hào)IEC60050國際電工技術(shù)詞匯(IEV)IEC60068基本環(huán)境試

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