GB/T 4589.1-2006半導(dǎo)體器件第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范

ICS31.080.01L40中華人民共和國國家標準GB/T：4589.1—2006/IEC60747-10:1991QC700000代替GB/T4589.1—1989半導(dǎo)體器件第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范Semiconductordevices-Part10:Generiespecificationfordiscretedevicesandintegratedcircuits(IEC60747-10:1991.IDT)2006-10-10發(fā)布2007-02-01實施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局愛布中國國家標準化管理委員會

GB/T4589.1-2006/IEC60747-10:1991三前言范圍2總則2.1優(yōu)先順序2.2有關(guān)文件2.3單位、符號和術(shù)語·2.4電壓、電流和溫度的優(yōu)先值2.5標志·……2.6質(zhì)量評定類別2.72.8注意事項3質(zhì)量評定程序3.1定批準的資格3.2商業(yè)保密信息3.3檢驗批的構(gòu)成3.4結(jié)構(gòu)相似器件3.5鑒定批準的授予3.6質(zhì)量一致性檢驗3.7統(tǒng)計抽樣程序3.8規(guī)定LTPD時的耐久性試驗3.9規(guī)定失效率時的耐久性試驗3.10加速試驗程序…………3.11能力批準4試驗和測試程序…………….4.1電測試和光測試的標準大氣條件164.2破壞性試驗定義·……·…·…·16物理檢查………4.3164.4電測試和光測試·4.5環(huán)境試驗…批允許不合格品率(LTPD)抽樣方案附錄A（規(guī)范性附錄）16附錄B（規(guī)范性附錄)需檢查的尺寸…附錄C（規(guī)范性附錄）20附錄D（資料性附錄）按ppm(百萬分之一)評價質(zhì)量水平…27附錄NA（資料性附錄）本標準對IEC60747-10:1991所做的編輯性修改和原因

GB/T4589.1-2006/IEC60747-10:1991前本部分是半導(dǎo)體器件系列國家標準之一。下面列出本系列已出版的國家標準：GB/T12560—1999半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范（B/T17573—1998半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第1部分：總則GB/T4023—1997半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第2部分：整流二極管GB/T6571—1995半導(dǎo)體器件分立器件第3部分：信號(包括開關(guān))和調(diào)整二極管GB/T20516—2006半導(dǎo)體器件分立器件第4部分：微波器件GB/T15291—1994半導(dǎo)體器件第6部分：品閘管-B/T4587—1994半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第7部分：雙極型晶體管GB/T4586-1994半導(dǎo)體器件分分立器件第8部分：場效應(yīng)晶體管GB/T16464-1996半導(dǎo)體器件：集成電路第1部分：總則GB/T17574-1998半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路GB/T17940-2000半導(dǎo)體器件集成電路第3部分：模擬集成電路GB/T12750—1991半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范(不包括混合電路)GB/T8976—1996膜集成電路和混合膜集成電路總規(guī)范GB/T11498—1989膜集成電路和混合膜集成電路分規(guī)范(采用鑒定批準程序）GB/T16465—1996膜集成電路和混合膜集成電路分規(guī)范(采用能力批準程序)本部分等同采用IEC60747-10:1991(QC700000）《半導(dǎo)體器件第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范》英文版)。同時將下列三個修改單的有關(guān)內(nèi)容納入其中：mendement1(1995-02)；Amendement2(1996-02)Amendement3（1996-08)。本部分代替GB/T4589.1—1989《半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路總規(guī)范》本部分與GB7T4589.1—1989相比，主要變化如下：-2.1條優(yōu)先順序中"空白詳細規(guī)范”排在了“族規(guī)范"之前;22.2條有關(guān)文件中刪除了與IEC147、IEC148有關(guān)的標準.增加了IEC60747-5：1984.IEC60747-11:1985IEC60748-1:1984、IEC60748-2:1985IEC60748-3:1986IEC60748-11:1990等有關(guān)標準.同時ISO2015:1976被ISO8601:1988替代.ISO1000的年代號更新為1981.ISO2859的年代號更新為1989：增加了2.8*注意事項”的內(nèi)容;增加了3.10“加速試驗程序"3.11“能力批準”和4.2“破壞性試驗的定義”等相關(guān)內(nèi)容；增加了附錄D(資料性附錄)“按ppm(百萬分之一)評價質(zhì)量水平"；對第3.9.51）的內(nèi)容進行了變更；對第4章“電測試”內(nèi)容進行了調(diào)整，本章內(nèi)容也適用于光測試.因此該章所有“電測試”改為“電測試和光測試”；對對第4章中正文參考的標準，如IEC60747-2、IEC60747-5.本部分刪除該標準號及其相關(guān)內(nèi)容：附錄B"需檢查的尺寸”中對集成電路部分進行了調(diào)整本部分2.2有關(guān)文件中與IEC標準相對應(yīng)等同采用的國家標準是：

GB/T4589.1-2006/IEC60747-10：1991IEC標準編號IEC標準編號國家標準編號國家標準編號IEC60068-1:1988GB/T2421-IEC60747-1：1983-1999GB/T17573--1998GB/T2423.1-2001IEC60068-2-1:1990TEC60747-11:1985GB/T12560-—1999IEC60068-2-2：1974GB/T2423.2-2001IEC60748-1:1984GB/T16464-1996IEC600617-12:1991GB/T4728.12-19961EC60748-2:1985GB/T17574-—1998IEC600617-13:1993GB/T4728.13-1996EC60748-3:1986GB/T17940-2000本部分對IEC60747-10:1991的編輯性修改意見見附錄NA本部分的附錄八、附錄B和附錄C是規(guī)范性附錄,附錄D、附錄NA是資料性附錄本部分由中華人民共和國信息產(chǎn)業(yè)部提出。本部分由全國半導(dǎo)體器件標準化技術(shù)委員會歸口本部分起草單位：中國電子技術(shù)標準化研究所(CESI).本部分主要起草人：羅發(fā)明、陳裕昆、金毓鈴

GB/T4589.1-2006/IEC60747-10:1991半導(dǎo)體器件第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范1范圍本規(guī)范構(gòu)成國際電工委員會電子元器件質(zhì)量評定體系(IECQ)的一部分本規(guī)范是半導(dǎo)體器件(分立器件和集成電路,包括多片集成電路.但不包括混合電路)的總規(guī)范本規(guī)范規(guī)定了在ICQ體系內(nèi)采用的質(zhì)量評定的總程序.并給出了下述方面的總原則：電特性測試方法：氣候和機械試驗；耐耐久性試驗。注：當存在已批準的、適用于特定的一種或幾種器件類型的分規(guī)范、族規(guī)范和空白詳細規(guī)范時.必須用這些規(guī)范來補充本規(guī)池。2總則2.1優(yōu)先順序當出現(xiàn)矛盾的要求時,各種文件應(yīng)按以下權(quán)限順序排列：詳細規(guī)范：2空白詳細規(guī)范；3族規(guī)范（若存在時)：分規(guī)范：5總規(guī)池：6建礎(chǔ)規(guī)范：ECQ程序規(guī)則;需要參考的其他國際文件.如IEC文件：9）國家文件。同樣的優(yōu)先順序也適用于等效的國家文件2.2：有關(guān)文件詳細規(guī)范應(yīng)指出適用的文件：IEC標準：IEC60027電工技術(shù)中使用的文字符號IEC60050國際電工技術(shù)詞匯（IEV）IEC60068基本環(huán)境試