GB/T 6617-1995硅片電阻率測(cè)定擴(kuò)展電阻探針法

UDC669.782-415：317.33：21中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T6617-1995硅片電阻率測(cè)定擴(kuò)展電阻探針法Testmethodformeasuringresistivityofsiliconwafersusingspreadingresistanceprobe1995-04-18發(fā)布1995-12-01實(shí)施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

(京)新受字023號(hào)中華人民共和國國國家標(biāo)準(zhǔn)硅片電阻率測(cè)定擴(kuò)展電阻探針法GB/T6617-1995中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號(hào)郵政編碼：1(0045電話：63787337、637874471995年11月第一版22005年1月電子版制作書號(hào)：155066·1-11907版權(quán)專有侵權(quán)必究舉報(bào)電話：（010）68533533

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)CB/T6617-1995硅片電阻率測(cè)定擴(kuò)展電阻探針法Testmethodformeasuringresistivityofsilicon代替6617-86wafersusingspreadingresistanceprobe1主題內(nèi)客與適用范圖本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅片電阻率的擴(kuò)展電阻探針測(cè)量方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量品體取向與導(dǎo)電類型已知的硅片的電阻率和測(cè)量與襯底同型或反型的硅外延層的電阻率。測(cè)量范圍：10-～10”·cm.2引用標(biāo)準(zhǔn)GB1550硅單晶導(dǎo)電類型測(cè)定方法GB/T1552硅、鋪單品電阻率直排四探針測(cè)量方法GB1555硅單晶晶向光圖測(cè)量方法GB1556硅單晶晶向X光衍射測(cè)量方法GB/T14847重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測(cè)量方法YS/T15硅外延層和擴(kuò)散層厚度測(cè)定磨角染色法3方法提要擴(kuò)展電阻法是一種實(shí)驗(yàn)比較法。該方法是先測(cè)量重復(fù)形成的點(diǎn)接觸的擴(kuò)展電阻，再用校準(zhǔn)曲線來確定被測(cè)試樣在探針接觸點(diǎn)附近的電阻率。擴(kuò)展電阻R.是導(dǎo)電金屬探針與硅片上一個(gè)參考點(diǎn)之間的電勢(shì)降與流過探針的電流之比。瀏量裝量4.1機(jī)械裝置4.1.1探針架：可采用單探針、兩探針和三探針結(jié)構(gòu)。探針架用作支承探針，使其以重復(fù)的速度和預(yù)定的壓力將探針尖下降至試樣表面，并可調(diào)節(jié)探針的接觸點(diǎn)位置。4.1.2探針尖采用堅(jiān)硬耐磨的良好導(dǎo)電材料如鎖、碳化鴿或鴿-釘合金等制成。針尖曲率半徑不大于25Pm,夾角為30°～60°。針距為15～1000rm.4.1.3樣品臺(tái)：絕緣真空吸盤或其他能將硅片固定的裝置，能在互相垂直的兩個(gè)方向上實(shí)現(xiàn)5~500km步距的位移。4.1.4絕緣性，探針之間及任一探針與機(jī)座之間的直流絕緣電阻大于1GQ4.2電學(xué)測(cè)量裝置可采用恒壓法