• 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 1996-07-09 頒布
  • 1997-01-01 實施
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GB/T 7577-1996低頻放大管殼額定的雙極型晶體管空白詳細規(guī)范_第1頁
GB/T 7577-1996低頻放大管殼額定的雙極型晶體管空白詳細規(guī)范_第2頁
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ICS31.080.30L42中華人民共和國國家標準GB/T.7577-1996274992.1989低頻放大管殼額定的雙極型晶體管空白詳細規(guī)范BlankdetailspecificationforCase-ratedbipolartransistorsforlow-frequencyamplification1996-07-09發(fā)布1997-01-01實施國家技術監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標準低頻放大管殼額定的雙極型晶體管空白詳細規(guī)范-1996代替GB7577-87Blankdetailspecificationforcase-ratedbipolartransistorsforlow-frequency：mplification本空白詳細規(guī)范規(guī)定了制定低頻放大管殼額定的雙極型晶體管詳細規(guī)范的基本原則，制定該范圍內的所有詳細規(guī)范應與本空白詳細規(guī)范一致。本空白規(guī)范是與GB4589.1—89《半導體器件分立器件和集成電路總規(guī)范》和GB12560—90《半導體器件分立器件分規(guī)范》有關的一系列空白詳細規(guī)范中的一個。要求資料：下列所要求的各項內容·應列入規(guī)定的相應空欄中。詳細規(guī)范的識別：（1）授權發(fā)布詳細規(guī)范的國家標準機構名稱（2）IECQ詳細規(guī)范號。（3）總規(guī)范號和分規(guī)范號以及年代號（4）詳細規(guī)范號、發(fā)布日期和國家體系要求的任何更多的資料。器件的識別：（5）器件型號（6）典型結構和應用資料。如果設計一種器件滿足若干應用，則應在詳細規(guī)范中指出。這些應用的特性、極限值和檢驗要求均應子以滿足。如果器件對靜電敏感或含有害材料、例如氧化鎖，則應在詳細規(guī)范中附加注意事項。（7）外形圖和(或)引用有關的外形標準（8）質量評定類別。（9）能在各器件型號之間比較的最重要

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