標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 7577-1996 低頻放大管殼額定的雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范》是一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn),主要針對用于低頻放大的、具有特定封裝形式的雙極型晶體管制定了詳細(xì)的技術(shù)要求。該標(biāo)準(zhǔn)適用于工作頻率較低(通常指音頻范圍及以下)且功率相對較小的應(yīng)用場景中使用的晶體管產(chǎn)品。
根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn),對于所涉及的晶體管,規(guī)定了包括但不限于電氣特性、機(jī)械結(jié)構(gòu)、環(huán)境適應(yīng)性等方面的具體參數(shù)和測試方法。例如,在電氣特性方面,可能會定義最大集電極電流、反向擊穿電壓等關(guān)鍵指標(biāo);在機(jī)械結(jié)構(gòu)上,則可能對引腳排列、尺寸公差做出規(guī)定;至于環(huán)境適應(yīng)性,則會考慮到溫度變化、濕度等因素對器件性能的影響,并給出相應(yīng)的耐久性或可靠性測試條件。
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 1996-07-09 頒布
- 1997-01-01 實(shí)施
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文檔簡介
ICS31.080.30L42中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T.7577-1996274992.1989低頻放大管殼額定的雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范BlankdetailspecificationforCase-ratedbipolartransistorsforlow-frequencyamplification1996-07-09發(fā)布1997-01-01實(shí)施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)低頻放大管殼額定的雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范-1996代替GB7577-87Blankdetailspecificationforcase-ratedbipolartransistorsforlow-frequency:mplification本空白詳細(xì)規(guī)范規(guī)定了制定低頻放大管殼額定的雙極型晶體管詳細(xì)規(guī)范的基本原則,制定該范圍內(nèi)的所有詳細(xì)規(guī)范應(yīng)與本空白詳細(xì)規(guī)范一致。本空白規(guī)范是與GB4589.1—89《半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路總規(guī)范》和GB12560—90《半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范》有關(guān)的一系列空白詳細(xì)規(guī)范中的一個。要求資料:下列所要求的各項(xiàng)內(nèi)容·應(yīng)列入規(guī)定的相應(yīng)空欄中。詳細(xì)規(guī)范的識別:(1)授權(quán)發(fā)布詳細(xì)規(guī)范的國家標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)名稱(2)IECQ詳細(xì)規(guī)范號。(3)總規(guī)范號和分規(guī)范號以及年代號(4)詳細(xì)規(guī)范號、發(fā)布日期和國家體系要求的任何更多的資料。器件的識別:(5)器件型號(6)典型結(jié)構(gòu)和應(yīng)用資料。如果設(shè)計(jì)一種器件滿足若干應(yīng)用,則應(yīng)在詳細(xì)規(guī)范中指出。這些應(yīng)用的特性、極限值和檢驗(yàn)要求均應(yīng)子以滿足。如果器件對靜電敏感或含有害材料、例如氧化鎖,則應(yīng)在詳細(xì)規(guī)范中附加注意事項(xiàng)。(7)外形圖和(或)引用有關(guān)的外形標(biāo)準(zhǔn)(8)質(zhì)量評定類別。(9)能在各器件型號之間比較的最重要
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