從IIVI和Lumentum看光芯片國產(chǎn)化

東吳證券研究所東吳證券研究所原理：三五族化合物主導(dǎo)，實(shí)現(xiàn)光電信號(hào)轉(zhuǎn)換光芯片為激光器、測核心組成激光應(yīng)用廣泛其工賴于激光器與探測器益于向好單性能量密度，光僅光通信工制等統(tǒng)域應(yīng)廣，在D感、載激光雷等型域益及激的出賴光據(jù)益質(zhì)同激器可分氣激激光與態(tài)光半導(dǎo)激器固激器的型形態(tài)；光接則賴探測，又稱光二極。激光器探測器的核心成部分為光芯片光芯核心功能光電信轉(zhuǎn)光片主包激器片探測芯激器應(yīng)用半體光實(shí)現(xiàn)信號(hào)向光號(hào)轉(zhuǎn)將號(hào)蘊(yùn)的息過光出探器片在器中可或缺，現(xiàn)信向信的轉(zhuǎn)。圖1：激光器芯片、探測器芯片在半導(dǎo)體中所處范疇半導(dǎo)體分立器O集成）（DS)光電件（）（Senors)數(shù)字電路（Digtal)模擬電路（Anaog)（A/DD/A)二級(jí)管發(fā)光二管微元件電源管芯片三級(jí)管激光器片存儲(chǔ)器運(yùn)算放器探測片穩(wěn)壓器光電耦器其他通模擬芯數(shù)據(jù)來源：長光華芯招股說明書、源杰科技招股說明書、激光器芯片工作原理：電勵(lì)為浦源，半導(dǎo)體為增介，輸出激光激光的發(fā)出有賴于浦增益介質(zhì)諧振腔三部件激的出要界提供能量泵（稱源負(fù)向益質(zhì)的粒提能見泵浦式有電泵學(xué)浦泵浦益質(zhì)來供向能躍的子常用料有氖氣有染料紅半體纖等諧腔指光在中回射從提供光能饋空其是使內(nèi)光具一的頻相和行激具有良的向相性同時(shí)能大激射強(qiáng)度。激光器芯片將電激作泵浦源以半體材料為益介質(zhì)通過振選模大，進(jìn)而輸出激光，完光轉(zhuǎn)。5/42東東吳證券研究所圖2：激光器芯片工作原理光學(xué)諧光學(xué)諧腔L部分反鏡激光輸出全反射鏡工作半導(dǎo)體電激勵(lì)數(shù)據(jù)來源：長光華芯招股說明書、整理激光器芯片分：諧腔制造工藝差異，用同場景按照諧振腔制造工差激光器光芯片可分為發(fā)射激光器芯（與面發(fā)射激光器芯（兩類EL在片側(cè)光學(xué)形諧腔經(jīng)諧腔選模放大后，將沿平于底表面的方向形成光VL在片上下兩鍍光學(xué)膜形成諧于振與底垂光經(jīng)模大將垂于片面成光E與CL具優(yōu)EL的出率電轉(zhuǎn)效率高而CEL有閾電流低單長作定可效調(diào)易維成無面閾損制成等優(yōu)。圖3：激光器芯片分類光光學(xué)鍍膜光學(xué)鍍膜光鍍增益介質(zhì)光鍍5μm數(shù)據(jù)來源：面包板社區(qū)、光芯片工藝技術(shù)、整理EL進(jìn)一步分為P/BEL三類應(yīng)用場景相FB為獨(dú)立器件通過控制流有來制息輸激被為接調(diào)激器DL在D中P光誕較主要于速短離輸DB在FP激器礎(chǔ)上展而來，用光濾光器實(shí)現(xiàn)單模輸，主要于高速長距傳輸DL通調(diào)制注電來現(xiàn)號(hào)制然注電的會(huì)改激器源的射成波長啁而生色制傳距同DL寬有調(diào)制流大時(shí)激器易和難實(shí)現(xiàn)高消比。電吸收調(diào)制激光器（較好地緩解了啁啾散問題它由AM電收調(diào)6/42東吳證券研究所制器與B激光器集成而來，號(hào)輸量易實(shí)高率距的輸，過價(jià)格與東吳證券研究所圖4：FP、DF、ML激光器芯片結(jié)構(gòu)示意圖數(shù)據(jù)來源：易飛揚(yáng)通信、訊石光通訊網(wǎng)《高速電吸收調(diào)制激光器研究進(jìn)展、整理VLF、F、L光芯的性主應(yīng)場景下：表1：VE/FP/DF/EML激光器芯片特性及主要應(yīng)用場景激光器芯片類別工作波長激光器芯片特性主要應(yīng)用場景VL80090nm線寬功制高，耦合率，輸離短500m內(nèi)距傳數(shù)據(jù)心部傳輸、費(fèi)子域如D感部別）FP1310150nm成本，合率低中低速無線接入短距離市場。由于存在損耗大傳距短問題部分用景步被DB光芯取代D1270110nm調(diào)制率高波穩(wěn)定合效率低中長離傳如FTx接入輸網(wǎng)、無線站數(shù)中內(nèi)互聯(lián)等E1270110nm調(diào)制率，長定好，傳輸離，本高長距傳高率距離電骨干網(wǎng)、域和據(jù)心聯(lián)數(shù)據(jù)來源：源杰科技招股說明書、激光器芯片材：三族化合為主流，學(xué)較硅更優(yōu)三五族化合物泛指由元素周期表的三族與五族元素構(gòu)成的合金化合物，種類豐富如砷（A磷nP化（nG據(jù)含素類又可為二元合如P元合物如??????????四及物等硅目工中最主的導(dǎo)材泛用集電但電器領(lǐng)三族物卻具有更好光特而為要。三五族化合物具有接隙進(jìn)而電子高低能間躍遷時(shí)效率更進(jìn)使芯片輸出激光的效率更隙是子低（遷能導(dǎo)需吸的最小能應(yīng)是帶部與帶部能差直帶是在量矢圖元7/42東吳證券研究所素電子的價(jià)帶底與導(dǎo)帶頂對(duì)應(yīng)的波矢相同，反之，若二者波矢有異東吳證券研究所對(duì)于接隙在價(jià)與帶的遷需滿能守對(duì)接帶隙結(jié)構(gòu)，由于價(jià)帶頂與導(dǎo)帶底的波矢不同，需在水平方向施加動(dòng)量方可使電子完成躍遷也子遷程聲子吸與射—方低高級(jí)遷必要有聲子導(dǎo)躍生的率接結(jié)構(gòu)生子遷概約為接間隙結(jié)的100一面躍釋的部量會(huì)換聲而光此二因素決定了直接間隙結(jié)中子在高低能級(jí)間的遷率更高。如前述對(duì)激器而言輸激的鍵“半體的子收，由低級(jí)高級(jí)遷電子不定高級(jí)落至能在一中以子形式釋放能量可見，電子躍遷的效率是激光輸出效率的本源，故直接帶隙結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體更適用于制作激器片三族合大為接間半體如AG、nP部三族物如GP及Si則于間帶結(jié)是GAP等三族合在光芯片備應(yīng)普的礎(chǔ)。圖5：直接帶隙、間接帶隙的能量-波矢圖能能量-波矢圖：能量輸入能量輸入 直接帶隙 間接帶隙 價(jià)帶低能價(jià)帶導(dǎo)帶底、能帶頂對(duì)的K值（波矢）不同電子躍升時(shí)需吸收子，回落時(shí)需發(fā)射子，躍遷概率大幅導(dǎo)帶底、能帶頂對(duì)電子回釋放光導(dǎo)帶高能高能右圖間接帶直接帶數(shù)據(jù)來源：維基百科、ipac、整理三五族化合物可形三及以上化合物作為延料通過調(diào)整各組分元比例,可獲得期望的激光出長滿足多樣化場景光芯輸?shù)墓庠磸膶?dǎo)帶層落價(jià)層釋的光故光波要由放子波決光的波長光的率而子的量反輸出激光的波長將主要“子由導(dǎo)帶底回落至價(jià)帶頂釋放能大小”決定，即半體料的帶隙對(duì)于SGe而言除電子躍效較外它為單材隙定故只發(fā)單波的對(duì)五族化合而單化的帶同固但可按不比進(jìn)混成同的三及上合物由可得種隙需指出光芯片的襯底通常還二化合物，三元及以上化合物般為從襯底上生長出外材料。8/42圖6：材料的帶隙-波長-晶格常數(shù)圖及典型應(yīng)用場景所需激光波長典型應(yīng)用場典型應(yīng)用場所需激光波連線代表線段兩端的化合物可按不同比例混合，由此激發(fā)的光子可橫跨多個(gè)波長工業(yè)造連線代表線段兩端的化合物可按不同比例混合，由此激發(fā)的光子可橫跨多個(gè)波長帶隙（單位：）730880nm帶隙（單位：）波長 850nm（ 905nm單 940nm位mev： 1330mev） 1550

數(shù)據(jù)中心激光雷達(dá)3D傳感光纖通激光雷東吳證券研究所200+東吳證券研究所氣體監(jiān)測 晶格常數(shù)（單位：A） 數(shù)據(jù)來源《基于Inb的新型紅外探測器材料（特邀《半導(dǎo)體激光器研究進(jìn)展，整理三五族化合物中，P與aAs兩類材料在激光光芯片襯底中居于流GAs是目研得成產(chǎn)量大化物導(dǎo)材有子移帶度大等點(diǎn)適于造頻、速器與路；nP則有電轉(zhuǎn)效與高子遷移抗射品者各優(yōu)前述CL面發(fā)激器片以GAs材料為底而FPFEL類發(fā)激器片主以P料襯。探測器芯片工作原理：依光電應(yīng)將光信號(hào)轉(zhuǎn)為電號(hào)探測器芯片又稱光二管PD通過光電應(yīng)別光信號(hào)轉(zhuǎn)為電信效應(yīng)是指在光照下，材料中的電子吸收光子的能量，若吸收的能量超過材料的逸出功電子逸材形光子同產(chǎn)一帶的空光二管時(shí)在雙極加反電—無照射由二高電路存在小的反向光射由光效產(chǎn)的穴前往接壓負(fù)電子往外接電的極從增二極中反電，此實(shí)對(duì)信的測。陽極陰極單位：lux反電反向電流陽極陰極單位：lux反電反向電流（反向電壓電源正極與二管陰極相接）光強(qiáng)越，電大，由將光轉(zhuǎn)化為信號(hào)未光時(shí)流光強(qiáng)光強(qiáng)為00lx時(shí)的電流反向電流（）外接反向電壓光電二極管μAμA數(shù)據(jù)來源：維基百科、立創(chuàng)商城、μA9/42東吳證券研究所典型探測器芯：P、P、S東吳證券研究所PN光電二極PNPA（雪崩光電二極管S（單光子雪崩二管）的使用最為廣泛，者敏度逐次提升傳的PD二管基部是N，P層由P型料成空居多帶電N由N型料成電居（帶電，當(dāng)N結(jié)到光時(shí)產(chǎn)生電應(yīng)PND是在P與N間了I層—I層為雜極量P型料或N材的凈半導(dǎo)構(gòu)。較統(tǒng)的PN，當(dāng)施反電時(shí)，I層為PND供寬盡區(qū)從提光轉(zhuǎn)的效。光照 P層 N層電觸點(diǎn)圖8：光照 P層 N層電觸點(diǎn)電觸點(diǎn)電觸點(diǎn)光照 P層 I層 N層PN光電二極管 PIN光電二極管數(shù)據(jù)來源：維基百科、Enlitech、整理PN光二管工理如所：圖9：PN光電二極管工作原理②②無照時(shí)，層電阻率高，I層中電子空穴的移使電以穿過PI-N結(jié)IIII反向電無光照P層富空穴施加反向壓時(shí)穴向電負(fù)極③由一來，反向光流形由于P-I毗鄰處電子更多，N-I毗鄰處空穴更多，故I內(nèi)部電場方向如上N層富電子施加反向壓時(shí)子電正反向電有光照①光效層激發(fā)出子-對(duì)，在部電用下電子、分別朝、P層動(dòng)施加光照后反向電流形成施加光照后反向電流形成數(shù)據(jù)來源：維基百科、華強(qiáng)電子網(wǎng)、整理AD在PN基礎(chǔ)上增添高摻雜的與N層，該結(jié)構(gòu)容易發(fā)生雪崩增應(yīng)。AD在高反電工收光形自由子空能加而獲得更能晶碰產(chǎn)生對(duì)的子穴連反光流——雪崩增而電流高光極管響度信主要用在長距或功受他制而小光通系。10/42東吳證券研究所D在高于擊穿電壓反向電壓下工作這一態(tài)高度不穩(wěn)定單個(gè)光即可發(fā)大量的電子空穴對(duì)雪崩進(jìn)而產(chǎn)生電流，理論上可實(shí)現(xiàn)單光子探測東吳證券研究所給D施高擊穿的置壓極管處亞放大用很大，至探到光也會(huì)起崩應(yīng)而現(xiàn)電脈。圖10：APD與D光電探測器結(jié)構(gòu)圖 圖11：D工作電壓高于擊穿電壓，可對(duì)單光子計(jì)數(shù)擊穿電壓擊穿電壓蓋革模式 電壓反偏置 電壓高于擊穿電壓數(shù)據(jù)來源：維基百科、 數(shù)據(jù)來源：維基百科、esearchgate、探測器芯片襯：naAs占主流探測器光芯片材料選以材料光譜響應(yīng)特為礎(chǔ)SnAs占據(jù)主流譜響特是保入光強(qiáng)不的況同波的照材產(chǎn)的光流與入射波之的可以響度畫種芯片料對(duì)種長射光的工作效—響度材料該波的測越靈當(dāng)激器工作長以800n100nm居多SGGAs料探中占主由三料的譜響應(yīng)線，Si料用于0100nm長探G、GAs用對(duì)10-1600nm波的探中。圖12：主流探測器芯片襯底的光譜響應(yīng)曲線主要光電探測器芯片材料響應(yīng)度波長數(shù)據(jù)來源：Thorlabs、產(chǎn)業(yè)鏈：襯底價(jià)值量大，外延為核心光芯片制造：工藝雜外延為核心，DM模式主流相較邏輯芯片，光片產(chǎn)各工藝綜合性更，頭廠商多采用M經(jīng)營模式。1/42東吳證券研究所對(duì)于輯片商新入的業(yè)用bes模式以減大模本投，從而將多源中入路優(yōu)版設(shè)等環(huán)于芯行廠商采用DM式主因光子器遵特工，件價(jià)提不全靠寸的小，而有于能增特色需力加合括藝品務(wù)臺(tái)等多個(gè)度。DM模使環(huán)節(jié)互合綜提芯片能更敏東吳證券研究所光芯片制造工藝流繁晶體外延環(huán)節(jié)最關(guān)鍵光芯的藝程分外延結(jié)構(gòu)設(shè)晶制晶外延構(gòu)柵導(dǎo)刻金化程片工和測（理膜自化芯測、片頻試、靠測驗(yàn)）大部。膜處理 晶圓制造 芯片加工和測試通過創(chuàng)波導(dǎo)計(jì)與膜處理 晶圓制造 芯片加工和測試通過創(chuàng)波導(dǎo)計(jì)與度波加工可光/小發(fā)角，反射能3.波導(dǎo)光刻基MOCD工，外生長高質(zhì)晶體料，多量子有源層1.有源區(qū)外延4.金屬化制程把個(gè)件到材料、工、連過程屬化工，保器件與高頻熱特性2.光柵結(jié)構(gòu)工藝?yán)秒娛毕到y(tǒng)納米級(jí)精度工，定波輸出5.端面鍍膜7.芯片高頻測試為提升芯片使用及可靠借助專高頻試系檢驗(yàn)性，需芯片后腔鍍 片的高特性通過改端面層特還可實(shí)現(xiàn)降低提升率等的6.自動(dòng)化芯片測試 8.可靠性測試檢驗(yàn)借助全動(dòng)光測試完成全的光指標(biāo)試通過嚴(yán)的老測試產(chǎn)品的可靠性數(shù)據(jù)來源：源杰科技招股書、整理外延為光芯片生產(chǎn)主和技術(shù)門檻最高環(huán)節(jié)源自工藝壁壘及時(shí)投壁壘。外延工藝上言過CD進(jìn)精的體材精堆控時(shí)尤其在有源區(qū)，要多堆的結(jié)每厚在10米以級(jí)，到這厚度平的均勻準(zhǔn)制一壁基礎(chǔ)性時(shí)間投入延發(fā)廠投量時(shí)調(diào)試機(jī)臺(tái)件數(shù)國企在這領(lǐng)大仍于本工累段。外延工藝海外公司為熟國內(nèi)外差距較大產(chǎn)加速追趕海領(lǐng)芯片公司可行成片計(jì)晶圓延關(guān)工量產(chǎn)G以速率片內(nèi)廠商普遍具有除晶圓外延環(huán)節(jié)外的后端加工能力，而在外延這一核心技術(shù)領(lǐng)域并不成熟需向際商購端延片我國2G光片僅部廠實(shí)批供貨G以上率光芯大分廠尚研或規(guī)試產(chǎn)段。光芯片上游：襯底核原材料，海外廠商為導(dǎo)襯底為光芯片核心材成本占比最高對(duì)芯品質(zhì)影響力最大芯所需原材料括底金與殊氣等成本看據(jù)源科招書襯在光片原材料本的比往于30其需在程度響芯制廠的生成。對(duì)芯片品質(zhì)影響力襯材料方?jīng)Q激光芯發(fā)光波另方面12/42東吳證券研究所決定測芯對(duì)射的響核工—外生將襯材上完故襯底料品將很程度影光片東吳證券研究所圖14：光芯片各原材料成本占比數(shù)據(jù)來源：源杰科技招股書、整理襯底供應(yīng)以海外廠為國內(nèi)廠商替代逐步升于底光片質(zhì)影響較大光片商向向海廠采襯住友工與同時(shí)外領(lǐng)的襯底公也供延長業(yè)而到內(nèi)青近國襯商逐提升襯底化底技借性比受到來多內(nèi)芯制造業(yè)的青睞根源科招書21220其購底的從78569元片續(xù)下至2020年的54.7元一大要因是大國內(nèi)商襯采中占比。光芯片下游：光模應(yīng)廣泛光芯片經(jīng)加工封裝得光器件光模塊集成程提升單位價(jià)值量升高芯片經(jīng)加后成光測器品同可其電子件無器結(jié)封形成光發(fā)組（）接收件OA進(jìn)加形成模。為光塊后一光塊備通而搭多芯此一光的信傳遞速率為芯信傳速率若倍更合游客的求。上游：光芯片原材料中游：光芯片制造直接下游：光器/光模塊 最終下游：廣泛應(yīng)用領(lǐng)域光芯上游：光芯片原材料中游：光芯片制造直接下游：光器/光模塊 最終下游：廣泛應(yīng)用領(lǐng)域光芯制造光器件光模塊襯底Si Ge IP Gs Ias芯片設(shè)計(jì)外延工藝晶圓制造 封裝測試金靶體銦無源器件制造電芯片 PCB 結(jié)構(gòu)件及套光開關(guān)等光分路器光隔離器無源組件激光器探測器光發(fā)射光接收組件光設(shè)備應(yīng)用于不同領(lǐng)域//17109855533332電信與據(jù)中礎(chǔ)設(shè)施消費(fèi)電，如汽車電，如雷達(dá)工業(yè)制造醫(yī)學(xué)醫(yī)療數(shù)據(jù)來源：Omida、ole、源杰科技招股書、長光華芯招股書、中際旭創(chuàng)2021年報(bào)、整理得益于優(yōu)良特性芯片游應(yīng)用廣泛由信傳速率耗且定，光纖信電與據(jù)心基設(shè)的設(shè)已可或而基正芯此同時(shí)，得益于激光波長集中、能量高的特點(diǎn)，光芯片被廣泛地應(yīng)用于工業(yè)制造、醫(yī)療13/42消費(fèi)汽電等域當(dāng)前光信消電是光片要應(yīng)下而著智能駕的及以光達(dá)為要品汽電將迎需的猛長。產(chǎn)業(yè)趨勢：光子替代電子大勢所趨光通信領(lǐng)域光進(jìn)退”趨勢延續(xù)“光進(jìn)銅退主要是現(xiàn)“窄帶銅纜為主絡(luò)向“寬帶光纖的轉(zhuǎn)變的模式，本質(zhì)是光纖寬帶設(shè)備端口不斷下移、不斷靠近用戶的建設(shè)思想。對(duì)比銅纜光纖具有明顯的優(yōu)勢寬息載更大最傳輸遠(yuǎn)原（英,SO）資源富光纖直比銅更耗低繼距遠(yuǎn)光為金材料不受電磁頻干；輸密性更光銅成為絡(luò)級(jí)的勢。圖16：FH/O滲透率不斷提升 圖17：我國寬帶接入發(fā)展歷史復(fù)盤109080706050403020100

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數(shù)據(jù)來源：工信部，

數(shù)據(jù)來源：工信部，中國政府網(wǎng)，，賽立信信研究，東東吳證券研究所隨著內(nèi)絡(luò)礎(chǔ)施不斷級(jí)“進(jìn)退為重的略展向：（100210年來國內(nèi)網(wǎng)銅為AL當(dāng)主的網(wǎng)在該時(shí)還暫現(xiàn)過DL技，速經(jīng)達(dá)到1提基網(wǎng)覆率是一時(shí)期重到209我國民數(shù)有384，寬普達(dá)98.。（2）0205，H開滲，203年8，國院布“帶”戰(zhàn)略及施案次家層明寬網(wǎng)的略性共礎(chǔ)施受益“寬帶中國戰(zhàn)該時(shí)期“光進(jìn)銅退發(fā)展最快階段光纖光纜透率這一時(shí)期到明顯提升。215年底國內(nèi)TH用達(dá)1.2億戶HO滲率達(dá)9.3。（3）016以光銅退趨依在斷進(jìn)，纖入步成階，THO對(duì)DL的已基完。221底我國聯(lián)寬接端達(dá)10.2億個(gè)，THO戶達(dá)5.06億戶滲為94.。光傳感領(lǐng)域：光芯+FCW技術(shù)路線賦能規(guī)市場硅光高集性超兼容非契激雷的制需硅料格優(yōu)勢和集工有于低光雷成球圍Aeveye以及Ao（收購14/42東吳證券研究所Backo）三硅+W術(shù)線光雷代企，beye在021年宣將主發(fā)光W術(shù)線Aea于今年發(fā)首汽級(jí)D激光雷達(dá)感而在國場洛科已經(jīng)入品化驗(yàn)階221初洛科技發(fā)了二代WoC片為現(xiàn)硅光CWD光達(dá)品了核技術(shù)隨相技的成光片望賦能車動(dòng)激光達(dá)產(chǎn)品的能升東吳證券研究所此外光夠射組和血上監(jiān)測量化物記因光學(xué)還能夠賦無醫(yī)監(jiān)解方案用小寸療備和費(fèi)子場可戴設(shè)。光計(jì)算領(lǐng)域：好硅計(jì)算長期替代在計(jì)領(lǐng)據(jù)OpeAI計(jì)自212年每34個(gè)月工能力求會(huì)翻倍電芯的展趨逼摩定極以滿高能算斷長的據(jù)吞吐需硅芯用子替電進(jìn)傳以承更信輸遠(yuǎn)距同時(shí)光彼間擾夠提相于子片兩個(gè)量的算度低兩數(shù)量級(jí)的夠?yàn)閭鹘y(tǒng)電計(jì)極的決方因從趨勢看以硅光芯片為基礎(chǔ)的光計(jì)有持續(xù)取代電子芯片部計(jì)算場景中的應(yīng)用。電子計(jì)算機(jī)光子計(jì)算機(jī)逐步升級(jí)優(yōu)勢不易被擾動(dòng)運(yùn)算速度高，并處理能力強(qiáng)傳輸速率快圖18：硅光計(jì)算愿景電子計(jì)算機(jī)光子計(jì)算機(jī)逐步升級(jí)優(yōu)勢不易被擾動(dòng)運(yùn)算速度高，并處理能力強(qiáng)傳輸速率快應(yīng)用市場算力和能耗不斷提升應(yīng)用市場算力和能耗不斷提升突破算力極限，成為超越“摩爾律”的新技術(shù)路徑技術(shù)尚未成熟，看好長期替代未來高速、大數(shù)據(jù)量的最有前景技術(shù)尚未成熟，看好長期替代未來高速、大數(shù)據(jù)量的最有前景方案之一，優(yōu)勢將逐步彰顯超大規(guī)模的信息儲(chǔ)容量散發(fā)熱量低，能量消耗小數(shù)據(jù)來源：光電讀書，超大規(guī)模的信息儲(chǔ)容量散發(fā)熱量低，能量消耗小目前，光計(jì)算的相關(guān)研究仍然處于初期階段，解決方案和系統(tǒng)架構(gòu)仍然在探索中如何光算合現(xiàn)的通計(jì)且地將計(jì)芯化是來的研方現(xiàn)熟光計(jì)技和業(yè)仍時(shí)日當(dāng)neM等巨以及TCB等構(gòu)積極發(fā)規(guī)光集芯片國也現(xiàn)曦科技光子算數(shù)行領(lǐng)企。著硅光學(xué)術(shù)不成熟光算優(yōu)將步彰。市場空間：數(shù)通領(lǐng)域復(fù)蘇，激光雷達(dá)支撐遠(yuǎn)期成長概覽：激光雷達(dá)市場接力數(shù)據(jù)中心需求電信數(shù)據(jù)中心消費(fèi)子車載激光雷達(dá)是光片最主要的應(yīng)用領(lǐng)域信領(lǐng)域15/42東吳證券研究所技術(shù)較成內(nèi)相關(guān)品蓋較增量間要自率級(jí)需；數(shù)據(jù)心場興艾計(jì)算商大資步未場中期維快增；消費(fèi)子域前場與者要蘋，卓商用D感有；車激光雷達(dá)域力智能駛術(shù)雷達(dá)本光裝車有望大幅升遠(yuǎn)東吳證券研究所圖19：光芯片各下游領(lǐng)域市場規(guī)模及增速（億美元）2025年$2025年$13.7CAGR=14$14.0CAGR=2022年$10.5$2022年$10.5$9.2消費(fèi)電子車載數(shù)據(jù)來源：ole，Lightcounung，源杰科技，ID，汽車之心，整理測算電信領(lǐng)域：光纖入戶、5G基站建設(shè)、現(xiàn)有基站升級(jí)三大驅(qū)動(dòng)力電信領(lǐng)域光芯片發(fā)的要作用為光電信號(hào)換激光芯將信調(diào)為光信號(hào)，探測器芯片的功能則相反，通過光電轉(zhuǎn)換，信息可經(jīng)由光纖實(shí)現(xiàn)高速穩(wěn)定的傳遞光纖通信在不同層通網(wǎng)絡(luò)中均不可或缺為芯片創(chuàng)造廣闊應(yīng)用求由于輸距較長骨干網(wǎng)域中匯層般光纖信有線接網(wǎng)其分為銅接光同合接光接由纖具信損高的性，“光銅已為線接網(wǎng)發(fā)趨無線接入網(wǎng)基內(nèi)有源線單元A）分單U的接樣要光纖這連被為傳網(wǎng)。無線接入，光纖在前傳中得以應(yīng)用4G5GPON：無源光纖接入網(wǎng)絡(luò)無線接入，光纖通過PON得以應(yīng)用骨干網(wǎng)匯聚層接入層數(shù)據(jù)來源：華為培訓(xùn)、 數(shù)據(jù)來源：無線深海、整理16/42下游趨勢：國內(nèi)光入、5G基站高滲透，球具發(fā)展?jié)摿饫w入戶國內(nèi)普及已高位存量市場速率升。纖入分為FT光纖到樓T光到T光入統(tǒng)為FT中纖戶H是用接光的直方用衡光入的熟國入戶及率已處位—至02年9國纖（FH口所帶接端口中的比達(dá)95.5，根據(jù)Oda發(fā)的發(fā)展數(shù)告中已續(xù)兩排行全球四光纖入戶安保持著10的同比增速但隨著普及率逐步高需求的增量空間較小從量級(jí)，我正施雙兆發(fā)展略至202年9月，千兆光寬用為763萬所固寬用中比13.存大展空。光纖入戶速率升級(jí)是期內(nèi)的需求推動(dòng)力。圖22：我國FH/O端口數(shù)量及占比 圖23：我國千兆光網(wǎng)寬帶用戶數(shù)及占比100010008006004002000

21年 21年 21年 21年 22年 22年 22

1091.394.391.394.384.488.026.018.67.35.29.17.98007006005004003002001000401.1千兆寬帶用戶占比千兆以上寬帶用戶數(shù)（萬戶）22年月用戶數(shù)環(huán)比增速2.4速2631.98364412813190609101280106840 642020 0東吳證券研究所FT/端口占比 FT/端口數(shù)量（萬個(gè)）東吳證券研究所數(shù)據(jù)來源：工業(yè)和信息化部、整理 數(shù)據(jù)來源：工業(yè)和信息化部、整理全球市場光纖入戶比對(duì)不高，光纖網(wǎng)絡(luò)展間較。至201年9底，德有95的定帶戶仍用纜入法英的纖入戶有線入的比例為3456美國纖入戶比為14纖戶大提升信速率與全定性有線入必發(fā)趨各政府企也定時(shí)表完善光入布，如盟計(jì)在200使光纖絡(luò)蓋有庭美國計(jì)在2027年光入覆庭數(shù)當(dāng)?shù)?00萬長至200萬由此來歐洲及美國兩大主要市場光網(wǎng)絡(luò)還具有較大擴(kuò)空。圖24：我國5G基站建設(shè)數(shù)目及占比2025202020年G基數(shù)凈超60萬臺(tái)2021年凈新2025202020年G基數(shù)凈超60萬臺(tái)2021年凈新超652月新7.2.71.9201.5101.3151.01.18810837510475023500數(shù)據(jù)來源：工業(yè)和信息化部、整理17/425G基站建設(shè)領(lǐng)域，國體滲透率已處較高平但各個(gè)城市內(nèi)的覆率存提升空間小基站建設(shè)動(dòng)市內(nèi)覆蓋率提升也使G基站新增數(shù)目維持速長020年我增G站超60萬站21凈超65站222前季已新增9.5萬站基數(shù)的速長為芯創(chuàng)了闊求。2020年國宣所級(jí)以城現(xiàn)G蓋201時(shí)現(xiàn)G蓋超過98縣城與80鄉(xiāng)鎮(zhèn)基站建設(shè)正宏基站向小基站過現(xiàn)區(qū)域內(nèi)部更深度的5G覆蓋。表2：我國三大運(yùn)營商5G小基站建設(shè)布局情況運(yùn)營商 5G小站設(shè)局況21年4，購G型小站營試設(shè)，主用廣、江江蘇天、川中國

22年1，布022年G展小站技術(shù)試告》22年4，動(dòng)研G擴(kuò)展小站采用全國1中國通 暫未布中國動(dòng) 22年8，布223擴(kuò)展皮站備采中標(biāo)選，次估購規(guī)為2數(shù)據(jù)來源：人民日報(bào)海外版、C14通信網(wǎng)、各公司官網(wǎng)、應(yīng)用種類：光纖入戶.5G占主流，移動(dòng)通信02G占主流以工藝劃分信領(lǐng)域光器主要采用EFL三種光芯片CEL主要于00以的距離DB要中長離如FTx接入無線基EL主用長距傳如速遠(yuǎn)離的干與域前E激光芯大模用最高率到10FBCEL激器片規(guī)模用的最速為5G以率劃分，光纖接入要用2.5G光芯片，移動(dòng)通領(lǐng)域主要應(yīng)用10、25G光芯片從市規(guī)看2021年球移通領(lǐng)光塊應(yīng)用況為：1G及下率塊比333，G上速光塊比6.7，這占比與移通域1G2G光芯的布體致。2021年國內(nèi)G建設(shè)為1G光芯片創(chuàng)造的需最，但展望未來，5G光芯片創(chuàng)造的需求或?qū)⒒嘏?00年G站設(shè)始對(duì)5G光片需提升由于信運(yùn)營基建目的整，221年G站所需光漸以2G高率為主以1G為主對(duì)25G光片采減。表3：202-221運(yùn)營商關(guān)于5G建設(shè)的集采情況（萬）2020.3中國動(dòng)頻段（萬）2020.3中國動(dòng)頻段2GH，寬60H用2G芯片23.212020.4中國信中聯(lián)通頻段3GH，寬00H用2G芯片25.292021.7中國動(dòng)中廣電頻段0H，寬30，用1G光片48.042021.8中國信中聯(lián)通頻段2GH，寬5H，用1G光片24.2

集采基站數(shù)東東吳證券研究所數(shù)據(jù)來源《源杰科技：8-1發(fā)行人及保薦機(jī)構(gòu)第二輪回復(fù)意見、18/42東吳證券研究所各運(yùn)營商逐步在小基站領(lǐng)域展開建設(shè)布局。小基站旨在東吳證券研究所從而醫(yī)店商場場提信輔其覆范要較對(duì)需帶寬則出高準(zhǔn)25G光芯片或與小基站設(shè)需求更為契合。電信領(lǐng)域光芯片市規(guī)模基于Lghcounng對(duì)T（纖入移通模塊場模計(jì)及源杰科中旭等披露成資電域光片場模算下我預(yù)計(jì)205電領(lǐng)光市場模達(dá)3.96億元2222R達(dá)81%。表4：202-225年電信領(lǐng)域光芯片市場規(guī)模測算2021202E202E202E202E光模全市規(guī)（美元）光纖入域模市規(guī)模億元）5.235.245.405.926.31光纖入域模市規(guī)模yy10.6%0.2%3.1%9.6%6.6%移動(dòng)信域模市規(guī)模億元）24.7325.5828.5931.2233.55移動(dòng)信域模市規(guī)模yy14.2%3.4%1.8%9.2%7.5%電信域模全市規(guī)模億元）29.9630.8233.9937.1439.86其中：10G及下率模場規(guī)模10.2610.3610.951.7612.3225G及上率模場規(guī)模19.7020.4623.0425.3827.55對(duì)應(yīng)芯及件中低率模毛率25%25%25%23%23%高速光塊利率30%30%30%28%28%直接料光塊本例80%80%80%80%80%光芯及件光塊接材比例85%85%85%85%85%對(duì)應(yīng)芯片光芯占芯及件例70%70%70%70%70%光芯片全球市場規(guī)（美元）10.2310.521.5913.0113.96光芯全市規(guī)yoy2.9%10%12%7%數(shù)據(jù)來源：Lightcounting源杰科技：發(fā)行人及保薦機(jī)構(gòu)回復(fù)意見，測算數(shù)據(jù)中心：光模塊速率持續(xù)提升，資本開支驅(qū)動(dòng)增長數(shù)據(jù)心一擁許存儲(chǔ)處大信的算機(jī)設(shè)基數(shù)心云計(jì)算商為戶供服如用無購擁有維數(shù)中及務(wù)器可獲得計(jì)算能力、存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)庫等技術(shù)服務(wù)。云計(jì)算廠商會(huì)努力在全球各地布置基礎(chǔ)設(shè)施例如全各設(shè)可區(qū)于中置緣與區(qū)性存戶可在位于當(dāng)?shù)膿?jù)心運(yùn)服而得快應(yīng)速同確運(yùn)據(jù)能留在國在這一領(lǐng)域光主要用于實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)大數(shù)據(jù)中心內(nèi)部數(shù)據(jù)中心的傳輸，這與光芯片在電信域現(xiàn)的功能十分相近。19/42東吳證券研究所下游趨勢：云計(jì)算商收與東吳證券研究所受益于經(jīng)濟(jì)回暖字化勢更多產(chǎn)業(yè)逐漸計(jì)算巨頭營收規(guī)模長猛。2016221年，AazonGogecoso/阿里云的營收規(guī)模R分別為38.547521.26.7一面數(shù)化成越來多產(chǎn)的展勢可以使各公輕調(diào)已技快進(jìn)創(chuàng)還能據(jù)際求置源將司原本用于數(shù)據(jù)中心和物理服務(wù)器等設(shè)備的固定支出轉(zhuǎn)變?yōu)榘磳?shí)際用量付費(fèi)的可變支出優(yōu)化司成另面各司求后時(shí)代大模提靈度故緊行動(dòng)比來積地用云礎(chǔ)施云務(wù)品。圖25：201-221全球云計(jì)算巨頭營收規(guī)模（百萬美元）16-21年16-21年116-2年116-21年2021yoy=7.62021yoy=47.1年2021yoy=25.970,00050,00040,00030,00010,0000Amazon Google Microsoft Oracle 阿里云201620172018201920202021數(shù)據(jù)來源：各公司官網(wǎng)、整理云計(jì)算巨頭EX維較高增速且廠商大投資數(shù)據(jù)中心的態(tài)堅(jiān)這將為光芯片創(chuàng)造出大需。20152021年AaonGogecoso阿里云AX的CR為52.19.20439.4數(shù)中領(lǐng)域光片長驅(qū)主要：第一新可區(qū)基站來數(shù)中數(shù)增量第二數(shù)中級(jí)改服務(wù)器交機(jī)率升造的各頭認(rèn)為前計(jì)尚產(chǎn)早示會(huì)繼加投，而為光片來定需增量。圖26：201-221全球云計(jì)算巨頭CPX變化（百萬美元）15-21年15-21年2021yoy=58.315-21年CAGR=19.3120211-21年2021yoy=32.915-21年CAGR=12.92021yoy=52.350403020100Amazon Google Microsoft Oracle 阿里云2015201620172018201920202021數(shù)據(jù)來源：各公司官網(wǎng)、整理20/42應(yīng)用種類：L與EL互補(bǔ)，速率需達(dá)到50G及以上從襯底與工藝看，nP底用制作PD、L邊射光芯片和PN、AD測芯，適用于中長距離的數(shù)中間傳輸GAs用制作CEL芯片主要用于數(shù)據(jù)中心內(nèi)的傳輸。從速率看數(shù)據(jù)中心對(duì)芯片的要求在通信域名最高當(dāng)數(shù)中需光芯片以500G速率著據(jù)流量速高光模的市場需將斷顯而技術(shù)要過通方實(shí)現(xiàn)0G上模度的升，而若據(jù)心入0G及更速的臺(tái)每通道需激器片率也隨之提至10G傳的DB光芯短內(nèi)同時(shí)足帶良的要故需考用EL光片，而現(xiàn)長10G高傳。當(dāng)前國內(nèi)云計(jì)算公與外公司使用的光模速尚存差距進(jìn)而影響該國內(nèi)外下游市場對(duì)光芯的求?；ゾW(wǎng)司主要用0G光塊2020年起開始規(guī)向20G40G光模過內(nèi)聯(lián)司目主用4G1G光模，并從022年始進(jìn)2G40G光塊量署。數(shù)通領(lǐng)域光芯片市規(guī)模受益于數(shù)據(jù)中心增量需求與存量升級(jí)改造的需求，我們預(yù)測光模塊總銷售額在2021227間或?qū)崿F(xiàn)AR=1光塊求較快長驅(qū)廠商務(wù)地域擴(kuò)可據(jù)數(shù)目是據(jù)升級(jí)代更率光塊。圖27：202-227年全球云計(jì)算公司光模塊總銷售額（億美元）

兩大驅(qū)動(dòng)力：1201006040

廠商服地域大，區(qū)、數(shù)中心目增數(shù)據(jù)中升級(jí)造，廠商服地域大，區(qū)、數(shù)中心目增數(shù)據(jù)中升級(jí)造，為更高率的模塊47.759.671.582.3107.3

2027E東東吳證券研究所數(shù)據(jù)來源：Lightcounting整理我們預(yù)測202027年云算公司為光芯片創(chuàng)的求將穩(wěn)步增長R1，2027年市場規(guī)模達(dá)2.2億美元。一算含假設(shè)①著25G及高速光模塊產(chǎn)率升其格下利有下②接料光塊本比光芯片組占模材成本例光片光片及件成比變較小。21/42東吳證券研究所圖28：數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域光芯片市場規(guī)模測算（億美元）東吳證券研究所20212022E2023E2024E2025E2026E2027E光模塊總銷售額高速率光模塊毛利率直接材料占光模塊成本比例光芯片及組件占光模塊材料成本比例光芯片占光芯片及組件材料比例光芯片市場規(guī)模（億美元）9.311.714.016.618.420.122.2數(shù)據(jù)來源：Lightcounting各公司官網(wǎng)，整理消費(fèi)電子：蘋果主導(dǎo)，940nmEL為主流相較普通攝像頭，D傳感（包含雙目立體測、構(gòu)光）可探測環(huán)的深度特征，廣泛應(yīng)用于消電子領(lǐng)域。D傳通由多攝頭深傳器組，通過投特波的動(dòng)光算線射射時(shí)差方獲體的度信息D傳攝頭實(shí)人臉別手識(shí)建模多功適于移設(shè)備、器、防控多種端人識(shí)為前D感像最的功。圖29：結(jié)構(gòu)光方案工作原理 圖30：OF方案工作原理 光 光譜條紋 目標(biāo)像素點(diǎn)待測物體 衍射柵 矩陣機(jī)激光斑投影儀成像素點(diǎn)三角測量底座 發(fā)射器VEL激發(fā)信號(hào)傳出Snlt傳感器SD單光子二級(jí)管數(shù)據(jù)來源：laserfocusorld， 數(shù)據(jù)來源：歐司朗，圖31：光芯片在結(jié)構(gòu)光方案中的應(yīng)用 圖32：光芯片在OF方案中的應(yīng)用接收器鏡頭VCSEL發(fā)射器基板SPAD接收和控制IC發(fā)射鏡頭數(shù)據(jù)來源：奧比中光招股書， 數(shù)據(jù)來源：歐司朗，整理光芯片用于發(fā)射激作測距基礎(chǔ)在結(jié)構(gòu)方案F方案中均不可或缺對(duì)于22/42東吳證券研究所結(jié)構(gòu)光傳感器其要激光影學(xué)模像理片中光投影組于待物投射斑包激發(fā)器鏡射學(xué)等部光芯片用構(gòu)激發(fā)器對(duì)于F方案光器片要于射光脈，同時(shí)SD等測光東吳證券研究所下游趨勢：蘋果主，卓陣營中滲透率有提升蘋果產(chǎn)品為D傳感消費(fèi)電子市場增長主要?jiǎng)?1207前果與安卓陣的為聯(lián)入3D傳攝頭后同安卓商作嘗，只有果堅(jiān)持代展今蘋在手前均用D像頭并旗產(chǎn)具超高度D面部別功。221，蘋銷大，推動(dòng)D傳消電領(lǐng)的售達(dá)36億元3.26億，卓未明顯進(jìn)。圖33：安卓與蘋果產(chǎn)品應(yīng)用3D傳感攝像頭的歷程20162016-2022年3D傳感器在移動(dòng)設(shè)備上的應(yīng)用 TOF方案 結(jié)構(gòu)光方案數(shù)據(jù)來源：ole，當(dāng)前3D傳感器在安卓品中滲透率不高但者習(xí)將逐漸養(yǎng)成率將逐漸提升根據(jù)oe分卓當(dāng)未泛用D感的因是特的功，如生識(shí)，下比3D傳對(duì)的臉別價(jià)比高2后攝上的3D傳感暫足優(yōu)的與匹前有量R游和能常的P未來隨消者同增，安營D感升空。們計(jì)蘋銷量及3D傳滲率升動(dòng)消費(fèi)子D傳市模將步長。圖34：202-227消費(fèi)電子3D傳感市場規(guī)模預(yù)測 圖35：201021年消費(fèi)電子領(lǐng)域光芯片廠商競爭格局 2年 3641364152586266eams5其Broadcom 2年 Finisar11Lumentum41Vertilitemams4其他7Trumpf12II-VITrupf6Lumntm42II-3765555045402021A 2022E 2023E 2024E 2025E 2026E 2027E數(shù)據(jù)來源：ole，整理 數(shù)據(jù)來源：ole，整理23/42東吳證券研究所應(yīng)用種類：94m東吳證券研究所從工藝看結(jié)構(gòu)光方案多用ECEL光片EL產(chǎn)一體大用于較測范的用景VL積，較小量圍用景OF方案也多以CL片激光D片測器從波長看，用消費(fèi)電子領(lǐng)域光芯片以940nm的L光芯片為主流；來若多動(dòng)備商展屏攝像頭13xx4xxnm將成主，一的VL片以P襯底。圖36：光芯片應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展與各領(lǐng)域所需光芯片波長850nm，這一波長主要用于數(shù)據(jù)中905n，大部分激光雷達(dá)制造商使用這一波長下EE芯片，少部分VCSEL片也用此波長940nm，消費(fèi)電子中VCSEL芯片常用此波用于制作屏下顯示設(shè)備數(shù)據(jù)來源：ole，Oweek，消費(fèi)電子光芯片市規(guī)模基于安、果品來D感透率分及22222蘋的數(shù)據(jù)，對(duì)消電領(lǐng)光片市場模做測。們計(jì)225年費(fèi)領(lǐng)域芯片將有3.70億元市規(guī)模20212025年C=146。表5：202-225年移動(dòng)消費(fèi)領(lǐng)域光芯片市場規(guī)模測算2021A2022E2023E2024E2025E移動(dòng)消費(fèi)3D攝像頭出貨量（百萬顆）326.00368.38416.27468.30526.84移動(dòng)消費(fèi)3D攝像頭單價(jià)（美元）11.0411.0411.0411.0410.93移動(dòng)消費(fèi)3D攝像頭市場規(guī)模（億美元）36.0040.6845.9751.7157.60VCSEL光芯片占3D攝像頭成本比例22.122.522.923.423.8VCSEL光芯片市場規(guī)模（億美元）7.969.1610.5412.0813.70數(shù)據(jù)來源：Lightcounting源杰科技：發(fā)行人及保薦機(jī)構(gòu)回復(fù)意見，測算車載激光雷達(dá)：光芯片的新藍(lán)海光芯片為激光雷達(dá)供光脈沖發(fā)射與接收雷達(dá)一綜的探與測量系統(tǒng)——激光器激勵(lì)源驅(qū)動(dòng)激光器向目標(biāo)發(fā)射激光脈沖，掃描系統(tǒng)以穩(wěn)定的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)實(shí)現(xiàn)平的電探器收標(biāo)射的激接信經(jīng)系統(tǒng)大處理換算得標(biāo)物表形理性等征激雷主包括光發(fā)射描統(tǒng)光和信處四系輔相中光射統(tǒng)主包括半導(dǎo)激器激器勵(lì)源激調(diào)器光雷的心統(tǒng)而導(dǎo)體光器作為光射統(tǒng)核器件為個(gè)光達(dá)供激脈。24/42東吳證券研究所激光接收器激光發(fā)射器基座驅(qū)動(dòng)部件圖37東吳證券研究所激光接收器激光發(fā)射器基座驅(qū)動(dòng)部件數(shù)據(jù)來源：vonhog， 數(shù)據(jù)來源：Yyonhong，下游趨勢：車載雷為芯片最快增速支點(diǎn)受益于高級(jí)輔助駕駛自動(dòng)駕駛技術(shù)逐漸成熟激雷前景廣闊大勢所趨高級(jí)輔助駛自駕的方案，前在純覺”“傳器合兩種案，其中特斯拉采用前者,其余車企大都采用后者。首先，隨著高級(jí)輔助駕駛自動(dòng)駕駛技術(shù)逐漸成熟，搭載自動(dòng)駕駛功能的汽車將不斷放量，從總量上為激光雷達(dá)創(chuàng)造大量需求其視方需強(qiáng)的據(jù)算積除特拉其車難選這一方加多感合方將汽增安冗余—許感的障能互補(bǔ)傳感彌“多傳器方案或?qū)⒊蔀槲雌笾髁髑坝诒敬钶d精度激光達(dá)產(chǎn)不隨著激光雷達(dá)成本下降質(zhì)激光雷達(dá)滲透率進(jìn)步提。圖39：202-225年乘用車激光雷達(dá)市場規(guī)模測算2022E2023E2024E2025E全球乘用車市場全球乘用車銷量（萬輛）5700587160476229全球乘用車銷量yoy333全球新能源乘用車滲透率18.424.731.440.1全球新能源乘用車銷量（萬輛）1049145018992498中國乘用車市場中國乘用車銷量（萬輛）2150221522812349中國乘用車銷量yoy333中國新能源車滲透率25.631.643.855.3中國新能源乘用車銷量（萬輛）5507009991299車載激光雷達(dá)市場規(guī)模全球乘用車激光雷達(dá)滲透率271318中國乘用車激光雷達(dá)滲透率3101620全球-搭載激光雷達(dá)乘用車數(shù)量（萬輛）21102247450中國-搭載激光雷達(dá)乘用車數(shù)量（萬輛）1770160260全球-平均每車激光雷達(dá)搭載量（顆）1.61.722.3中國-平均每車激光雷達(dá)搭載量（顆）1.622.32.5全球-乘用車激光雷達(dá)出貨量（萬顆）341734941034中國-乘用車激光雷達(dá)出貨量（萬顆）26140368649全球-激光雷達(dá)平均價(jià)格（美元）1000700600550中國-激光雷達(dá)平均價(jià)格（美元）900600550450全球乘用車激光雷達(dá)市場規(guī)模（億美元）3.412.129.656.9全球乘用車激光雷達(dá)市場規(guī)模-yoy259.9145.292.0中國乘用車激光雷達(dá)市場規(guī)模（億美元）2.48.420.229.2中國乘用車激光雷達(dá)市場規(guī)模-yoy253.2140.844.5數(shù)據(jù)來源：中汽協(xié)，沙利文，測算應(yīng)用種類：LCL應(yīng)用廣泛，905550或共存按工藝劃分，、CL激光雷達(dá)光芯片中應(yīng)最為廣泛EL采納堆疊25/42東吳證券研究所技術(shù)PN結(jié)互疊主要點(diǎn)在區(qū)小寸內(nèi)供功激輸，這其成為程光達(dá)首技術(shù)從應(yīng)商看司的EL光片汽電子獲主流用Lumnum的EL片主用消級(jí)別CL片具激光達(dá)所需優(yōu)性時(shí)造工與EL兼規(guī)模造成較歐掌握著L光芯片的重要專利技術(shù)，其余光芯片廠商主要從VL芯片尋求突破，Lumnun、V、長華等內(nèi)巨在這領(lǐng)東吳證券研究所按波長劃分90m為激光雷達(dá)光芯片首選長05nm光可配基電探測器來接收激光，因?yàn)楦鶕?jù)前述光譜響應(yīng)曲線，硅能在05nm波長處吸收光子；而1550nm激器需GAs測，者成較低成更。外由于前VL光片游域消費(fèi)子主，其造廠的以90nm多。車載激雷尚放之為約本分也將40nm的VL光器于激光雷，可短雷中發(fā)效。在半導(dǎo)體激光器之10nm光纖激光器亦得到注述ECL芯片均屬半體光半導(dǎo)材為浦纖激器是一固激光以光作泵源換之導(dǎo)體光除直發(fā)外可為泵源于150nm遠(yuǎn)離眼收可光長較于05n同功的150nm使眼的全性提升40可更功率提穿能1550nm配調(diào)連FW）技術(shù)僅檢距可利多勒移測物體相于的90nm激光雷，150nm的器與測的本高體積大供鏈?zhǔn)燧^低這些為其泛用添成我預(yù)計(jì)550nm未與90nm光共存主要于以安性核賣位和牌位為檔車是于卡特殊位的車輛據(jù)oe統(tǒng)，221年05n150nm所市場額為6914。激光雷達(dá)光芯片市規(guī)模圖40：202-225年車載激光雷達(dá)領(lǐng)域光芯片市場規(guī)模測算全球乘用車激光雷達(dá)市場規(guī)模（億美元）全球乘用車激光雷達(dá)市場規(guī)模（億美元）中國乘用車激光雷達(dá)市場規(guī)模（億美元）機(jī)械式激光雷達(dá)所占比例MEMS激光雷達(dá)所占比例Flash激光雷達(dá)所占比轉(zhuǎn)鏡式、棱鏡式激光雷達(dá)所占比例機(jī)械式激光雷達(dá)中激光器、探測器光芯片所占比例MEMS激光雷達(dá)中激光器、探測器光芯片所占比例Flash激光雷達(dá)中激光器、探測器光芯片所占轉(zhuǎn)鏡式、棱鏡式激光雷達(dá)中激光、探全球乘用車激光雷達(dá)光芯片全球乘用車激光雷中國乘用車中國2022E3.42.46617102023E12.18.457212024E29.620.22025E數(shù)據(jù)來源：ole，汽車之心，elodyne官網(wǎng)，法雷奧官網(wǎng)，Livox官網(wǎng)，整理測算基于乘車光達(dá)場規(guī)的同方式光達(dá)場不同激光雷中芯探器芯片本比據(jù)搜2022225車激雷領(lǐng)域光26/42東吳證券研究所芯片市規(guī)得測，我計(jì)225年激光達(dá)場造東吳證券研究所為1231億元包光器探器。一包含個(gè)設(shè)①描式的進(jìn)：機(jī)械激雷的額逐漸小半態(tài)式態(tài)式額升②光射測單元在光達(dá)的本比變幅較。II-、letum復(fù)盤：光芯片和器件龍頭的成長之路Luntum：消費(fèi)電子EL龍頭，車規(guī)彰顯實(shí)力Lm是一家專業(yè)激光器廠商擁有全球先的CL技術(shù)L技術(shù)和光通信激光器技術(shù)。展歷可至179年立的傳產(chǎn)供商Unphae。1999年Unphae另家成于981年光絡(luò)產(chǎn)供商DSelnc.合為為球網(wǎng)域的導(dǎo)015Lenum從DU分來成為一家立上公繼承業(yè)學(xué)務(wù)Lm主要分為光通信和光器兩大業(yè)務(wù)部門主產(chǎn)類包芯器模塊商激器品應(yīng)領(lǐng)域涵蓋信數(shù)通消和業(yè)等塊客包蘋果CoAazn國龍企業(yè)。圖41：em主要產(chǎn)品及客戶情況數(shù)據(jù)來源：Lumentum222年報(bào)，Lumentum官網(wǎng)，圖42：em營業(yè)收入逐年增長 圖43：etm歸母凈利潤穩(wěn)中向好數(shù)據(jù)來源：loombeg， 數(shù)據(jù)來源：loombeg，27/42Lm營業(yè)收入近來整體呈現(xiàn)增長趨勢F22營收R為1.。Y022公營同比00為171美中收比較的通業(yè)同比6.%至152美要信產(chǎn)材和件缺致光信務(wù)收降也致公司Y22營的降光器務(wù)+59.至19億美，要復(fù)產(chǎn)后戶對(duì)千瓦光激器需恢復(fù)。圖44：em毛利率連續(xù)4年增長 圖45：em研發(fā)費(fèi)用率較高毛利率凈利率Y毛利率凈利率Y14Y565 425 05515

Y14Y15Y16Y17Y18Y19Y20Y21Y22數(shù)據(jù)來源：loombeg， 數(shù)據(jù)來源：loombeg，除Y219收購cao來凈利潤的短期承外公司利潤水平近年呈出穩(wěn)中向好的發(fā)展趨勢。222，司現(xiàn)母潤4.2美。利處高水，并已現(xiàn)續(xù)4年長2022達(dá)到6.05利則由研費(fèi)的長在Y022出現(xiàn)定滑公司注技術(shù)創(chuàng)新研發(fā)費(fèi)用率期維持在較高水平Y(jié)02公研發(fā)費(fèi)為15.同3.2pc。公司前瞻布局L產(chǎn)品及3D傳感，在L產(chǎn)品市場形成領(lǐng)先優(yōu)。005年和007年DU分收了gyCouncaon,nc和cogh,nc公司來了面企數(shù)中和D感域CL產(chǎn)的重技也展了Lnum光通和光業(yè)的度和度在200Lenum開布局D感市，截至020年已計(jì)超過85顆D激器片，中EEL500顆VL超8億顆201701年，Lm在L市場的份額均在0以CEL產(chǎn)品也為公司帶來量收。根據(jù)oe提的計(jì)算2018年CEL品的入增速過00，要系uenum始蘋提供VL芯所；201年，司的CL品場模到5.2億元。圖46：em長期占據(jù)EL市場40%份額 圖47：emSL產(chǎn)品收入持續(xù)增長000

unm II 其他 65

10VCSL收入（VCSL收入（億美元）同比（右軸）04 8000 3 6000 2 4000 1 20007

08

09

00

01

0217

218

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220

0221東東吳證券研究所數(shù)據(jù)來源：ole， 數(shù)據(jù)來源：ole，28/42智能手機(jī)人臉識(shí)別能寫D傳感行業(yè)格局為m的CL產(chǎn)品帶來廣闊市場。207之3D傳主應(yīng)用工感、光印光鼠等。217年1月蘋果司的eX產(chǎn)放了式指解uch開創(chuàng)地采用D人識(shí)（eD并過載VL實(shí)現(xiàn)臉別能hoeX此成為全首大模用D感能消電端。此后整產(chǎn)生態(tài)速成熟D感在臉擬現(xiàn)R防控機(jī)器等場域續(xù)到應(yīng)，VL外用長的特也使成動(dòng)3D傳的門擇。圖48：自208年起，蘋果就成為eum第一大客戶CienaCiscoHuaweiAlphabetApple**********************數(shù)據(jù)來源：Lumentum215-202年報(bào)，（注：*表示占總收入百分比小于10%）自208年向e提供CEL芯片以來，蘋成為Lenm的第一大客戶來自于蘋果的收入額穩(wěn)定在2以上200年蘋發(fā)的款d和e首次載于oF激光達(dá)其可址L列由uenum供計(jì)算Y18Y2Lumnum來蘋的入為3.7334.45.349元。Lm常采用合作方式拓展L市場與其他領(lǐng)域的頭部企共開發(fā)具有市場前景的產(chǎn)從用場景看側(cè)于D傳感和汽車激光雷達(dá)此外en也長期采用并購和品發(fā)提高在光芯片市的心競爭力。表6：em通過合作、并購和產(chǎn)品開發(fā)提升核心競爭力時(shí)間時(shí)間 事件類型 事件簡介28年2月 并購20年2月 合作

完成對(duì)cao收購，為公來業(yè)界領(lǐng)先的磷化(n)激光、光子集成電(I)和相干模塊研發(fā)制造實(shí)力與Ifna宣布合作將基于R光學(xué)的網(wǎng)絡(luò)解決方推向市，以應(yīng)對(duì)運(yùn)營商在供新的5、增強(qiáng)型寬帶和基于云網(wǎng)絡(luò)商業(yè)服務(wù)面所面臨的傳輸網(wǎng)挑戰(zhàn)20年1月 并購 宣布收購riua部分專其他知識(shí)產(chǎn)權(quán)在內(nèi)部分技術(shù)產(chǎn)首發(fā)五結(jié)和六結(jié)L陣列實(shí)現(xiàn)單個(gè)發(fā)射器的功率超過，從而使一平方米L陣列的峰21年3月 產(chǎn)品開發(fā)21年5月 合作21年2月 合作22年1月 合作

值功率超過80W與I視覺片公司brelaS圖像傳感器解決方案供商N(yùn)einutr合作，以baela的I覺oC為，通過結(jié)合uetm高性能L陣列和Neicdcor的圖像傳感器，提供用于物識(shí)別D電子鎖和其他智傳感應(yīng)用系統(tǒng)解決方案與tnly作，開發(fā)應(yīng)于車應(yīng)用的高功率外L產(chǎn)品，成為世界首款用紅外L的車載傳感設(shè)備22年4月 產(chǎn)品開發(fā) 陸續(xù)推出高性能M系列結(jié)L陣列產(chǎn)品5-0、20、31022年4月 產(chǎn)品開發(fā) 陸續(xù)推出高性能M系列結(jié)L陣列產(chǎn)品5-0、20、310，值功率分為0W、東東吳證券研究所29/42110W40W在3D感、器人技術(shù)、汽車和業(yè)激光雷等領(lǐng)域得到應(yīng)用22年6月 合作

與化合物半導(dǎo)體晶產(chǎn)品供商IE簽署戰(zhàn)略協(xié)議IE為untm的L等激光產(chǎn)品提支持3D傳感、車激光雷達(dá)及絡(luò)應(yīng)用的外延片，此拓展在車和生物識(shí)別領(lǐng)域應(yīng)用222年7月 合作 與高精度貼片機(jī)供商I激光雷達(dá)領(lǐng)域展開作，提供車激光雷達(dá)的創(chuàng)新解決方案22年8月 并購

完成與ootns的合并，高公司在光器件領(lǐng)的市場競力，抓住在云計(jì)算電信基礎(chǔ)絡(luò)設(shè)施等領(lǐng)域的發(fā)展機(jī)會(huì)為高速光絡(luò)客戶提供差異化光子學(xué)技產(chǎn)品組合東吳證券研究所數(shù)據(jù)來源：Lumentum官網(wǎng)，obeNee，mbarella官網(wǎng)，nley官網(wǎng)，ohotonics，iometricpdate，Electro東吳證券研究所Lm股價(jià)整體呈升趨勢，游場氣、收信的布及品供應(yīng)形的是Lumnm股價(jià)影的主素。圖49：em股價(jià)復(fù)盤（美元）數(shù)據(jù)來源：Lumentum官網(wǎng)，Lumentum216年報(bào)，ptica，NC，enzinga，MEM，hotonicsMedia，arketatch，III：光芯片碳化硅，持續(xù)收購注入增長動(dòng)能VI公成于171，于197在納達(dá)上市是程料光元件的全領(lǐng)者022年7VI完成對(duì)Coeent的購并的司名為oheen，并重劃了料網(wǎng)絡(luò)門激部們將點(diǎn)析購Cohet前的務(wù)情況。VI產(chǎn)品體系健，下游市場廣闊。09年VI購nr，將激光解決案光子和能品重整形成光子學(xué)解決方案和化合物半體大部門。圖50：-VI產(chǎn)品體系健全，下游市場廣闊數(shù)據(jù)來源：II-I2020報(bào)，30/42東吳證券研究所主要產(chǎn)包收發(fā)、D、程料、進(jìn)學(xué)設(shè)備激設(shè)備系，等等公生的工材電件器件通業(yè)汽導(dǎo)本設(shè)生命科航航及費(fèi)子領(lǐng)得泛應(yīng)各業(yè)均了大的優(yōu)質(zhì)客資至022VI在球4國的130個(gè)區(qū)址東吳證券研究所超過8000名。持續(xù)增長的營收規(guī)是VI的一大亮點(diǎn)從VI長期收據(jù)從195年至今的8以，除202和Y009外公營規(guī)續(xù)加Y201破1億美元2018突破10億元Y022實(shí)現(xiàn)3.2美元收1995008收GR為20.5，Y209202GR為0.6。VI能近30年間續(xù)定，重要原因在于長期外延并購，并以此獲取關(guān)鍵產(chǎn)品和技術(shù)，抓住市場機(jī)遇，實(shí)現(xiàn)競爭優(yōu)勢圖51：-VI成長的關(guān)鍵階段始終伴隨收購數(shù)據(jù)來源：II-VI官網(wǎng)，II-I2017、201年報(bào)《II-IIvestoreentation,2017《II-IInvestoreentationpt,202》,VI公司成長的重要階始終伴隨關(guān)鍵并購發(fā)自195起司始了“外并”歷，將并視實(shí)公長發(fā)展重戰(zhàn)：（VI在0世紀(jì)末完成兩項(xiàng)收（rgocLghtngca助公司拓了型學(xué)件場項(xiàng)購幫助VI在1997年現(xiàn)570元的入，幾是3前入額三倍；（001年VI收購了一家生產(chǎn)用于工和事二氧化碳激光器公司LasrPwe公近半售額來與方合過對(duì)Laserwer收VI順利開了防事域場，公在001財(cái)收入了66；（）2004年12月，I簽署了對(duì)arow公司收購協(xié)鞏了司光學(xué)和光元方的先位，帶未數(shù)營的持增；（）2009年12月，I收購了中國激光機(jī)光產(chǎn)品生產(chǎn)商Phoo（高意，該公司光產(chǎn)與統(tǒng)塊消電等務(wù)上有全領(lǐng)地此次購開了-VI軍通市的幫公走全性金融機(jī)在Y010速扭營收31/42東吳證券研究所頹勢并動(dòng)Y01入加46，舉開了公在東吳證券研究所（）2014年，VI收購了asrrpre和Newokons公司，之受益于球通市的求擴(kuò)，Y014公營實(shí)現(xiàn)速長；（）209年9月，VI收購了全球光通信域頭Fin有拓了合物半導(dǎo)和子解方平臺(tái)nr擁有用于3D感激雷的先GAs平臺(tái)在購已備2G10G0G據(jù)心模94nmDB光VL陣列產(chǎn)的產(chǎn)力在完對(duì)nr購VI營曲陡，體量到顯著大Y200收模達(dá)3.8億元增為75開歷新；（022年7月VI完成對(duì)oheent的收購VI在料面技識(shí)與Cohent在光統(tǒng)的規(guī)形互增公司務(wù)型多很程度拓展公的營模進(jìn)而現(xiàn)司材、絡(luò)和光域全領(lǐng)地位。收購信號(hào)的釋是VI公司的股價(jià)變動(dòng)的個(gè)要因素。從VI長股價(jià)表現(xiàn)來宣進(jìn)收時(shí)常夠來司價(jià)短的升此外游行（如數(shù)通市、D感等的市場氣度會(huì)對(duì)股價(jià)產(chǎn)較為著的。近年公司完了項(xiàng)型購股價(jià)動(dòng)為顯。圖52：-VI股價(jià)復(fù)盤（美元）數(shù)據(jù)來源：II-VI官網(wǎng)，obeNee，ptics，II-I2017、2021年報(bào)，VI公司的毛利率、率長期保持穩(wěn)定。利率期持在35的較高水除2020由購nr生購用成凈潤負(fù)司利率期保在7右Y02公毛凈率別為3.17.1從研發(fā)費(fèi)用曲線的走勢來看公司對(duì)產(chǎn)品術(shù)開發(fā)的重視程度不提高Y200公司了對(duì)G技術(shù)D傳化光雷等興場品開發(fā)度研費(fèi)達(dá)4.3歷史高平Y(jié)202發(fā)費(fèi)為14根公司告截至202年7月VI工程技員過440名，利量過00032/42東吳證券研究所圖53：-VI公司毛利率、凈利率長期穩(wěn)定 圖54：-VI對(duì)研發(fā)的重視東吳證券研究所 數(shù)據(jù)來源：loombeg， 數(shù)據(jù)來源：loombeg，商業(yè)模式探討：需求變化快、盈利不穩(wěn)定，把握上行周期光通信行業(yè)的需求存明顯“脈沖特征段光芯片的需求重不致，相關(guān)企業(yè)的盈利情受場剛性需求的影響大以源科為200我國G基站大建并極用2G芯片公抓了機(jī)遇020營同增達(dá)187，而當(dāng)221年G基調(diào)為1G芯方后年公收出下。27年蘋果用CL片現(xiàn)臉識(shí)功后蘋占uenum營份迅飆至30，也能一程上現(xiàn)芯片業(yè)需脈性。在G站規(guī)建設(shè)G站規(guī)建中心規(guī)建三明的階段中，V、uenum價(jià)也市需重變呈現(xiàn)“沖”征在三階段的初票格會(huì)來上期隨市成競加劇股價(jià)出現(xiàn)定程度的動(dòng)下。圖55：-V、Lem股價(jià)隨市場需求變化呈現(xiàn)“脈沖式”特征數(shù)據(jù)來源：loombeg，繪制；注：股價(jià)單位為美元另一前游塊的場動(dòng)已骨網(wǎng)絡(luò)纖戶為數(shù)據(jù)中心建需體看數(shù)據(jù)中心市場也存需求迭代目前正處求升級(jí)的鍵時(shí)期。內(nèi)互網(wǎng)司對(duì)模的率求從100G升至20G40相應(yīng)，數(shù)通域光片率從2G向5G代G及以高率芯正于上期，33/42東吳證券研究所相關(guān)品求計(jì)東吳證券研究所圖56：200G/00G光模塊迎來上行期，帶動(dòng)25G以上光芯片需求增長（百萬美元）數(shù)據(jù)來源：源杰科技-發(fā)行人及保薦機(jī)構(gòu)第二輪回復(fù)意見，Lightounting，整理光芯片和光通信器毛率通常呈現(xiàn)出先升后低的趨勢在產(chǎn)剛完成時(shí)于藝平不熟之品率低毛利也對(duì)高隨技術(shù)平的提升產(chǎn)的率迎增后產(chǎn)品市競?cè)诊柪麑⒊霈F(xiàn)落因此為實(shí)長期良好的利潤水平芯片公司需要持續(xù)發(fā)合市場需的產(chǎn)品，把握利潤平上行期。產(chǎn)品發(fā)要入定本市開和戶的確也要費(fèi)定間若在市釋新需信后再發(fā)產(chǎn)可錯(cuò)過行即產(chǎn)終投市場時(shí)產(chǎn)的潤平已處回階因具備定金力企會(huì)選通過并購方快獲技品客資趕上行由光芯片廠商欲實(shí)現(xiàn)長期成長，可通過持續(xù)的并購和技術(shù)研發(fā)開啟良性的成長循環(huán)，注重“戰(zhàn)略適配性以更好地迎合市場求VI和Lumnum均用該發(fā)邏通持戰(zhàn)略購和產(chǎn)開應(yīng)光信業(yè)的脈性特，現(xiàn)了業(yè)領(lǐng)的長力。圖57：光通信廠商利潤水平波動(dòng)周期 圖58：光芯片廠商良性成長循環(huán)路徑數(shù)據(jù)來源：繪制 數(shù)據(jù)來源：繪制產(chǎn)品體系健全度和業(yè)整合能力也是影響通企業(yè)增長穩(wěn)定性的要素。Vm以及國內(nèi)領(lǐng)先光芯片廠商杰技紛紛采用DM設(shè)計(jì)生模，在該式片計(jì)制造封到試由造商責(zé)進(jìn)可現(xiàn)整個(gè)業(yè)鏈34/42的覆們?yōu)槠瑥S用M式1有發(fā)核材供應(yīng)運(yùn)營聯(lián)弱供商料供對(duì)產(chǎn)營約時(shí)據(jù)應(yīng)多位也弱了“牛鞭效應(yīng)”對(duì)公司產(chǎn)能規(guī)劃和庫存管理的影響，保障公司增長的穩(wěn)健性（2）設(shè)計(jì)制裝環(huán)協(xié)化保產(chǎn)從計(jì)造環(huán)的體降品良下滑對(duì)公業(yè)的響3DM廠產(chǎn)速更快增強(qiáng)企抵市波和需變化的能，障業(yè)長穩(wěn)定。VI和m都擁有豐富的產(chǎn)品體系廣的下游市場方上兩家公司都采用了收購來拓寬產(chǎn)品體系。VI近期收購了ohe，Lumnum則收購了Neoncs盡在完成后VI的務(wù)構(gòu)加分而Lumnum加集，但收購行為無疑都拓寬了公司的產(chǎn)品和市場。我們認(rèn)為，提升產(chǎn)品體系豐富度，能夠（1過樣的品類布滿客差化求展公的游場元化的收來平了通行業(yè)“沖的收及潤公司運(yùn)營穩(wěn)健2豐的結(jié)構(gòu)提了司客提供統(tǒng)決案能和對(duì)戶需求變的應(yīng)力為司帶潛的展增機(jī)遇。圖59：-VI收購Coent豐富產(chǎn)品結(jié)構(gòu) 圖60：em收購oPotos豐富產(chǎn)品結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)來源《II-IInvestmentresentationptember2022，

數(shù)據(jù)來源《Lumentumtoquireohoonics，東吳證券研究所國產(chǎn)化東吳證券研究所政策扶持，光芯片國產(chǎn)化穩(wěn)步推進(jìn)國內(nèi)芯企正速發(fā)進(jìn)芯國化勢保樂光芯片的國產(chǎn)呈現(xiàn)出“從下游向游導(dǎo)，從低端向高端渡政策手段有效扶持的征。從下游向上傳導(dǎo)：在光通信產(chǎn)業(yè)鏈中，下游國內(nèi)頭部光模塊廠商已具備較強(qiáng)實(shí)力和較大規(guī)模。據(jù)Lighcoung計(jì)00年全十光塊商國內(nèi)商有1家，01年有5家國內(nèi)模廠躋身O0，中創(chuàng)技與VI并列一。國模龍頭業(yè)的全市競力飛進(jìn)海廠商漸于地模塊本完。35/42東吳證券研究所2021年躋身全球十大光塊廠商的5家國內(nèi)企業(yè)著力布局光芯片，業(yè)縱向布局①際創(chuàng)資司蘇創(chuàng)201開激光芯技發(fā)括東吳證券研究所EMVL片術(shù)50GA5技等②為在203便過比利硅光子司Caopa進(jìn)芯片場③信帶下芯事部備內(nèi)先的外延生長激器片個(gè)條的造藝力201年芯的品括G2GDB、25GND/D/CDMBChps6budA4EL1G2Gunabe、Hghoer激器；④易完對(duì)ApeOpoeeconcs的購并借深入硅子片術(shù)市競爭⑤迅技實(shí)現(xiàn)0G及下芯批供2G光芯片模貨目正大研力，步升G芯產(chǎn)工。我們認(rèn)為隨國內(nèi)光塊廠商全球份額持提光芯片技術(shù)斷成熟光模應(yīng)用領(lǐng)域拓寬，國光片產(chǎn)業(yè)鏈有望進(jìn)一優(yōu)整合，隨之迎來國產(chǎn)機(jī)遇。圖61：201-221全球光模塊廠商份額變化數(shù)據(jù)來源：Lightounting，從低端向高過渡：圖62：全球25G及以下F/FP激光器芯片市場份額 圖63：全球1GFB激光器芯片市場份額 數(shù)據(jù)來源：IC， 數(shù)據(jù)來源：IC，中低速率光芯片（0G及以下：國內(nèi)廠商占較市場份額，由于成競等因素相關(guān)市場基本被國光芯片產(chǎn)品廠商代國內(nèi)光芯片廠商具較競爭力根據(jù)《通用芯市調(diào)查告020，1G以下率芯已本現(xiàn)替，用于接網(wǎng)N模的1G以速的芯實(shí)現(xiàn)乎00自供1GDB36/42激光芯、ND器芯VL片實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)替。杰科公司公中指國芯片業(yè)基握2.1G芯核技術(shù)除少技術(shù)門檻高產(chǎn)型對(duì)口存一依本實(shí)國內(nèi)現(xiàn)出杰科技科芯佳武敏芯云光企業(yè)在分低率芯片品的市場占了高額。高速率光芯片（5G及以上：國產(chǎn)化率仍處較水平，國內(nèi)頭部廠已后開展研發(fā)生產(chǎn)，市場與有待進(jìn)一步提高。據(jù)C統(tǒng)220年2G片國化率約為025G以芯片產(chǎn)率低至5隨著通場持繁，目國內(nèi)廠正速G及光芯的發(fā)奏近來內(nèi)部商高率芯進(jìn)展態(tài)勢觀源科技迅科佳子光電武敏等企具備G及以上分芯產(chǎn)生能力。表7：不同速率光芯片主要競爭格局產(chǎn)品速率主要應(yīng)用領(lǐng)域海外頭部光芯片廠商國內(nèi)光芯片廠商專業(yè)光芯片廠商 綜合光芯片模塊廠商2.5G光纖接入☆★★☆★★10G

光纖接入 ★ ★★☆ ★☆移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò) ★☆ ★☆ ★★數(shù)據(jù)中心 ★★ ★★ ★25G及以上移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)★★★☆★☆數(shù)據(jù)中心★★★☆★☆數(shù)據(jù)來源：源杰科技-發(fā)行人及保薦機(jī)構(gòu)第二輪回復(fù)意見，（注：★代表市場參與度）政策手段有扶持：國家對(duì)光電子技術(shù)業(yè)予了高度重視政策措續(xù)聚焦光芯片及其游用領(lǐng)域的發(fā)展東西略的步地“G建的持投有推國內(nèi)通和電市的業(yè)鏈游國光片場注了大芯片發(fā)的直接推動(dòng)政策和相關(guān)要求也持續(xù)發(fā)布，我國光芯片廠商正逐步縮小與海外廠商的差距與此信于222年6啟《國子器產(chǎn)技發(fā)路（02-2027年》編，未來家策持高重視電技產(chǎn)，芯片業(yè)生態(tài)圈望一拓。表8：近年國家扶持光芯片的部分重要政策匯總相關(guān)政策頒布機(jī)構(gòu)頒布時(shí)間相關(guān)內(nèi)容和規(guī)定加快構(gòu)建算力算法數(shù)據(jù)應(yīng)用資源協(xié)同的全國一體化大數(shù)據(jù)中心體系，“十四五數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展規(guī)劃》國務(wù)院202年1月加快實(shí)施“東數(shù)西算”工程，推進(jìn)云網(wǎng)協(xié)同發(fā)展，提升數(shù)據(jù)中心跨網(wǎng)絡(luò)、跨地域數(shù)據(jù)交互能力加快企業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型升級(jí)全面深化重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型?！半p千兆網(wǎng)絡(luò)協(xié)發(fā)展行動(dòng)計(jì)203年》

工信部 201年3月

加快產(chǎn)業(yè)短板突破，鼓勵(lì)光纖光纜、芯片器件、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等企業(yè)針對(duì)芯片、高速ON芯片、高速無線局域網(wǎng)芯片、高速光模塊、高性能器等薄弱環(huán)節(jié)，加強(qiáng)技術(shù)攻關(guān)，提升制造能力和工藝水平。東東吳證券研究所37/42《基礎(chǔ)電子元器件業(yè)發(fā)展行動(dòng)計(jì)（2021203年》《中國光