ch1半導(dǎo)體二極管課件

1.3半導(dǎo)體二極管小結(jié)學(xué)習(xí)指導(dǎo)Ch1半導(dǎo)體二極管三極管學(xué)習(xí)指導(dǎo)半導(dǎo)體二極管是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的半導(dǎo)體器件,在電子電路有廣泛的應(yīng)用。

主要內(nèi)容:半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)、特性、參數(shù)、模型及應(yīng)用電路。學(xué)習(xí)目標(biāo)：1、半導(dǎo)體二極管的單向?qū)щ娦裕?、掌握半導(dǎo)體二極管的伏安特性及其電路的分析方法；3、正確理解半導(dǎo)體二極管的主要參數(shù)；4、掌握穩(wěn)壓管工作原理及使用中的注意事項(xiàng)。

1.3.1半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)

在PN結(jié)上加上引線和封裝，就成為一個(gè)二極管。二極管按結(jié)構(gòu)分為點(diǎn)接觸型、面接觸型和平面型三大類(lèi)。(1)點(diǎn)接觸型二極管PN結(jié)面積小，結(jié)電容小，用于檢波和變頻等高頻電路。(a)點(diǎn)接觸型

二極管的結(jié)構(gòu)示意圖(3)平面型二極管往往用于集成電路制造工藝中。PN結(jié)面積可大可小，用于高頻整流和開(kāi)關(guān)電路中。(2)面接觸型二極管PN結(jié)面積大，用于工頻大電流整流電路。(b)面接觸型(c)平面型(4)二極管的代表符號(hào)晶體二極管1.正向起始部分存在一個(gè)死區(qū)或門(mén)坎，稱(chēng)為門(mén)限電壓。硅：Vr=0.5-0.6v;鍺：Vr=0.1-0.2v2.加反向電壓時(shí)，反向電流很小即Is硅(nA)<Is鍺(A)

硅管比鍺管穩(wěn)定3.當(dāng)反壓增大VB時(shí)再增加，反向電流激增，發(fā)生反向擊穿，VB稱(chēng)為反向擊穿電壓。①②③二極管的伏安特性可用下式表示

1.3.2二極管的伏安特性1.3.4

二極管基本電路及其分析方法

1.3.4.1二極管V-I特性的建模

1.3.4.2應(yīng)用舉例主要內(nèi)容3、應(yīng)用電路分析舉例

2、二極管狀態(tài)判斷

1、二極管電路的分析概述

1.3.4.1二極管V-I特性的建模

1.理想模型3.折線模型

2.恒壓降模型正偏時(shí)導(dǎo)通，管壓降為0V;反偏時(shí)截止，電流為0。VD=0.7V（硅）

VD=0.2V（鍺）管子導(dǎo)通后,管壓降認(rèn)為是恒定的。Vth=0.5V(硅）Vth=0.1V(鍺）管壓降不是恒定的,而是隨電流的增加而增加。1、二極管電路的分析概述1.3.4.2應(yīng)用舉例初步分析——依據(jù)二極管的單向?qū)щ娦訢導(dǎo)通：vO=vI-vDD截止：vO=0D導(dǎo)通：vO=vDD截止：vO=vI左圖中圖顯然，vO與

vI的關(guān)系由D的狀態(tài)決定而且，D處于反向截止時(shí)最簡(jiǎn)單！右圖D導(dǎo)通：vO=vD+vREFD截止：vO=vI例2.電路如圖所示，判斷D的狀態(tài)解：先斷開(kāi)D，求二極管端電壓則接D陽(yáng)極的電位為-6V，接陰極的電位為-12V。導(dǎo)通后，D的壓降等于零，即A點(diǎn)的電位就是D陽(yáng)極的電位。所以，AO的電壓值為-6V。以O(shè)為基準(zhǔn)電位，即O點(diǎn)為0V。VD=-6V-(-12V)=6V>0D接入時(shí)正向?qū)?/p>

3.應(yīng)用電路分析舉例（1）整流電路見(jiàn)P57（2）限幅電路見(jiàn)P581.3.5特殊二極管穩(wěn)壓二極管

穩(wěn)壓管工作時(shí)應(yīng)反接，并串入一只電阻。電阻的作用一是起限流作用。二是調(diào)節(jié)穩(wěn)壓管的工作電流，從而起到穩(wěn)壓作用。應(yīng)用方法穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓電路IZmin

≤IZ≤IZmaxVIVOIZIRVRVO1.半導(dǎo)體二極管的單向?qū)щ娦浴?.二極管的伏安特性是非線性的，所以它是非線性器件。簡(jiǎn)化的模型:理想模型、恒壓降模型、折線模型。3.穩(wěn)壓管穩(wěn)壓時(shí)必須工作在反向電擊穿狀態(tài)。小結(jié)重點(diǎn)難點(diǎn)重點(diǎn)：(1)半導(dǎo)體二極管的單向?qū)щ娦?2)半導(dǎo)體二極管的V-I特性

(3)二極管的基本電路及分析