存儲(chǔ)器自動(dòng)化適用課件

《微計(jì)算機(jī)原理》

第五章主存儲(chǔ)器主要內(nèi)容存儲(chǔ)器分類隨機(jī)存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器習(xí)題&練習(xí)

存儲(chǔ)器是信息存放的載體，是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的重要組成部分。有了它，計(jì)算機(jī)才能有記憶功能，才能把要計(jì)算和處理的數(shù)據(jù)以及程序存入計(jì)算機(jī)，使計(jì)算機(jī)能脫離人的直接干預(yù)，自動(dòng)地工作。1、按構(gòu)成存儲(chǔ)器的器件和存儲(chǔ)介質(zhì)分類半導(dǎo)體存儲(chǔ)器

磁盤和磁帶等磁表面存儲(chǔ)器

光電存儲(chǔ)器

5.1.1存儲(chǔ)器分類一、存儲(chǔ)器幾種分類方式附：多層存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)概念

核心是解決容量、速度、價(jià)格間的矛盾，建立起多層存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)。高速緩存主存外存高速緩存—主存層次：解決CPU與主存的速度上的差距；主存—輔存層次：解決存儲(chǔ)的大容量要求和低成本之間的矛盾。1、讀寫存儲(chǔ)器RWM2、只讀存儲(chǔ)器ROM二、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類（1）

按讀寫功能分類分類：按數(shù)據(jù)存取方式分類：按存儲(chǔ)原理分類：1、直接存取存儲(chǔ)器DAM2、順序存取存儲(chǔ)器SAM3、隨機(jī)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器RAM1、雙極性TTL器件存儲(chǔ)器2、單極性MOS器件存儲(chǔ)器按數(shù)據(jù)傳輸方式分類：1、并行存儲(chǔ)器2、串行存儲(chǔ)器1、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM RAM主要用來存放各種現(xiàn)場的輸入、輸出數(shù)據(jù)，中間計(jì)算結(jié)果，與外存交換的信息和作堆棧用。它的存儲(chǔ)單元的內(nèi)容按需要既可以讀出，也可以寫入或改寫。2、只讀存儲(chǔ)器ROM ROM的信息在使用時(shí)是不能改變的，也即只能讀出，不能寫入故一般用來存放固定的程序，如微型機(jī)的管理、監(jiān)控程序，匯編程序等，以及存放各種常數(shù)、函數(shù)表等。二、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類（2）

按存儲(chǔ)原理分類：5.1.3半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的特點(diǎn)（1）一、RAM的特點(diǎn) 在RAM中，又可以分為雙極型（Bipolar）和MOSRAM兩大類。1．雙極型RAM的特點(diǎn) （1）存取速度高。 （2）以晶體管的觸發(fā)器（F-F——Flip-Flop）作為基本存儲(chǔ)電路，故管子較多。 （3）集成度較低（與MOS相比）。 （4）功耗大。 （5）成本高。 所以，雙極型RAM主要用在速度要求較高的微型機(jī)中或作為cache。2．MOSRAM 用MOS器件構(gòu)成的RAM，又可分為靜態(tài)（Static）RAM（有時(shí)用SRAM表示）和動(dòng)態(tài)（Dynamic）RAM（有時(shí)用DRAM表示）兩種。5.1.3半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的特點(diǎn)（2）二、ROM的特點(diǎn)1．掩模型ROM 2．可編程型PROM（ProgrammableROM） 3．光擦除型EPROM（ErasablePROM） 4．電擦除型EEPROM（ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory）RAM靜態(tài)RAM（SRAM）動(dòng)態(tài)RAM（DRAM）ROM掩膜型ROM可編程ROM（PROM）可擦除可編程ROM（EPROM）電可擦除可編程ROM（E2PROM)5.1.4半導(dǎo)體存儲(chǔ)器體系5.2.2動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM①基本存儲(chǔ)電路用單管線路組成（靠電容存儲(chǔ)電荷）。②集成度高。③比靜態(tài)RAM的功耗更低。⑤價(jià)格比靜態(tài)便宜。⑥因動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器靠電容來存儲(chǔ)信息，由于總是存在著泄漏電流，故需要定時(shí)刷新。典型的是要求每隔1ms刷新一遍。5.2隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（2）5.3.1固定掩模編程ROM

由半導(dǎo)體廠按照某種固定線路制造的，制造好以后就只能讀不能改變。所謂只讀，從字面上理解就是只可以從里面讀，不能寫進(jìn)去，它類似于我們的書本，發(fā)到我們手回之后，我們只能讀里面的內(nèi)容，不可以隨意更改書本上的內(nèi)容。5.3只讀存儲(chǔ)器（1）5.3.2可編程PROM（ProgrammableROM） 為了便于用戶根據(jù)自己的需要來寫ROM，就發(fā)展了一種PROM，可由用戶對(duì)它進(jìn)行編程，但這種ROM用戶只能寫一次。 這就象我們的練習(xí)本，買來的時(shí)候是空白的，可以寫東西上去，可一旦寫上去，就擦不掉了，所以它只能用寫一次，要是寫錯(cuò)了，就報(bào)銷了。5.3只讀存儲(chǔ)器（2）5.3.4電擦除可編程EEPROM EEPROM是可由用戶更改的只讀存儲(chǔ)器（ROM）可通過高于普通電壓的作用來擦除和重編程（重寫）。 不像EPROM芯片，EEPROM不需從計(jì)算機(jī)中取出即可修改。EEPROM斷電后存在其中的數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。另外，EEPROM可以清除存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和再編程。

5.3只讀存儲(chǔ)器（4）5.4新型存儲(chǔ)器5.4.1快擦寫FLASH存儲(chǔ)器 FLASH存儲(chǔ)器是新型的可電擦除的非易失性只讀存儲(chǔ)器，屬于EEPROM器件，與其它的ROM器件相比，其存儲(chǔ)容量大、體積小、功耗低，特別是其具有在系統(tǒng)可編程擦寫而不需要編程器擦寫的特點(diǎn)，使它迅速成為存儲(chǔ)程序代碼和重要數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)器。5.4.2多端口讀寫存儲(chǔ)器 雙口RAM和FIFO是常用的兩種多端口的存儲(chǔ)器，允許多CPU同時(shí)訪問存儲(chǔ)器，大大提高了通信效率，而且對(duì)CPU沒有過多的要求，特別適合異種CPU之間異步高速系統(tǒng)中。5.4.3內(nèi)存條一、內(nèi)存條的幾種封裝形式

封裝，就是指把硅片上的電路管腳,用導(dǎo)線接引到外部接頭處,以便與其它器件連接.封裝形式是指安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼。 衡量一個(gè)芯片封裝技術(shù)先進(jìn)與否的重要指標(biāo)是芯片面積與封裝面積之比，這個(gè)比值越接近1越好。封裝時(shí)主要考慮的因素：

1、芯片面積與封裝面積之比為提高封裝效率，盡量接近1：1；

2、引腳要盡量短以減少延遲，引腳間的距離盡量遠(yuǎn)，以保證互不干擾，提高性能；

3、基于散熱的要求，封裝越薄越好。3、SIMM（單列直插存儲(chǔ)模塊） 體積小、重量輕，插在主板的專用插槽上。插槽上有防呆設(shè)計(jì)，能夠避免插反，而且插槽兩端有金屬卡子將它卡住，這便是現(xiàn)今內(nèi)存的雛形。其優(yōu)點(diǎn)在于使用了標(biāo)準(zhǔn)引腳設(shè)計(jì)，幾乎可以兼容所有的PC機(jī)。4、DIMM（雙列直插存儲(chǔ)模塊） 和SIMM相似，只是體積稍大。不同處在于SIMM的部分引腳前后連接在一起，而DIMM的每個(gè)引腳都是分開的，所以在電氣性能上有較大改觀，而且這樣可以不用把模塊做得很大就可以容納更多的針腳，從而容易得到更大容量的RAM。內(nèi)存條的幾種封裝形式1、FPMDRAM 這是一種在486時(shí)期被普遍應(yīng)用的內(nèi)存。72線、5V電壓、帶寬32bit、基本速度60ns以上。它的讀取周期是從DRAM陣列中某一行的觸發(fā)開始，然后移至內(nèi)存地址所指位置，即包含所需要的數(shù)據(jù)。第一條信息必須被證實(shí)有效后存至系統(tǒng)，才能為下一個(gè)周期作好準(zhǔn)備。這樣就引入了“等待狀態(tài)”，因?yàn)镃PU必須傻傻的等待內(nèi)存完成一個(gè)周期。2、EDODRAM EDODRAM（ExtendedDataOutputRAM），擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存。是Micron公司的專利技術(shù)。有72線和168線之分、5V電壓、帶寬32bit、基本速度40ns以上。傳統(tǒng)的DRAM和FPMDRAM在存取每一bit數(shù)據(jù)時(shí)必須輸出行地址和列地址并使其穩(wěn)定一段時(shí)間后，然后才能讀寫有效的數(shù)據(jù)，而下一個(gè)bit的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。EDODRAM不必等待資料的讀寫操作是否完成，只要規(guī)定的有效時(shí)間一到就可以準(zhǔn)備輸出下一個(gè)地址，由此縮短了存取時(shí)間，效率比FPMDRAM高20%—30%。二、內(nèi)存芯片類型內(nèi)存芯片類型3、SDRAM SDRAM，即SynchronousDRAM（同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器），它的工作速度是與系統(tǒng)總線速度同步的，也就是與系統(tǒng)時(shí)鐘同步，這樣就避免了不必要的等待周期，減少數(shù)據(jù)存儲(chǔ)時(shí)間。同步還使存儲(chǔ)控制器知道在哪一個(gè)時(shí)鐘脈沖期由數(shù)據(jù)請求使用，因此數(shù)據(jù)可在脈沖上升期便開始傳輸。SDRAM采用3.3伏工作電壓，168Pin的DIMM接口，帶寬為64位。SDRAM不僅應(yīng)用在內(nèi)存上，在顯存上也較為常見。4、DDRSDRAM SDRAM在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，它是在時(shí)鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸；而DDR內(nèi)存則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，因此稱為雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達(dá)到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。

1、在研制某一應(yīng)用系統(tǒng)的過程中，存儲(chǔ)監(jiān)控程序的存儲(chǔ)器應(yīng)選用（）A）RAMB）PROMC）EPROMD）ROM

解析：作為一個(gè)系統(tǒng)的監(jiān)控程序，它是管理該系統(tǒng)的系統(tǒng)程序，在工作過程中一般不會(huì)改變，即工作在只讀方式。因此要選用只讀存儲(chǔ)器來存放。但是在系統(tǒng)的研制過程中，對(duì)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)和功能經(jīng)常要進(jìn)行修改，相應(yīng)的監(jiān)控程序也要改變。為此應(yīng)選用能夠多次重寫的只讀存儲(chǔ)器。

PROM（ProgrammableRed-OnlyMemory）即“可編程只讀存儲(chǔ)器”。這樣的產(chǎn)品只允許寫入一次，所以也被稱為“一次可編程只讀存儲(chǔ)器”。PROM在出廠時(shí)，存儲(chǔ)的內(nèi)容全為1，用戶可以根據(jù)需要將其中的某些單元寫入數(shù)據(jù)0（部分的PROM在出廠時(shí)數(shù)據(jù)全為0，則用戶可以將其中的部分單元寫入1），以實(shí)現(xiàn)對(duì)其“編程”的目的。

EPROM（ErasableProgrammableRead-OnlyMemory）指的是“可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器”，即。它的特點(diǎn)是具有可擦除功能，擦除后即可進(jìn)行再編程EPROM可以使用紫外線照射，使其內(nèi)容消失，然后再寫入新的內(nèi)容。因此選（C）2、下列對(duì)DRAM和SRAM部分特點(diǎn)的描述中，正確的是（）

A）制造成本都很低B）集成度都很高

C）功耗都較大D）以上答案全錯(cuò)

3、下面關(guān)于DRAM和SRAM存儲(chǔ)器芯片的敘述中，錯(cuò)誤的是（）

①SRAM比DRAM存儲(chǔ)電路簡單

②SRAM比DRAM成本高

③SRAM比DRAM速度快

④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

解析：

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）具有電路簡單、集成度高、功耗低、制造成本低等特點(diǎn)，但存取速度較慢；

靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）具有工作速度快、使用方便、不需要刷新電路、可多次讀出等特點(diǎn)，但集成度較低、功耗較大、制造成本高。2題的答案為（D）3題的答案為：①、④4、下面敘述中錯(cuò)誤的是（）。

A）FlashROM在低電壓下，存儲(chǔ)信息可寫不可讀

B）EPROM常用于各種軟件的開發(fā)過程

C）ROM信息已固化，用戶不能進(jìn)行任何修改

D）PROM存儲(chǔ)信息在使用前有專門設(shè)備寫入

解析：

EEPROM與FLASHROM都統(tǒng)稱為程序存儲(chǔ)器。

EEPROM（ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory）即：“電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器”，它的最大優(yōu)點(diǎn)是可直接用電信號(hào)擦除和寫入。

FLASHROM即“閃存”，它在程序運(yùn)行的正常電壓（低電壓）下，只能讀不能寫；在需要時(shí)，加入一個(gè)較高的電壓就可以寫入或擦除。因此答案為（A）6、下面關(guān)于ROM的敘述中，錯(cuò)誤的是（）。

A）目前PC機(jī)上的ROMBIOS的存儲(chǔ)器載體是ROM類芯片

B）FlashROM芯片中的內(nèi)容在一定條件下是可以改寫的

C）EPROM芯片中的內(nèi)容一經(jīng)寫入便無法更改

D）EPROM、FlashROM芯片掉電后，存放在芯片中的內(nèi)容不會(huì)丟失

解析：

BIOS是BasicInput/OutputSystem（基本輸入/輸出系統(tǒng)）的簡稱，主要是指固化在計(jì)算機(jī)主板上ROM芯片中的一組程序，所以（A）是對(duì)的；

FlashROM（閃存）其實(shí)就是一種可快速讀寫的EEPROM，在某種低電壓下，它的內(nèi)容可讀不可寫，這是它類似于ROM；但在另外一種高電壓下，其內(nèi)部信息不但可以讀取，還可以更改和刪除，這時(shí)它又類似于RAM，所以（B）是對(duì)的；只讀存儲(chǔ)器EPROM和FlashROM芯片掉電后，存放在芯片中的內(nèi)容不會(huì)丟失，所以（D）是對(duì)的；EPROM可以由紫外線擦除，然后再使用專用設(shè)備寫入數(shù)據(jù)，因此（C）是錯(cuò)誤的7、目前流行的PC機(jī)主板上的ROMBIOS的存儲(chǔ)載體是（）

A）PROMB）EPROM C）FlashROMD）DRAM解析：

FlashROM是一種新型的非易失性存儲(chǔ)器，其中的內(nèi)容既不像RAM一樣需要電源支持才能保存，但又像RAM一樣具有可寫性。它的速度快，存儲(chǔ)量大，而且不易丟失數(shù)據(jù)，易于修改，因此廣泛用于主板的ROMBIOS以及其他ROM。因此答案選（C）8、下面是與ROMBIOS中的CMOSSETUP程序相關(guān)的敘述，其中錯(cuò)誤的是（）。

A）PC開機(jī)后，就像必須執(zhí)行ROMBIOS中的加電自檢與系統(tǒng)自舉裝入

程序一樣，也必須執(zhí)行CMOSSETOP程序；

B）CMOSRAM因掉電、病毒、放電等原因造成其內(nèi)容丟失或破壞時(shí)，

需執(zhí)行CMOSSETUP程序；

C）用戶希望更改或設(shè)置系統(tǒng)口令時(shí)，需執(zhí)行CMOSSETUP程序；

D）在系統(tǒng)自舉裝入程序執(zhí)行前，若按下某一熱鍵（如Del鍵），則可以

啟動(dòng)CMOSSETUP程序。

解析：PC開機(jī)后，在沒有進(jìn)入操作系統(tǒng)之前，當(dāng)我們按下Del鍵時(shí)，可以執(zhí) 行CMOSSETUP程序，并不是必須執(zhí)行的，所以（A）是錯(cuò)誤的，（D）是 正確的；

CMOSRAM因掉電、病毒、放電等原因造成其內(nèi)容丟失或破壞時(shí)，需 執(zhí)行CMOSSETUP程序，它可以讓用戶瀏覽并修改系統(tǒng)基本參數(shù)，如引導(dǎo) 設(shè)備的搜索順序、口令檢查方式等，所以（B）、（C）是正確的。9、下面四種PC機(jī)使用的DRAM內(nèi)存條中，速度最快的是（）

A）存儲(chǔ)器總線時(shí)鐘頻率為100MHz的SDRAM內(nèi)存條

B）存儲(chǔ)器總線時(shí)鐘頻率為133MHz的SDRAM內(nèi)存條

C）存儲(chǔ)器總線時(shí)鐘頻率為100MHz的DDRSDRAM內(nèi)存條

D）存儲(chǔ)器總線時(shí)鐘頻率為133MHz的DDRSDRAM內(nèi)存條

解析：SDRAM在一個(gè)存儲(chǔ)器總線時(shí)鐘周期中只能傳送一次數(shù)據(jù)；

DDRSDRAM在一個(gè)存儲(chǔ)器總線時(shí)鐘的上升和下降沿各能傳送一次數(shù) 據(jù)，因此DDRSDRAM的傳輸速度是相同時(shí)鐘頻率下SDRAM的兩倍。因此答案為（D）10、為提高PC機(jī)主存儲(chǔ)器的存取速度，出現(xiàn)了多種類型的DRAM內(nèi)存條。若按存取速度從低到高排列，正確的順序是（）

A）EDODRAM，SDRAM，RDRAM

B）EDODRAM，RDRAM，SDRAM

C）SDRAM，EDODRAM，RDRAM

D）RDRAM，EDODRAM，SDRAM

解析：DRAM也就是我們常說的內(nèi)存條。近幾年來，內(nèi)存條經(jīng)歷了從EDODRAM到目前流行的SDRAM和剛剛推出的RDRAM的發(fā)展歷程。

EDODRAM是擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出存儲(chǔ)器（ExtendedDataOutputDRAM）的簡稱。由于CPU訪問某一內(nèi)存單元后，很可能接著訪問與其相鄰的內(nèi)存單元。SDRAM是同步式DRAM（SynchronousDRAM）的簡稱。

EDODRAM的特點(diǎn)就是在每次訪問后，在把數(shù)據(jù)發(fā)送給CPU的同時(shí)去訪問下一個(gè)頁面，這樣就取消了頁面切換所需的額外時(shí)鐘周期，加速了對(duì)鄰近地址單元的訪問。其存取時(shí)間約為50－70ns。EDODRAM廣泛應(yīng)用于586微機(jī)中的主流配置。SDRAM同以前的DRAM有很大的區(qū)別，它在一個(gè)CPU時(shí)鐘周期內(nèi)即可完成數(shù)據(jù)的訪問和刷新，即可與CPU的時(shí)鐘同步工作，極大地提高了存儲(chǔ)器的存取速度。SDRAM采用了雙存儲(chǔ)體結(jié)構(gòu)，當(dāng)一個(gè)存儲(chǔ)體被CPU存取時(shí)，另一個(gè)存儲(chǔ)體就做好了準(zhǔn)備，兩個(gè)存儲(chǔ)體自動(dòng)切換。

SDRAM的工作頻率目前最大可達(dá)133MHz，存取時(shí)間約為6－10ns，是當(dāng)前PII／PIII微機(jī)中流行的標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存類型配置。

RDRAM（RambusDRAM）是由Rambus公司所開發(fā)的高速DRAM。RDRAM有兩種：一種是base/concurrentRDRAM；另一種是directRDRAM。

RDRAM的特點(diǎn)就是速度快，這也是它成為下一代內(nèi)存的原因。其中基于base的RDRAM的頻寬高達(dá)600MHz，而基于direct的RDRAM更是高達(dá)800MHz。也就是說，RDRAM的頻寬大于SDRAM的數(shù)倍。另外基于base的RDRAM的數(shù)據(jù)通道寬是8bit，基于direct的RDRAM的數(shù)據(jù)通道寬是16bit：基于base的RDRAM最大數(shù)據(jù)傳輸速率為：16bit/8×600MHz=600MB/s基于direct的RDRAM最大數(shù)據(jù)傳輸速率為：16bit/8×800MHz=1.6GB/s。作業(yè)：P2385-25-3半導(dǎo)體存儲(chǔ)器基本原理一個(gè)存儲(chǔ)器就象一個(gè)個(gè)的小抽屜，一個(gè)小抽屜里有八個(gè)小格子，每個(gè)小格子就是用來存放“電荷”的，電荷通過與它相連的電線傳進(jìn)來或釋放掉存儲(chǔ)器中的每個(gè)小抽屜就是一個(gè)放數(shù)據(jù)的地方，我們稱之為一個(gè)“單元”。要放進(jìn)一個(gè)數(shù)據(jù)12，也就是00001100，我們只要把第二號(hào)和第三號(hào)小格子里存滿電荷，而其它小格子里的電荷給放掉就行了。4321076543210765磁性介質(zhì)存儲(chǔ)器原理 磁性介質(zhì)存儲(chǔ)器的工作原理是利用特定的磁粒子的極性來記錄數(shù)據(jù)。磁頭在讀取數(shù)據(jù)時(shí)，將磁粒子的不同極性轉(zhuǎn)換成不同的電脈沖信號(hào)，再利用數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器將這些原始信號(hào)變成電腦可以使用的數(shù)據(jù)，寫的操作正好與此相反。硬盤工作演示光電存儲(chǔ)器原理 光盤是用極薄的鋁質(zhì)或金質(zhì)音膜加上聚氯乙烯塑料保護(hù)層制作而成的。光盤與軟盤和硬盤一樣，光盤也能以二進(jìn)制數(shù)據(jù)(由“0”和“1”組成的數(shù)據(jù)模式)的形式存儲(chǔ)文件和音樂信息。要在光盤上存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，首先必須借助電腦將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成二進(jìn)制，然后用激光將數(shù)據(jù)模式灼刻在扁平的、具有反射能力的盤片上。激光在盤片上刻出的小坑代表“1”，空白處代表“0”。

在從光盤上讀取數(shù)據(jù)的時(shí)候，定向光束(激光)在光盤的表面上迅速移動(dòng)。從光盤上讀取數(shù)據(jù)的電腦或激光唱機(jī)，觀察激光經(jīng)過的每一個(gè)點(diǎn)，以確定它是否反射激光，如果它不反射激光(那里有一個(gè)小坑)，那么電腦就知道它代表一個(gè)“1”，如果激光被反射回來，電腦就知道這個(gè)點(diǎn)是一個(gè)“0”，然后，這些成千上萬、或者數(shù)以百萬計(jì)的“l(fā)”和“0”又被電腦或激光唱機(jī)恢復(fù)成音樂、文件或程序。一、存儲(chǔ)器容量 在微型計(jì)算機(jī)中，存儲(chǔ)器以字節(jié)為單元。每個(gè)單元包含8位二進(jìn)制數(shù)，也就是一個(gè)字節(jié)。存儲(chǔ)器的容量指的是存儲(chǔ)器所能容納的最大字節(jié)數(shù)。由于存儲(chǔ)容量一般都很大，因此常以KB、MB或GB為單位。目前高檔微型計(jì)算機(jī)的內(nèi)存容量一般為32MB～4GB。存儲(chǔ)器容量越大，存儲(chǔ)的信息量也就越大，計(jì)算機(jī)運(yùn)行的速度也就越快。

存儲(chǔ)一位二進(jìn)制信息的單元稱為一個(gè)基本單元（存儲(chǔ)細(xì)胞）。對(duì)于32MB的存儲(chǔ)器，其內(nèi)部有32M×8個(gè)基本單元。存儲(chǔ)器芯片多為×8結(jié)構(gòu)，稱為字節(jié)單元。也有×1，