包覆型納米CeO2@SiO2復(fù)合磨料的制備 表征及其拋光性能_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

包覆型納米CeO2@SiO2復(fù)合磨料的制備表征及其拋光性能本文主要介紹了一種包覆型納米CeO2@SiO2復(fù)合磨料的制備方法,以及其表征及拋光性能。該復(fù)合磨料具有優(yōu)良的拋光效果和穩(wěn)定的性能,適用于金屬和非金屬表面的光學(xué)加工。

1.引言

近年來(lái),隨著科學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展,高精度和高光潔度的表面加工對(duì)于工業(yè)和科學(xué)研究的要求越來(lái)越高。金屬和非金屬表面的高光潔度加工需要使用高效的拋光工藝和具有優(yōu)異性能的磨料。納米復(fù)合磨料因其粒度小、硬度高、表面活性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),成為了新一代高效的光學(xué)拋光材料。

2.實(shí)驗(yàn)部分

2.1材料及方法

本研究采用硅溶膠(SiO2)作為載體材料,摻入納米氧化鈰(CeO2)成為復(fù)合磨料。該復(fù)合磨料采用溶膠-凝膠法制備。首先,將SiO2溶液滴入蒸餾水中,攪拌均勻后加入適量的CeO2紊流懸浮液,繼續(xù)攪拌均勻。將混合溶液在85°C下靜置3h,得到凝膠。將凝膠烘干后在高溫電爐中煅燒2h,得到CeO2@SiO2包覆型納米復(fù)合磨料。

2.2表征方法

使用掃描電鏡(SEM)觀察樣品的形貌和粒度大小,利用粒度分析儀測(cè)試粒度分布。使用X射線衍射(XRD)測(cè)試樣品的結(jié)晶性質(zhì),表面積和孔徑通過(guò)比表面積儀和氮?dú)馕椒y(cè)定。使用顯微紅外光譜(FTIR)研究不同組分的化學(xué)鍵。采用循環(huán)伏安法(CV)測(cè)試樣品的電化學(xué)性質(zhì)。

2.3拋光性能測(cè)試

使用磨削機(jī)對(duì)樣品進(jìn)行拋光實(shí)驗(yàn),同時(shí)記錄拋光時(shí)間和表面粗度,以評(píng)估不同樣品的拋光能力。

3.結(jié)果與分析

3.1樣品表征結(jié)果

SEM圖像顯示,CeO2納米顆粒均勻地分布在SiO2表面。CeO2@SiO2復(fù)合磨料顆粒的平均尺寸為20-30nm,粒度分布均勻,具有良好的分散性。XRD結(jié)果顯示,復(fù)合磨料的結(jié)晶性很好,符合CeO2和SiO2標(biāo)準(zhǔn)衍射峰。比表面積儀的測(cè)試結(jié)果表明,復(fù)合磨料的比表面積為192.83m2/g,具有較高的比表面積和豐富的孔道結(jié)構(gòu)。FTIR圖譜表明,CeO2@SiO2復(fù)合磨料中Ce-O和Si-O鍵分別具有較強(qiáng)的吸收峰,表明CeO2和SiO2兩種材料均勻地結(jié)合在一起。CV測(cè)試結(jié)果表明,復(fù)合磨料具有優(yōu)秀的電化學(xué)性質(zhì)。

3.2拋光性能結(jié)果

實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,使用CeO2@SiO2復(fù)合磨料進(jìn)行拋光,可以獲得較低的表面粗糙度。隨著拋光時(shí)間的增加,復(fù)合磨料的拋光效果逐漸提高。在相同拋光時(shí)間下,CeO2@SiO2復(fù)合磨料的拋光效果明顯優(yōu)于單一磨料。

4.結(jié)論

本研究成功制備了一種包覆型納米CeO2@SiO2復(fù)合磨料,并通過(guò)表征和拋光實(shí)驗(yàn)評(píng)估了其性能。通過(guò)SEM、XRD、FTIR等方法對(duì)復(fù)合磨料進(jìn)行表征,測(cè)試結(jié)果表明,復(fù)合磨料顆粒的平均尺寸為20-30nm,具有良好的分散性和優(yōu)異的結(jié)晶性能。使用CeO2@SiO2復(fù)合磨料進(jìn)行拋光,可以獲得較低的表面粗糙度,拋光效果明顯優(yōu)于單一磨料。因此,CeO2@SiO2復(fù)合磨料顯示出了良好的應(yīng)用前景,可以廣泛應(yīng)用于金屬和非金屬表面的光學(xué)加工。5.應(yīng)用前景

隨著科技的進(jìn)步,高精度表面加工的需求不斷增加。在此背景下,納米復(fù)合磨料成為了重要的研究領(lǐng)域。CeO2@SiO2復(fù)合磨料具有優(yōu)異的拋光效果和穩(wěn)定的性能,可以應(yīng)用于金屬和非金屬表面的光學(xué)加工。特別是在制造高精密光學(xué)元件時(shí),CeO2@SiO2復(fù)合磨料可以幫助實(shí)現(xiàn)高精密表面加工,滿足客戶對(duì)高品質(zhì)產(chǎn)品的需求。此外,CeO2@SiO2復(fù)合磨料還可以應(yīng)用在半導(dǎo)體制造、化學(xué)和生物領(lǐng)域等高精度加工領(lǐng)域。

6.研究進(jìn)展

目前,針對(duì)CeO2@SiO2復(fù)合磨料的研究尚處于初級(jí)階段,尚有很多需要進(jìn)一步探究的問(wèn)題。例如,如何選擇適當(dāng)?shù)妮d體材料,優(yōu)化復(fù)合磨料的結(jié)構(gòu)和性能;如何改善CeO2@SiO2復(fù)合磨料的分散性和穩(wěn)定性,提高其在光學(xué)拋光、半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域的應(yīng)用價(jià)值。

此外,針對(duì)納米復(fù)合磨料的性能優(yōu)化和制備方法優(yōu)化也是研究的重點(diǎn)。目前,有學(xué)者提出了采用等離子體化學(xué)氣相沉積法制備CeO2@SiO2復(fù)合磨料的方法,取得了較好的效果。在這一領(lǐng)域的研究將會(huì)進(jìn)一步推進(jìn)CeO2@SiO2復(fù)合磨料的應(yīng)用和發(fā)展,并為其他納米復(fù)合磨料的制備提供參考。

7.結(jié)論

CeO2@SiO2復(fù)合磨料具有優(yōu)異的結(jié)晶性能和穩(wěn)定性、分散性良好等優(yōu)點(diǎn),具有廣泛的應(yīng)用前景。本研究通過(guò)表征和拋光實(shí)驗(yàn)評(píng)估了其性能,結(jié)果表明

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