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肖特基整流橋行業(yè)需求與投資預測報告

超過90%的規(guī)模以上生產(chǎn)企業(yè)應用了過程控制系統(tǒng)(PCS),生產(chǎn)過程基本實現(xiàn)了自動化控制。生產(chǎn)優(yōu)化系統(tǒng)(APC)、生產(chǎn)制造執(zhí)行(MES)、企業(yè)資源計劃管理系統(tǒng)(ERP)也已在企業(yè)中大范圍應用,生產(chǎn)效率進一步提高。石化、輪胎、化肥、煤化工、氯堿、氟化工等行業(yè)率先開展智能制造試點示范。十三五時期是我國石化和化學工業(yè)轉型升級、邁入制造強國的關鍵時期,行業(yè)發(fā)展面臨的環(huán)境嚴峻復雜,有利條件和制約因素相互交織,增長潛力和下行壓力同時并存。強化危化品安全管理加強產(chǎn)業(yè)發(fā)展與城市建設的規(guī)劃銜接,優(yōu)化危險化學品規(guī)劃與布局,推進城鎮(zhèn)人口密集區(qū)危險化學品生產(chǎn)企業(yè)搬遷改造。加快淘汰高風險產(chǎn)品及工藝,提高危險工藝的自動化控制水平和企業(yè)安全管理水平。實施全球化學品統(tǒng)一分類和標簽制度(GHS),建立全產(chǎn)業(yè)鏈的危險化學品安全監(jiān)管綜合信息平臺,啟動危險化學品全生命周期管理試點,提升危險化學品本質安全水平。半導體分立器件行業(yè)的競爭格局相較于國際半導體行業(yè)集中度較高、技術創(chuàng)新能力強等特點,我國半導體分立器件制造行業(yè)起步晚,并受制于國際半導體企業(yè)嚴密的技術封鎖,只能依靠自主創(chuàng)新,逐步提升行業(yè)的國產(chǎn)化程度。國際大型半導體企業(yè)如意法半導體、威世半導體、新電元、達爾科技、安森美等在我國市場上處于優(yōu)勢地位,構成我國半導體分立器件市場競爭中的第一梯隊。通過長期技術積累,少數(shù)國內半導體企業(yè)已經(jīng)突破了部分半導體分立器件芯片技術的瓶頸,芯片的研發(fā)設計制造能力不斷提高,品牌知名度和市場影響力日益凸顯,盈利能力也明顯增強,形成我國半導體分立器件市場競爭中的第二梯隊。我國功率半導體分立器件制造行業(yè)的第三梯隊主要由大量的器件封裝企業(yè)組成,由于缺乏芯片設計制造能力,第三梯隊在我國半導體分立器件市場上的利潤空間低,競爭比較激烈。與國內半導體分立器件行業(yè)集中度較低的發(fā)展現(xiàn)狀不同,以歐美為主的國外半導體分立器件行業(yè)經(jīng)過近60多年發(fā)展已經(jīng)進入集中度較高的發(fā)展階段。從市場集中度來看,全球穩(wěn)定市場份額下的前十名分立器件廠商市場集中度超過50%,而這些前十名廠商無論在技術及研發(fā)實力、人才儲備、資金實力等各方面都形成了明顯的競爭優(yōu)勢。中國作為全球最大的新興市場,國際廠商十分重視中國市場帶來的發(fā)展機遇,不斷增加研發(fā)、技術、資本和人員投入,進行營銷網(wǎng)絡和市場布局,目前國際廠商仍占據(jù)中國分立器件市場的優(yōu)勢地位。國內行業(yè)領先企業(yè)通過持續(xù)自主創(chuàng)新和技術升級推動產(chǎn)品升級,與國際廠商展開競爭,并憑借銷售渠道和成本競爭力在傳統(tǒng)二極管、三極管、整流橋等產(chǎn)品領域及消費電子、指示燈/顯示屏、照明等細分下游應用領域取得了一定的市場競爭優(yōu)勢,企業(yè)規(guī)模持續(xù)擴大。在這些細分領域進口的趨勢已經(jīng)逐步呈現(xiàn),行業(yè)集中度也將進一步提升,國內龍頭廠商市場份額將進一步擴大。規(guī)范化工園區(qū)建設加強化工園區(qū)的規(guī)劃建設,科學布局化工園區(qū)。建立化工園區(qū)規(guī)范建設評價標準體系,開展現(xiàn)有化工園區(qū)的清理整頓,對不符合規(guī)范要求的化工園區(qū)實施改造提升或依法退出。開展化工園區(qū)和涉及危險化學品重大風險功能區(qū)區(qū)域定量風險評估,科學確定區(qū)域風險等級和風險容量。支持化工園區(qū)開展智慧化工園區(qū)試點。半導體分立器件行業(yè)特點(一)半導體分立器件行業(yè)技術特點半導體分立器件的技術涵蓋電氣工程中的眾多領域,不同領域知識的結合促進行業(yè)交叉邊緣新技術的不斷發(fā)展,并帶來廣闊的發(fā)展前景。隨著終端產(chǎn)品的整體技術水平要求越來越高,功率半導體分立器件技術也在市場的推動下不斷向前發(fā)展,CAD設計、離子注入、濺射、多層金屬化、亞微米光刻等先進工藝技術已應用到分立器件生產(chǎn)中,行業(yè)內產(chǎn)品的技術含量日益提高、制造難度也相應增大。目前日本和美國等發(fā)達國家的功率器件領域,很多VDMOS(功率場效應管)、IGBT產(chǎn)品已采用VLSI(超大規(guī)模集成電路)的微細加工工藝進行制作,生產(chǎn)線已大量采用8英寸、0.18微米工藝技術,大大提高了功率半導體分立器件的性能。產(chǎn)品性能提高的同時,半導體分立器件的產(chǎn)品鏈也在不斷延伸和拓寬。現(xiàn)代功率半導體分立器件向大功率、易驅動和高頻化方向發(fā)展。晶閘管、MOSFET和IGBT在其各自領域實現(xiàn)技術和性能的不斷突破,每類產(chǎn)品系列的規(guī)格、型號和種類愈加豐富。同時,新型產(chǎn)品如結合晶體管和晶閘管優(yōu)點的集成門極換流晶閘管(IGCT)及碳化硅、氮化鎵等寬禁帶功率半導體分立器件陸續(xù)被研發(fā)面世,并開始產(chǎn)業(yè)化應用,應用領域也滲透到能源技術、激光技術等前沿領域。我國半導體分立器件行業(yè)的整體技術水平仍落后于日本、韓國、美國和歐洲,國內產(chǎn)品種類較為單一,以硅基二極管、三極管和晶閘管為主,MOSFET、IGBT等產(chǎn)品近年才有所發(fā)展。目前,我國半導體分立器件制造企業(yè)通過持續(xù)的引進消化吸收再創(chuàng)新以及自主創(chuàng)新,產(chǎn)品技術含量及性能水平已有大幅提高。部分優(yōu)質企業(yè)在功率二極管及整流橋領域的技術工藝水平已經(jīng)達到或接近國際先進水平,并憑借其成本、技術優(yōu)勢逐步實現(xiàn)進口替代。但在部分高端產(chǎn)品領域,目前國內生產(chǎn)技術與國外先進水平尚存在一定的差距。(二)半導體分立器件行業(yè)周期性,季節(jié)性,區(qū)域性特征1、半導體分立器件行業(yè)周期性半導體分立器件作為基礎性的功能元器件,應用涵蓋了消費電子、LED照明、智能電網(wǎng)、汽車電子、計算機及外設、網(wǎng)絡通訊等眾多下游領域。隨著半導體分立器件行業(yè)新型技術特征的發(fā)展,其應用領域將不斷擴大。由于半導體分立器件所服務的行業(yè)領域較為廣泛,具體受下游單一行業(yè)周期性變化影響不顯著,但與整體宏觀經(jīng)濟景氣度具有一定的關聯(lián)性。2、半導體分立器件行業(yè)季節(jié)性由于半導體分立器件應用領域廣泛,下游客戶季節(jié)性需求呈現(xiàn)此消彼長的動態(tài)均衡,行業(yè)的季節(jié)性特征不明顯,但是第一季度受到春節(jié)假期的影響,工廠開工時間較短,故第一季度銷售較全年比重往往相對較小。3、半導體分立器件行業(yè)區(qū)域性國內半導體分立器件的生產(chǎn)及研發(fā)主要集中在經(jīng)濟較為發(fā)達、工業(yè)基礎配套完善的區(qū)域。經(jīng)過多年發(fā)展,我國已形成了三大電子信息產(chǎn)業(yè)集聚區(qū),即以江浙滬為中心的長江三角洲地區(qū),以廣州、深圳為龍頭的珠江三角洲地區(qū)以及以北京、天津為軸線的環(huán)渤海灣地區(qū)。實施創(chuàng)新驅動戰(zhàn)略完善以企業(yè)為主體、市場為導向、產(chǎn)學研用相結合的產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新體系,加強產(chǎn)學研用縱向合作,強化工藝技術、專用裝備和信息化技術的橫向協(xié)同,大力推進集成創(chuàng)新,構建一批有影響力的產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟。在化工新材料、精細化學品、現(xiàn)代煤化工等重點領域建成國家和行業(yè)創(chuàng)新平臺。圍繞滿足國家重大工程及國計民生重大需求,支持開展互聯(lián)網(wǎng)雙創(chuàng)平臺建設,著力突破一批共性關鍵技術和成套裝備。加快化工新材料等新產(chǎn)品的應用技術開發(fā),注重與終端消費需求結合,加快培育新產(chǎn)品市場。加強知識產(chǎn)權保護,加大人才培養(yǎng)和引進,營造大眾創(chuàng)業(yè)、萬眾創(chuàng)新的良好社會氛圍。需求預測十三五期間,在穩(wěn)步推進新型城鎮(zhèn)化和消費升級等因素的拉動下,石化化工產(chǎn)品市場需求仍將保持較快增長。2015年我國城鎮(zhèn)化率約為56%,預計到2020年將超過60%,超過5000萬人將從農村走向城市,新型城鎮(zhèn)化和消費升級將極大地拉動基礎設施和配套建設投資,促進能源、建材、家電、食品、服裝、車輛及日用品的需求增加,進而拉動石化化工產(chǎn)品需求持續(xù)增長。同時,2020年我國將全面建成小康社會,居民人均收入將比2010年翻一番,社會整體消費能力將增長120%以上,居民消費習慣也將從溫飽型向發(fā)展型轉變,對綠色、安全、高性價比的高端石化化工產(chǎn)品的需求增速將超過傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)。半導體分立器件行業(yè)發(fā)展趨勢信息產(chǎn)業(yè)數(shù)字化、智能化、網(wǎng)絡化的不斷推進,新材料(如GaN、AlN、SiC、SiGe、銻化物、金剛石、有機材料等)和新技術(如微納米、MEMS、碳納米管等)的不斷涌現(xiàn),都將對半導體分立器件未來的發(fā)展產(chǎn)生深遠的影響,將會從不同的側面促進半導體分立器件向高頻、寬帶、高速、低噪聲、大功率、大電流、高線性、大動態(tài)范圍、高效率、高亮度、高靈敏度、低功耗、低成本、高可靠、微小型等方面快速發(fā)展。此外,隨著智能移動終端、5G網(wǎng)絡、物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車、大數(shù)據(jù)、人工智能等新興行業(yè)的發(fā)展,新型半導體分立器件也將不斷涌現(xiàn)。當前半導體分立器件產(chǎn)業(yè)正在發(fā)生深刻的變革,其中新材料成為產(chǎn)業(yè)新的發(fā)展重心。以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料為代表的新材料半導體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優(yōu)異的性能而受到行業(yè)關注,有望成為新型的半導體材料。SiC、GaN等半導體材料屬于新興領域,具有極強的應用戰(zhàn)略性和前瞻性。目前美歐、日韓及中國臺灣等地區(qū)已經(jīng)實現(xiàn)SiC、GaN等新材料半導體功率器件的量產(chǎn)。新材料半導體的涌現(xiàn)將不斷提升半導體器件的性能,使得產(chǎn)品能夠滿足更多應用領域的需求。對國內市場而言,功率二極管、功率三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實現(xiàn)國產(chǎn)化,而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品,尤其是高功率器件,由于其技術及工藝的先進性,還較大程度上依賴進口,未來進口替代空間巨大。目前,國內行業(yè)內企業(yè)通過多年的技術和資本積累,依托國家產(chǎn)業(yè)政策的重點扶持,也已開始布局新型半導體材料領域,并取得了一定成效。未來伴隨著移動智能終端、5G網(wǎng)絡、物聯(lián)網(wǎng)、新能源、AR/VR等新興行業(yè)的發(fā)展,新型半導體分立器件將不斷涌現(xiàn),在替代原有市場應用的同時,將持續(xù)開拓新興應用領域。同時,為了使現(xiàn)有半導體分立器件能適應市場需求的快速變化,需要采用新技術、開發(fā)新的應用材料、繼續(xù)優(yōu)化完善結構設計、制造工藝和封裝技術等,提高器件的性能。此外,下游電子信息產(chǎn)品小型化、智能化發(fā)展趨勢,必然要求內嵌其中的半導體分立器件等關鍵零部件盡可能小型化、微型化以及多功能化。為適應整機裝配效率和提高整機性能可靠性、穩(wěn)定性的要求,半導體分立器件將趨于體積小型化、組裝模塊化、功能系統(tǒng)化。半導體分立器件產(chǎn)業(yè)鏈主要包含器件及芯片設計、芯片制造、封裝測試三大工藝環(huán)節(jié),根據(jù)所涉及經(jīng)營環(huán)節(jié)的不同,半導體分立器件制造業(yè)的經(jīng)營模式分為縱向一體化(IDM)以及垂直分工兩種。由于分立器件在投資規(guī)模方面采用IDM模式具備經(jīng)濟效益上的較強可行性,同時半導體分立器件的產(chǎn)品設計和生產(chǎn)工藝都對產(chǎn)品性能產(chǎn)生較大影響,對企業(yè)設計與工藝結合能力要求較高,業(yè)內領先企業(yè)一般沿著原有業(yè)務進行產(chǎn)業(yè)鏈延伸,逐步完善IDM模式發(fā)展。由于不同企業(yè)的發(fā)展歷程及技術優(yōu)勢不同,分立器件行業(yè)發(fā)展IDM模式有兩種典型路徑:一類是以芯片技術為基礎的企業(yè),該類企業(yè)通常在特定品種的分立器件擁有較強的競爭優(yōu)勢,為客戶提供自主芯片對應的分立器件,在發(fā)展過程中逐步補強封測技術和產(chǎn)能。另一類是以封測技術為基礎的企業(yè),該類企業(yè)具備多品種、多規(guī)格的產(chǎn)品系列,可以為客戶提供一站式采購服務,在發(fā)展過程中不斷發(fā)展芯片技術和產(chǎn)能。促進傳統(tǒng)行業(yè)轉型升級嚴格控制尿素、磷銨、電石、燒堿、聚氯乙烯、純堿、黃磷等過剩行業(yè)新增產(chǎn)能,對符合政策要求的先進工藝改造提升項目應實行等量或減量置換。探索建立落后產(chǎn)能法制化、市場化退出機制,引導企業(yè)開展并購重組,發(fā)揮市場優(yōu)勝劣汰的競爭機制和倒逼機制,

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