刻蝕設(shè)備投資策略最優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體設(shè)備賽道技術(shù)政策需求多棲驅(qū)動(dòng)

刻蝕設(shè)備投資策略-最優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體設(shè)備賽道技術(shù)政策需求多棲驅(qū)動(dòng)1、半導(dǎo)體刻蝕：占比較高的關(guān)鍵晶圓制造步驟1.1

刻蝕是半導(dǎo)體制造三大步驟之一刻蝕已經(jīng)成為半導(dǎo)體晶圓制造中的關(guān)鍵步驟，在半導(dǎo)體制造中重要性凸顯。

半導(dǎo)體制造主要步驟包括光刻、刻蝕、以及薄膜沉積三大步驟，并且不斷循環(huán)

進(jìn)行，以構(gòu)造出復(fù)雜精細(xì)的電路結(jié)構(gòu)。而這三個(gè)環(huán)節(jié)工藝的先進(jìn)程度也直接決

定了晶圓廠生產(chǎn)高制程產(chǎn)品的能力，以及芯片的應(yīng)用性能?？涛g是利用化學(xué)或者物理的方法將晶圓表面附著的不必要的材質(zhì)進(jìn)行去

除的過程?？涛g工藝順序位于鍍膜和光刻之后，即在晶圓上先將用于刻畫電路

的材料進(jìn)行薄膜沉積，其上沉積光刻膠。然后根據(jù)掩膜版的電路設(shè)計(jì)，通過光

照對晶圓進(jìn)行光刻，受光刺激的光刻膠留存，其他地方則將需要刻蝕的材料暴

露在外，該步驟稱作顯影。隨后即利用刻蝕步驟，對暴露在外的材質(zhì)進(jìn)行去除，

留下晶圓所需要的材質(zhì)和附著在其上的光刻膠，然后再將光刻膠通過刻蝕去除。

此后多次重復(fù)上述步驟，得到構(gòu)造復(fù)雜的集成電路?？涛g的材質(zhì)包括硅及硅化物、氧化硅、氮化硅、金屬及合金、光刻膠等。

通過有針對性的對特定材質(zhì)進(jìn)行刻蝕，才能使得晶圓制造不同的步驟所制造的

電路之間相互影響降至最低，使芯片產(chǎn)品具有良好的性能。1.2

干法刻蝕優(yōu)勢顯著，已成為主流刻蝕技術(shù)按照刻蝕工藝劃分，其主要分為干法刻蝕以及濕法刻蝕。干法刻蝕占主導(dǎo)

地位。干法刻蝕主要利用反應(yīng)氣體與等離子體進(jìn)行刻蝕，利用等離子體與表面薄膜反應(yīng)，形成揮發(fā)性物質(zhì)，或者直接轟擊薄膜表面市值被腐蝕的工藝。干法

刻蝕的最大優(yōu)勢在于能夠?qū)崿F(xiàn)各向異性刻蝕，即刻蝕時(shí)可控制僅垂直方向的材

料被刻蝕，而不影響橫向材料，從而保證細(xì)小圖形轉(zhuǎn)移后的保真性。因此在小

尺寸的先進(jìn)工藝中，已經(jīng)基本采用干法刻蝕工藝。濕法刻蝕工藝主要是將刻蝕

材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕，該刻蝕方法會導(dǎo)致材料的橫向縱向同時(shí)腐蝕，

會導(dǎo)致一定的線寬損失。因此，濕法刻蝕由于可是方向的不可控性，導(dǎo)致其在高制程很容易降低線

寬寬度，甚至破壞線路本身設(shè)計(jì)，導(dǎo)致生產(chǎn)芯片品質(zhì)變差。目前來看，干法刻

蝕在半導(dǎo)體刻蝕中占據(jù)絕對主流低位，市場占比達(dá)到

90%。1.3

刻蝕機(jī)主要分類：電容電感兩種方式，優(yōu)勢互補(bǔ)刻蝕按照被刻蝕材料劃分，主要分為硅刻蝕、介質(zhì)刻蝕以及金屬刻蝕。不

同的刻蝕材質(zhì)其所使用的的刻蝕機(jī)差距較大。干法刻蝕的刻蝕機(jī)的等離子體生

成方式包括

CCP（電容耦合）以及

ICP（電感耦合）。而由于不同方式技術(shù)特點(diǎn)

的不同，他們在下游擅長的應(yīng)用領(lǐng)域上也有區(qū)分。CCP技術(shù)能量較高、但可調(diào)節(jié)性差，適合刻蝕較硬的介質(zhì)材料（包括金屬）；ICP能量低但可控性強(qiáng)，適合

刻蝕單晶硅、多晶硅等硬度不高或較薄的材料。從下游半導(dǎo)體行業(yè)刻蝕機(jī)的需求來看，介質(zhì)刻蝕機(jī)與硅刻蝕機(jī)需求場景較

多，因此占比較高，其中，介質(zhì)刻蝕與硅刻蝕機(jī)分別占比

49%以及

48%，金屬

刻蝕占比較低，僅為

3%。1.4

刻蝕機(jī)近年來增速較快刻蝕機(jī)作為重要的半導(dǎo)體加工設(shè)備之一，在半導(dǎo)體晶圓廠資本開支中占比

較高。目前來看，刻蝕機(jī)資本開支占比達(dá)到

22%，已經(jīng)與光刻機(jī)同處在第一梯

隊(duì)，而光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備三大設(shè)備合計(jì)占比高達(dá)

64%。

近年來全球刻蝕機(jī)市場規(guī)模有顯著提升。2018

年，全球刻蝕機(jī)市場規(guī)模達(dá)

到

103

億美元，同比增長

11.96%。而

2016

年行業(yè)整體規(guī)模為

63

億美元。近兩

年行業(yè)規(guī)模增長

40

億美元，主要有幾方面原因：第一，全球半導(dǎo)體產(chǎn)線資本

開支提升，尤其是我國近年來建設(shè)大量晶圓廠以及存儲產(chǎn)線，帶來大量刻蝕機(jī)

需求；第二，制程提升帶動(dòng)刻蝕機(jī)加工時(shí)長提升，對刻蝕機(jī)本身需求增長。2.

工藝升級帶動(dòng)刻蝕機(jī)用量增長，技術(shù)壁壘極高2.1

制程升級帶動(dòng)刻蝕機(jī)使用提升從近年來各主要半導(dǎo)體設(shè)備資本開支量占比來看，刻蝕機(jī)份額占比有顯著

提升。在

2010

年之前，刻蝕機(jī)資本開支占比一直維持在

15%左右，而進(jìn)入

2011

年以后，隨著制程的持續(xù)升級，刻蝕機(jī)資本開支占比也有顯著提升。2017

年，

刻蝕設(shè)備的半導(dǎo)體產(chǎn)線資本開支占比突破

20%，而隨著光刻機(jī)占比的下降，目

前來看，光刻機(jī)與刻蝕機(jī)的整體資本開支差距不大，兩者合計(jì)資本開支占到半

導(dǎo)體產(chǎn)線整體資本開支的將近一半。而刻蝕機(jī)近年來占比的持續(xù)提升，則主要

由于晶圓代工廠制程升級帶來的工藝變化以及存儲設(shè)備刻蝕步驟大幅提升所

導(dǎo)致。2.1.1

晶圓代工制程升級帶動(dòng)刻蝕加工需求顯著增長近年來晶圓代工廠制程持續(xù)提升。目前來看，全球最先進(jìn)的量產(chǎn)工藝已經(jīng)

達(dá)到

5nm制程，在

2020

年基本可實(shí)現(xiàn)

5nm量產(chǎn)制程，等主流手機(jī)

廠商的最新款旗艦手機(jī)搭載

5nm制程芯片。而除臺積電和三星以外，格羅方德、

、也基本已經(jīng)將量產(chǎn)制程提升至

14nm左右，中芯國際繼續(xù)向

7nm追趕。從晶圓代工廠角度，摩爾定律仍然有效，更高階制程依然在研發(fā)中。臺積

電正在向

3nm及更高端制程進(jìn)行研發(fā)，3nm預(yù)計(jì)于明年進(jìn)行量產(chǎn)，而

2nm的研

發(fā)也在順利進(jìn)行中。整體來看，14nm及以下高階制程越來越成熟，未來的市場

份額將持續(xù)提升，帶動(dòng)高階制程相關(guān)工藝的滲透加速。根據(jù)披露的高階制程刻蝕工藝來看，由于光刻機(jī)在

20nm以下光

刻步驟收到光波長度的限制，因此無法直接進(jìn)行光刻與刻蝕步驟，而是通過多

次光刻、刻蝕生產(chǎn)出符合人們要求的更微小的結(jié)構(gòu)。目前普遍采用多重模板工

藝原理，

即通過多次沉積、刻蝕等工藝，實(shí)現(xiàn)

10nm線寬的制程。根據(jù)相關(guān)數(shù)

據(jù)，14nm制程所需使用的刻蝕步驟達(dá)到

64

次，較

28nm提升

60%；7nm制程所

需刻蝕步驟更是高達(dá)

140

次，較

14nm提升

118%。另外，芯片線寬的縮小對刻蝕本身的精確度以及重復(fù)性有了更為嚴(yán)苛的要

求。多次刻蝕要求每一個(gè)步驟的精確度足夠高，才能使得整體生產(chǎn)的良率保持

在可接受范圍內(nèi)，因此除了對于刻蝕整體步驟數(shù)有明顯增加外，還對每一步的

刻蝕質(zhì)量有了更高的要求。因此，整體看，摩爾定律持續(xù)演進(jìn)，高端制程占比持續(xù)提升的大背景下，

晶圓廠對于刻蝕本身的資本開支也在大幅提升，在整體制造工藝未發(fā)生較大變

化的情況下，晶圓代工廠中刻蝕設(shè)備的占比將持續(xù)提升。2.1.2

存儲工藝革新帶動(dòng)刻蝕需求提升刻蝕工藝在存儲設(shè)備生產(chǎn)中的重要性凸顯。根據(jù)

2019

年全球刻蝕機(jī)龍頭

LamResearch披露的收入數(shù)據(jù)，其存儲客戶貢獻(xiàn)收入高達(dá)三分之二，這也表明

存儲中刻蝕設(shè)備的重要性。存儲產(chǎn)品中，DRAM以及

NANDFlash是目前應(yīng)用最

廣的產(chǎn)品，市場規(guī)模巨大。整體來看，存儲器的生產(chǎn)雖然無需最先進(jìn)的制程，

但是工藝也已經(jīng)演進(jìn)到

1Xnm、1Ynm甚至

1Znm的工藝。例如全球

DRAM龍頭

美光目前已經(jīng)量產(chǎn)

1Ynm（14nm-16nm），之后也將拓展

1Znm以及更高端的制程，

這將帶來類似于晶圓代工廠一樣的情形，即刻蝕加工次數(shù)與單次加工質(zhì)量要求

明顯提升。另外

NANDFlash在經(jīng)過長期技術(shù)工藝進(jìn)步后，現(xiàn)在已經(jīng)進(jìn)入

3DNAND時(shí)代，3DNAND采用將存儲單元立體堆疊的方式，使得儲存能力提升明顯，而

其技術(shù)復(fù)雜程度較

2D有顯著提升。3DNAND主要增加堆疊成熟而不是縮小線寬，刻蝕要在氧化硅和氮化硅一

對的疊層結(jié)構(gòu)上，加工

40:1

到

60:1

的極深孔或者極深的溝槽，因此

3DNAND層數(shù)的增加將繼續(xù)增加對刻蝕技術(shù)的依賴。根據(jù)東京電子的相關(guān)披露，在

3DNAND的工藝技術(shù)下，刻蝕設(shè)備的資本開支占比高達(dá)

49%，與

2DNAND下僅

16%

形成鮮明反差。整體來看，目前

3DNAND已經(jīng)進(jìn)入

64

層量產(chǎn)階段，未來

96

層、

128

層也在研發(fā)試產(chǎn)中，預(yù)計(jì)相關(guān)產(chǎn)品也將很快問世。這些高堆疊層的產(chǎn)品也

將帶來刻蝕機(jī)的更廣闊需求。2.2

刻蝕設(shè)備并未出現(xiàn)技術(shù)路線明顯分化由于干法的各項(xiàng)異性優(yōu)勢，其可控性較濕法更好，因此基本已經(jīng)實(shí)現(xiàn)對于

濕法工藝的替代。而在干法刻蝕中，其實(shí)我們也看到了不同技術(shù)路線的分化，

譬如依照等離子體的種類將刻蝕方法劃分為

CCP以及

ICP兩種主流方法，這兩

種方法。其中

CCP方法主要用于介質(zhì)刻蝕，出現(xiàn)時(shí)間較早，之后

ICP作為新刻

蝕技術(shù)，由于其很多不亞于

CCP的優(yōu)勢，因此對傳統(tǒng)的

CCP形成一定的替代。但整體來看，CCP與

ICP各有優(yōu)劣，并且在不同材料的刻蝕上各有優(yōu)勢，

因此新技術(shù)并未完全替代傳統(tǒng)技術(shù)，相反，兩種技術(shù)取長補(bǔ)短，在同一種芯片

產(chǎn)品流片生產(chǎn)的過程中實(shí)現(xiàn)完美合作。而其他工藝（如光刻機(jī)），新技術(shù)完全

替代傳統(tǒng)技術(shù)，技術(shù)路線對企業(yè)的影響起到?jīng)Q定性作用。例如，在復(fù)雜芯片生產(chǎn)中，光刻膠去膠的過程本身為一種刻蝕的步驟，去

膠后才能夠進(jìn)行下一步的薄膜沉積、涂膠、光刻等步驟。而目前去光刻膠主要

采用介質(zhì)刻蝕（CCP）的方法。另外，測試孔刻蝕、溝槽刻蝕、通孔刻蝕等一

般主要刻蝕材料為非硅材料（如金屬、氧化硅等）也采用介質(zhì)刻蝕的方式。而

柵極刻蝕、硅刻蝕等則主要以

ICP的工藝為主。2.3

半導(dǎo)體刻蝕行業(yè)壁壘極高，技術(shù)未顯著分化但格局高度

集中目前，全球刻蝕機(jī)設(shè)備的參與者相對較少，行業(yè)整體處于寡頭壟斷格局。

主要的參與者包括美國的

LamResearch（泛林半導(dǎo)體）、AMAT（應(yīng)用材料）、日

本的

TEL（東京電子）等企業(yè)。此三家企業(yè)占據(jù)全球半導(dǎo)體刻蝕機(jī)的

94%的市

場份額，而其他參與者合計(jì)僅占

6%。其中，LamResearch占比高達(dá)

55%，為行

業(yè)的絕對龍頭。東京電子與應(yīng)用材料分別占比

20%和

19%。介質(zhì)刻蝕方面，東京電子占比較高。東京電子一直以來都以

CCP刻蝕機(jī)為

主要出貨產(chǎn)品，其占到

CCP刻蝕機(jī)總出貨量的一半以上。我國企業(yè)在2017

年的市場份額達(dá)到

2.5%，近幾年由于國內(nèi)存儲產(chǎn)線的大規(guī)模建設(shè)，中微

公司的市場份額亦有提升。硅刻蝕方面，LamResearch占據(jù)較高份額，其在兩

類刻蝕機(jī)中均有較大出貨量，應(yīng)用材料在硅刻蝕方面也有出貨。從國內(nèi)刻蝕機(jī)市場來看，LamResearch依然穩(wěn)定占據(jù)龍頭地位。而我們也

可以看到國產(chǎn)企業(yè)的身影。中微公司的介質(zhì)刻蝕機(jī)主要供應(yīng)國內(nèi)晶圓

產(chǎn)線和存儲產(chǎn)線，整體占比

15%，若單算介質(zhì)刻蝕的市場份額，中微公司達(dá)到

25%的水平。近年來中微公司在介質(zhì)刻蝕設(shè)備的突破顯著，目前也已經(jīng)打入臺

積電先進(jìn)制程產(chǎn)線。整體看，由于刻蝕機(jī)工藝技術(shù)壁壘較高，尤其是先進(jìn)制程設(shè)備下游客戶要

求較高，相關(guān)核心技術(shù)僅有少數(shù)廠商突破，并且在技術(shù)持續(xù)更替中，沒有能力

持續(xù)研發(fā)的企業(yè)的競爭力逐漸下降，導(dǎo)致份額逐步壓縮，最終僅有頭部企業(yè)參

與競爭，形成寡頭壟斷格局。我國企業(yè)在國家大力扶持以及公司不斷

研發(fā)投入，在我國刻蝕機(jī)市場份額不斷增長，已經(jīng)僅次于

LAMResearch。3.刻蝕設(shè)備有望率先完成國產(chǎn)替代3.1

國內(nèi)設(shè)備最成熟領(lǐng)域，國產(chǎn)替代率較高目前來看，刻蝕機(jī)尤其是介質(zhì)刻蝕機(jī)，是我國最具優(yōu)勢的半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，

也是國產(chǎn)替代占比最高的重要半導(dǎo)體設(shè)備之一。根據(jù)

ICInsights等的相關(guān)數(shù)

據(jù)，目前我國主流設(shè)備中，去膠設(shè)備、刻蝕設(shè)備、熱處理設(shè)備、清洗設(shè)備等的

國產(chǎn)化率均已經(jīng)達(dá)到

20%以上。而這之中市場規(guī)模最大的則要數(shù)刻蝕設(shè)備。我

國目前在刻蝕設(shè)備商代表公司為、以及屹唐半導(dǎo)體。中微與

北方作為我國兩家設(shè)備龍頭企業(yè)，偏重領(lǐng)域有一定區(qū)別。目前看，產(chǎn)品在業(yè)內(nèi)較為領(lǐng)先，工藝節(jié)點(diǎn)已經(jīng)達(dá)到

5nm，并且已

經(jīng)得到的驗(yàn)證，公司整體介質(zhì)刻蝕及出貨量已經(jīng)超過

50

臺，并且得到

客戶較好的評價(jià)。在硅刻蝕機(jī)中處在國產(chǎn)替代加速階段，目前能夠生產(chǎn)

28nm的硅刻蝕機(jī)，14nm目前也在研發(fā)和小范圍試產(chǎn)過程中，預(yù)計(jì)未來也將

有突破。北方華創(chuàng)已經(jīng)出貨的刻蝕機(jī)數(shù)量已經(jīng)達(dá)到

20

臺以上。我們從近年來國內(nèi)大型存儲制造企業(yè)以及邏輯電路代工企業(yè)的招標(biāo)情況

來看刻蝕設(shè)備主流公司近期的份額變動(dòng)情況。介質(zhì)刻蝕機(jī)方面，在其科創(chuàng)板發(fā)行的招股說明書中披露了部分客

戶的招標(biāo)刻蝕設(shè)備臺數(shù)占比情況。在存儲企業(yè)A和B的份額分別達(dá)到15%和17%。

在邏輯電路代工企業(yè)

C中，中微公司的中標(biāo)設(shè)備臺數(shù)比例也在

16%左右。中微

公司整體出貨較為穩(wěn)定，在目前的國內(nèi)產(chǎn)線招標(biāo)中，中微公司的刻蝕機(jī)份額基

本保持在

15%以上。若僅考慮介質(zhì)刻蝕，那么中微公司份額在

25%以上。這也

說明公司產(chǎn)品已經(jīng)基本得到主流晶圓廠、存儲廠的認(rèn)可，與海外龍頭公司的差

距顯著縮小，基本位列介質(zhì)刻蝕機(jī)的第二梯隊(duì)（出貨臺數(shù)份額與東京電子、應(yīng)

用材料等差距不大）。硅刻蝕機(jī)方面，在國內(nèi)技術(shù)方面一直處于領(lǐng)先地位，但是相比于

海外廠商，仍有一定差距。目前看，北方華創(chuàng)在長江存儲的刻蝕設(shè)備招標(biāo)份額

大約在

3%-4%左右，若僅考慮硅刻蝕設(shè)備，那么北方華創(chuàng)的占比在

5%左右。整

體來看，北方華創(chuàng)的硅刻蝕設(shè)備目前在國內(nèi)的市場份額在

4%左右。北方華創(chuàng)在

硅刻蝕領(lǐng)域也在不斷拓展自身下游客戶，在大型晶圓廠中也逐漸看到北方華創(chuàng)

設(shè)備的身影。雖然較介質(zhì)刻蝕領(lǐng)域有差異，但隨著技術(shù)的快速推進(jìn)，預(yù)計(jì)未來

將持續(xù)國產(chǎn)替代。3.2

存儲國產(chǎn)化帶動(dòng)刻蝕機(jī)替代率繼續(xù)提升存儲國產(chǎn)替代日漸清晰。以長江存儲、紫光集團(tuán)、合肥長鑫、福建晉華等

為代表的國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)取得了較大的突破。目前來看，國內(nèi)

NANDFlash以及

DRAM均有較大進(jìn)展，其中

3DNANDFlash已經(jīng)突破

128

層技術(shù)工藝，并在多家

控制器廠商的終端產(chǎn)品上驗(yàn)證通過，而

DRAM也已經(jīng)自主生產(chǎn)

DDR4，實(shí)現(xiàn)了自

主可控。我國存儲廠商在實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破后，近年來均加大對相關(guān)產(chǎn)線的投資。其中

長江存儲擴(kuò)產(chǎn)較快，近期武漢二期項(xiàng)目開建。該項(xiàng)目投資金額達(dá)到

160

億元，

月產(chǎn)能達(dá)到

20

萬片，是一期產(chǎn)線的兩倍。后續(xù)二期項(xiàng)目對相關(guān)設(shè)備的采購將

會提上議事日程。另外，合肥長鑫、紫光集團(tuán)等也在存儲相關(guān)產(chǎn)線上有大量的

資本支出。而存儲產(chǎn)線上游相關(guān)的設(shè)備也成為我國國產(chǎn)替代的中堅(jiān)力量。長江存儲在

各類型設(shè)備上使用國產(chǎn)設(shè)備的占比較高。其中，介質(zhì)刻蝕機(jī)、氧化設(shè)備、清洗

設(shè)備等都有高于

15%的采購比例。因此存儲產(chǎn)線的大力建設(shè)，也帶動(dòng)了上游設(shè)

備國產(chǎn)替代的速度。前文中曾提到，由于

3DNAND、DRAM等本身對于刻蝕設(shè)備的使用量大幅提

升，因此存儲產(chǎn)線中刻蝕設(shè)備的資本開支占比一般較高（占比接近一半）。因

此，存儲產(chǎn)線成為拉動(dòng)我國刻蝕設(shè)備發(fā)展的關(guān)鍵因素，也帶動(dòng)相關(guān)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更

快速的國產(chǎn)替代。3.3

大基金助力半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備企業(yè)持續(xù)發(fā)力國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金（以下簡稱“大基金”）的成立，對我國半導(dǎo)體產(chǎn)

業(yè)的發(fā)展的促進(jìn)作用顯著。此前大基金一期募集資金規(guī)模接近

1500

億元，主

要投向晶圓制造（代工）、芯片設(shè)計(jì)等中游領(lǐng)域。目前看，大基金一期已經(jīng)進(jìn)

入投資回收階段，其主要投資方向在近幾年均有明顯的技術(shù)突破。但是，大基

金一期對于上游的半導(dǎo)體材料、設(shè)備領(lǐng)域投資力度較小。大基金二期目前已經(jīng)募資完畢進(jìn)入投資階段。大基金二期募資金額高達(dá)

2000

億元，預(yù)計(jì)除了制造、設(shè)計(jì)等領(lǐng)域繼續(xù)加碼投資外，如材料、設(shè)備等領(lǐng)域

也將持續(xù)加碼，對于半導(dǎo)體設(shè)備尤其是刻蝕設(shè)備而言，也將充分受益。目前看，

主要的刻蝕設(shè)備企業(yè)包括、、沈陽拓荊等企業(yè)均得到大基金

一期投資，但投資額度較小，并且投資時(shí)間也都在

2015

年之前。因此大基金

二期在刻蝕設(shè)備領(lǐng)域的投資值得期待。4.

刻蝕設(shè)備領(lǐng)域代表企業(yè)4.1

：國產(chǎn)替代先鋒，先進(jìn)制程快速突破系我國半導(dǎo)體設(shè)備的龍頭公司。公司成立于

2004

年，雖成立時(shí)

間較晚，但整體發(fā)展速度快。公司成立伊始即專注于刻蝕設(shè)備領(lǐng)域，主攻介質(zhì)

刻蝕領(lǐng)域，目前已經(jīng)成為國內(nèi)乃至全球刻蝕設(shè)備的代表企業(yè)，國內(nèi)份額進(jìn)入前

三。公司核心人物尹志堯也是公司創(chuàng)始人，其從事半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

35

年，具有豐

富的產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)。尹志堯曾經(jīng)在、LamResearch（泛林半導(dǎo)體）等公司負(fù)

責(zé)核心技術(shù)的研究開發(fā)工作，是刻蝕行業(yè)自身專家，也是國際等離子體刻蝕技

術(shù)發(fā)展和產(chǎn)業(yè)化的重要推動(dòng)者。公司核心管理團(tuán)隊(duì)穩(wěn)定，其他主要核心技術(shù)人

員大都在國際半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)有多年的研發(fā)、管理等經(jīng)驗(yàn)。公司主要產(chǎn)品包括

MOCVD、刻蝕設(shè)備以及備品備件。其中刻蝕設(shè)備領(lǐng)域，

公司目前能夠向下游客戶提供

65nm-5nm的高中低類型的刻蝕設(shè)備，并且得到

包括等的下游客戶的認(rèn)可。由于公司近年來

MOCVD產(chǎn)品快速突破，現(xiàn)已

基本實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代，國內(nèi)

LED芯片企業(yè)此前快速擴(kuò)產(chǎn)采購，帶來公司

MOCVD相

關(guān)業(yè)務(wù)的快速增長。根據(jù)公司披露數(shù)據(jù)，公司

2018

年

MOCVD的營收規(guī)模已經(jīng)

達(dá)到

8.3

億，占比近

50%。但從技術(shù)壁壘、盈利能力以及市場空間來看，公司

最核心業(yè)務(wù)仍為刻蝕設(shè)備。公司近年來（尤其是

17、18

年）營收增長較快，一方面受益于此前提到

的

MOCVD設(shè)備放量，另外則受益于刻蝕設(shè)備的突破以及下游存儲產(chǎn)線的集采。

2019

年，公司營業(yè)收入達(dá)到

19.46

億元，同比增長

18.76%。增速整體較

2017

年及

2018

年有一定程度下滑，主要原因在于

LED芯片產(chǎn)能過剩，導(dǎo)致

LED產(chǎn)

品盈利能力下降明顯，因此下游擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)力不強(qiáng)，導(dǎo)致此前高速增長的

MOCVD產(chǎn)

品下游需求不足，進(jìn)而

MOCVD設(shè)備出貨有一定程度下降?？涛g設(shè)備成為

2019

年主要貢獻(xiàn)設(shè)備增長的產(chǎn)品。

刻蝕設(shè)備整體盈利能力較強(qiáng)。從毛利率角度來看，刻蝕設(shè)備

2018

年的毛

利率高達(dá)

47.52%，而

MOCVD產(chǎn)品則在

2018

年毛利率大幅下降至

26.33%。由于

刻蝕設(shè)備本身技術(shù)壁壘較高，加之目前已經(jīng)突破

5nm最先進(jìn)制程的相

關(guān)產(chǎn)品，因此隨著新品量產(chǎn)出貨，預(yù)計(jì)毛利率仍有提升的空間。公司近兩年扣非歸母凈利潤翻正，也標(biāo)志著公司開始具備自身造血機(jī)制。

此前公司主要依賴投資、政府補(bǔ)貼等進(jìn)行研發(fā)，扣非凈利潤基本處于大幅虧損

狀態(tài)，而隨著

MOCVD以及刻蝕設(shè)備的量產(chǎn)出貨，公司

2018

年扣非凈利潤扭虧

為盈，并且

2019

年增長

50%，主要由于刻蝕設(shè)備的出貨盈利帶來正貢獻(xiàn)。公司持續(xù)致力于半導(dǎo)體核心設(shè)備的研發(fā)升級。公司

2017-2019

年的研發(fā)投

入持續(xù)增長，至

2019

年，公司研發(fā)