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全球半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展簡(jiǎn)析隨著技術(shù)的快速發(fā)展半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為全球經(jīng)濟(jì)發(fā)展的重要支柱作為支撐經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的戰(zhàn)略性基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)是搶抓新一輪科技和產(chǎn)業(yè)革命機(jī)遇培育發(fā)展經(jīng)濟(jì)新動(dòng)能的戰(zhàn)略選擇尤其是隨著數(shù)字經(jīng)濟(jì)智能汽車等產(chǎn)業(yè)的逢勃發(fā)展,半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)以其強(qiáng)大的創(chuàng)新型融合性帶動(dòng)性和滲透性成為全球經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展的重要推動(dòng)力現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)智能服務(wù)商中國(guó)產(chǎn)業(yè)大腦和產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)領(lǐng)先者火石創(chuàng)造特推出半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展系列研究,從全球、全國(guó)視角,洞見產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)。.保長(zhǎng)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模保持穩(wěn)定增長(zhǎng),增速正在由疾轉(zhuǎn)緩。201年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模559億美元增長(zhǎng)26.美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)(IA的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示202年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)至575億美元,創(chuàng)歷史新高,增長(zhǎng)3.2。但202年下半年銷售放緩較為明顯,第四季度銷售額132億美元同比減少14.全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增速正在由疾轉(zhuǎn)緩202年3.2的增速與201年增速相比出現(xiàn)急速下滑對(duì)于203年的市場(chǎng)增速火石認(rèn)為大概率會(huì)落入負(fù)增長(zhǎng)區(qū)間分區(qū)域來看202年美洲市場(chǎng)的銷售額為103億美元增長(zhǎng)幅度最大高達(dá)16.歐洲、日本的年銷售額分別增長(zhǎng)12.10.%中國(guó)仍然是最大的半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售額為103億美元,但與201年相比下降6.3。圖:21-222年全球半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模(億美元)及增速()預(yù)測(cè)源STSA火創(chuàng)整理儲(chǔ)存器和邏輯器件是銷售額最大的類別,模擬芯片增速最快。集成電路占半導(dǎo)體市場(chǎng)80%以上的份額,其中儲(chǔ)存器和邏輯器件的占比最大,202年銷售額分別達(dá)到130億美元、170億美元。模擬芯片202年銷售額為890億美元,增長(zhǎng)7.5,增速最高。.領(lǐng)泛半導(dǎo)體下游應(yīng)用領(lǐng)域主要涉及計(jì)算機(jī)通信汽車消費(fèi)電子工業(yè)等分領(lǐng)域來看計(jì)算機(jī)、通信占比最高,汽車202年增速最高且未來增長(zhǎng)潛力大。計(jì)算機(jī)和通信是半導(dǎo)體下游最主要的應(yīng)用場(chǎng)景,合計(jì)占比高達(dá)60%以上。汽車、消費(fèi)電子、工業(yè)等領(lǐng)域的占比較為接近,位于1015的區(qū)間值得注意的是半導(dǎo)體主要產(chǎn)品細(xì)分市場(chǎng)中汽車芯片銷售額341億美元?jiǎng)?chuàng)歷史新高,增速高達(dá)292。汽“新四化浪潮帶動(dòng)汽車半導(dǎo)體在整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的重要性持續(xù)提升百年汽車行業(yè)正在向電動(dòng)化智能化網(wǎng)聯(lián)化共享新四化方向發(fā)展未來幾年半導(dǎo)體下游應(yīng)用領(lǐng)域中,預(yù)計(jì)汽車應(yīng)用領(lǐng)域的AGR將位居所有領(lǐng)域之首。汽車自動(dòng)駕駛級(jí)別越高,所需的控制芯片數(shù)量越多對(duì)相應(yīng)半導(dǎo)體的需求激增例如在計(jì)算和控制芯片方面新能源電動(dòng)車平均所需芯片個(gè)數(shù)預(yù)計(jì)從207年的800個(gè)增長(zhǎng)到202年的150個(gè)左右。圖2:22-225半導(dǎo)體在各應(yīng)用領(lǐng)域的R預(yù)測(cè)源:arter中汽工協(xié),石造理.區(qū)況美國(guó)長(zhǎng)期以來一直是全球半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者。半導(dǎo)體是美國(guó)的主要出口產(chǎn)品之一。201年美國(guó)半導(dǎo)體出口額為620億美元在美國(guó)出口額中排名第五美國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)的銷售額占比、在全球主要國(guó)家和地區(qū)的市場(chǎng)占有率以及研發(fā)投入水平均保持領(lǐng)先地位。201年,美國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)的全球市占率為463,居世界首位。其他國(guó)家及地區(qū)的企業(yè)擁有720的全球市場(chǎng)份額,中國(guó)臺(tái)灣及大陸地區(qū)的市場(chǎng)份額合計(jì)為15%;總部位于美國(guó)的半導(dǎo)體公司,在全球主要國(guó)家和地區(qū)的半導(dǎo)體市場(chǎng)中占據(jù)了市場(chǎng)份額的領(lǐng)導(dǎo)地位。其中,在中國(guó)市場(chǎng),221年美國(guó)半導(dǎo)體公司的市占率高達(dá)499201年美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的研發(fā)支出占銷售額的比例為1.0高于其他任何國(guó)家的半導(dǎo)體行業(yè)研發(fā)投入水平。中國(guó)大陸半導(dǎo)體行業(yè)的研發(fā)支出僅為7.。圖3:美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)在全球半導(dǎo)體行業(yè)中占據(jù)領(lǐng)導(dǎo)者地位源STS,A,EUsry&Dnemetcreard火創(chuàng)整理亞太地區(qū)正在發(fā)展成為全球半導(dǎo)體行業(yè)“基石韓國(guó)日本中國(guó)以及中國(guó)臺(tái)灣主導(dǎo)了亞太地區(qū)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展200年亞太地區(qū)在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的市場(chǎng)占比為40到200年,預(yù)計(jì)將攀升至55。不同地區(qū)半導(dǎo)體的發(fā)展策略各有不同。其中,韓國(guó)致力于AI和5G技術(shù)相關(guān)半導(dǎo)體產(chǎn)品的研究和開發(fā);日本占據(jù)材料和市場(chǎng)的上游優(yōu)勢(shì),大力延伸發(fā)展中下游產(chǎn)業(yè);中國(guó)在巨大市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)下全力實(shí)現(xiàn)自給自足的半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展目標(biāo)中國(guó)臺(tái)灣在半導(dǎo)體制造業(yè)方面的優(yōu)勢(shì)地位比較穩(wěn)固,試圖打造完整的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈體系。圖4:全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分區(qū)域占比及預(yù)測(cè)源:STS,A德,石造理中國(guó)韓國(guó)日本在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中占據(jù)重要的地位且重要性不斷攀升制造環(huán)節(jié)中國(guó)臺(tái)灣與韓國(guó)雙雄相爭(zhēng)格局。臺(tái)積電、三星占據(jù)超過70%的半導(dǎo)體制造市場(chǎng),且在持續(xù)加大對(duì)先進(jìn)制程的投入力度臺(tái)灣的晶圓代工產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值全球第一封測(cè)環(huán)節(jié)呈現(xiàn)兩岸引領(lǐng)格局中國(guó)臺(tái)灣IC封測(cè)產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值全球第一中國(guó)近年來大力發(fā)展半導(dǎo)體封測(cè)市場(chǎng)占比接近20但先進(jìn)封裝占封裝總營(yíng)收比例不足30%,離國(guó)際領(lǐng)先水平還有一定的差距;設(shè)計(jì)環(huán)節(jié):韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣實(shí)力較強(qiáng)但亞太整體處于全球第二梯隊(duì)美國(guó)和德國(guó)的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)企業(yè)占據(jù)全球大部分市場(chǎng)份額亞太地區(qū)的設(shè)計(jì)相對(duì)于制造而言處于第二梯隊(duì)材料日本擁有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)日本企業(yè)擁有超過50%的全球市場(chǎng)份額。中國(guó)臺(tái)灣和韓國(guó)得益于良好的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ),材料領(lǐng)域也在持續(xù)發(fā)展。中國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)占比接近20%,但半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)材料使用率不足15%,在先進(jìn)制程、先進(jìn)封裝領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)化率更低;設(shè)備:日本較強(qiáng)但亞太整體較弱。日本在涂布顯影設(shè)備、熱處理設(shè)備、單片式和批量式清洗設(shè)備、測(cè)長(zhǎng)EM等設(shè)備領(lǐng)域具有較高的市占率。中國(guó)不遺余力扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,芯片制造產(chǎn)能占比將持續(xù)攀升。國(guó)家/地方層面密集出臺(tái)促進(jìn)半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的扶持政策近年來國(guó)家發(fā)改委財(cái)政部商務(wù)部科技部等多部門陸續(xù)印發(fā)了一系列扶持半導(dǎo)體與集成電路行業(yè)的發(fā)展政策成立國(guó)家大基金支持半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展國(guó)家大基金一期主要投資于制造設(shè)計(jì)封測(cè)等領(lǐng)域的行業(yè)龍頭企業(yè)二期成立之初半導(dǎo)體設(shè)計(jì)仍然是投資重點(diǎn),進(jìn)入221年以后逐步向制造設(shè)備、材料領(lǐng)域轉(zhuǎn)移。地方層面也在緊跟國(guó)家戰(zhàn)略例如深圳市發(fā)展和改革委員會(huì)深圳市科技創(chuàng)新委員會(huì)深圳市工業(yè)和信息化局深圳市國(guó)有資產(chǎn)監(jiān)督管理委員會(huì)于6月6日發(fā)布《深圳市培育發(fā)展半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)集群行動(dòng)計(jì)劃2022025年)》提出到205年產(chǎn)業(yè)營(yíng)收突破250億元。在過去的十年隨著半導(dǎo)體終端應(yīng)用崛起,晶圓制造業(yè)產(chǎn)能初步向大陸轉(zhuǎn)移,眾多海外芯片廠商紛紛在中國(guó)設(shè)廠,國(guó)內(nèi)許多企業(yè)也不斷加大投資設(shè)廠力度。到200年,我國(guó)晶圓制造有望占據(jù)全球市場(chǎng)接近一半的份額。圖5:全球主要國(guó)家和地區(qū)芯片制造產(chǎn)能比重變化趨勢(shì)源Cnhs火創(chuàng)整理我國(guó)半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢(shì)分析半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)是國(guó)民經(jīng)濟(jì)支柱性行業(yè)之一半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)是國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展的戰(zhàn)略性基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)是培育發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)推動(dòng)信息化和工業(yè)化深度融合的核心與基礎(chǔ)戰(zhàn)略地位日益凸顯在一系列政策措施大力扶持下我國(guó)半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)保持快速發(fā)展的勢(shì)頭技術(shù)水平顯著提升產(chǎn)業(yè)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大與此同時(shí)我們也看到近年來半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展受到逆全球化和美國(guó)打擊的不利影響產(chǎn)業(yè)發(fā)展跌宕起伏在充滿不確定性的環(huán)境下持續(xù)前行關(guān)于半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)未來的發(fā)展形勢(shì)火石創(chuàng)造認(rèn)為將呈現(xiàn)以下五大特征。繼長(zhǎng)我國(guó)集成電路市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)定較快增長(zhǎng)趨勢(shì)。中國(guó)是全球重要的集成電路市場(chǎng)。近年來,在內(nèi)外資企業(yè)的共同努力下,我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷壯大。201年市場(chǎng)規(guī)模首次突破萬億元2082021年復(fù)合增長(zhǎng)率為1是同期全球增速的3倍多202年市場(chǎng)規(guī)模將超1200億元同時(shí)我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化設(shè)計(jì)制造封裝測(cè)試市場(chǎng)規(guī)模已由初期的325演進(jìn)為43,初步形成了較為合理的結(jié)構(gòu)。圖1:我國(guó)集成電路市場(chǎng)規(guī)模(億元)及增速預(yù)測(cè)源SA中半體業(yè)會(huì),石造理應(yīng)為主我國(guó)集成電路下游應(yīng)用市場(chǎng)以通信計(jì)算機(jī)消費(fèi)電子等為主汽車領(lǐng)域尚未成為增長(zhǎng)主力。我國(guó)集成電路市場(chǎng)應(yīng)用以傳統(tǒng)領(lǐng)域?yàn)橹鳎?01年在通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子等傳統(tǒng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的市場(chǎng)份額合計(jì)高達(dá)78.相比于全球市場(chǎng)汽車領(lǐng)域尚未成為我國(guó)集成電路市場(chǎng)增長(zhǎng)主力。從我國(guó)集成電路市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)來看,汽車不是集成電路市場(chǎng)增長(zhǎng)主力,221年市場(chǎng)份額占比不足5這與車規(guī)級(jí)芯片進(jìn)入門檻高、認(rèn)證周期長(zhǎng)有很大關(guān)系隨著我國(guó)新能源汽車智能汽車快速發(fā)展,對(duì)汽車半導(dǎo)體、汽車芯片等的需求將快速增長(zhǎng)。圖:221年中國(guó)集成電路市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)(市場(chǎng)份額l增速)源SA中汽工協(xié),石造理率高目前我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自給率仍然較低尤其是高端領(lǐng)域嚴(yán)重依賴進(jìn)口集成電路是我國(guó)最大的單一進(jìn)口項(xiàng)目,進(jìn)出口逆差不斷擴(kuò)大。海關(guān)總署的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,202年,我國(guó)進(jìn)口集成電路534億件同比下降15.(2092021年集成電路進(jìn)口分別增長(zhǎng)6.6217進(jìn)口量近20年來首次下降但仍然遠(yuǎn)超同期原油進(jìn)口金額355億美元持續(xù)成為我國(guó)第一大進(jìn)口商品。按價(jià)值計(jì)算,我國(guó)集成電路進(jìn)口額為416億美元,與221年相比下降3.9,表明正在為進(jìn)口支付更高的單價(jià)美國(guó)加強(qiáng)對(duì)向我國(guó)出口先進(jìn)芯片的影響顯現(xiàn)進(jìn)口量大幅下滑從進(jìn)口看,202年我國(guó)集成電路主要進(jìn)口國(guó)家或地區(qū)主要是中國(guó)臺(tái)灣、韓國(guó)、馬來西亞、日本、越南、美國(guó)菲律賓泰國(guó)新加坡等中國(guó)臺(tái)灣和韓國(guó)是我國(guó)重要的海外進(jìn)口地占據(jù)超過一半的市場(chǎng)份額。排名前十的國(guó)家或地區(qū)中,僅中國(guó)臺(tái)灣、菲律賓和泰國(guó)進(jìn)口額同比增加,其余全部下滑,其中下滑比例最大的是美國(guó)同比下降292進(jìn)一步來看美國(guó)近年來除了自身不斷加大對(duì)我國(guó)的產(chǎn)業(yè)打擊力度,還在不斷拉攏鼓動(dòng)日本、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣等一起聯(lián)合施壓。202年,我國(guó)從中國(guó)臺(tái)灣韓國(guó)日本美國(guó)等國(guó)家和地區(qū)進(jìn)口的集成電路進(jìn)口額分別為150.84.20.、12.8億美元,在我國(guó)集成電路進(jìn)口總規(guī)模中的占比分別為38.%、204%、4.%、2.%,合計(jì)占比高達(dá)66.。圖3:21-222年我國(guó)集成電路進(jìn)出口額(億美元)源???,石造理我國(guó)集成電路產(chǎn)品在全球市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)力不強(qiáng)從全球主要半導(dǎo)體生產(chǎn)地區(qū)單個(gè)芯片的平均出口價(jià)格來看國(guó)產(chǎn)芯片的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力處于相對(duì)劣勢(shì)地位美國(guó)和韓國(guó)是復(fù)雜高價(jià)值芯片的專業(yè)生產(chǎn)商芯片平均出口價(jià)格高我國(guó)和日本是用于汽車家用電器和消費(fèi)品的簡(jiǎn)單芯片的專業(yè)生產(chǎn)商平均出口價(jià)格低值得注意的是我國(guó)是其他四大芯片制造商的最大出口目的地201年美國(guó)單個(gè)芯片平均出口價(jià)格2.16美元我國(guó)單個(gè)芯片平均出口價(jià)格僅為0.9美元差距明顯。圖:221不同國(guó)家單個(gè)芯片平均出口價(jià)格(美元)源:PE彼森際濟(jì)究)SA火創(chuàng)整理化高當(dāng)前,我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)整體國(guó)產(chǎn)化率偏低。具體來看:芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)整體國(guó)產(chǎn)化率在10左右ED(電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化約為5EDA被稱為“芯片之母目前全球EDA市場(chǎng)被nop(新思科技adec楷登電子和esEDA分食三大國(guó)際巨頭在國(guó)內(nèi)的市場(chǎng)份額在80左右我國(guó)設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)的全球市場(chǎng)份額將快速提升。受國(guó)家大基金連續(xù)投資以及華大九天等企業(yè)不斷崛起等疊加驅(qū)動(dòng)我國(guó)在全球半導(dǎo)體設(shè)計(jì)銷售收入中的市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將從201年的9飆升到200年的23同期美國(guó)的市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將從46%下降到36。芯片制造環(huán)節(jié)成熟制程領(lǐng)域產(chǎn)能迅速跟上,先進(jìn)制程落后明顯。受EUV光刻機(jī)等為代表的半導(dǎo)體設(shè)備以及光刻膠等為代表的半導(dǎo)體材料的雙重制約我國(guó)在芯片制造環(huán)節(jié)尤其是高端芯片制造領(lǐng)域的工藝水平落后歐美35代的技術(shù)。表:21-222年芯片制造工藝迭代源A各司網(wǎng)火創(chuàng)整理芯片封測(cè)環(huán)節(jié):封測(cè)是國(guó)產(chǎn)化率最高的一環(huán)。我國(guó)先進(jìn)封裝產(chǎn)值占全球比例從215年的10.提升至201年的157,222年將超過16.。國(guó)內(nèi)封測(cè)廠商技術(shù)水平基本與海外同步,未來先進(jìn)封裝占比預(yù)計(jì)將持續(xù)穩(wěn)步提升。圖5:21-222年中國(guó)大陸先進(jìn)封裝產(chǎn)值占全球比重源Ye,SA火創(chuàng)整理半導(dǎo)體設(shè)備我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)??焖僭鲩L(zhǎng)國(guó)產(chǎn)化率快速提升但晶圓制造關(guān)鍵設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率依然較低我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)??焖僭鲩L(zhǎng)201年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額為1264億美元同比增長(zhǎng)44而中國(guó)大陸市場(chǎng)銷售額達(dá)29.2億美元同比增幅高達(dá)58快于全球。我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率快速提升。200年,國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體廠商使用國(guó)產(chǎn)化設(shè)備的比例約為16.%,221年達(dá)到20,202年將超25%。晶圓制造各關(guān)鍵設(shè)備國(guó)產(chǎn)化水平差異明顯,總體國(guó)產(chǎn)化率依舊有較大提升空間200年中國(guó)大陸晶圓設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率約為7.4截至200年底,清洗設(shè)備、MP設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化率相對(duì)較高,分別約為20、10。離子注入、過程檢測(cè)國(guó)產(chǎn)化水平較低,分別約為2、2。光刻設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率低于1。圖6:晶圓制造各關(guān)鍵設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率(截至22.1)源EMI中公招說書火創(chuàng)整理半導(dǎo)體材料我國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)步增長(zhǎng)但整體國(guó)產(chǎn)化率低關(guān)鍵材料國(guó)產(chǎn)化替代的需求迫切國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)占全球市場(chǎng)份額穩(wěn)步提升全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模由202年448億美元增長(zhǎng)至201年643億美元,AGR為4.;中國(guó)大陸半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模從202年55億美元增至201年119億美元AGR達(dá)9.增速遠(yuǎn)超全球水平占全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的比例由12.增至1.5在晶圓廠持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)的驅(qū)動(dòng)下市場(chǎng)需求有望保持景氣半導(dǎo)體材料整體國(guó)產(chǎn)化率低關(guān)鍵材料國(guó)產(chǎn)化替代的需求十分迫切晶圓制造材料整體國(guó)產(chǎn)化率不足15%,其中光刻膠、掩模版、硅片、靶材等的國(guó)產(chǎn)化率更低。封裝材料整體國(guó)產(chǎn)化率接近30,除了封裝基板等關(guān)鍵材料受限外,大部分材料能夠基本實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。表:221年半導(dǎo)體材料全球市場(chǎng)規(guī)模(億美元)及國(guó)產(chǎn)化率源EMI,stenan(國(guó)田究)中電材行協(xié),石造理球重碼半導(dǎo)體逆全球化成為趨勢(shì)全球主要國(guó)家地區(qū)密集出臺(tái)新規(guī)支持本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展202年,美國(guó)、歐盟、日本、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣等國(guó)家/地區(qū)先后出臺(tái)產(chǎn)業(yè)政策,向本地企業(yè)提供研發(fā)創(chuàng)新、設(shè)備投資、稅收優(yōu)惠、人才培養(yǎng)等方面的資金支持。表:222年全球主要國(guó)家和地區(qū)半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)政策國(guó)家區(qū)時(shí)間政策要點(diǎn)美國(guó)2208《芯片與學(xué)法案》規(guī)模達(dá)280億美元,一是向半導(dǎo)體行業(yè)提供約57億美元的資金支持,為企業(yè)提供價(jià)值240億美元的投資稅抵免,鼓勵(lì)企業(yè)在美國(guó)研發(fā)和制造芯片;二是在未來幾年提供約200億美元的科研經(jīng)費(fèi)支持,重點(diǎn)支持人工智能、機(jī)器人技術(shù)、量子計(jì)算等前沿科技?xì)W盟2202《歐洲芯法案》歐盟將投入超過450億歐元公共和私有資金,用于支持歐盟的芯制造、試點(diǎn)項(xiàng)目和初創(chuàng)企業(yè),以提升歐洲在全球芯片制造市場(chǎng)的額,降低對(duì)于亞洲及美國(guó)的依賴。其中,10億歐元將用于加強(qiáng)現(xiàn)有的研究、開發(fā)和創(chuàng)新,以確保部署先進(jìn)的半導(dǎo)體工具以及用于型設(shè)計(jì)、測(cè)試的試驗(yàn)生產(chǎn)線等。此外,還將在量子芯片方面建立進(jìn)的技術(shù)和工程能力2211《歐洲芯法案》各國(guó)特使一致同意歐盟委員會(huì)2月的芯片計(jì)劃提案的修訂版,修部分包括允許政府對(duì)更廣泛的芯片提供補(bǔ)貼,而不僅僅是最先進(jìn)芯片。補(bǔ)貼將覆蓋在計(jì)算能力、能源效率、環(huán)境效益和人工智能面帶來創(chuàng)新的芯片。此外,還增加了對(duì)歐盟委員會(huì)的限制措施,防止該機(jī)構(gòu)在觸發(fā)緊急情況時(shí)干預(yù)公司的供應(yīng)鏈日本2202《半導(dǎo)體助法》對(duì)符合條件的企業(yè),將予以最高50的設(shè)備投資金額補(bǔ)助。新法案將籌措總額約600億日元(52億美元)的基金用于支持芯片制造商韓國(guó)2203新修訂稅法對(duì)投資半導(dǎo)體、電池、疫苗等三大領(lǐng)域國(guó)家戰(zhàn)略技術(shù)研發(fā)的中小業(yè),最多可享受投資額50的稅額抵扣優(yōu)惠,大企業(yè)最多可抵扣3040;對(duì)機(jī)械裝備、生產(chǎn)線等設(shè)備的投資最多可抵扣20(中小企業(yè))稅金,中堅(jiān)企業(yè)可抵扣12,大企業(yè)為102207《半導(dǎo)體超級(jí)強(qiáng)國(guó)戰(zhàn)略圍繞四大行動(dòng)方向發(fā)展本國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)包括大力支持企業(yè)投資官民合作培養(yǎng)半導(dǎo)體人才;確保系統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)居世界領(lǐng)先地位;構(gòu)建穩(wěn)定的材料、零部件和設(shè)備生態(tài)系統(tǒng)中臺(tái)2211《產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新條例》第條第2款及第72條修正案草案條文面向技術(shù)創(chuàng)新且居國(guó)際供應(yīng)鏈關(guān)鍵地位的公司,提供前創(chuàng)新研發(fā)支出的25,抵減當(dāng)年度應(yīng)納營(yíng)利事業(yè)所得稅額;以購(gòu)置用于先進(jìn)制程的全新機(jī)器或設(shè)備支出的5抵減當(dāng)年度應(yīng)納營(yíng)利業(yè)所得稅額,且該機(jī)器或設(shè)備支出不設(shè)金額上限。上述單項(xiàng)投資減總額不得超過當(dāng)年度納稅額的30兩項(xiàng)同時(shí)申請(qǐng)則以稅額的50為限源火創(chuàng)整理美國(guó)制裁不斷升級(jí),構(gòu)建起產(chǎn)品+技術(shù)+人才的打擊體系。208年以來,美國(guó)對(duì)華半導(dǎo)體管制不斷加碼從華為中興中芯國(guó)際等下游不斷向上游延伸222年10月7日美國(guó)BS發(fā)布近年來范圍最大半導(dǎo)體管制舉措管控范圍包括芯片設(shè)備零部件人員等至此基本構(gòu)建起產(chǎn)品+技術(shù)+人才的精準(zhǔn)打擊體系。美國(guó)不斷擴(kuò)大制裁范圍和制裁力度將是一種新常態(tài),且已有從美國(guó)全面擴(kuò)大至美國(guó)與其盟國(guó)組團(tuán)進(jìn)行科技霸凌的趨勢(shì)近年來美國(guó)不斷拉攏日本韓國(guó)荷蘭等國(guó)家一起合力打擊“芯片法案為基礎(chǔ)推演美國(guó)未來的產(chǎn)業(yè)制裁我們預(yù)計(jì)美國(guó)將會(huì)從HIP4、HIP4+、民主芯片、友岸外包、實(shí)施更多點(diǎn)式制裁、制裁應(yīng)用領(lǐng)域龍頭企業(yè)、限制美企在華發(fā)展限制中企在美發(fā)展限制特定專業(yè)人才等領(lǐng)域不斷制造摩擦和升級(jí)打擊措施。表4:近年來美國(guó)對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)的管制措施時(shí)間管制措施要點(diǎn)0202據(jù)彭博社報(bào)道拜登政府正考慮完全切斷華為與所有美國(guó)供應(yīng)商的聯(lián)系全國(guó)禁止向中國(guó)出口美國(guó)技術(shù)停止產(chǎn)品出口許可證的批準(zhǔn)除G外還將禁止向華為提供包括GWi6和、人工智能,以及高性能計(jì)算以及云計(jì)算等相關(guān)領(lǐng)域的產(chǎn)品020103年1月28日,美日荷初步達(dá)成協(xié)議,向中國(guó)限售DV光刻機(jī)及其相關(guān)零部件,預(yù)計(jì)封鎖令幾個(gè)月內(nèi)可以正式落地0210美國(guó)商務(wù)部工業(yè)和安全局(BS宣布新一輪的對(duì)華芯片出口管制措施具體包括先進(jìn)芯片算管制;代生產(chǎn)或研發(fā)管制;先進(jìn)制程設(shè)備管制;人才管制;未核實(shí)名單(V)規(guī)則修訂0208美國(guó)總統(tǒng)拜登簽署芯片法案,禁止受益企業(yè)自接受資助之日起0年內(nèi)在中國(guó)增產(chǎn)先進(jìn)制程半導(dǎo)體美國(guó)商務(wù)部工業(yè)安全局(BI)通過發(fā)布臨時(shí)規(guī)則對(duì)用于GAAET集成電路開發(fā)的DA軟件進(jìn)行出口管制0207美國(guó)兩家芯片設(shè)備公司Lmeeach和KLA收到美國(guó)商務(wù)部通知,禁止出口4m以下制程制造設(shè)備到中國(guó)大陸。美國(guó)游說荷蘭停止向中國(guó)出口ASML公司的先進(jìn)產(chǎn)品0211英特爾中國(guó)工廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃被拜登爭(zhēng)渡以危及國(guó)家安全”的理由拒絕。美國(guó)阻止韓國(guó)存儲(chǔ)0212美國(guó)商務(wù)部將中芯國(guó)際及附屬公司加入“實(shí)體清單”,含美技術(shù)設(shè)備采購(gòu)需美國(guó)批準(zhǔn),4m及以下原則上不批準(zhǔn)(推定拒絕)0208美國(guó)商務(wù)部進(jìn)一步限制華為當(dāng)一項(xiàng)交易中華為作為購(gòu)買者中間人或最終使用者均需受實(shí)體清單”限制,同時(shí)增加8家華為附屬機(jī)構(gòu)進(jìn)入“實(shí)體清單”0205美國(guó)商務(wù)部工業(yè)和安全局(BI)宣布限制華為使用美國(guó)特定技術(shù)和軟件在美國(guó)境外設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體的能力0105美國(guó)商務(wù)部工業(yè)和安全局(BS以國(guó)家安全為由,將華為及其70個(gè)分支機(jī)構(gòu)納入出口管制“實(shí)清單,限制華為部分采購(gòu)0108特朗普簽《國(guó)防授權(quán)法禁止美國(guó)政府雇員使用包括華為和中興在內(nèi)的多家中國(guó)科技公的某些設(shè)備或服務(wù)源火創(chuàng)整理后摩爾時(shí)代,先進(jìn)封裝大有可為設(shè)計(jì)制造和封裝是集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的三個(gè)主要環(huán)節(jié)隨著芯片算力的不斷提升遵循摩爾定律的制程微縮工藝導(dǎo)致短溝道效應(yīng)以及量子隧穿效應(yīng)帶來的發(fā)熱漏電等問題愈發(fā)嚴(yán)重且規(guī)模不經(jīng)濟(jì)逐漸顯露而由先進(jìn)封裝技術(shù)持續(xù)迭代帶來的系統(tǒng)級(jí)微縮正成為除晶體管體積微縮之外、大幅提升芯片性能的重要途徑。產(chǎn)模結(jié)構(gòu)性變化是封裝產(chǎn)業(yè)發(fā)展主要推動(dòng)力,主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面:一是先進(jìn)封裝占比不斷上升據(jù)Yoe數(shù)據(jù)顯示近十年全球封裝產(chǎn)業(yè)規(guī)模由202年的44億美元逐漸增長(zhǎng)到201年的777億美元年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)5.5其中隨著摩爾定律持續(xù)推進(jìn)帶來的規(guī)模經(jīng)濟(jì)性邊際減弱疊加5G物聯(lián)網(wǎng)和人工智能等新產(chǎn)品的快速迭代推動(dòng)3DP、PO、hpet等為先進(jìn)封裝技術(shù)發(fā)展快速,201年全球先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)350億美元、占全球封裝產(chǎn)業(yè)規(guī)模的45。圖1:近十年全球封測(cè)產(chǎn)業(yè)規(guī)模及增長(zhǎng)
源:石造據(jù)開料理二是我國(guó)封裝市場(chǎng)規(guī)模占全球比重持續(xù)上升受制造成本產(chǎn)業(yè)鏈完整度和應(yīng)用市場(chǎng)潛力等多重因素影響,200年以來全球半導(dǎo)體正進(jìn)行以中國(guó)為目的地的第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移,其中我國(guó)封裝產(chǎn)業(yè)規(guī)模由202年的105.7億元逐漸增長(zhǎng)到221年的263億元年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)11、是同期全球產(chǎn)業(yè)增速的2倍,占全球封裝產(chǎn)業(yè)規(guī)模的比重由202年的32.3增長(zhǎng)至201年的52.9但從發(fā)展質(zhì)量看,雖然我國(guó)的長(zhǎng)電科技晶方科技華天科技進(jìn)入了221年全球封裝行業(yè)Top0榜單,但產(chǎn)品結(jié)構(gòu)仍以傳統(tǒng)封裝為主,產(chǎn)品類型、生產(chǎn)工藝與國(guó)際先進(jìn)水平仍有一定差異。圖2:近十年我國(guó)封測(cè)產(chǎn)業(yè)規(guī)模及增長(zhǎng)
源:石造據(jù)開料理封述后摩爾時(shí)代隨著下游產(chǎn)品對(duì)微型化輕便化和高性能的要求不斷提高推動(dòng)封裝行業(yè)獲得長(zhǎng)足發(fā)展封裝工藝按照是否需要焊線可分為傳統(tǒng)封裝和先進(jìn)封裝傳統(tǒng)封裝指采取引線鍵合工藝實(shí)現(xiàn)電氣連接主要包括DIPOPQP等先進(jìn)封裝指采取凸塊方式實(shí)現(xiàn)電氣連接主要包括倒裝、晶圓級(jí)封裝、2.D3D封裝、系統(tǒng)級(jí)封裝、ipet等多種技術(shù)。圖:封裝工藝發(fā)展路
片源資信網(wǎng)千投行Ye(一)晶圓級(jí)封裝與傳統(tǒng)封裝流程不同晶圓級(jí)封裝是指借助再布(DL工藝直接在晶圓上完成電氣連接、測(cè)試、塑封等流程,最后切割成單顆成品貼裝在基板或PB上,在電氣連接技術(shù)上主要包括倒裝晶圓重構(gòu)工藝硅通孔技TV晶圓扇出技(a-ou晶圓扇入技(a-n)等。圖:傳統(tǒng)封裝與晶圓級(jí)封裝工藝對(duì)
片源KHnix與傳統(tǒng)封裝工藝相比,晶圓級(jí)封裝能將在IC芯片的表面實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)IO點(diǎn)全覆蓋,使得芯片尺寸達(dá)到微型化的極限符合消費(fèi)類電子產(chǎn)品輕小短薄化的市場(chǎng)趨勢(shì)此外由于能在一個(gè)晶圓片內(nèi)對(duì)多個(gè)芯片進(jìn)行封裝老化測(cè)試有利于提高封裝效率國(guó)內(nèi)的長(zhǎng)電科技晶方科技甬矽電子均擁有較為領(lǐng)先的晶圓級(jí)封裝技術(shù)其中晶圓扇入技術(shù)主要應(yīng)用于模擬和混合信號(hào)芯片、MOS圖像傳感器等,晶圓扇出技術(shù)主要應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備的處理芯片。(二)/D封裝芯片上數(shù)據(jù)的輸入和輸出(IO)是計(jì)算的命脈將內(nèi)存置于芯片上有助于通過減少通信開銷來減少IO需求,但歸根結(jié)底,這是一種有限的擴(kuò)展途徑處理器必須與外部世界進(jìn)行交易以發(fā)送和接收數(shù)據(jù)。但摩爾定律使晶體管密度大約每18個(gè)月增加1倍,而IO數(shù)據(jù)的傳輸速率每4年才增加2倍二者的差異限制了芯片向高傳輸率低功耗方向發(fā)展因此產(chǎn)業(yè)界借助DL、硅
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