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計(jì)算機(jī)內(nèi)存實(shí)質(zhì)上是一組或多組具備數(shù)據(jù)輸入輸出和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能的集成電路。內(nèi)存的主要作用是用來(lái)存放計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行時(shí)所需要的數(shù)據(jù),存放各種輸入、輸出數(shù)據(jù)和中間計(jì)算結(jié)果,以及與外部存儲(chǔ)器交換信息時(shí)作為緩沖用。內(nèi)存的品質(zhì)直接關(guān)系計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的速度、穩(wěn)定性和兼容性。
4.1存儲(chǔ)器類(lèi)型
4.1.1只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器ROM主要用于存放計(jì)算機(jī)固化的控制程序,如主板的BIOS程序、顯卡BIOS控制程序、硬盤(pán)控制程序等。ROM的典型特點(diǎn)是:一旦將數(shù)據(jù)寫(xiě)入ROM中后,即使在斷電的情況下也能夠永久的保存數(shù)據(jù)。4.1.2隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM的最大特點(diǎn)是計(jì)算機(jī)可以隨時(shí)改變RAM中的數(shù)據(jù),并且一旦斷電,RAM中數(shù)據(jù)就會(huì)立即丟失。
1.動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM
在DRAM中數(shù)據(jù)是以電荷的形式存儲(chǔ)在電容上的,充電后電容上的電壓被認(rèn)為是邏輯上的“1”,而放電后的電容上的電壓被認(rèn)為是邏輯上的“0”。
2.靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAMSRAM靜態(tài)存儲(chǔ)器的基本單元實(shí)際上是一個(gè)包括6個(gè)高速晶體三極管組成的基本觸發(fā)器,它不是通過(guò)電容的充放電特性來(lái)存放數(shù)據(jù)的,而是利用晶體管觸發(fā)器的截止和飽和這兩個(gè)穩(wěn)定的工作狀態(tài)來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。4.2內(nèi)存條組成
實(shí)用內(nèi)存條或內(nèi)存模塊一般主要由PCB印刷電路板、內(nèi)存顆粒、SPD芯片和引腳幾個(gè)部分組成。4.2.1SPD芯片
SPD芯片一般位于內(nèi)存條正面的右側(cè),是一塊面積大約為4mm×3mm的8個(gè)管腳的SOIC封裝芯片,它實(shí)際是一個(gè)容量為256字節(jié)的電可擦寫(xiě)可編程只讀存儲(chǔ)器EEPROM(ElectricallyErasableProgrammableROM)。在SPD芯片中保存著內(nèi)存條的速度、工作頻率、容量、工作電壓、CASLatency參數(shù)、SPD版本等基本信息,這些信息是內(nèi)存生產(chǎn)廠家預(yù)先寫(xiě)入的。計(jì)算機(jī)在開(kāi)機(jī)啟動(dòng)過(guò)程中,支持SPD的BIOS程序會(huì)自動(dòng)讀取內(nèi)存SPD芯片中的信息,并按照SPD內(nèi)的預(yù)設(shè)值來(lái)設(shè)置內(nèi)存的存取速度。如果內(nèi)存上沒(méi)有SPD芯片,主板BIOS程序只能通過(guò)采用默認(rèn)值的方法來(lái)識(shí)別該內(nèi)存芯片的基本信息,但是這樣很容易造成系統(tǒng)不穩(wěn)定,甚至出現(xiàn)死機(jī)現(xiàn)象。列地址控制器的延遲時(shí)間CASLatency參數(shù),簡(jiǎn)稱(chēng)CL參數(shù)是當(dāng)一個(gè)讀命令發(fā)出后至數(shù)據(jù)發(fā)送至輸出端的所需要的時(shí)間,用時(shí)鐘周期來(lái)表示。顯然CASLatency時(shí)鐘周期數(shù)越少越好,這個(gè)數(shù)值一般是2或者3。總延遲時(shí)間=系統(tǒng)時(shí)鐘周期×CL(CASLatency)參數(shù)+存取時(shí)間
4.2.2印刷電路板印刷電路板PCB(PrintedCircuitBoard)是構(gòu)成內(nèi)存條的基礎(chǔ),承載著內(nèi)存的基本元件。由于是長(zhǎng)條形的外觀,這也是內(nèi)存被稱(chēng)作內(nèi)存“條”的直接原因。4.2.3內(nèi)存顆粒內(nèi)存顆粒是內(nèi)存條的核心。通常內(nèi)存條的每一面上有8顆內(nèi)存顆粒,并和內(nèi)存條的長(zhǎng)方向垂直,直接焊接在PCB板上。一般內(nèi)存顆粒上都印刷有生產(chǎn)廠家、編號(hào)等信息。從編號(hào)中,可以看出內(nèi)存顆粒的容量、數(shù)據(jù)寬度、工作速度、工作電壓等重要參數(shù)。
4.2.4內(nèi)存引腳與接口內(nèi)存條下面的引腳是內(nèi)存和外部進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)慕涌?。有時(shí)將內(nèi)存的引腳稱(chēng)為“金手指”。內(nèi)存引腳的數(shù)目也就是我們通常所說(shuō)的內(nèi)存的“線(xiàn)”數(shù),引腳的數(shù)目是由內(nèi)存架構(gòu)來(lái)決定的?,F(xiàn)在內(nèi)存條常用接口有如下兩種:1.DIMM(DualIn-LineMemoryModule)雙邊接觸內(nèi)存模塊接口。這種類(lèi)型接口的內(nèi)存條兩邊都有引腳。2.RIMM(RambusInterfaceMemoryModule)Rambus內(nèi)存模塊接口。4.3常用內(nèi)存
目前市場(chǎng)上流行的內(nèi)存條主要有SDRAM、DDRSDRAM、RDRAM三種類(lèi)型。4.3.1SDRAM內(nèi)存
SDRAM(SynchronousDRAM)存儲(chǔ)器又稱(chēng)同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,使用DIMM接口,每面有84線(xiàn),雙面為168線(xiàn)、3.3V工作電壓、64位數(shù)據(jù)線(xiàn),目前速度可達(dá)5ns以上。曾經(jīng)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中普遍使用的內(nèi)存條,見(jiàn)圖4-3所示。不過(guò)由于DDR內(nèi)存和RDRAM內(nèi)存的崛起,使用SDRAM內(nèi)存條的用戶(hù)已變得越來(lái)越少了。目前市面上常見(jiàn)的SDRAM內(nèi)存有PC100、PC133、PC150等。
4.3.2DDRSDRAM內(nèi)存1999年VIA和AMD公司在SDRAM基礎(chǔ)上聯(lián)合推出了DDRSDRAM內(nèi)存架構(gòu)。DDR的意思就是雙倍數(shù)據(jù)傳輸率(DoubleDataRate),DDRSDRAM就是雙倍數(shù)據(jù)傳輸率的SDRAM,或者說(shuō)DDR內(nèi)存是更先進(jìn)的SDRAM內(nèi)存。DDR內(nèi)存條是目前最流行的內(nèi)存條,DDR內(nèi)存的第二代產(chǎn)品DDR-Ⅱ也已出現(xiàn)。
DDR內(nèi)存在時(shí)鐘的上升沿和下降沿都能傳輸數(shù)據(jù)。雖然DDR傳輸數(shù)據(jù)的位數(shù)仍是64位,但它可以在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次數(shù)據(jù),所以DDR理論上的數(shù)據(jù)帶寬就比SDRAM增加了一倍。
目前DDR內(nèi)存規(guī)格主要有:DDR200(PC1600)、和DDR266(PC2100)、DDR333(PC2700)、DDR400(PC3200)等。
DDR200和SDRAM的PC100相對(duì)應(yīng),即工作頻率為100MHz,這樣DDR200的每秒鐘數(shù)據(jù)傳速率是2×100MHz×64位/8=1600MB/S。所以又稱(chēng)DDR200為PC1600。
按照內(nèi)存的CAS延遲參數(shù)來(lái)分,DDRSDRAM分為2和2.5兩種,如CL參數(shù)為2的PC2100叫做“DDR-266A”,而CL參數(shù)為2.5的PC2100叫做“DDR-266B”,其它的依此類(lèi)推。
DDRSDRAM內(nèi)存條有184針(pin),工作電壓也由原來(lái)的SDRAM的3.3v調(diào)低至2.5v。DDRSDRAM內(nèi)存與SDRAM內(nèi)存外觀非常相似,但DDRSDRAM只有一個(gè)定位槽,而普通的SDRAM有兩個(gè)定位槽,見(jiàn)圖4-3和4-4,兩者并不兼容,也不能混插。對(duì)DDRSDRAM內(nèi)存來(lái)說(shuō),每面有92線(xiàn),雙面為184線(xiàn),使用DIMM接口?,F(xiàn)在將DDR400以前的產(chǎn)品稱(chēng)為DDR-I代產(chǎn)品,而將DDR400以后的產(chǎn)品稱(chēng)為DDR-II代產(chǎn)品。如DDR400、DDR533、DDR800等。
4.3.3RDRAM內(nèi)存
RDRAM(RambusDRAM)規(guī)格最早在1996年由Intel提出,當(dāng)時(shí)主要是針對(duì)服務(wù)器與工作站等高級(jí)數(shù)據(jù)處理領(lǐng)域而研制的。RDRAM內(nèi)存現(xiàn)在習(xí)慣稱(chēng)為Rambus內(nèi)存或DRDRAM(DirectRambusDRAM接口動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)內(nèi)存,其外形和內(nèi)部形狀分別如圖4-6、4-7所示。
Rambus技術(shù)同時(shí)利用時(shí)鐘周期的上沿和下沿傳輸數(shù)據(jù),以產(chǎn)生雙倍的數(shù)據(jù)傳輸時(shí)鐘,目前RDRAM在一個(gè)傳輸沿中傳輸數(shù)據(jù)位數(shù)有兩種,一種是16位的數(shù)據(jù),另一種是32位的數(shù)據(jù),也稱(chēng)為16位的RDRAM和32位的RDRAM。這樣,一個(gè)傳輸周期的實(shí)際數(shù)據(jù)傳輸量只有32位或64位。
目前RDRAM的工作頻率有:400MHz、600MHz、800MHz、1066MHz、1200MHz等。
Rambus內(nèi)存還有一個(gè)特點(diǎn),就是它的行地址與列地址的尋址總線(xiàn)是各自分離的獨(dú)立總線(xiàn),這樣可使行與列的選址幾乎在同一時(shí)間內(nèi)進(jìn)行,從而進(jìn)一步提高了工作效率。
Rambus引入了RISC(精簡(jiǎn)指令集)技術(shù),依靠其極高的工作頻率,通過(guò)減少每個(gè)時(shí)鐘周期可傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量以簡(jiǎn)化操作,再由更高的工作頻率來(lái)確保更高的傳輸速率。
Rambus內(nèi)存使用了銅線(xiàn)連接內(nèi)存控制器和內(nèi)存模塊,并且通過(guò)減少銅線(xiàn)數(shù)量和長(zhǎng)度,降低電磁干擾,大幅度提高內(nèi)存的工作頻率。
為了解決發(fā)熱量高這個(gè)問(wèn)題,Rambus又采用一種折衷的方案,把內(nèi)存工作設(shè)計(jì)成4種工作模式:活動(dòng)狀態(tài),待命狀態(tài)、休眠狀態(tài)和關(guān)閉狀態(tài)。為了減少高頻下的電磁干擾并有助于在高頻率工作狀態(tài)下芯片的散熱,RDRAM還要再套上一個(gè)金屬外殼,如圖4-7所示。整套的RDRAM系統(tǒng)包括主驅(qū)動(dòng)單元、內(nèi)存控制器內(nèi)存時(shí)鐘發(fā)生器、內(nèi)存插槽、內(nèi)存模塊以及內(nèi)存續(xù)連器CRIMM(RIMMContinuityModules)組成。內(nèi)存續(xù)連器又稱(chēng)Rambus連接卡或Rambus終結(jié)器。其實(shí)Rambus終結(jié)器就是一個(gè)不帶RDRAM芯片的廉價(jià)模塊,物理規(guī)格以及其必要的電路都與真正的RDRAM一樣。
32位RDRAM使用兩條16位通道,但只占用一個(gè)RIMM插槽。32位RDRAM內(nèi)存插槽的連接結(jié)構(gòu)與16位大致相同。只是在以往沒(méi)有使用的中間部分增加了針腳。從圖4-8和圖4-9中可以看到用于16位RDRAM內(nèi)存的184針插槽和用于32位RDRAM內(nèi)存的232針插槽。
RIMM4200是Rambus最新開(kāi)發(fā)的規(guī)格,采用了包含雙16位通道的32位架構(gòu),這種設(shè)計(jì)使內(nèi)存帶寬成倍增加,同一時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量增加了一倍。它取代了以往主板上兩個(gè)獨(dú)立的16位RDRAMBank的做法,把兩條通道聯(lián)合到一個(gè)內(nèi)存上,使RIMM4200模塊不需要成對(duì)使用。
RDRAM內(nèi)存的缺點(diǎn)主要是生產(chǎn)成本較高,影響了RDRAM內(nèi)存的使用和普及。4.4內(nèi)存的選購(gòu)
現(xiàn)在市場(chǎng)主要有SDRAM、DDRSDRAM、RDRAM三種類(lèi)型的內(nèi)存可供選購(gòu)。從購(gòu)買(mǎi)內(nèi)存的原則來(lái)說(shuō)仍然是要堅(jiān)持按高性?xún)r(jià)比的原則選購(gòu),要選購(gòu)知名品牌的內(nèi)存。下面是選購(gòu)內(nèi)存時(shí)要注意的事項(xiàng)。1.內(nèi)存的品牌。2.內(nèi)存標(biāo)識(shí)。3.內(nèi)存速度。4.印刷電路板PCB。5.內(nèi)存容量。
如果要使用128M的內(nèi)存,就應(yīng)該選用單條容量是128M的內(nèi)存條,而不應(yīng)該選用兩根64M的內(nèi)存條。6.了解系統(tǒng)需要的內(nèi)存現(xiàn)在主板上都會(huì)安裝盡量多的內(nèi)存。但實(shí)際上,當(dāng)內(nèi)存容量提高到一定的時(shí)候,對(duì)計(jì)算機(jī)的性能已不產(chǎn)生什么影響。一般來(lái)說(shuō),使用Windows98操作系統(tǒng)時(shí),可安裝64M內(nèi)存,使用Win2000操作系統(tǒng)時(shí),可安裝128M內(nèi)存,使用WinXP
操作系統(tǒng)時(shí),可安裝256M內(nèi)存。7.使用測(cè)試軟件為了辨別內(nèi)存條的性能和真假,可以借助一些工具軟件來(lái)查看SPD芯片內(nèi)的信息。例如:在SiSoftSandra2001Standard系統(tǒng)分析軟件。4.5內(nèi)存優(yōu)化策略
1.BIOS中的內(nèi)存優(yōu)化現(xiàn)在的內(nèi)存條都有一個(gè)SPD芯片,該芯片記錄了諸如內(nèi)存的速度、容量、電壓與行、列地址帶寬等參數(shù)信息。在開(kāi)機(jī)啟動(dòng)過(guò)程中,支持SPD的BIOS會(huì)自動(dòng)讀取內(nèi)存SPD芯片中的信息,并按照SPD內(nèi)的預(yù)設(shè)值來(lái)設(shè)置內(nèi)存的存取時(shí)間等參數(shù)。為了讓內(nèi)存最大限度地發(fā)揮性能,可以在BIOS中對(duì)內(nèi)存參數(shù)進(jìn)行手工設(shè)置。方法是:進(jìn)入BIOS設(shè)置程序的“AdvancedChipsetFeatures”(高級(jí)芯片組特性)設(shè)置菜單,找到關(guān)于SPD的選項(xiàng),選擇“UserDefine”(用戶(hù)自定義)項(xiàng)。
2.操作系統(tǒng)下的內(nèi)存優(yōu)化(1)正確設(shè)置虛擬內(nèi)存我們知道實(shí)際內(nèi)存條稱(chēng)為物理內(nèi)存,其容量是有限的。當(dāng)物理內(nèi)存不夠用時(shí),為了能夠提供更多的內(nèi)存,Windows就將最近較少使用的內(nèi)存數(shù)據(jù)保存到硬盤(pán)一個(gè)虛擬內(nèi)存文件中,這個(gè)虛擬內(nèi)存文件就是我們平時(shí)所說(shuō)的交換文件,即用硬盤(pán)空間來(lái)模擬物理內(nèi)存使用稱(chēng)為虛擬內(nèi)存。系統(tǒng)需要這些數(shù)據(jù)時(shí),物理內(nèi)存再?gòu)挠脖P(pán)上的交換文件中讀取這些數(shù)據(jù)。Windows的交換文件的大小受到交換文件所在的硬盤(pán)分區(qū)的剩余空間大小的限制。
在Win9X下的交換文件Win386.swp一般都存放在默認(rèn)的C盤(pán)中,這樣將會(huì)不斷地在C盤(pán)上產(chǎn)生文件碎片、造成系統(tǒng)運(yùn)行速度變得越來(lái)越滿(mǎn)慢,同時(shí)C盤(pán)容量比較大,要存放大量的系統(tǒng)文件和常用的應(yīng)用程序,因此剩余空間并不太多,但進(jìn)行硬盤(pán)碎片整理要花更長(zhǎng)的時(shí)間。我們可以將虛擬內(nèi)存設(shè)置在一個(gè)專(zhuān)門(mén)用來(lái)存放臨時(shí)文件的相對(duì)空間較小的分區(qū),這樣一方面可以提高讀取數(shù)據(jù)的速度和效率,另一方面可以減少主分區(qū)上的文件碎片,當(dāng)硬盤(pán)碎片整理時(shí)只需要對(duì)該分區(qū)單獨(dú)進(jìn)行就可以了,節(jié)省硬盤(pán)碎片整理時(shí)間。具體方法是:進(jìn)入“控制面板”→“系統(tǒng)”→“性能”→“虛擬內(nèi)存”對(duì)話(huà)框,在這里選中“用戶(hù)自己指定虛擬內(nèi)存設(shè)置(M)”,然后在“硬盤(pán)”下拉列表框中選擇其它分區(qū),如D驅(qū)等。同時(shí)在“最小值”、“最大值”框中輸入一個(gè)相同的數(shù)值,該值至少應(yīng)大于物理內(nèi)存的2倍以上。如果你想將Windows2000虛擬內(nèi)存的位置轉(zhuǎn)移到其它分區(qū)的話(huà),可以進(jìn)入“控制面板”→“系統(tǒng)”→“高級(jí)”→“性能選項(xiàng)”→“虛擬內(nèi)存”→“更改”,即可對(duì)虛擬內(nèi)存進(jìn)行設(shè)置,注意在Windows2000/XP中將虛擬內(nèi)存稱(chēng)為“頁(yè)面文件”。
如果你想將WindowsXP虛擬內(nèi)存的位置轉(zhuǎn)移到其它分區(qū)的話(huà),可以進(jìn)入“控制面板”→“性能和維護(hù)”→“系統(tǒng)”→“高級(jí)”→“性能選項(xiàng)”→“虛擬內(nèi)存”→“更改”,即可對(duì)虛擬內(nèi)存進(jìn)行設(shè)置。設(shè)置虛擬內(nèi)存要注意如下2點(diǎn):
a.一般不要將虛擬內(nèi)存設(shè)置在操作系統(tǒng)所在分區(qū)或運(yùn)行速度較慢的硬盤(pán)上,在進(jìn)行硬盤(pán)分區(qū)時(shí),最好單獨(dú)劃分出一個(gè)2G左右的分區(qū),專(zhuān)門(mén)用于設(shè)置虛擬內(nèi)存和存放臨時(shí)文檔,臨時(shí)程序等,這樣可以將磁盤(pán)碎片集中到一個(gè)分區(qū)上,減少在其它分區(qū)產(chǎn)生磁盤(pán)碎片,提高系統(tǒng)啟動(dòng)速度。
b.最好將虛擬內(nèi)存的最大值、最小值設(shè)為相同,因?yàn)槿绻畲笾蹬c最小值不同的話(huà),則虛擬內(nèi)存所在硬盤(pán)分區(qū)更容易產(chǎn)生大量的磁盤(pán)碎片。(2)正確設(shè)置“主機(jī)用途”
在“控制面板”→“系統(tǒng)”→“性能”→“文件系統(tǒng)”中選中“硬盤(pán)”選項(xiàng)卡,如果將“此計(jì)算機(jī)的主要用途”由“臺(tái)式機(jī)”改變?yōu)椤熬W(wǎng)絡(luò)服務(wù)器”的話(huà),就可以提高系統(tǒng)性能,當(dāng)然使用該選項(xiàng)系統(tǒng)會(huì)占用較多的內(nèi)存。(3)減少內(nèi)存碎片
Windows系統(tǒng)在使用虛擬內(nèi)存過(guò)程中會(huì)不斷在物理內(nèi)存和虛擬內(nèi)存之間交換內(nèi)存頁(yè),系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)間一長(zhǎng),內(nèi)存中的頁(yè)面碎片,即內(nèi)存碎片將會(huì)越來(lái)越多,這些內(nèi)存碎片如不能得到及時(shí)釋放的話(huà),必然會(huì)造成系統(tǒng)運(yùn)行速度的下降。這時(shí)我們可以使用Windows優(yōu)化大師等內(nèi)存管理軟件釋放內(nèi)存碎片和剪貼板內(nèi)容,以提高系統(tǒng)的運(yùn)行速度。
3.如何節(jié)約內(nèi)存空間節(jié)約內(nèi)存空間可從下面幾個(gè)方面考慮:(1)設(shè)置窗口。要應(yīng)盡可能地使用簡(jiǎn)潔窗口。打開(kāi)“文件夾選項(xiàng)”窗口,在“常規(guī)”標(biāo)簽中選擇“傳統(tǒng)風(fēng)格”,這樣系統(tǒng)的文件窗口樣式就統(tǒng)一變成了簡(jiǎn)單Windows95窗口樣式了。
(2)設(shè)置桌面。取消桌面主題,也不要設(shè)置墻紙,也不要設(shè)置屏幕保護(hù)方式。(3)精心布置桌面快捷方式。將桌面上不需要的快捷方式可以刪除,更不要將文件直接放到桌面上。
(4)減少駐留內(nèi)存程序。程序從系統(tǒng)啟動(dòng)到系統(tǒng)關(guān)閉都一直在運(yùn)行,就稱(chēng)為駐留內(nèi)存程序。如果要更詳細(xì)了解正在內(nèi)存中執(zhí)行的程序,可以從“開(kāi)始”欄中選擇菜單“程序”→“附件”→“系統(tǒng)工具”→“系統(tǒng)信息”,在彈出的窗口中展開(kāi)“軟件環(huán)境”分支列表,選擇“正在運(yùn)行的任務(wù)”,就可以看到目前正在內(nèi)存中駐留運(yùn)行的程序,如圖4-14所示。另外從“軟件環(huán)境”列表項(xiàng)中可以看到多項(xiàng)和內(nèi)存使用有關(guān)的項(xiàng)目,如系統(tǒng)開(kāi)機(jī)啟動(dòng)的程序、加載的32位模塊,即設(shè)備驅(qū)動(dòng)程序等。
有些隨著系統(tǒng)啟動(dòng)而駐留內(nèi)存的程序,如果要設(shè)置它不自動(dòng)啟動(dòng),可以在“開(kāi)始”→“程序”→“啟動(dòng)”菜單欄中看是否有快捷方式,如果有,可以直接刪除。如果沒(méi)有
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