半導體制造技術必看考點

1、問答題 說明影響氧化速率的因素。2、問答題 個投影曝光系統(tǒng)承受ArF光源，數(shù)值孔徑為0.6，設k1=0.6，n=0.5，計算其理論區(qū)分率和焦深。3、填空題 爭論細胞構造和功能特別與疾病關系的細胞生物學分支稱為〔〕。4、問答題 什么是集中效應？什么是自摻雜效應？這兩個效應使得襯底/外延界面雜質分布有怎樣的變化？5、問答題 說明SiO2的構造和性質，并簡述結晶型SiO2和無定形SiO2的區(qū)分。6、問答題 典型的光刻工藝主要有哪幾步？簡述各步驟的作用。7、問答題 什么是濺射產(chǎn)額，其影響因素有哪些？簡述這些因素對濺射產(chǎn)額產(chǎn)生的影響。8、問答題 分別簡述RVD和GILD的原理，它們的優(yōu)缺點及應用方向。9、問答題 簡述常規(guī)熱氧化方法制備SiO2介質薄膜的動力學過程，并說明在什么狀況下氧化過程由反響掌握或集中掌握。10、問答題〔1〕1~6〔2〕211、問答題O2H2O2H2SiSiO2化？為什么？12、問答題 離子在靶內(nèi)運動時，損失能量可分核阻滯和電子阻滯，解釋什么是核阻滯、電子阻滯？兩種阻滯本領與注入離子能量具有何關系？13、問答題1～5各步的含義。14、問答題 MEMSSi加工工藝主要分為哪兩類，它們最根本的區(qū)分是什么？15、問答題 什么是光刻中常見的外表反射和駐波效應？如何解決？16、問答題依據(jù)曝光方式的不同，光學光刻機可以分成幾類？各有什么優(yōu)缺點？17、問答題雜質原子的集中方式有哪幾種？它們各自發(fā)生的條件是什么？從原子集中的角度舉例說明氧化增加集中和氧化阻滯集中的機理。18、問答題寫出菲克第肯定律和其次定律的表達式，并解釋其含義。19、問答題 熱蒸發(fā)法淀積薄膜的淀積速率與哪些因素有關？淀積速率的測量承受什么方法？20、問答題 簡述APCVD、LPCVD、PECVD的特點。21、問答題 射頻放電與直流放電相比有何優(yōu)點？22、問答題 CVD淀積過程中兩個主要的限制步驟是什么？它們分別在什么狀況下會支配整個淀積速率？23、問答題 簡述外延薄膜的生長過程，其最顯著的特征是什么？24、問答題 熱退火用于消退離子注入造成的損傷，溫度要低于雜質熱集中的溫度，然而，雜質縱向分布仍會消滅高斯展寬與拖尾現(xiàn)象，解釋其緣由。25、問答題 在MEMS加工中，為了準確掌握腐蝕深度，有哪幾種腐蝕停頓技術，分別說一下其腐蝕停頓原理。26、問答題 什么是離子分布的偏斜度和峭度，和標準高斯分布有什么區(qū)分？27、問答題承受無定形掩膜的狀況下進展注入，假設掩蔽膜/襯底界面的雜質濃度削減至峰值濃度的1/10000，掩蔽膜的厚度應為多少？用注入雜質分布的射程和標準偏差寫出表達式。28、問答題 從寄生電阻和電容、電遷移兩方面說明后道工藝中〔Back-End-Of-Line，BEOL〕承受銅〔Cu〕互連和低介電常數(shù)〔low-k〕材料的必要性。29、問答題應力分為壓應力和張應力，以下圖的外形是由于哪種應力產(chǎn)生的？請在圖上標出應力的方向。假設要讓上面的構造材料變得平坦，要怎么做？30、問答題 以P2O5為例，多晶硅中雜質集中的方式及分布狀況。31、問答題簡述硼和磷的退火特性。32、問答題Si-SiO2界面電荷有哪幾種？簡述其來源及處理方法。33、問答題 畫出側墻轉移工藝和self-aligneddoublepatterning〔SADP〕的工藝流程圖。34、問答題 什么是離子注入的橫向效應？同等能量注入時，As和B哪種橫向效應更大？為什么？35、問答題并給出其變化的緣由。36、問答題 什么是固相外延〔SPE〕及固相外延中存在的問題？37、問答題 簡述BOE〔或BHF〕刻蝕SiO2的原理。38、問答題 在銅互連中，為什么要用銅集中阻擋層？阻擋層分成哪幾種，分別起什么作用？39、問答題 假設進展一次受固溶度限制的預淀積集中，從摻雜玻璃源引入的雜質總劑量為Qcm-2。40、問答題 浸沒式光刻機相對于傳統(tǒng)的光刻機有何不同。41、問答題 物理氣相淀積最根本的兩種方法是什么？簡述這兩種方法制備薄膜的過程。42、問答題 簡述RTP設備的工作原理，相對于傳統(tǒng)高溫爐管它有什么優(yōu)勢？43、問答題 常用濺射技術有哪幾種，簡述它們的工作原理和特點。44、問答題 簡述電子束光刻的光柵掃描方法和矢量掃描方法有何區(qū)分。45、問答題 對RTP來說，很難在高溫下處理大直徑晶圓片而不在晶圓片邊緣造成熱塑應力引起的滑移。分析滑移產(chǎn)生的緣由。假設溫度上升速度加快后，滑移現(xiàn)象變得更為嚴峻，這說明晶圓片外表上的輻射分布是怎樣的？46、問答題 在干法刻蝕的終點檢測方法中，光學放射頻譜分析法最常見，簡述其工作原理和優(yōu)缺點。47、問答題 在光刻中，能夠在增加區(qū)分率的同時增加聚焦深度嗎？為什么？48、問答題 什么是離子注入中常發(fā)生的溝道效應〔Channeling〕和臨界角？怎樣避開溝道效應？49、問答題 對于某種薄膜的CVD過程，淀積溫度為900℃，質量傳輸系數(shù)hG=10cms-1，外表反響速率系數(shù)ks=1×107exp〔-1.9eV/kT〕cms-1。現(xiàn)有以下兩種淀積系統(tǒng)可供選擇〔1〕冷壁，石墨支座型；〔2〕熱壁，堆放硅片型。應中選用哪種類型的淀積系統(tǒng)并簡述理由。50、問答題 一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜掩蓋。所需數(shù)據(jù)見下表，玻爾茲曼常數(shù)k=1.38×10-23。〔1〕在1200℃下，承受H2O氧化，使厚度增加0.5um需要多少時間？?！?〕在1200℃下，承受干氧氧化，增加同樣的厚度需要多少時間？51、問答題 簡述在熱氧化過程中雜質再分布的四種可能狀況。52、問答題 什么是兩步集中工藝，其兩步集中的目的分別是什么？53、問答題 影響外延薄膜的生長速度的因素有哪些？54、問答題 分別畫出單大馬士革和雙大馬士革工藝流程圖。55、問答題 簡述幾種典型真空泵的工作原理。56、問答題 簡述雜質在SiO2的存在形式及如何調(diào)整SiO2的物理性質。57、問答題P2O2SiO258、問答題 集成電路制造中有哪幾種常見的集中工藝？各有什么優(yōu)