電鏡數(shù)據(jù)分析

透射電鏡數(shù)據(jù)分析電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第1頁(yè)。數(shù)據(jù)分析形貌電子衍射高分辨像成分分析電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第2頁(yè)。振幅襯度和衍射襯度樣品中質(zhì)量厚度大的部分被擋（光闌）掉的彈性散射電子數(shù)多，在成像中相應(yīng)的部分就成為較暗的地區(qū)，形成振幅襯度。晶體中的原子作周期排列，入射電子與它們相碰撞時(shí)會(huì)在某些特定方向產(chǎn)生很強(qiáng)的散射波，這就是通常所說(shuō)的Bragg衍射。2dsinθ=nλ.這樣，用透射電子束成象時(shí),取向不同的晶粒就可以得到不同的襯度,反應(yīng)出它們不同的取向，形成衍射襯度。

衍襯象中心暗場(chǎng)衍襯象

電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第3頁(yè)。相位襯度

從電子波動(dòng)性來(lái)看，入射電子中的透射波與散射波之間有相位差（特薄的樣品除外）。樣品各部分散射波的強(qiáng)弱不同，透射波與散射波合成成象時(shí)就會(huì)出現(xiàn)明暗的差別，稱(chēng)為相位襯度。當(dāng)試樣很薄時(shí)，可以忽略電子的非彈性散射影響，電子在逸出樣品下表面時(shí)，振幅幾乎沒(méi)有變化，可以認(rèn)為只有相位變化。但是從熒光屏上觀察不到電子波的相位變化，而只有將相位的不同轉(zhuǎn)化為振幅的不同后才能從熒光屏上觀察到。A為透射波，C為散射波，A+C的合成波為B波。當(dāng)A與C波重新在相面上組合，若物鏡為完整透鏡、正聚焦以及無(wú)光闌的情況下，此時(shí)象面與物面為嚴(yán)格的共軛面，成為一片亮的象而無(wú)細(xì)節(jié)，不能反映相位襯度。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第4頁(yè)。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第5頁(yè)。衍襯像電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第6頁(yè)。相位襯度電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第7頁(yè)。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第8頁(yè)。位錯(cuò)線的襯度（hkl)是由于位錯(cuò)線D引起局部畸變的一組晶面，若該晶與Bragg條件的偏離參量為s0,并設(shè)s0>0，則在遠(yuǎn)離位錯(cuò)的區(qū)域（如A和C位置）衍射波的強(qiáng)度為I。位錯(cuò)引起它附近晶面的局部轉(zhuǎn)動(dòng)，在應(yīng)變場(chǎng)范圍內(nèi),(hkl)晶面存在額外的附加偏差s’。離位錯(cuò)愈遠(yuǎn)，ls’l值小,在位錯(cuò)的右邊s’>0，在其左邊s’<0。在右邊區(qū)域內(nèi)（如B)，總偏差s0+s’>s0，衍射強(qiáng)度IB<I；而在左邊，s’與s0的符號(hào)相反，總偏差s0+s’<s0，在某個(gè)位置（如D’）時(shí)恰使s0+s’=0，衍射強(qiáng)度ID’=Imax。這樣，在偏離位錯(cuò)線的左側(cè)，產(chǎn)生位錯(cuò)線的象，暗場(chǎng)中為亮線，明場(chǎng)中為暗線。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第9頁(yè)。a，銅合金輕微變形后位錯(cuò)在初滑移和交滑移面上的分布b，銅合金輕微變形后位錯(cuò)在孿晶界的排列c，銅合金輕微變形后的層錯(cuò)abc電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第10頁(yè)。厚度條紋s不變，t變：Ig1/sg電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第11頁(yè)。消光條紋傾動(dòng)樣品，消光條紋的位置將跟著變動(dòng)，在熒光屏上掃動(dòng)。有時(shí)在移動(dòng)樣品后，當(dāng)電子束入射引起樣品加熱而發(fā)生翹曲變形時(shí)也有同樣現(xiàn)象（在STEM模式下可消減）。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第12頁(yè)。Fresnel（費(fèi)涅爾）條紋電子光源的直接波和來(lái)自微孔邊緣的散射波發(fā)生干涉而呈現(xiàn)的明暗條紋圖。常用微柵孔的Fresnel條紋的對(duì)稱(chēng)性來(lái)判別物鏡象散和進(jìn)行消象散操作。兩束電子之間的光程差為：（Z/cos—Z），如滿足n=(Z/cos—Z），則相互干涉后會(huì)行成一系列的強(qiáng)度條紋（Fresnel條紋）。是電子束通過(guò)薄膜后產(chǎn)生的相位差。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第13頁(yè)。第二相粒子的襯度一般來(lái)說(shuō)，可以通過(guò)兩種方式引起第二相的襯度。1.穿過(guò)粒子晶體的衍射波，其振幅和位相發(fā)生了變化.2.粒子的存在引起周?chē)c(diǎn)陣發(fā)生局部畸變，類(lèi)似于位錯(cuò)的襯度。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第14頁(yè)。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第15頁(yè)。Kikuch（菊池）線在較厚并且完整的晶體中，入射電子束產(chǎn)生非彈性散射電子，接著又受到Bragg衍射后形成的圖象電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第16頁(yè)。EBSD電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第17頁(yè)。Moire圖型當(dāng)兩層晶面間距不同或傾斜角度不同的薄晶體疊放時(shí)，會(huì)形成moire圖（水紋象）。(a)平行moire圖；(b)旋轉(zhuǎn)moire圖。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第18頁(yè)。HRTEM和HAADF-STEM的成象HRTEM：平行電子束入射，在熒光屏上顯示出透射和散射電子波的相位襯度，反映了原子象。HAADF：會(huì)聚電子束入射并掃描，用環(huán)形探頭收集彈性散射電子，重原子象為亮點(diǎn)。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第19頁(yè)。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第20頁(yè)。SrTiO4的HRTEM和HAADF象的比較

可觀察到Sr原子陣列的位置SrTiO4TEMHAADF2.5nm(020)(200)(111)(311)電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第21頁(yè)。Al-Cu合金中GP區(qū)的HRTEM和HAADF-STEM象淬火后的Al-Cu合金在低溫時(shí)效時(shí)CuAl2相的析出遵循如下規(guī)律：GP-I—GP-II（”）—’—（CuAl2）TEM象電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第22頁(yè)。GP-I區(qū)的HRTEM和HAADF-STEM象

（顯示出Cu原子的位置）電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第23頁(yè)。GP-II區(qū)中的單Cu原子層和雙Cu原子層的觀察電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第24頁(yè)。一些圖例電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第25頁(yè)。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第26頁(yè)。LatticedefectinCdTe晶格缺陷電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第27頁(yè)。M5鋯合金管坯顯微組織電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第28頁(yè)。AlMgSi合金及時(shí)效析出Mg2Si相電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第29頁(yè)。ZnO納米管比較SEM圖像電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第30頁(yè)。比較SEM圖像電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第31頁(yè)。比較SEM圖像C納米管覆金顆粒電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第32頁(yè)。薄壁C納米管上沉積Au納米顆粒TEM圖像電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第33頁(yè)。HRTEM圖像電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第34頁(yè)。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第35頁(yè)。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第36頁(yè)。SiO2球SEM照片電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第37頁(yè)。SiO2球TEM圖像電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第38頁(yè)。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第39頁(yè)?；瘜W(xué)方法制備In2O3納米微孔顆粒電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第40頁(yè)。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第41頁(yè)。AlN(4nm)/SiO2(0.6nm)多層膜的低倍截面HRTEM像電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第42頁(yè)。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第43頁(yè)。高合金鋼中合金碳化物萃取復(fù)型電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第44頁(yè)。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第45頁(yè)。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第46頁(yè)。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第47頁(yè)。納米顆粒電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第48頁(yè)。SiC線電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第49頁(yè)。SiC線電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第50頁(yè)。鉍合金納米顆粒電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第51頁(yè)。ELECTRONDIFFRACTION

電子衍射SelectedAreaElectronDiffraction(SAED)選區(qū)電子衍射Micro/nanoBeamDiffraction(NBD)微束電子衍射ConvergentBeamElectronDiffraction(CBED)會(huì)聚電子束衍射電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第52頁(yè)。晶體結(jié)構(gòu)的基本概念空間點(diǎn)陣（晶格）陣胞與點(diǎn)陣類(lèi)型布拉菲點(diǎn)陣晶體結(jié)構(gòu)＝空間點(diǎn)陣＋結(jié)構(gòu)基元晶向指數(shù)與晶面指數(shù)，晶向族與晶面族倒易點(diǎn)陣及與正點(diǎn)陣晶面的對(duì)應(yīng)關(guān)系晶面間距與晶面夾角晶帶電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第53頁(yè)。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第54頁(yè)。六方系密勒指數(shù)（三軸）密勒－布拉菲指數(shù)（四軸）[uvtw](hkil)只有三個(gè)是獨(dú)立的t=-(u+v)i=-(h+k)電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第55頁(yè)。倒易點(diǎn)陣——一種晶體學(xué)的表達(dá)方式與正點(diǎn)陣間的關(guān)系是：矢量方向代表該族晶面的法線方向。矢量長(zhǎng)度為晶面間距的倒數(shù)。這樣，正空間的許多晶面在倒易空間中就成了許多點(diǎn)。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第56頁(yè)。Ewald球以O(shè)為圓心，1/λ為半徑的球.Sinθ=(OG/2)/(1/λ)=(OG*λ)/2.2dSinθ=λ,Sinθ=λ/2d,(OG*λ)/2=λ/2d,OG=1/d

所以G點(diǎn)衍射斑就是晶面間距為d晶面的倒易點(diǎn)。λ很短，1/λ半徑很長(zhǎng)，θ又很小，因此Ewald球與倒易面相交的部分可看作一個(gè)平面。另外，λ有一狹窄的范圍分布，所以Ewald球有一定的厚度。再有，樣品有一厚度，通過(guò)計(jì)算可以證明倒易點(diǎn)在[hkl]方向會(huì)被拉長(zhǎng)成為倒易桿。延長(zhǎng)的長(zhǎng)度為2/εnkl,ε為樣品厚度。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第57頁(yè)。晶帶晶體中與某一晶向[uvw]平行的所有(hkl)晶面屬于同一晶帶，稱(chēng)為[uvw]晶帶；晶向[uvw]中過(guò)（點(diǎn)陣坐標(biāo)）原點(diǎn)的直線稱(chēng)為晶帶軸。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第58頁(yè)。晶帶軸指數(shù)h1k1l1h1k1l1h2k2l2h2k2l2+++---uvwu:v:w=(k1l2-k2l1):(l1h2-l2h1):(h1k2-h2k1)已知[uvw]晶帶中任意兩晶面(h1kl)與(h1kl)，則可求出晶帶軸指數(shù)[uvw],注意計(jì)算結(jié)果的低指數(shù)化，如[224]—[112]。晶帶定理:hu+kv+lw=0u,v,w

晶帶軸的指數(shù)（正點(diǎn)陣中晶向指數(shù)）h,k,l

倒易點(diǎn)陣矢量指數(shù)（正點(diǎn)陣中晶面指數(shù)）電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第59頁(yè)。立方晶系晶面夾角：立方晶系晶面間距：電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第60頁(yè)。Bragg定率：2dsinθ=λ高能電子衍射圖倒易點(diǎn)陣平面的投影放大象衍射方程：K`-K=g圖中幾何關(guān)系：tan2=R/Ltan2=2Sin

這樣：

Rd=L因極小，約1～2度，所以近似有：設(shè)相機(jī)常數(shù)K=L則：Rd=K電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第61頁(yè)。衍射圖形的解釋多晶衍射:得到連續(xù)或不連續(xù)的衍射環(huán)，測(cè)定產(chǎn)生每一個(gè)衍射環(huán)的晶面間距，就可以定出晶體結(jié)構(gòu)。多晶體的織構(gòu)：這時(shí)衍射環(huán)成為不連續(xù)的對(duì)稱(chēng)弧段。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第62頁(yè)。雙相共存時(shí)產(chǎn)生的多重衍射

基體的衍射斑作為第二相的入射束時(shí)所產(chǎn)生的結(jié)果電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第63頁(yè)。兩層重疊晶體的雙重衍射

上面一層晶體的衍射斑作為下面一層晶體的入射束時(shí)的結(jié)果電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第64頁(yè)。電子衍射花樣的標(biāo)定電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第65頁(yè)。一、多晶體電子衍射花樣的標(biāo)定取向雜亂的小晶體顆粒，d值相同的同一{hkl}晶面族內(nèi)符合衍射條件的晶面組所產(chǎn)生的衍射束，構(gòu)成以入射束為軸，2θ為半頂角的圓錐面，它與照相底版的交線即為半徑R=λL/d的圓環(huán)。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第66頁(yè)。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第67頁(yè)。1.主要有兩個(gè)用途：1）利用已知晶體樣品標(biāo)定相機(jī)常數(shù)K2）大量彌散粉末粒子的物相鑒定2.標(biāo)定步驟：1）量衍射環(huán)半徑R（量直徑D可減小誤差）2）計(jì)算R2及Rj2/R12（R1為最內(nèi)層環(huán)半徑），找出最接近的整數(shù)比規(guī)律（可全部乘以2或3后判斷），由此確定各環(huán)N值（代表晶面族的整數(shù)指數(shù)，N＝h2+k2+l2），查N值對(duì)照表或X射線ASTM卡片可標(biāo)出相應(yīng)的晶面族指數(shù){hkl}3)若為已知晶體，則各面間距d值確定，根據(jù)公式K=Rd可標(biāo)定電鏡相機(jī)常數(shù)K。若K確定，則可求出d值，由照片估計(jì)環(huán)強(qiáng)度，查ASTM卡片核對(duì)，同時(shí)參考已知的其它信息（樣品來(lái)源及處理、化學(xué)成分等）確定物相。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第68頁(yè)。注意不同晶系的N值的遞增規(guī)律不同，如bcc的h+k+l=偶數(shù)才有衍射，它的N只有2、4、6、8……；fcc的h、k、l為全奇數(shù)或全偶數(shù)時(shí)才有衍射，它的N為3、4、8、11、12……。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第69頁(yè)。二、單晶體電子衍射花樣的標(biāo)定衍射斑點(diǎn)就是衍射晶面的倒易陣點(diǎn)，斑點(diǎn)的作標(biāo)矢量R就是相應(yīng)的倒易矢量g，兩者只相差衍射的放大率即相機(jī)常數(shù)K。作標(biāo)矢量R之夾角等于相應(yīng)晶面的夾角。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第70頁(yè)。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第71頁(yè)。單晶衍射花樣標(biāo)定－確定產(chǎn)生衍射斑點(diǎn)的晶面組指數(shù)（hkl）標(biāo)定方法（預(yù)先了解盡量多的樣品信息）1.嘗試－核算法1）與多晶環(huán)標(biāo)定相同，測(cè)量靠近中心且不在一直線上的幾個(gè)斑點(diǎn)半徑R，計(jì)算R2及Rj2/R12（R1為最內(nèi)層環(huán)半徑），找出最接近的整數(shù)比規(guī)律（可全部乘以2或3后判斷），由此確定各點(diǎn)N值（N＝h2+k2+l2），查N值對(duì)照表或X射線ASTM卡片可標(biāo)出相應(yīng)的晶面族指數(shù){hkl};若相機(jī)常數(shù)已知?jiǎng)t直接算出各面間距d值并與標(biāo)準(zhǔn)d值比較直接寫(xiě)出{hkl}。2）根據(jù)斑點(diǎn)所屬的{hkl}，任意假定一斑點(diǎn)的指數(shù)h1k1l1，第二個(gè)斑點(diǎn)的指數(shù)h2k2l2須根據(jù)R1與R2夾角的測(cè)量值是否與該兩組晶面的夾角相符來(lái)確定；晶面夾角可計(jì)算或查表獲得。其余斑點(diǎn)的指數(shù)可由R的矢量運(yùn)算獲得，注意反復(fù)驗(yàn)算夾角確保無(wú)誤。3）由不在一直線上的兩斑點(diǎn)指數(shù)確定晶帶軸指數(shù)—入射電子束方向B（注意底片分析時(shí)應(yīng)選g2在g1的逆時(shí)針?lè)较蚯見(jiàn)A角小于180度）。2.標(biāo)準(zhǔn)花樣對(duì)照法電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第72頁(yè)。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第73頁(yè)。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第74頁(yè)。會(huì)聚電子束衍射電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第75頁(yè)。EDSAnalysisintheAnalyticalEM

電鏡中的能譜分析電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第76頁(yè)。QuantitativeLinescan

線掃描能譜分析例子電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第77頁(yè)。Lineprofiles能譜微區(qū)成分分析電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第78頁(yè)。EDSmappingwithFESTEM能譜分析例子電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第79頁(yè)。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第80頁(yè)。電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第81頁(yè)。ThicknessIssues樣品厚度的影響電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第82頁(yè)。EffectofsamplethicknessonQuantResults

樣品厚度對(duì)結(jié)果的影響

Spectrum Instats. O Al TotalThickest Yes 35.22 64.78 100.00Thicker Yes 36.06 63.94100.00Thinarea Yes 41.21 58.79 100.00

電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第83頁(yè)。ElectronEnergyLossSpectroscopy電子能量損失譜EELS電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第84頁(yè)。能量過(guò)濾系統(tǒng)

(EnergyFilterSystem)把彈性散射和非彈性散射的電子分開(kāi)，分別加以處理Ω型能量過(guò)濾器(In-columnEnergyFilter)

裝在鏡筒內(nèi)部，由4個(gè)譜儀構(gòu)成 觀察視野不受限制，特別適合會(huì)聚束電子衍射等模擬計(jì)算 造價(jià)較之GIF系統(tǒng)要貴扇形能量過(guò)濾器(Post-columnEnergyFilter)

GIF系統(tǒng)屬于這種 裝在照相室的下部 只有中心部分進(jìn)入過(guò)濾器中，觀察視野受到限制電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第85頁(yè)。EELS優(yōu)點(diǎn)對(duì)輕元素更加敏感能得到化學(xué)鍵的信息非彈性散射電子產(chǎn)生的色差可能會(huì)在圖像中被濾去可以和能譜的面掃描同時(shí)得到能量損失譜的面分布圖電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第86頁(yè)。DrawbacksofEELS缺點(diǎn)

Userinterfacecomplicated操作介面復(fù)雜Spectrometersneedtobefocussedandaligned譜儀需要聚焦并對(duì)中Interpretationcomplex更難詮釋數(shù)據(jù)Samplethicknessveryimportant樣品的厚度對(duì)結(jié)果影響很大電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第87頁(yè)。JEM2010FEF（UHR）場(chǎng)發(fā)射槍FEGUHR極靴STEM電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第88頁(yè)。GIFTridiem-能量過(guò)濾器電鏡數(shù)據(jù)分析全文共95頁(yè)，當(dāng)前為第89頁(yè)。