硅中氧主要來源于熔融硅與石英坩堝的反應(yīng)因此直拉硅單晶比區(qū)熔硅教學課件_第1頁
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外的定義外延(epitaxy):是在單晶襯底上新生一層單晶膜的技術(shù)新生單晶層按襯底晶向延伸生長,即稱此為外延層。長了外延層的襯底稱為外延片外延技術(shù)具有生成的晶體結(jié)構(gòu)良好、摻入的茶質(zhì)濃度易控制、可形成接近突變pn結(jié)的特點。外延pReXyLayer寸底Substrate底Substrate外延前外延后外延的分類按制備方法分按反應(yīng)室分類按材料異同分按外延溫度分按反應(yīng)壓力分按摻雜濃度和導電類型分按外延厚度和結(jié)構(gòu)分按外延生長方法按氣相外延(VPE)制液相外延(LPE)萬·相外延(SPE)分分子束外延(MHBE金屬有機物化學氣相淀積(MOCVD)氣相外延(vPE利用硅的氣態(tài)化合物或者液態(tài)化合物的蒸氣,在加熱的硅襯底表面與氫發(fā)生反應(yīng)或自身發(fā)生分解反應(yīng)還原出硅。對硅而言,廣泛釆用氣相外延,因為它易于控制摻雜濃度,并獲得完美的晶體結(jié)構(gòu)。汽相外延方式常用來生長S外延材料、GaAs外延材料等液相外延將元素的飽和液相溶液與襯底晶體直接接觸,處于熔點溫度下緩慢降溫而析出固相,沿襯底向上逐步轉(zhuǎn)化為外延層。液相外延主要用于生長制造光電器件所需的化合物外延功能薄層材料固相外延(SPE)在離子注入所形成的無定形層的退火過程中形成再結(jié)層分子束外延MBE)在超高真空條件下,利用薄膜組分元素受熱蒸發(fā)所形成的原子或分子束,以很高的速度直接射到襯底表面并在其上形成外延層的技術(shù)。其特點是生長時襯底溫度低,外延膜的組分、摻雜濃度以及分布可以實現(xiàn)原子級的精確控制。廣泛地用于獲得超薄層異質(zhì)結(jié)外延功能材料,特別是微電子器件所需的各種異質(zhì)結(jié)外延材料。金屬有機化合物化學汽相沉淀(MOCVD)方式是采用處于液相狀態(tài)的金屬(Ⅱ、Ⅲ族)有機化合物同汽態(tài)的氫化物(V、Ⅵ族)作為沉積源原材料,以熱分解反應(yīng)的方式在襯底沉積、淀積形成外延薄層的一種

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