電子束曝光技術(shù)及其應(yīng)用綜述

電子束曝光技術(shù)及其應(yīng)用綜述集團(tuán)企業(yè)公司編碼：〔LL3698-KKI1269-TM2483-LUI12689-ITT289-引 言在過去的幾年中，微電子技術(shù)已進(jìn)展到深亞微米階段，并正在向納米階段推動。在此期間，與微電子領(lǐng)域相關(guān)的微/納加工技術(shù)得到了飛速進(jìn)展，如圖形曝光〔光刻〕技術(shù)、材料刻蝕技術(shù)、薄膜生成技術(shù)、離子注入技術(shù)和粘結(jié)互連技術(shù)等。在這些加工技術(shù)中，圖形曝光技術(shù)是微電子制造技術(shù)進(jìn)展的主要推動者，正是由于曝光圖形的區(qū)分率和套刻精度的不斷提高，促使集成電路集成度不斷提高和制備本錢持續(xù)降低[1]。幾十年來，在半導(dǎo)體器件和IC生產(chǎn)上始終占主導(dǎo)地位的光學(xué)曝光工藝為IC產(chǎn)業(yè)鏈的進(jìn)展做出了巨大奉獻(xiàn)。通過一系列技術(shù)創(chuàng)，承受超紫外準(zhǔn)分子激光〔193/157nm〕的光學(xué)曝光機(jī)甚至已將器件尺寸進(jìn)一步推動到0.15～0.13μm，例如PAS5500/950B〔ASML公司〕，NSR-203B〔Nikon公司〕和FPA-5000ESI/ASI〔Canon公司〕。但是，隨著器件尺寸向0.1μm以下靠近，光學(xué)曝光技術(shù)將面臨嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，例如區(qū)分率的提高使生產(chǎn)設(shè)備價格大幅攀升、超紫外光焦深縮短引起的材料吸取問題等，使光學(xué)曝0.1μm2～3]。四種電子束曝光系統(tǒng)電子束曝光是利用電子束在涂有感光膠的晶片上直接描畫或投影復(fù)印圖形的技術(shù)，它的特點是區(qū)分率高〔極限區(qū)分率可到達(dá)3～8μm〕、圖形產(chǎn)生與修改簡潔、制作周期短[4，5]。它可分為掃描曝光和投影曝光兩大類，其中掃描曝光系統(tǒng)是電子束在工件面上掃描直接產(chǎn)生圖形，區(qū)分率高，生產(chǎn)率低。投影曝光系統(tǒng)實為電子束圖形復(fù)印系統(tǒng)，它將掩模圖形產(chǎn)生的電子像按原尺寸或縮小后復(fù)印到工件上，因此不僅保持了高區(qū)分率，而且提高了生產(chǎn)率。基于改進(jìn)掃描電鏡〔SEM〕的電子束曝光系統(tǒng)由于SEM的工作方式與電子束曝光機(jī)格外相近，最初的電子束曝光機(jī)是從SEM根底上改裝進(jìn)展起來的[6]。近年來隨著計算機(jī)技術(shù)的飛速進(jìn)展，將SEM如圖1所示，主要改裝工作是設(shè)計一個圖形發(fā)生器和數(shù)模轉(zhuǎn)換電路，并配備一臺PC機(jī)。PC機(jī)通過圖形發(fā)生器和數(shù)模轉(zhuǎn)換電器去驅(qū)動SEM的掃描線圈，從而使電子束偏轉(zhuǎn)。同時通過圖形發(fā)生器掌握束閘的通斷，最終在工件上描繪出所要求的圖形。通常承受矢量掃描方式描繪圖形，即在掃描場內(nèi)以矢量方式移動電子束，在單元圖形內(nèi)以光柵掃描填充。對SEM進(jìn)展改裝時，應(yīng)考慮SEM偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的帶寬以及工作臺移動精度等對曝光圖形誤差和圖形畸變的影響。目前，高檔SEM改裝系統(tǒng)的功能接近于專用電子束曝光機(jī)，但由于受到視場小、速度低及自動化程度低等限制，在生產(chǎn)率上不行能與專用電子束曝光系統(tǒng)相比。表1列出幾種SEM改裝型電子束曝光系統(tǒng)的主要性能指標(biāo)。高斯電子束掃描系統(tǒng)曝光時，先將單元圖形分割成場，工件臺停頓時電子束在掃描場內(nèi)逐個對單元圖形進(jìn)展掃描，并以矢量方式從一個單元圖形移到另一個單元圖形；完成一個掃描場描繪后，移開工件臺再進(jìn)展其次個場的描繪，直到完成全部外表圖形的描繪。由于只對需曝光的圖形進(jìn)展掃描，沒有圖形局部快速移動，故掃描速度較高。同時為了提高速度和便于場畸變修正，有局部系統(tǒng)將掃描場分成假設(shè)干子場，電子束偏轉(zhuǎn)分成兩局部：先由16位數(shù)模轉(zhuǎn)換器〔DAC〕將電子束偏轉(zhuǎn)到某子場邊緣，再由高速12位DAC在子場內(nèi)偏轉(zhuǎn)電子束掃描曝光，如圖2所示。系統(tǒng)的特點是承受高精度激光掌握臺面，區(qū)分率可達(dá)1nm以下，但生產(chǎn)率遠(yuǎn)低于光學(xué)曝光系統(tǒng)，并隨著圖形密度增加而顯著降低，因此難以進(jìn)入大規(guī)模集成電路〔LSI〕生產(chǎn)線[7]。表2給出了幾種典型高斯掃描系統(tǒng)的型號和主要技術(shù)指標(biāo)。承受高速掃描方式對整個圖形場掃描，利用快速束閘掌握電子束通斷，實現(xiàn)選擇性曝光。例如美國Etec公司生產(chǎn)的MEBES系統(tǒng)承受高亮度熱場致放射陰極，在掩模版上可獲得400A/cm2的束電流密度，工件臺在X方向作連續(xù)移動時，電子束在Y方向作短距離重復(fù)掃描，從而形成一條光柵掃描圖形帶。隨后工件臺在Y方向步進(jìn)，再描繪相鄰的圖形帶。激光干預(yù)儀對工件臺位置進(jìn)展實時監(jiān)測并補(bǔ)償行進(jìn)中的工件臺的位置誤差。由于承受了工件臺連續(xù)移動、大束斑快速充填、高亮度熱場致放射陰極等技術(shù)，極大地提高了掃描系統(tǒng)生產(chǎn)率，且生產(chǎn)率不受圖形密度的影響。成型電子束掃描系統(tǒng)成形電子束曝光系統(tǒng)按束斑性質(zhì)可分成固定和可變成形束系統(tǒng)。固定成形束系統(tǒng)在曝光時束斑外形和尺寸始終不變；可變成形束系統(tǒng)在曝光時束斑外形和尺寸可不斷變化。按掃描方式，成形電子束曝光系統(tǒng)又可分為矢量掃描型和光柵掃描型。圖3所示為一種尺寸可變的矩形束斑的形成原理，電子束經(jīng)上方光闌后形成一束方形電子束，再照耀到下方方孔光闌上。在偏轉(zhuǎn)器上加上不同的電壓，就能轉(zhuǎn)變穿過下方孔光闌的矩形束斑的尺寸，形成可變的矩形束斑；承受特別設(shè)計的成形光闌，還可形成三角形、梯形、圓形及多邊形等成形電子束。成型束的最小區(qū)分率一般大于100nm，但曝光效率高，目前廣泛用于微米、亞微米及深亞微米的曝光領(lǐng)域，如用于掩模版制作和小批量器件生產(chǎn)等。表3中列出了幾種典型成型束系統(tǒng)的生產(chǎn)廠商和主要技術(shù)指標(biāo)。投影電子束掃描系統(tǒng)掃描式電子束曝光系統(tǒng)可以得到極高的區(qū)分率，但其生產(chǎn)率較低，不能滿足大規(guī)模生產(chǎn)的需要。成形束系統(tǒng)生產(chǎn)率固然有所提高，但其區(qū)分率一般在0.2μm左右，難以制作納米級圖形。近年來研發(fā)的投影電子束來曝光系統(tǒng)，既能使曝光區(qū)分率到達(dá)納米量級，又能大大提高生產(chǎn)率，且不需要鄰近效應(yīng)校正。目前在研制中的投影式電子束曝光系統(tǒng)主要有兩種。一種是Lucent公司的SCALPEL系統(tǒng)，如圖4SiNx薄膜構(gòu)成的掩膜上，薄膜上的圖形層材料為W/Cr。當(dāng)電子穿透SiNx和W/Cr兩種原子序數(shù)不同的材料時，產(chǎn)生大小不同的散射角。在掩模下方縮小透鏡焦平面上設(shè)置大小肯定的光闌時，通過光闌孔的主要是小散射角的電子，而大散射角的電子則大多數(shù)被遮擋，于是在工件面上得到了縮小的掩模圖形。再經(jīng)過分布重復(fù)技術(shù)，將縮小圖形逐塊拼接成所要的圖形。近期承受散射型掩模取代了吸取型鏤空掩模，以及承受角度限制光闌技術(shù)使SCALPEL技術(shù)得到快速的進(jìn)展，故投影電子束掃描系統(tǒng)極可0.1μm[8]。另一種是Nikon公司和IBM公司合作爭論的下一代投影曝光技術(shù)——PREVAIL，其技術(shù)實質(zhì)是承受可變軸浸沒透鏡，對以硅為支架的碳化硅薄膜進(jìn)展投影微縮曝光。由于將大量平行像素投影和掃描探測成形相結(jié)合，從而得到較高的曝光效率，并對像差進(jìn)展實時校正[9]。通過這項技術(shù)可望研制出高區(qū)分率與高生產(chǎn)率統(tǒng)一的電子束步進(jìn)機(jī)，用于100nm～50nm電子束曝光。四種電子束掃描系統(tǒng)比照分析與應(yīng)用見表4。幾項進(jìn)展中的電子束曝光技術(shù)基于DSP的型圖形發(fā)生器型圖形發(fā)生器以DSP芯片為主體，上位機(jī)通過增加并行接口〔EPP〕連接通信協(xié)議掌握器。DSP和計算機(jī)之間的數(shù)據(jù)通信形式由通信協(xié)議掌握器打算，程序掌握器EPROM〔可編程只讀存儲器〕用來存放掌握命令和傳輸數(shù)據(jù)方式命令及DSP數(shù)據(jù)輸出方式等。數(shù)據(jù)掌握RAM用來存放場畸變、場增益、場旋轉(zhuǎn)等校正數(shù)據(jù)。曝光圖形數(shù)據(jù)和各類校正數(shù)據(jù)經(jīng)DSP運算處理后，通過地址譯碼及DSP內(nèi)部數(shù)據(jù)總線送至相應(yīng)的各類存放器。X和Y方向的主場、子場、增益及旋轉(zhuǎn)存放器的數(shù)據(jù)傳送給相應(yīng)的數(shù)模轉(zhuǎn)換器，數(shù)模轉(zhuǎn)換器的模擬量經(jīng)求和后送至偏轉(zhuǎn)放大器，由偏轉(zhuǎn)放大器掌握電子束在硅片上〔或掩模上〕掃描曝光圖形。例如，IBM公司在原有IBMVSXPG矢量掃描圖形發(fā)生器的根底上增加了DSP處理器，高精度地實現(xiàn)了圓形、橢圓形、拋物線和雙曲線圖形的曝光。電子束直接光刻技術(shù)無掩模電子束直接光刻〔EBDW〕預(yù)先要制作晶片位置標(biāo)記和芯片套刻標(biāo)記及工件臺標(biāo)定，以確定晶片位置和方向角，直寫過程就是反復(fù)利用標(biāo)記定位及描繪來完成圖形曝光的。EBDW的主要優(yōu)點是節(jié)約器件研制本錢；縮短研制周期；能獲得極高的區(qū)分率。這些優(yōu)點使EBDW在功能器件、特種器件和型電路的制造和納米器件爭論中獲得廣泛應(yīng)用，但由于EBDW雙層抗蝕劑曝光工藝隨著電子器件及LSI的進(jìn)展，IC的層數(shù)越來越多，圖形越來越簡單，特征線條尺寸越來越細(xì)，對抗蝕劑圖像就有了更多的要求，如更高的曝光區(qū)分率，更簡單、準(zhǔn)確的抗蝕劑層截面外形。此時，常規(guī)的單層抗蝕劑曝光工藝就難以滿足這些特別要求，這就需要承受更為簡單的雙層抗蝕劑的曝光顯影和刻蝕等復(fù)合工藝來完成。雙層抗蝕劑電子束曝光工藝是利用不同類型的抗蝕劑對電子束曝光有不同的靈敏度這個特性，即在同一電子束的同樣曝光劑量照耀下，雙層抗蝕劑產(chǎn)生不同的曝光結(jié)果。通過不同的顯影液分別顯影處理后，在雙層抗蝕劑膠層會分別消滅不同的曝光尺寸和截面，以此來制成一些有特別要求的抗蝕劑膠層的曝光截面外形。歸結(jié)起來，用于光刻的多層抗蝕劑系統(tǒng)有以下方式：①利用相對分子質(zhì)量不同的兩種一樣成分抗蝕劑作雙層抗蝕劑系統(tǒng)，用同一種曝光方式曝光顯影，如圖5〔a〕所示；②利用兩種不同類型的抗蝕劑作雙層抗蝕系統(tǒng)，用一種曝光方式曝光，兩次顯影，見圖5〔b〕；③用兩種不同類型的抗蝕劑組成雙層抗蝕劑系統(tǒng)，分別用兩種曝光方式曝光和顯影，見圖5〔c〕；④用幾種抗蝕劑聯(lián)合組成多層抗蝕劑系統(tǒng)，最頂層是靈敏抗蝕劑，用一種曝光方式曝光制圖，而下面的幾層分別用離子方法刻蝕。鄰近效應(yīng)修正技術(shù)理論上，電子束曝光的極限區(qū)分率可達(dá)幾納米，但高能入射電子在抗蝕劑中的散射和在襯底上的反射以及背散射引起的鄰近效應(yīng)使曝光圖形模糊、影響區(qū)分率，再加上光刻膠的區(qū)分率極限和光刻工藝精度，因此直接使用電子束光刻技術(shù)難以得到接近其理論極限的納米尺度圖形[10]。對實際的鄰近效應(yīng)作適當(dāng)補(bǔ)償可以得到比較抱負(fù)的曝光結(jié)果[11]。依據(jù)不同幅員設(shè)計，有多種方法減小鄰近效應(yīng)；假設(shè)圖形密度和線寬都較一致，可以通過調(diào)整整體劑量曝光出適宜尺寸的圖形；選用高比照度膠也可以減小線寬的變化，同時用多層膠也可以減小前散射電子；用50～100kV甚至更高的加速電壓，也可以減小前散射電子，但有時會增加背散射電子?？刮g劑曝光劑量自動協(xié)調(diào)的鄰近效應(yīng)修正技術(shù)〔簡稱SPECTRE〕是目前常用的一種技術(shù)，通過同時對內(nèi)鄰近效應(yīng)和相互鄰近效應(yīng)都進(jìn)展校正，使圖形的不同部位賜予不同的曝光劑量，從而到達(dá)使全部電子輻照區(qū)各部位的顯影程度全都的目的。電子束曝光技術(shù)的應(yīng)用用于掩模版制造隨著器件的特征尺寸不斷縮小，在掩模版制造中普遍承受電子束曝光和激光光刻設(shè)備，在這兩類設(shè)備中，電子束設(shè)備在性能和數(shù)量上均占優(yōu)勢。最先進(jìn)的激光制版系統(tǒng)，其束斑直徑在0.2μm左右，可以用來制作0.18μm，0.15μm生產(chǎn)線的掩模版，但對特征尺寸更小的器件的掩模，只能用電子束曝光系統(tǒng)來制作，特別是用于光學(xué)光刻中的鉻版制造。在掩模版制造中應(yīng)用電子束曝光機(jī)，由于不需要屢次套準(zhǔn)，只要用激光干預(yù)儀掌握就可以保證掩模制造所要求的圖形位置精度。確定工件臺X、Y向的精度和旋轉(zhuǎn)正交性的基準(zhǔn)標(biāo)記永久地設(shè)置在工件臺邊緣成像平面上。在掩模版制造開頭過程中必需按規(guī)定常常返回基準(zhǔn)標(biāo)記位置進(jìn)展校正6用于微電子機(jī)械、電子器件制造目前，微電子機(jī)械系統(tǒng)〔MEMS〕制造的主流工藝是與傳統(tǒng)IC工藝兼容的技術(shù)，例如光刻、刻蝕、淀積、集中、離子注入等，特別是對于制作象微電機(jī)、微泵等機(jī)械構(gòu)造及包括微傳感器、微執(zhí)行器和相關(guān)電路往往要承受屢次光刻，而電子束光刻具有易于修改，無需制作掩模的優(yōu)點，因此電子束光刻比常規(guī)工藝更有優(yōu)勢。隨著微機(jī)械尺寸進(jìn)入納米級范圍，ERDW系統(tǒng)及能形成大深寬比膠圖形的電子束投影曝光系統(tǒng)〔如SCALPEL或PREVAIL〕用LIGA技術(shù)制作MEMS時，在形成特種、大深寬比構(gòu)造時使用的掩模版可以由電子束投影曝光制造。電子束曝光亦用于GaAsIC、光波導(dǎo)器件的小批量生產(chǎn)[12]，如肖特基勢壘場效應(yīng)晶體管要求柵極很窄、柵極與源漏之間對準(zhǔn)嚴(yán)格。利用電子束刻蝕時，先作出柵極和源漏極圖形對準(zhǔn)標(biāo)記，再用周密的電子束實現(xiàn)30nm以下柵的制備，從而保證極高的套刻精度。制作全息圖形電子束與光束一樣具有波動性，利用電子的波動性和干預(yù)原理能夠制作精細(xì)的全息圖形。其原理是：先借助近年來研制的高亮度熱場致放射〔TFE〕電子源產(chǎn)生的高能量電子束，再經(jīng)兩級透鏡會聚后，穿過電子雙棱鏡，產(chǎn)生兩個波的干預(yù)柵狀圖形〔干預(yù)條紋間隔優(yōu)于100nm〕，假設(shè)再設(shè)置兩個正交的雙棱鏡，就可產(chǎn)生4個波的點狀圖形，用此方法就能制作出全息納米構(gòu)造圖形。由于電子束曝光具有極高的區(qū)分率，可將此技術(shù)用于高級防偽標(biāo)識的制作以及重要文件的縮微保存[13]。電子束誘導(dǎo)外表淀積技術(shù)電子束誘導(dǎo)外表淀積技術(shù)是利用電子束曝光技術(shù)直接產(chǎn)生納米微構(gòu)造的方法。在電子束曝光機(jī)的工件室中引入源氣體物質(zhì)(如某種金屬有機(jī)化合物)，并使其接近電子探針，于是在探針與工件