GB/T 42895-2023微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)硅基MEMS微結(jié)構(gòu)彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)方法

ICS31200

CCSL.59

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T42895—2023

微機(jī)電系統(tǒng)MEMS技術(shù)

()

硅基MEMS微結(jié)構(gòu)彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)方法

Micro-electromechanicalsstemsMEMStechnolo—Bendinstrenthtest

y()gygg

methodformicrostructuresofsiliconbasedMEMS

2023-08-06發(fā)布2023-12-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T42895—2023

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

試驗(yàn)要求

4…………………2

原位片上彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)機(jī)的設(shè)計(jì)要求

4.1……………2

原位片上彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)機(jī)的制備要求

4.2……………3

試驗(yàn)環(huán)境要求

4.3………………………4

試驗(yàn)方法

5…………………4

概述

5.1…………………4

微結(jié)構(gòu)彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)過(guò)程

5.2…………4

微結(jié)構(gòu)彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)結(jié)果計(jì)算

5.3……………………5

附錄規(guī)范性測(cè)試裝置和測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)尺寸

A()………6

Ⅰ

GB/T42895—2023

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)微機(jī)電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC336)。

本文件起草單位北京大學(xué)中機(jī)生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院北京燕東

:、、、

微電子科技有限公司無(wú)錫韋感半導(dǎo)體有限公司深圳市美思先端電子有限公司南京飛恩微電子有限

、、、

公司廣州奧松電子股份有限公司上海臨港新片區(qū)跨境數(shù)據(jù)科技有限公司

、、。

本文件主要起草人張大成楊芳李根梓顧楓劉鵬高程武于志恒王旭峰李鳳陽(yáng)華璇卿

:、、、、、、、、、、

陳藝劉若冰張彥秀萬(wàn)蔡辛武斌曹萬(wàn)張賓張啟心

、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T42895—2023

微機(jī)電系統(tǒng)MEMS技術(shù)

()

硅基MEMS微結(jié)構(gòu)彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)方法

1范圍

本文件描述了硅基加工所涉及的微結(jié)構(gòu)彎曲強(qiáng)度原位試驗(yàn)的要求和試驗(yàn)方法

MEMS。

本文件適用于采用微電子工藝制造的微結(jié)構(gòu)彎曲強(qiáng)度測(cè)試

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)術(shù)語(yǔ)

GB/T26111(MEMS)

金屬基復(fù)合材料術(shù)語(yǔ)

GB/T34558

3術(shù)語(yǔ)和定義

和界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T26111GB/T34558。

31

.

等強(qiáng)度梁beamofconstantstrength

各橫截面上的最大正應(yīng)力都相等的梁

。

32

.

硅加工工藝siliconprocess

硅微加工技術(shù)

。

注雖然硅工藝一般分為表面微加工和體硅微加工但其中的許多技術(shù)是相同的

:,。

來(lái)源

[:GB/T26111—2010,3.5.2]

33

.

彎曲強(qiáng)度bendingstrength

試樣在彎曲斷裂前所承受的最大正應(yīng)力