非氧化物陶瓷與金屬連接工藝的研究進(jìn)展

非氧化物陶瓷與金屬連接工藝的研究進(jìn)展

si3n4、sic、aln等不規(guī)則陶瓷通常具有耐耐性強(qiáng)、耐腐蝕性好、耐腐蝕性好、耐高溫性好等特點(diǎn)。此外，除了用作結(jié)構(gòu)陶瓷外，一些非氧化物也具有獨(dú)特的優(yōu)勢。例如，添加sic的成本比純鋁高，導(dǎo)電性比al2o3低。這是ic（inter考古過渡）基片的良好材料。bn陶瓷的介電常數(shù)非常低。aln陶瓷沒有免費(fèi)，具有很高的耐熱性，不能被一般氧化陶瓷所比。因此，近年來，非氧化物的研究、開發(fā)和應(yīng)用蓬勃發(fā)展。由于陶瓷材料的脆性和沖擊韌度低,耐熱沖擊能力弱,因而其加工性能差,制造尺寸大而形狀復(fù)雜的零件較為困難,通常需要與金屬材料組成復(fù)合結(jié)構(gòu)來應(yīng)用或通過陶瓷之間的連接技術(shù)來制取形狀復(fù)雜的零部件.陶瓷-陶瓷、陶瓷-金屬之間的連接技術(shù)經(jīng)過幾十年來的研究,相繼開發(fā)出了多種連接方法,在這些連接方法中,針對氧化物陶瓷的較多.對于非氧化物陶瓷的連接應(yīng)用較少,比較成熟的主要有活性金屬釬焊法和熱壓擴(kuò)散連接.此外自蔓延高溫合成(self_propagatinghigh_temperaturesynthesis,簡稱SHS)焊接法、過渡液相連接法、熱壓反應(yīng)燒結(jié)連接法等也有相應(yīng)報(bào)道,本文就近些年來用于非氧化物陶瓷連接中一些方法作一概述,重點(diǎn)介紹各種連接工藝及其特點(diǎn).1陶瓷與金屬的連接由于陶瓷材料與金屬材料化學(xué)鍵結(jié)構(gòu)根本不同,加上陶瓷本身特殊的物理化學(xué)性能,因此,無論是與金屬連接還是陶瓷自身的連接都存在不少的特點(diǎn)與難點(diǎn).這些包括:(1)陶瓷材料的配位鍵主要有離子鍵和共價(jià)鍵2種,都非常穩(wěn)定,因而陶瓷很難被熔化的金屬所潤濕.(2)陶瓷的線膨脹系數(shù)小,與絕大多數(shù)金屬的線膨脹系數(shù)相差較大,通過加熱連接陶瓷與金屬時(shí),接頭中會(huì)產(chǎn)生殘余應(yīng)力,削弱了接頭的力學(xué)性能.(3)陶瓷的熱導(dǎo)率低,耐熱沖擊能力弱,集中加熱時(shí)尤其是在用高能密度熱源進(jìn)行熔焊時(shí)很容易產(chǎn)生裂紋.因此,在焊接時(shí)應(yīng)盡可能地減小焊接部位及其附近的溫度梯度,并控制加熱及冷卻速度.(4)陶瓷的熔點(diǎn)高,硬度和強(qiáng)度高,不容易變形,陶瓷的擴(kuò)散連接要求被連接件表面非常平整與清潔.(5)大部分陶瓷的導(dǎo)電性很差或基本不導(dǎo)電,很難采用電焊方法進(jìn)行連接,一般需要采取特殊的措施.由此可見,陶瓷的連接有兩個(gè)主要問題需要解決,一是陶瓷與金屬的潤濕性問題;另一個(gè)是應(yīng)力的緩解問題.對于前一問題可以通過陶瓷金屬化或利用活性金屬元素加以解決,對于后一問題,通常采用添加中間層的方法.中間層的選擇依據(jù)有兩種觀點(diǎn),一是采用塑性中間層,一是采用線膨脹系數(shù)與陶瓷相適應(yīng)的中間層.2常見的非氧化物陶瓷連接方法相對于氧化物陶瓷的連接,非氧化物陶瓷的連接仍處于研究階段,但其連接方法已是多種多樣.因非氧化物陶瓷最重要的應(yīng)用領(lǐng)域是制取在高溫且應(yīng)力大的環(huán)境下工作的零部件,因此下面介紹的各種連接方法主要針對作為高溫結(jié)構(gòu)件使用的非氧化物陶瓷.2.1化后焊接非氧化物陶瓷的釬焊連接,關(guān)鍵是改善陶瓷與釬焊料的潤濕性,根據(jù)改善潤濕性的方法的不同,活性金屬釬焊法連接非氧化物陶瓷又可分為兩類,一類是先對陶瓷進(jìn)行金屬化,然后再釬焊連接;另一類是直接利用含有活性金屬元素的釬焊料進(jìn)行連接.目前,釬焊料中最常用的活性金屬是過渡族元素Ti,因其最外層電子未被填滿,活性高.另外,第IVB族的Zr,Hf,第VB族的V,Nb,Ta和第VIB族的Cr,Mo,W也可作為活性金屬元素.在這些元素中,Zr和Hf的活性較高,但Ta,Mo,W屬難熔金屬,與SiC反應(yīng)性差.當(dāng)前用于非氧化物陶瓷金屬化的配方和工藝也比較多,最常見的有燒結(jié)金屬粉末法、氣相沉積法等,下面分別加以簡單介紹.2.1.1sic/si3n4復(fù)合膏劑的制備燒結(jié)金屬粉末法是現(xiàn)代陶瓷金屬化的基礎(chǔ),配方的選擇是工藝的關(guān)鍵,對于不同種類的陶瓷金屬化,其配方也各異.以SiC為例,SiC陶瓷表面經(jīng)研磨,清洗處理后可采用Mo,W,Ti等金屬粉末在非氧化性氣氛中金屬化.對于Si3N4陶瓷表面金屬化,可選用50Ni-17Cr-25Fe-7Si-C的混合粉制成膏劑,涂敷后在真空度為10-2Pa,1200℃溫度下進(jìn)行燒結(jié).2.1.2活性金屬焊接法氣相沉積金屬化法分為物理鍍膜法(physicalvapourdeposition,PVD法)、化學(xué)鍍膜法(chemicalvapourdeposition,CVD法)和等離子體反應(yīng)法3大類.對于SiC,Si3N4等非氧化物陶瓷與金屬的連接,大多數(shù)采用PVD法實(shí)行表面金屬化.以Si3N4為例,將Si3N4母材研磨加工,表面粗糙度Rα為0.17～0.48μm,用電子束法蒸鍍Ti膜,膜厚1μm,再蒸鍍Cu膜,膜厚1μm,用粘接法測量剝離強(qiáng)度為0.49～0.63MPa.以SiC為例,焊前SiC陶瓷表面必須經(jīng)研磨,用洗凈劑清洗,先用蒸餾水清洗后再用丙酮經(jīng)超聲波清洗5min,烘干后,再按工藝順序在真空中蒸鍍Ti50nm,Ni50nm;或蒸鍍Ti50nm,Mo50nm,Cu2μm,使其表面金屬化.文獻(xiàn)報(bào)道用氣相沉積金屬化法試驗(yàn)研究了多芯片組件MCM(magneticcorememory)的氮化鋁扁平外殼氣密封裝技術(shù).在AlN陶瓷基板上蒸發(fā)沉積了Ti-Ni復(fù)合薄膜,厚度分別為100μm和700μm,沉積速率3nm/s,真空度1×10-3～2×10-3Pa.然后在沉積膜表面電鍍Ni,鍍層5～8μm.最后進(jìn)行真空退火處理,退火溫度600℃,保溫60min.經(jīng)過上述處理的基板膜層剝離強(qiáng)度為50MPa.AlN管殼封裝釬焊條件是:組件外殼材料是Mo,引腳是可伐合金,釬料是0.1mm厚Ag-Cu共晶釬料,氣氛為90%Ar+10%H2,釬焊溫度810℃,保溫3min.釬焊結(jié)果是接頭抗拉強(qiáng)度≥40MPa,漏率≤1×10-5Pa·L/s.通過各項(xiàng)例行試驗(yàn),滿足組件的技術(shù)要求,此項(xiàng)工藝已用于生產(chǎn).據(jù)文獻(xiàn)報(bào)道,用RF濺射法(radiofrequencysputteringmethod)將Al,Ti沉積到AlN表面,然后在真空爐中用厚度為0.1mm的CB1[AgCu19.5Ti3In5(質(zhì)量分?jǐn)?shù))]釬料連接AlN(Ti膜)-Cu,AlN(Al膜)-Cu,釬焊工藝為:加壓所配質(zhì)量20g,溫度1173K,保溫時(shí)間20min,最后得到的接頭的平均剪切強(qiáng)度分別為120MPa和127MPa,比相同工藝下AlN表面未經(jīng)金屬化的AlN/CB1/Cu的接頭強(qiáng)度高30MPa.在同樣工藝下,連接AlN(Al膜)/CB1/FeNi42得到的接頭最高剪切強(qiáng)度達(dá)176MPa,用EPMA和XRD進(jìn)行界面分析,發(fā)現(xiàn)界面反應(yīng)生成相類似,有TiN,Ti4N3,Ti2N和Ti3AlN等.當(dāng)采用含活性金屬元素的釬料直接連接時(shí),由于SiC,Si3N4陶瓷表面通常含有SiO2或Si2N2O,連接前要用SiC砂紙打磨,金屬表面用化學(xué)方法清理或在還原性氣氛(如H2氣中)或真空中,于800～1000℃下加熱15min,釬料以箔狀置于陶瓷與金屬的連接處,然后在低于10-4Pa的真空中、高于釬料液相線50℃的溫度下釬焊,釬焊時(shí)通常保溫2～10min,加熱和冷卻速率依試樣幾何形狀和尺寸而定,一般為5～15℃/min.表1列出了一些非氧化物陶瓷釬焊連接的工藝及連接的工藝及連接強(qiáng)度的測試結(jié)果.由表1可知,采用活性金屬釬焊法時(shí),關(guān)鍵在于選擇好高溫釬料,此外,釬焊的各工藝參數(shù)對接頭的強(qiáng)度也都有重要影響.盡管活性金屬釬焊法適用范圍比較廣,但其用于非氧化物陶瓷的連接時(shí),效果并沒有連接氧化物陶瓷時(shí)好,這主要有以下幾個(gè)方面的原因:(1)材料成分和微觀結(jié)構(gòu)的多樣性.例如:致密燒結(jié)SiC和Si3N4可能含有添加劑MgO,Y2O3,Al2O3,BeO等.反應(yīng)燒結(jié)SiC和Si3N4含有游離Si且孔隙率較大,不論采用哪種形式活性金屬釬焊法,對不同種陶瓷,釬焊過程中產(chǎn)生的反應(yīng)產(chǎn)物和反應(yīng)動(dòng)力學(xué)是不同的.(2)大多數(shù)高溫金屬材料,如高溫合金和不銹鋼本身含有Cr,Ni,Fe等活性金屬元素,當(dāng)連接件在高溫下使用時(shí),這些元素可以與釬料中的其它元素反應(yīng),導(dǎo)致接頭強(qiáng)度下降.(3)在界面處由于Kirkendall效應(yīng)或由于反應(yīng)產(chǎn)物與母材間的體積差異產(chǎn)生氣孔.活性金屬釬焊法是陶瓷連接中最常用的一種方法,電子陶瓷與金屬的連接常稱陶瓷金屬封接,陶瓷與金屬釬焊封接接頭,一般要經(jīng)過目視檢查、氣密性檢查、強(qiáng)度測試和微觀分析等.用于真空電子器件的封接件還要求進(jìn)行熱沖擊試驗(yàn)和烘烤試驗(yàn).活性金屬釬焊法由于接頭部位活性金屬的加入,可能會(huì)造成接頭的耐蝕性能下降.另外,因釬焊接頭的熱膨脹系數(shù)與母材不同從而導(dǎo)致接頭部位產(chǎn)生應(yīng)力集中,釬焊接頭的使用溫度受到限制,通常在700℃以下.2.2熱壓擴(kuò)散連接熱壓擴(kuò)散連接是固相連接的一種,可分為無中間層的直接擴(kuò)散連接和有中間層的間接擴(kuò)散連接.由于陶瓷自身的特點(diǎn),直接擴(kuò)散連接較困難,通常都采用有中間層的間接擴(kuò)散連接.熱壓擴(kuò)散連接時(shí),陶瓷、金屬和中間層都不需要熔融,在一定的溫度和壓力下,金屬發(fā)生塑性變形,使陶瓷與金屬的接觸面積增大,原子間發(fā)生相互擴(kuò)散,從而實(shí)現(xiàn)連接.所需壓力通常為0.1～15MPa,溫度為0.7～0.9Tm(Tm為受焊母材和反應(yīng)生成物中熔點(diǎn)最低者的熔點(diǎn)).連接一般在高真空中進(jìn)行.影響熱壓擴(kuò)散連接的外界工藝參數(shù)是溫度、壓力、時(shí)間、氣氛、受焊表面的表面狀態(tài)等;內(nèi)在因素是陶瓷和金屬的熱膨脹系數(shù)之差、彈性模量之差、晶體結(jié)構(gòu)、反應(yīng)性界面的原子結(jié)合形式等,其中關(guān)鍵問題是如何緩解由膨脹系數(shù)之差所引起的熱應(yīng)力.表2為通過熱壓擴(kuò)散連接非氧化物陶瓷的一些具體實(shí)例.與活性金屬釬焊法相比,擴(kuò)散焊連接的接頭密封性較好,接頭質(zhì)量穩(wěn)定,且高溫性能和耐蝕性能好.對于高溫和耐蝕條件下的應(yīng)用來講,擴(kuò)散連接是陶瓷與金屬最適宜的連接方法,但是擴(kuò)散焊焊前準(zhǔn)備工作復(fù)雜,無法批量生產(chǎn),也不適合連接大部件和形狀復(fù)雜零件,并且所用設(shè)備復(fù)雜,價(jià)格昂貴.2.3過渡液相連接法盡管固相擴(kuò)散連接與活性金屬釬焊可以成功地用于陶瓷-陶瓷、陶瓷-金屬的連接,但要使接頭應(yīng)用于高溫和高應(yīng)力狀態(tài)下,就要求用于連接的中間層的液、固相線溫度提高,相應(yīng)的焊接溫度也要提高,這樣做的結(jié)果就是使接頭熱應(yīng)力加大,有時(shí)還會(huì)使母材的組織和性能發(fā)生變化.過渡液相連接法就是為解決上述問題而提出的,它兼有擴(kuò)散焊與釬焊的特點(diǎn),用過渡液相連接法連接陶瓷時(shí),中間層并不完全熔化,只出現(xiàn)一薄層液相,在隨后的保溫過程中,低熔點(diǎn)相逐漸被消耗轉(zhuǎn)變?yōu)楦呷埸c(diǎn)相,從而完成連接,因而有人稱之為局部過渡液相連接法(partialtransientliquidphasebonding,PTLPB).過渡液相連接法的優(yōu)點(diǎn)是在較低溫度和較低連接壓力下形成接頭,但在連接陶瓷時(shí)由于陶瓷中的擴(kuò)散比較困難,因此低熔點(diǎn)物質(zhì)的消耗很難靠陶瓷來進(jìn)行,一般都用多層復(fù)合中間層來實(shí)現(xiàn).已報(bào)道的焊接Si3N4-Si3N4的復(fù)合中間層有Ti/Ni/Ti,Ti/Ni/kovar/Ni/Ti,Ni/Nb/Ni,Nb/Ni/Nb,Au/Ni-20Cr/Au,Cu-Au-Ti/Ni/Cu-Au-Ti,Ni/Hf/Ni,Al合金/Ti或Ni/Al合金.焊接SiC—SiC的復(fù)合中間層有Cu-Au-Ti/Ni/Cu-Au-Ti.據(jù)文獻(xiàn)報(bào)道,用Ti-Co合金,在真空度為10-4Pa的真空爐中,升溫和冷卻速率均為0.9K/s,保溫時(shí)間1.8ks,對常壓燒結(jié)SiC進(jìn)行過渡液相連接,接頭最大剪切強(qiáng)度為60MPa,其界面組織是小塊狀的TiC彌散分布于CoSi基體中.據(jù)文獻(xiàn)報(bào)道,用4μm48Au48Cu4Ti/25μmNi/4μm48Au48Cu4Ti連接Si3N4陶瓷,在真空爐中,于1000℃,加熱4h,得到的接頭四點(diǎn)抗彎強(qiáng)度為(770±200)MPa;用同樣的中間層連接SiC陶瓷,于950℃測得的接頭四點(diǎn)抗彎強(qiáng)度為(260±130)MPa.過渡液相連接法的特點(diǎn)是使用多層中間層,連接時(shí)形成的液態(tài)合金起到了類似釬料的作用,由于有液相參與,加速了連接過程,降低了對連接表面加工精度的要求,能有效地消除固相連接中難以完全消除的界面空洞,為陶瓷金屬連接開辟了一條新途徑.2.4碳體碳質(zhì)量sic和碳體sic的制備反應(yīng)成形連接法(reactionformingapproach)是從SiC反應(yīng)成形中發(fā)展起來的,目前主要用于連接SiC陶瓷及纖維增強(qiáng)的復(fù)合材料.反應(yīng)成形連接方法的獨(dú)特之處在于產(chǎn)生的接頭組織是可設(shè)計(jì)的,尤其是接頭中間層的熱性能和力學(xué)性能對SiC材料而言是可設(shè)計(jì)的.另外,在連接溫度或浸滲(infiltration)溫度下不需要高溫卡具來裝卡試件.反應(yīng)成形連接法的連接工藝簡述如下:先將含碳的化合物置于接頭區(qū)域,將試件裝在卡具中,在110～120℃之間干燥10～20min,使被焊件粘接在一起.將Si或含Si合金做成片狀、膏狀或懸浮液狀放到接頭區(qū)域,然后根據(jù)浸潤類型加熱到1250～1425℃保溫5～10min,熔化的Si或Si合金與碳反應(yīng)形成SiC及其他含量可控的Si和其他相,接頭厚度通過調(diào)整膏狀含碳物的用量及夾緊力來控制.通常接頭厚度與成分顯著影響接頭的低溫與高溫性能.據(jù)文獻(xiàn)報(bào)道,用反應(yīng)成形連接法連接RBSiC,連接前,一組RBSiC在機(jī)加工后在1200℃于空氣中經(jīng)4h熱處理;另一組機(jī)加工后未經(jīng)熱處理,連接后,接頭在室溫下的平均四點(diǎn)抗彎強(qiáng)度分別為(202±14)MPa和(157±11)MPa.試驗(yàn)中得到了幾種不同厚度的焊縫,350μm厚的焊縫接頭主要由Si和極少量的SiC組成,其四點(diǎn)抗彎強(qiáng)度為(44±2)MPa,斷裂部位在接頭焊縫處,為典型的脆性斷裂.當(dāng)焊縫厚度<50～55μm時(shí),焊縫的相組成相同,但其四點(diǎn)抗彎強(qiáng)度與RBSiC母材近乎相等,斷裂部位偏離焊縫區(qū)域.反應(yīng)成形工藝相對釬焊和擴(kuò)散焊,成本較低,可以連接大尺寸和形狀復(fù)雜零件,也可修復(fù)陶瓷及其復(fù)合材料部件所存在的缺陷,其缺點(diǎn)是接頭微觀組織均勻性較差.2.5熱爆反應(yīng)實(shí)驗(yàn)自蔓延高溫合成(self_propagationhigh_temperaturesynthesis,SHS)焊接法是指利用SHS反應(yīng)所放出的熱量以及其反應(yīng)產(chǎn)物來連接受焊母材的技術(shù).其焊接工藝有如下特點(diǎn):焊料自身反應(yīng)所放出的熱量可用于解決焊接所需的能量,從而可以節(jié)約能源.SHS焊接過程中局部快速放熱,焊接時(shí)間短,可以減小母材的熱影響區(qū),減輕熱敏感材料微觀組織的損壞,有利于保持母材的性能.對于某些受焊母材的焊接,可以采用與制備母材相似的焊接工藝,從而使母材與焊料有很好的物理、化學(xué)相容性.焊接時(shí)可以利用反應(yīng)原料(配制的梯度焊料)合成功能梯度材料(functionallygradientmaterials,FGM)來焊接異型材料,有效克服受焊母材化學(xué)性能、物理性能及機(jī)械性能的不匹配,可以在反應(yīng)物中添加增強(qiáng)相,如增強(qiáng)粒子、短纖維、晶須等,形成復(fù)合焊料.SHS焊接法可用來焊接同種或異型的難熔金屬、耐熱材料、氧化物陶瓷、非氧化物陶瓷及金屬間化合物.文獻(xiàn)報(bào)道了用C-Ti-Ni-Al構(gòu)成的FGM焊料,在氬氣保護(hù)下,用石磨模具在熱壓機(jī)上獲得了SiC陶瓷和Ni基高溫合金的連接試樣.文獻(xiàn)報(bào)道了用含Ti粉、Ni粉和C粉的梯度焊料,采用SHS焊接法連接再結(jié)晶SiC陶瓷,焊接壓力為10MPa,在真空中,于1273K連接5min.SEM分析顯示,焊料熱爆反應(yīng)中生成的液相與SiC陶瓷的潤濕性很好,冷卻以后與SiC陶瓷形成機(jī)械咬合,同時(shí)在焊料產(chǎn)物與SiC陶瓷界面處有一明顯的界面反應(yīng)層.采用同樣工藝連接SiC陶瓷和GH128鎳基高溫合金,其焊接區(qū)域界面結(jié)合良好,在焊料與受焊母材之間發(fā)生了元素?cái)U(kuò)散.據(jù)文獻(xiàn)報(bào)道,用SHS焊接法,以TiC-NiFGM作為焊料,并以W片做中間層在真空中連接再結(jié)晶SiC和GH128鎳基高溫合金.工藝參數(shù)為:溫度1190℃,保溫時(shí)間10min,焊接壓力25.5MPa,試驗(yàn)結(jié)果顯示,當(dāng)采用厚度為1.0mm的W中間層時(shí),接頭抗彎斷裂載荷為1117N,相當(dāng)于SiC母材自身斷裂強(qiáng)度的60%,比不采用W中間層時(shí)的接頭強(qiáng)度提高25%.自蔓延高溫合成以節(jié)約能源、高的生產(chǎn)效率、工藝簡單等優(yōu)越性正吸引著廣大科研工作者的注意,目前主要存在的問題是反應(yīng)速度太快,不利于控制接頭部位的組織和性能,若能精確控制燃燒時(shí)間,SHS連接件的質(zhì)量就會(huì)大幅度提高,就能被廣泛用于結(jié)構(gòu)件的連接.2.6熱壓反應(yīng)燒結(jié)連接與熱壓擴(kuò)散焊的工藝對比熱壓反應(yīng)燒結(jié)連接工藝是利用粉末材料作為焊料,通過熱壓,使焊料與母材在界面處發(fā)生互擴(kuò)散和界面反應(yīng),實(shí)現(xiàn)界面的冶金結(jié)合,同時(shí)焊料本身也實(shí)現(xiàn)致密化,或兼發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而達(dá)到連接母材的目的.文獻(xiàn)報(bào)道了以混合的Fe粉和Ni粉壓制的生坯為焊料,采用熱壓反應(yīng)燒結(jié)法連接再結(jié)晶SiC和GH128鎳基高溫合金,在壓力為12.5MPa,于1125℃保溫15min,升溫速率和冷卻速率均為3℃/s的條件下,制得的連接件的剪切強(qiáng)度超過34.3MPa.SEM分析顯示,焊料與陶瓷之間發(fā)生了界面反應(yīng),且該反應(yīng)層的形成主要由Fe,Ni原子向陶瓷中的擴(kuò)散引起.文獻(xiàn)也報(bào)道了采用同樣方法,用Ti-Ni-Al金屬粉末組成的焊料連接再結(jié)晶SiC與GH128鎳基高溫合金,獲得的接頭的四點(diǎn)抗彎強(qiáng)度為SiC母材強(qiáng)度的80%.微觀結(jié)構(gòu)分析表明,焊料可以滲透到陶瓷的開孔中,冷卻以后與陶瓷形成機(jī)械咬合,同時(shí)焊料與陶瓷發(fā)生界面反應(yīng)而形成冶金結(jié)合.熱壓反應(yīng)燒結(jié)連接與熱壓擴(kuò)散焊的工藝過程類似,主要區(qū)別在于所用焊料不同,另外二者連接機(jī)理稍有差異,在熱壓反應(yīng)燒結(jié)連接中,焊料本身有一個(gè)燒結(jié)致密化過程,有時(shí)還會(huì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng).2.7dbc工藝用于aln與金屬的連接直接敷銅法(directbondedcoppermethod,簡稱DBC法)工藝是目前最經(jīng)常采用的大功率模塊用氧化鋁陶瓷基板的制造方法.它的應(yīng)用基礎(chǔ)是:在稍具氧化性