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南開大學(xué)硅光電子學(xué)與儲(chǔ)能實(shí)驗(yàn)室Four-PointProbeOperation|四探針操作手冊(cè)四探針操作手冊(cè)四探針操作闡明書Four-PointProbeOperation第1章 引言 Figure35所示,可看見上方4WAUTO字樣,設(shè)立完畢。FigureSTYLEREF1\s3SEQFigure\*ARABIC\s15先按?鍵,選中4-WIRE模式,按ENTER鍵。FigureSTYLEREF1\s3SEQFigure\*ARABIC\s16設(shè)備最后顯示模式,可看見上方4WAUTO。如有問題能夠查看KEITHLEY2400高壓源表使用闡明書設(shè)備闡明書設(shè)備闡明書下載。探針接觸方式探針接觸應(yīng)保持一定的壓力,但不同材料的性質(zhì)不同,有些材料的電阻率會(huì)隨外加壓力變化而變化,因而測(cè)試前要根據(jù)具體的測(cè)試材料而適宜的變化探針壓力。首先用粗調(diào)鍵旋轉(zhuǎn)探針至樣品表面,略有壓力后停止。再細(xì)調(diào)一定距離,確保測(cè)量時(shí)表面讀數(shù)穩(wěn)定后即可。數(shù)據(jù)測(cè)試指南待測(cè)試線連接無誤,源表設(shè)立完畢,探針加到樣品表面后,能夠開始測(cè)量電阻。首先調(diào)節(jié)電阻測(cè)量量程。根據(jù)樣品電阻率選擇量程范疇,如REF_Ref4\hTable1源表電阻測(cè)量量程選擇所示。TableSEQTable\*ARABIC1源表電阻測(cè)量量程選擇孫以材,半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù),冶金工業(yè)出版社,1984。孫以材,半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù),冶金工業(yè)出版社,1984。樣品電阻率范疇(??cm)通過樣品電流<<100mA<10mA1-30<1mA30-1000<100μA1000-3000<10μA按下源表右下方的ON/OFF鍵,按鍵變藍(lán),測(cè)量開始。統(tǒng)計(jì)測(cè)量電阻值。半導(dǎo)體材料電阻率會(huì)隨電流變化而變化,因此要結(jié)合具體狀況選擇適宜的量程。根據(jù)修正公式算出方塊電阻和電阻率,測(cè)試完畢。將測(cè)試得到的電阻,膜厚代入下列公式即可算出電阻率和方塊電阻。ρ=R×FR各修正系數(shù)可從附表查出,F(xiàn)sp=.實(shí)例1.測(cè)量薄膜電阻為?(1mA檔),膜厚為。探針間距為,樣品直徑為100mm(圓中心測(cè)量),F(xiàn)sp為。D/S=100,F(xiàn)(D/S)=。W/S=10-4,F(xiàn)(W/S)=1;因此=10-3。注意事項(xiàng)附表附表SEQ附表\*ARABIC1直徑修正系數(shù)F(D/S)與D/S值的關(guān)系位置位置F(D/S)值F(D/S)值D/S值中心點(diǎn)半徑中點(diǎn)距邊沿6mm處>200200150125100766051382625附表SEQ附表\*ARABIC2厚度修正系數(shù)F(W
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