ZnO納米線場效應(yīng)晶體管的制備及IV特性研究的開題報(bào)告

ZnO納米線場效應(yīng)晶體管的制備及IV特性研究的開題報(bào)告題目：ZnO納米線場效應(yīng)晶體管的制備及IV特性研究一、研究背景隨著納米科技的不斷發(fā)展，納米材料在半導(dǎo)體器件方面的應(yīng)用越來越廣泛。其中，ZnO納米線是近年來研究的熱點(diǎn)之一。ZnO納米線由于其半導(dǎo)體性質(zhì)良好、表面積大、柔韌性好等特點(diǎn)，已被用于太陽能電池、傳感器、荷電體發(fā)射器、場效應(yīng)晶體管等領(lǐng)域。場效應(yīng)晶體管是一種重要的半導(dǎo)體器件，在集成電路中有廣泛的應(yīng)用。而基于ZnO納米線的場效應(yīng)晶體管，由于其優(yōu)秀的電學(xué)性能和可控的制備工藝，已成為研究熱點(diǎn)。因此，本研究將以ZnO納米線為研究對象，探究ZnO納米線場效應(yīng)晶體管的制備方法及其IV特性。二、研究內(nèi)容1.ZnO納米線的制備方法：選取適當(dāng)?shù)闹苽浞椒?，如熱分解法、水熱法、氫氧化物沉淀法等，制備ZnO納米線，并對其形貌和結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征。2.ZnO納米線場效應(yīng)晶體管的制備：在SiO2/Si襯底上，采用光刻、電子束蒸發(fā)等工藝制備金屬電極并在其上沉積ZnO納米線，制備ZnO納米線場效應(yīng)晶體管。并使用SEM、XRD、AFM等測試方法對晶體管進(jìn)行表征。3.ZnO納米線場效應(yīng)晶體管的電學(xué)性能測試：利用測試儀器，對ZnO納米線場效應(yīng)晶體管的IV特性進(jìn)行測試，分析其導(dǎo)電性能。三、研究意義探究ZnO納米線場效應(yīng)晶體管的制備方法及其IV特性，有助于深入了解納米材料在場效應(yīng)晶體管中的應(yīng)用和特性。同時(shí)，也能在工程領(lǐng)域中為場效應(yīng)晶體管技術(shù)的研究和應(yīng)用提供一定的參考。四、研究方法1.制備ZnO納米線：選取適當(dāng)?shù)闹苽浞椒?，如熱分解法、水熱法、氫氧化物沉淀法等，制備ZnO納米線，并利用SEM、XRD、AFM等測試方法對其形貌和結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征。2.制備ZnO納米線場效應(yīng)晶體管：在SiO2/Si襯底上，采用光刻、電子束蒸發(fā)等工藝制備金屬電極并在其上沉積ZnO納米線，制備ZnO納米線場效應(yīng)晶體管。并使用SEM、XRD、AFM等測試方法對晶體管進(jìn)行表征。3.測試ZnO納米線場效應(yīng)晶體管的IV特性：采用測試儀器對ZnO納米線場效應(yīng)晶體管的IV特性進(jìn)行測試，分析其導(dǎo)電性能。五、進(jìn)度安排1.制備ZnO納米線和SiO2/Si襯底，進(jìn)行表征（1周）。2.利用光刻、電子束蒸發(fā)等工藝制備金屬電極并在其上沉積ZnO納米線，制備ZnO納米線場效應(yīng)晶體管，并對其進(jìn)行表征（2周）。3.利用測試儀器對ZnO納米線場效應(yīng)晶體管的IV特性進(jìn)行測試，分析其導(dǎo)電性能（1周）。4.對實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行分析和討論，并完成論文撰寫（3周）。六、參考文獻(xiàn)1.孫黎，肖海強(qiáng)，張紅燕等.半導(dǎo)體納米線場效應(yīng)晶體管的研究進(jìn)展與展望[J].華南師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版),2016,48(1):1-8.2.王潔，張勇.金屬氧化物半導(dǎo)體納米線場效應(yīng)晶體管研究進(jìn)展[J].現(xiàn)代科技,2016,33(10):146-148.3.崔哲，劉