模擬電子技術智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下齊魯工業(yè)大學

模擬電子技術智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下齊魯工業(yè)大學

齊魯工業(yè)大學

第一章測試

1.P型半導體是摻入三價元素形成的，多子是自由電子，少子是空穴。（）

A:對B:錯

答案:錯

2.在雜質半導體中，多數(shù)載流子的濃度取決于（）。

A:雜質濃度B:摻雜工藝C:本征半導體D:溫度

答案:雜質濃度

3.PN結正偏時導通，反偏時截止，所以PN結具有單向導電性。（）

A:錯B:對

答案:對

4.穩(wěn)定二極管穩(wěn)壓時是處于反向偏置狀態(tài)，而二極管導通時是處于正向偏置狀

態(tài)。（）

A:對B:錯

答案:對

5.空穴電流是由自由電子填補空位形成的。（）

A:錯B:對

答案:錯

3kD

VDX

9V()12V()

6.如圖所示電路中,+W設二極管特性理想，則U0為（）。

A：-9VB:9VC：-12VD:12V

答案：-9V

7.如圖所示，設二極管的導通電壓UD=0.7V,則UO=（）Vo

A:1.3VB:2VC:-2VD:0.7V

答案：1.3V

8.PN結正向偏置時，其內(nèi)電場被（）。

A哨U弱B:增強C:不變D:不確定

答案哨a弱

9.半導體二極管加正向電壓時，有（）。

A:電流小電阻大B:電流大電阻大C:電流大電阻小D:電流小電阻小

答案:電流大電阻小

10.PN結加正向電壓時,空間電荷區(qū)將變寬。（）

A:對B:錯

答案:錯

第二章測試

1.某放大電路中的三極管，在工作狀態(tài)中測得它的管腳電壓Va=1.2V,Vb=

0.5V,Vc=3.6V,試問該三極管是（）型的三極管，該管的集電極是a、b、

c中的（）。（）

A:bB:aC:NPND:cE:PNP

答案:NPN;c

2.三極管具有放大作用外部電壓條件是發(fā)射結正偏，集電結正偏。（）

A:對B:錯

答案:錯

3.共射極放大電路的交流輸出波形上半周失真時為（），此時應該（）偏置

電阻。（）

A:增大B:交越失真C:截止失真D:減小。E:飽和失真

答案:截止失真;減小。

4.在共射、共集和共基三種放大電路組態(tài)中，希望電壓放大倍數(shù)大、輸出電壓

與輸入電壓反相，可選用共射組態(tài)；希望輸入電阻大、輸出電壓與輸入電壓

同相，可選用共集組態(tài)，共基組態(tài)的頻率響應好。（）

A:對B:錯

答案:對

5.某放大電路在負載開路時的輸出電壓為4V,接入12kQ的負載電阻后，輸

出電壓降為3V,這說明放大電路的輸出電阻為（）

A:10kQB:2kQC:4kQD:3kQ

答案：4kC

6.帶射極電阻Re的共射放大電路，在并聯(lián)交流旁路電容Ce后，其電壓放大

倍數(shù)將（）

A:增大B:變?yōu)榱鉉:不變D:減小

答案:增大

7.有兩個放大倍數(shù)相同，輸入電阻和輸出電阻不同的放大電路A和B,對同

一個具有內(nèi)阻的信號源電壓進行放大。在負載開路的條件下，測得A放大

器的輸出電壓小，這說明A的（）

A:輸出電阻大B:輸入電阻大C:輸入電阻小D:輸出電阻小

答案:輸入電阻小

8.為了使高內(nèi)阻信號源與低阻負載能很好的配合，可以在信號源與低阻負載間

接入（）

A:共基電路B:共集-共基串聯(lián)電路C:共射電路D:共集電路

答案:共集電路

9.當用外加電壓法測試放大器的輸出電阻時，要求（）

A:獨立信號源開路，負載開路B:獨立信號源短路，負載開路C:獨立信號源

開路，負載短路D:獨立信號源短路，負載短路

答案:獨立信號源短路，負載開路

10.某放大狀態(tài)的晶體管，知0=50,測得其IE=2.04HIA,忽略穿透電流，則其IB為

（）|iAo

A:獨立信號源開路，負載開路B:獨立信號源短路，負載短路C:獨立信號源

開路，負載短路D:獨立信號源短路，負載開路

答案:獨立信號源短路，負載短路

第三章測試

1.場效應管同雙極型三極管相比，其輸入電阻大，熱穩(wěn)定性好。（）

A:錯B:對

答案:對

2.場效應管有共源、共柵、共漏三種組態(tài)。（）

A:錯B:對

答案:對

3.場效應管是電流控制電流型器件，只依靠多數(shù)載流子導電。（）

A:錯B:對

答案:錯

4.根據(jù)場效應管的輸出特性，其工作情況可以分為可變電阻區(qū)、恒流區(qū)、擊穿

區(qū)和截止區(qū)四個區(qū)域。（）

A:對B:錯

答案:對

5.能采用分壓式偏置電路的是（）場效應管。

A:結型、增強型和耗盡型B:增強型C:結型D:耗盡型

答案:結型、增強型和耗盡型

』』』J

-in-in」E

(a)(b)(c)(d)圖()

表示N溝道增強型MOS管。

A:?B:(a)C:(d)D:(b)

答案：(a)

7.某場效應管的轉移特性如圖所示，該管為（）。

i心N

A:增強型PMOS管B:增強型NMOS管C:耗盡型PMOS管D:耗盡型NMOS管

答案:耗盡型PMOS管

8.一場效應管的輸出特性曲線如圖所示，則該管是（）。

A:增強型PMOS管B:耗盡型PMOS管C:耗盡型NMOS管D:增強型NMOS管

答案:耗盡型NMOS管

9.某場效應管的的轉移特性曲線如圖所示，則該管是（）。

Ah,mA

O

A:耗盡型PMOS管B:增強型PMOS管C:耗盡型NMOS管D:增強型NMOS管

答案:增強型PMOS管

10.結型場效應管發(fā)生預夾斷后，管子（）。

A:關斷B:可變電阻區(qū)C:進入飽和區(qū)D:進入恒流區(qū)

答案:進入恒流區(qū)

第四章測試

1.多級放大器各級之間的耦合連接方式一般情況下有直接耦合，阻容耦合，變

壓器耦合，光電耦合。（）

A:錯B:對

答案:對

2.在多級放大電路里，可以把后級的輸入電阻作為是前級的負載，可以把前

級輸出電阻是后級的信號源電阻。（）

A:錯B:對

答案:對

3.多級放大電路的輸入電阻就是第一級的輸入電阻，輸出電阻就是最后一級的

輸出電阻。（）

A:錯B:對

答案:對

4.阻容耦合多級放大電路各級的Q點相互獨立，它只能放大交流信號。（）

A:對B:錯

答案:對

5.直接耦合多級放大電路各級的Q點相互影響，它只能放大直流信號。（）

A:對B:錯

答案:錯

6.直接耦合放大電路存在零點漂移的原因是（）。

A:電源電壓不穩(wěn)定B:晶體管參數(shù)的分散性C:晶體管參數(shù)受溫度影響D:電阻

阻值有誤差

答案:電源電壓不穩(wěn)定;晶體管參數(shù)受溫度影響

7.集成電路中多采用（）耦合方式。

A:變壓器耦合電路B:阻容耦合電路C:光電耦合D:直接耦合電路

答案:直接耦合電路

8.兩級放大電路第一級電壓放大倍數(shù)時為50,第二級電壓放大倍數(shù)為80,則

總的電壓放大倍數(shù)為（）。

A:130B:40000C:4000D:400

答案:4000

9.把前一級輸出端（或經(jīng)過電阻等）直接接到下一級輸入端，這種連接方式稱

為（）耦合。

A:直接耦合電路B:光電耦合C:變壓器耦合電路D:阻容耦合電路

答案:直接耦合電路

10.直接耦合放大電路的放大倍數(shù)越大，在輸出端出現(xiàn)的漂移電壓就越（）。

A:小B:大C:跟放大倍數(shù)無關D:不確定

答案:大

第五章測試

1.差分式放大電路能放大直流和交流信號，它對共模信｝具有放大能力，它對

差模信號具有抑制能力。（）

A:對B:錯

答案:錯

2.差分放大電路輸入端加上大小相等、極性相同的兩個信號，稱為共模信號,

而加上大小相等、極性相反的兩個信號，稱為差模信號。（）

A:錯B:對

答案:對

3.共模抑制比KCMR越大，表明電路（）。

A:抑制零漂能力越強B:輸入信號中的差模成分越大C:放大倍數(shù)越穩(wěn)定D:交

流放大倍數(shù)越大

答案:抑制零漂能力越強

4.若差分放大電路由單端輸出變?yōu)殡p端輸出，則其空載時的差模電壓放大倍數(shù)

將（）。

A:增加一倍B:約增加1.5倍C:減小一半D:不變

答案:增加一倍

5.在集成電路中，采用差分放大電路的主要目的是為了（）。

A:減小輸出電阻B:提高輸入電阻C:消除溫度漂移D:提高放大倍數(shù)

答案:消除溫度漂移

6.在雙端輸入的差動放大電路中，輸入信號UI1和UI2分別為60mV和40mV,

則其共模輸入信號Ulc和差模輸入信號Uld為（）。

A:50mV和20mVB:100mV和20mVC:100mV和10mVD:50mV和50mV

答案:50mV和20mV

7.在單端輸出的理想對稱長尾式差分放大電路中，若增大發(fā)射極電阻RE（保

持ICQ不變），則有（）。。

A:|Ad|不變，|Ac|不變B:|Ad|減小，|Ac|減小C:|Ad|不變，|Ac|減小D:|Ad|減

小，|Ac|不變

答案：|Ad|不變，|Ac|減小

8.直接耦合放大電路存在有零點漂移現(xiàn)象，對此現(xiàn)象有較強抑制作用的電路是

（）O

A:共集電極組態(tài)B:共射極組態(tài)C:差動放大電路D:功率放大電路

答案:差動放大電路

4-0o

9,一〕'卜上在如圖所示

的雙端輸入單端輸出的差動放大電路中，差模電壓放大倍數(shù)|Ad2|=50,共模

電壓放大倍數(shù)|Ac|=0.5,若輸入電壓Uii=60mV,Ui2=40mV,則輸出電壓Uo2

為（）。

A:-1.025B:+1,025C:-0.975D:+0,975

答案:+0.975

10.如圖所示差分放大電路中，為提高抑制零點漂移的能力，試問采用下列（）

措施好。

A:提高電源電壓B:采用恒流源差分電路C:減小工作點電流D:加大Rc

答案:采用恒流源差分電路

第六章測試

1.工作在線性區(qū)的運算放大器應置于（）狀態(tài)。

A:正反饋B:閉環(huán)C:開環(huán)D:深度反饋

答案:閉環(huán)

2.集成運放通常由輸入級、中間級、輸出級和偏置級四個部分組成。（）

A:對B:錯

答案:對

3.理想集成運放的開環(huán)電壓放大倍數(shù)Au。為無窮大，輸出電阻為無窮大。（）

A:對B:錯

答案:錯

4.理想集成運放工作在線性區(qū)的兩個特點是虛短和虛斷。（）

A:錯B:對

答案:對

5.集成運算放大器構成的反相比例運算電路的一個重要特點是（）。

A:輸入電阻大B:反相輸入端為虛地C:電流并聯(lián)負反饋D:電壓串聯(lián)負反饋

答案:反相輸入端為虛地

6.下列對集成電路運算放大器描述正確的是（）。

A:是一種低電壓增益、高輸入電阻和低輸出電阻的多級直接耦合放大電路B;

是一種高電壓增益、高輸入電阻和高輸出電阻的多級直接耦合放大電路C:

是一種高電壓增益、低輸入電阻和低輸出電阻的多級直接耦合放大電路D:

是一種高電壓增益、高輸入電阻和低輸出電阻的多級直接耦合放大電路

答案:是一種高電壓增益、高輸入電阻和低輸出電阻的多級直接耦合放大電

路

7.集成運放電源電壓土Vcc=±12V,若ui=-2V,則u。約為（）。

A:22VB:-12VC:12VD:20V

答案:12V

如圖所示電路為一般單限比較器電

A:-4VB:-2VC:+4VD:+2V

答案：-4V

第七章測試

1.電流負反饋能穩(wěn)定電路的輸出電流，同時使輸出電阻增大。（）

A:錯B:對

答案:對

2.電壓并聯(lián)負反饋能穩(wěn)定電路的輸出電壓，同時使輸入電阻增大。（）

A:對B:錯

答案:錯

3.在如圖所示的電路，RF引入了（）。

A:電壓串聯(lián)負反饋B:電流并聯(lián)負反饋C:電流串聯(lián)負反饋D:電壓并聯(lián)負反饋

答案:電流并聯(lián)負反饋

4.負反饋所能抑制的干擾和噪聲是（）。

A:輸入信號所包含的干擾和噪聲B:反饋環(huán)外的干擾和噪聲C:反饋環(huán)內(nèi)的干

擾和噪聲D:輸出信號中的干擾和噪聲

答案:反饋環(huán)內(nèi)的干擾和噪聲

5.在如圖所示的電路，RF引入了對輸入電阻的影響是（）。（）

A:電壓串聯(lián)負反饋B:電流并聯(lián)負反饋C:電壓并聯(lián)負反饋D:減小輸入電阻E:

增大輸入電阻F:電流串聯(lián)負反饋

答案:電流并聯(lián)負反饋;減小輸入電阻

6.某傳感器產(chǎn)生的是電壓信號（幾乎不能提供電流），經(jīng)過放大后希望輸出電

壓與信號成正比，這是放大電路應選（）。

A:電壓并聯(lián)負反饋B:電流并聯(lián)負反饋C:電流串聯(lián)負反饋D:電壓串聯(lián)負反饋

答案:電壓串聯(lián)負反饋

7.在如圖所示的電路中，Ri=10kQ,RF=100kQ,則閉環(huán)電壓放大倍數(shù)Auf的值

為（）。

A:-10BillC:10D:-ll

答案：口1

電路如圖所示，Ui=2V,負載電流正與負

載電阻RL之間的關系為（）。

A:RL增大，江減小B:RL減小，紅增大C:RL增大，江增大D。的大小與RL基

本無關

答案:出的大小與RL基本無關

9.在如圖所示的電路，所引入的級間反饋組態(tài)是（）。

A:電流串聯(lián)負反饋B:電壓串聯(lián)負反饋C:電壓并聯(lián)負反饋D:電流并聯(lián)負反饋

答案:電壓串聯(lián)負反饋

10.串聯(lián)負反饋放大電路環(huán)內(nèi)的輸入電阻是無反饋時輸入電阻的（）。

A:l/F倍B:1+AF倍C:1/（1+AF）倍D:1/AF倍

答案:1+AF倍

第八章測試

1.正弦波振蕩電路是由放大電路、反饋網(wǎng)絡、選頻網(wǎng)絡、穩(wěn)幅環(huán)節(jié)四個部分

組成。（）

A:對B:錯

答案:對

2.文氏橋式振蕩電路（RC正弦波振蕩電路）在穩(wěn)幅振蕩時，放大電路的電壓

放大倍數(shù)為3o（）

A:錯B:對

答案:對

3.正弦波振蕩電路能夠起振的條件是｛">I｝。（）

A:錯B:對

答案:對

4.LC振蕩電路主要用來產(chǎn)生低頻正弦信號。（）

A:錯B:對

答案:錯

5.正弦波振蕩電路利用正反饋產(chǎn)生振蕩的相位平衡條件是（）。

A:（2n+l）7i,n為整數(shù)B:nir/2,n為整數(shù)C:不確定D:2mr,n為整數(shù)

答案:2nir,n為整數(shù)

6.振蕩器與放大器的區(qū)別是（）。

A:振蕩器比放大器電源電壓高B:振蕩器比放大器失真小C:振蕩器需要外加

激勵信號，放大器無需外加激勵信號D:振蕩器無需外加激勵信號，放大器

需要外加激勵信號

答案:振蕩器無需外加激勵信號，放大器需要外加激勵信號

7.下列正弦波振蕩電路中，頻率穩(wěn)定性最高的是（）。

A:電容三點式振蕩電路B:石英晶體振蕩電路C:電感三點式振蕩電路D:變壓

器反饋式振蕩電路

答案:石英晶體振蕩電路

8.在如下圖所示的RC正弦波振蕩電路中，集成運放圖形符號上同相輸入端和

反相輸入端的正負號標記應為（）。

A.上正下負

A:上下均正B:上下均負C:上負下正

答案:上下均負

9.LC正弦波振蕩器電路的振蕩頻率為（）。

A"—H

加2xLC2?vIC

A:B:D:

/i?—

答案：

10.已知正弦波振蕩電路的RC串并聯(lián)選頻網(wǎng)絡中，R=10kQ,C=0.01pF,則該

電路的振蕩頻率fo=（）。

A:2618.1HzB:856.7HzC:343HzD:1591.5Hz

答案:1591.5Hz

第九章測試

1.OCL電路是雙電源互補功率放大電路；OTL電路是單電源互補功率放大電

路。（）

A:錯B:對

答案:對

2.功放管的導通角是180。的放大電路是乙類放大電路，功放管的導通角是

360。的放大電路是甲類放大電路。（）

A:對B:錯

答案:對

3.在甲乙類放大電路中，放大管導通角為大于180。而小于360。。（）

A:對B:錯

答案:對

4.乙類互補對稱功率放大電路的特點說法錯誤的是（）。

A:效率低B:管耗小C:效率高D:存在交越失真

答案:效率低

5.功率放大電路的最大輸出功率是在輸入電壓為正弦波時，輸出基本不失真情

況下負載上獲得的最大（）。

A:交流功率B:直流功率C:有功功率D:平均功率

答案:交流功率

6.乙類放大電路是指放大管的導通角等于（）。

A:360oB:90℃:0°D:180°

答案：180。

7.設計一個輸出功率為20W的擴音機電路，若用OCL互補對稱功放電路，則

應選最大允許功耗至少為（）W的功率管兩個。

A:2B:20C:10D:4

答案：4

8,互補輸出級采用射極輸出方式是為了使（）。

A:帶負載能力強B:輸出電流小C:電壓放大倍數(shù)高D:輸出電阻增大

答案:帶負載能力強

9.總'9、若OCL功率放大器的輸出電壓波形如圖1所示，為消