硅雪崩光電二極管單光子探測(cè)器

硅雪崩光電二極管(SiAPD)是一種特殊類型的光B.McCarthy報(bào)道了鍺和硅PN結(jié)在擊穿附近的光電流倍增現(xiàn)象。1955電二極管實(shí)際上是工作接近(但尚未達(dá)到)雪崩擊穿狀態(tài)并且高度均方面，由于嚏隨著注入光強(qiáng)的增加，雪崩光電二極管的線性范圍在種波動(dòng)在半導(dǎo)體中更為嚴(yán)重。光電流中的均方噪聲電流(iJian)通由于F大于1并且隨著的增加而增加嚏，只有當(dāng)接收系統(tǒng)(包括雪崩光電二極管、負(fù)載電阻器和前置放大器等探測(cè)器設(shè)備)的噪聲主要由負(fù)載電阻器和放大器的熱噪聲決定時(shí)，才會(huì)增加雪崩增益嚏可的噪聲主要由光電流的噪聲決定時(shí)嚏不能再提高系統(tǒng)的性能。在這有PN結(jié)類型(同質(zhì)或異質(zhì)PN結(jié)。其中，有通用PN結(jié)、PIN結(jié)和特殊結(jié)構(gòu)，如N+PπP+結(jié))、金屬半導(dǎo)體肖特基勢(shì)壘類型和金屬氧化物等技術(shù)來制備InGaAsInP材料可以實(shí)現(xiàn)原子級(jí)精度控制并提高器件子照射到InGaAsInP單光子雪崩二極管上時(shí)，雪崩二極管中的電子-基于InGaAsInP單光子雪崩二極管的紅外單光子探測(cè)技術(shù)在許本文介紹了基于InGaAsInP單光子雪崩二極管的紅外單光子探InGaAsInP單光子雪崩二極管的紅外單光子探測(cè)技術(shù)具有成的光電二極管的P-N結(jié)施加反向偏壓之后，指數(shù)級(jí)增加),因此這種類型的二極管被稱為“雪崩光電二極管”。P+接收光),工作時(shí)施加大的反向偏壓以實(shí)現(xiàn)雪崩倍增狀態(tài)；它的光吸收區(qū)域與加倍區(qū)域(即具有高電場(chǎng)的P和I區(qū)域)基本一致。InGaAs/InPAPD是一種長波長(3μn。55μm)波段的光纖通信是一種理想的光電探測(cè)器。光的吸收層由InGaAs材料制P-N結(jié)放置在InP窗口層內(nèi)部?？紤]到InP材料中的空穴電離系數(shù)大于電子電離系數(shù)，選擇n型InP作為雪崩區(qū)。在n-InP和n-InGaAs在兩者之間，帶隙逐漸變化的InGaAsP(砷磷酸銦鎵)的過渡區(qū)被夾性能；半導(dǎo)體材料優(yōu)于Si(廣泛用于檢測(cè)9um以下的光),但Ge和InGaAs通常用于檢測(cè)1um以上的長波長光(具有高噪聲和暗電流)。止光吸收),而在光吸收區(qū)使用帶間隙較窄的材料；這里，由于使用導(dǎo)致其隧穿電流降低(如果是突變異質(zhì)結(jié)，因?yàn)椤鱁v的存在會(huì)導(dǎo)致數(shù)，增益帶寬乘積為常數(shù)。為了獲得高的乘積，應(yīng)該選擇大的Vs、低和擊穿電壓增加。使用擊穿電壓的溫度系數(shù)Lu描述APD的溫度特(過量噪聲)。速光纖通信，商用產(chǎn)品的速度已達(dá)到10Gbit/s或更高。管)和一個(gè)互阻抗放大器。在同一封裝中，同時(shí)使用了放大器和光電制帶寬或定制產(chǎn)品。還有一個(gè)帶有尾纖封裝的14引腳雙列直插式插持模塊的響應(yīng)性恒定。另外兩種類型的HUV模塊可用于低頻高增益應(yīng)用，覆蓋從紫外線到近紅外的寬光譜范圍。C30659-1550-RO8BH,C30659-550-