2024年印度SiC和GaN外延生長設(shè)備行業(yè)狀況及未來發(fā)展趨勢報(bào)告

2024年印度SiC和GaN外延生長設(shè)備行業(yè)狀況及未來發(fā)展趨勢報(bào)告Copyright?QYResearch|market@|2024年印度SiC和GaN外延生長設(shè)備行業(yè)狀況及未來發(fā)展趨勢報(bào)告Copyright?QYResearch|market@|2024年印度SiC和GaN外延生長設(shè)備行業(yè)狀況及未來發(fā)展趨勢報(bào)告2024年印度SiC和GaN外延生長設(shè)備行業(yè)狀況及未來發(fā)展趨勢報(bào)告第第2018-2022年間，除2020年外，印度經(jīng)濟(jì)均保持增長態(tài)勢。2020年，印度名義GDP同比下降5.8%，人均名義GDP下降6.7%。2022年，印度名義GDP為3.39萬億美元，同比增長7.5%，超越英國成為世界第五大經(jīng)濟(jì)體，人均名義GDP為2388.6美元，同比增長6.7%。2023年，印度經(jīng)濟(jì)增長率遠(yuǎn)超市場預(yù)期，達(dá)7.7%，高于美國和日本。增長得益于私營部門投資和服務(wù)支出回升，政府改革政策和人口紅利。2023年印度的經(jīng)濟(jì)增長率遠(yuǎn)超市場預(yù)期，再度在全球大型經(jīng)濟(jì)體中領(lǐng)跑。印度在全球大型經(jīng)濟(jì)體中脫穎而出，經(jīng)濟(jì)增長率位居前列，與此同時，其他一些國家的增長則相形見絀。以美國和日本為例，2023年的經(jīng)濟(jì)增長率分別為2.6%和1.9%，這一差距進(jìn)一步凸顯了印度經(jīng)濟(jì)增長的強(qiáng)勁勢頭。根據(jù)國際貨幣基金組織（IMF）的最新估算，以名義GDP來看，印度的GDP到2025年將達(dá)到4.3398萬億美元，超過日本（4.3103萬億美元），躍居世界第4位。在去年10月期的《世界經(jīng)濟(jì)展望》中，IMF預(yù)計(jì)，印度會在2026年成為世界第四大經(jīng)濟(jì)體，日本則將在2026年至2028年間下滑至世界第五。而在最新預(yù)測中，印度在GDP規(guī)模上趕超日本的時間整整提前了一年。本研究項(xiàng)目旨在深度挖掘印度市場SiC和GaN外延生長設(shè)備的增長潛力與發(fā)展機(jī)會，分析印度市場競爭態(tài)勢、銷售模式、客戶偏好、整體市場營商環(huán)境，為國內(nèi)企業(yè)出海開展業(yè)務(wù)提供客觀參考意見。據(jù)QYResearch最新調(diào)研，2023年全球SiC和GaN外延生長設(shè)備市場銷售收入達(dá)到了63億元，預(yù)計(jì)2030年可以達(dá)到110億元，未來幾年年復(fù)合增長率(CAGR)為7.2%。印度市場而言，預(yù)計(jì)2024-2030期間年復(fù)合增長率(CAGR)為xx%，高于全球的xx%，2030年印度市場市場規(guī)模將達(dá)到xx億元。外延生長或外延，是指在晶體襯底上沉積晶體覆蓋層（外延層）。外延用于制造硅錠并在晶片表面沉積合適的晶體層。外延可分為同質(zhì)外延和異質(zhì)外延，為了滿足器件在不同應(yīng)用領(lǐng)域?qū)﹄娮璧葏?shù)的特定要求，必須在襯底上進(jìn)行滿足條件的外延后才可制作器件，因此外延質(zhì)量的好壞將會影響器件的性能。第二代和第三代半導(dǎo)體材料如氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等都廣泛需要外延技術(shù)作為支撐。外延生長設(shè)備通過外延生長技術(shù)，在半導(dǎo)體制造中起著重要作用。它能夠提供高質(zhì)量、高控制性的外延層，用于制造各種半導(dǎo)體器件和功能材料。全球SiC和GaN外延生長設(shè)備（EpitaxialGrowthEquipmentforSiCandGaN）核心廠商包括TokyoElectronLimited、Aixtron、AdvancedMicro和NAURA等，前四大廠商占有全球大約60%的份額。中國是最大的市場，占有大約40%的份額。產(chǎn)品類型而言，CVD是最大的細(xì)分，占有大約50%的份額，同時就下游來說，碳化硅外延（SiC）是最大的下游領(lǐng)域，占有約60%的份額。本文重點(diǎn)關(guān)注印度市場主要的國外及印度本土企業(yè)，分析印度市場總體競爭格局、目前現(xiàn)狀及未來趨勢。本文核心內(nèi)容：市場空間：全球SiC和GaN外延生長設(shè)備行業(yè)市場空間、印度市場發(fā)展空間。競爭態(tài)勢：全球SiC和GaN外延生長設(shè)備份額，印度市場企業(yè)份額。銷售模式：印度市場銷售模式、本地代理商客戶情況：印度本地客戶及偏好分析營商環(huán)境：印度營商環(huán)境分析本文納入的企業(yè)包括國外及印度本土SiC和GaN外延生長設(shè)備企業(yè)，以及相關(guān)上下游企業(yè)等，部分名單如下：NuFlareTechnologyInc.TokyoElectronLimitedNAURAVEECOTaiyoNipponSansoAixtronAdvancedMicro-FabricationEquipmentInc.China(AMEC）ASMInternational本文正文共7章，各章節(jié)主要內(nèi)容如下：第1章：SiC和GaN外延生長設(shè)備定義、市場規(guī)模及發(fā)展概況等第2章：印度營商環(huán)境分析第3章：行業(yè)競爭格局及競爭對手分析第4章：SiC和GaN外延生長設(shè)備主要企業(yè)簡介第5章：銷售渠道及目標(biāo)客戶分析、印度SiC和GaN外延生長設(shè)備進(jìn)出口情況分析第6章：行業(yè)發(fā)展趨勢及影響因素分析第7章：報(bào)告結(jié)論

1SiC和GaN外延生長設(shè)備定義 11.2.1全球SiC和GaN外延生長設(shè)備市場收入規(guī)模（2019-2030） 11.2.2全球SiC和GaN外延生長設(shè)備市場銷量規(guī)模（2019-2030） 21.2.3印度市場SiC和GaN外延生長設(shè)備收入規(guī)模及增長率（2019-2030） 21.2.4印度市場SiC和GaN外延生長設(shè)備銷量及增長率（2019-2030） 32印度營商環(huán)境分析 42.2.1經(jīng)濟(jì)增長率 52.2.2通貨膨脹與物價水平 52.2.3最新失業(yè)率 52.2.4外匯儲備 52.2.5信用評級 52.3.1交通 62.3.2通信與互聯(lián)網(wǎng) 62.3.3電力 72.3.4高等教育 72.3.5勞工情況 82.4.1當(dāng)?shù)刎泿?82.4.2外匯管理 82.4.3跨境結(jié)算 82.4.4金融服務(wù) 82.4.5證券市場 92.5.1進(jìn)出口貿(mào)易 92.5.2外國投資 92.5.3已參與貿(mào)易協(xié)定 102.6.1中國-印度經(jīng)貿(mào)合作：海上絲綢之路 102.6.2政策演進(jìn) 112.6.3資金融通 112.6.4企業(yè)出海 112.6.5從投資合作角度，印度市場的吸引力主要表現(xiàn)在以下方面： 113行業(yè)競爭格局 153.1.1全球市場SiC和GaN外延生長設(shè)備廠商份額（2023） 153.1.2全球市場SiC和GaN外延生長設(shè)備競爭分析 153.1.3主要廠商SiC和GaN外延生長設(shè)備總部及產(chǎn)地分布 153.1.4主要廠商SiC和GaN外延生長設(shè)備產(chǎn)品類型及應(yīng)用 173.2.1印度市場主要廠商SiC和GaN外延生長設(shè)備銷量（2019-2024） 183.2.2印度市場主要廠商SiC和GaN外延生長設(shè)備銷量市場份額（2019-2024） 193.3.1印度市場主要廠商SiC和GaN外延生長設(shè)備收入（2019-2024） 213.3.2印度市場主要廠商SiC和GaN外延生長設(shè)備收入市場份額（2019-2024） 224主要企業(yè)簡介 274.1.1NuFlareTechnologyInc.基本信息、SiC和GaN外延生長設(shè)備生產(chǎn)基地、總部、競爭對手及市場地位 274.1.2NuFlareTechnologyInc.SiC和GaN外延生長設(shè)備產(chǎn)品規(guī)格、參數(shù)及市場應(yīng)用 274.1.3NuFlareTechnologyInc.公司簡介及主要業(yè)務(wù) 274.1.4NuFlareTechnologyInc.企業(yè)最新動態(tài) 284.2.1TokyoElectronLimited基本信息、SiC和GaN外延生長設(shè)備生產(chǎn)基地、總部、競爭對手及市場地位 284.2.2TokyoElectronLimitedSiC和GaN外延生長設(shè)備產(chǎn)品規(guī)格、參數(shù)及市場應(yīng)用 294.2.3TokyoElectronLimited公司簡介及主要業(yè)務(wù) 294.2.4TokyoElectronLimited企業(yè)最新動態(tài) 294.3.1NAURA基本信息、SiC和GaN外延生長設(shè)備生產(chǎn)基地、總部、競爭對手及市場地位 304.3.2NAURASiC和GaN外延生長設(shè)備產(chǎn)品規(guī)格、參數(shù)及市場應(yīng)用 304.3.3NAURA公司簡介及主要業(yè)務(wù) 304.3.4NAURA企業(yè)最新動態(tài) 315銷售渠道及客戶偏好分析 355.3.1直銷模式 355.3.2經(jīng)銷/代理模式 355.3.3銷售渠道分析 355.3.4印度市場SiC和GaN外延生長設(shè)備代表性代理商分析 365.5.1印度市場SiC和GaN外延生長設(shè)備主要進(jìn)口來源 365.5.2印度市場SiC和GaN外延生長設(shè)備主要出口目的地 376行業(yè)發(fā)展趨勢及影響因素 387研究成果及結(jié)論 408附錄 418.2.1二手信息來源 428.2.2一手信息來源 42

TOC\h\z\t"TableStyle"\c表1：印度主要高等院校 7表2：各區(qū)域基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展指數(shù)變化情況 14表3：主要廠商SiC和GaN外延生長設(shè)備總部及產(chǎn)地分布 15表4：主要廠商SiC和GaN外延生長設(shè)備產(chǎn)品類型及應(yīng)用 17表5：印度市場主要廠商SiC和GaN外延生長設(shè)備銷量（2019-2024）&（臺） 18表6：印度市場主要廠商SiC和GaN外延生長設(shè)備銷量市場份額（2019-2024） 19表7：印度市場主要廠商SiC和GaN外延生長設(shè)備收入（2019-2024）&（萬元） 21表8：印度市場主要廠商SiC和GaN外延生長設(shè)備收入份額（2019-2024） 22表9：印度市場主要廠商SiC和GaN外延生長設(shè)備價格（2019-2024）&（美元/臺） 24表10：NuFlareTechnologyInc.SiC和GaN外延生長設(shè)備生產(chǎn)基地、總部、競爭對手及市場地位 27表11：NuFlareTechnologyInc.SiC和GaN外延生長設(shè)備產(chǎn)品規(guī)格、參數(shù)及市場應(yīng)用 27表12：NuFlareTechnologyInc.公司簡介及主要業(yè)務(wù) 27表13：NuFlareTechnologyInc.企業(yè)最新動態(tài) 28表14：TokyoElectronLimitedSiC和GaN外延生長設(shè)備生產(chǎn)基地、總部、競爭對手及市場地位 28表15：TokyoElectronLimitedSiC和GaN外延生長設(shè)備產(chǎn)品規(guī)格、參數(shù)及市場應(yīng)用 29表16：TokyoElectronLimited公司簡介及主要業(yè)務(wù) 29表17：TokyoElectronLimited企業(yè)最新動態(tài) 29表18：NAURASiC和GaN外延生長設(shè)備生產(chǎn)基地、總部、競爭對手及市場地位 30表19：NAURASiC和GaN外延生長設(shè)備產(chǎn)品規(guī)格、參數(shù)及市場應(yīng)用 30表20：NAURA公司簡介及主要業(yè)務(wù) 30表21：NAURA企業(yè)最新動態(tài) 31表22：印度本土SiC和GaN外延生長設(shè)備代表性客戶分析 35表23：印度市場SiC和GaN外延生長設(shè)備代理商列表 36表24：印度市場SiC和GaN外延生長設(shè)備主要進(jìn)口來源 36表25：印度市場SiC和GaN外延生長設(shè)備主要出口目的地 37表26：SiC和GaN外延生長設(shè)備行業(yè)發(fā)展分析發(fā)展趨勢 38表27：SiC和GaN外延生長設(shè)備行業(yè)發(fā)展分析廠商壁壘 38表28：SiC和GaN外延生長設(shè)備行業(yè)發(fā)展分析驅(qū)動因素 38表29：SiC和GaN外延生長設(shè)備行業(yè)發(fā)展分析制約因素 39表30：研究范圍 41表31：本文分析師列表 45

TOC\fF\h\z\t"FigureStyle"\c圖1：SiC和GaN外延生長設(shè)備產(chǎn)品圖片 1圖2：全球SiC和GaN外延生長設(shè)備市場收入規(guī)模及增長率（2019-2030）&（百萬元） 1圖3：全球SiC和GaN外延生長設(shè)備市場銷量及增長率（2019-2030）&（臺） 2圖4：印度市場SiC和GaN外延生長設(shè)備銷售額及增長率（2019-2030）&（百萬元） 2圖5：印度市場SiC和GaN外延生長設(shè)備銷量及增長率（2019-2030）&（臺） 3圖6：2023年基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展指數(shù) 13圖7：全球市場SiC和GaN外延生長設(shè)備廠商份額（2023） 15圖8：2023年印度市場主要廠商SiC和GaN外延生長設(shè)備銷量市場份額 21圖9：2023年印度市場主要廠商SiC和GaN外延生長設(shè)備收入市場份額 23圖10：2023年印度市場前五大廠商SiC和GaN外延生長設(shè)備市場份額 25圖11：SiC和GaN外延生長設(shè)備行業(yè)生產(chǎn)模式分析 36圖12：印度市場SiC和GaN外延生長設(shè)備主要來源地進(jìn)口占比（2023） 36圖13：印度市場SiC和GaN外延生長設(shè)備主要目的地出口占比（2023） 37圖14：關(guān)鍵采訪目標(biāo) 42圖15：自下而上及自上而下驗(yàn)證 43圖16：資料三角測定 44第第SiC和GaN外延生長設(shè)備定義SiC和GaN外延生長設(shè)備產(chǎn)品定義及統(tǒng)計(jì)范圍外延生長或外延，是指在晶體襯底上沉積晶體覆蓋層（外延層）。外延用于制造硅錠并在晶片表面沉積合適的晶體層。外延可分為同質(zhì)外延和異質(zhì)外延，為了滿足器件在不同應(yīng)用領(lǐng)域?qū)﹄娮璧葏?shù)的特定要求，必須在襯底上進(jìn)行滿足條件的外延后才可制作器件，因此外延質(zhì)量的好壞將會影響器件的性能。第二代和第三代半導(dǎo)體材料如氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等都廣泛需要外延技術(shù)作為支撐。外延生長設(shè)備通過外延生長技術(shù)，在半導(dǎo)體制造中起著重要作用。它能夠提供高質(zhì)量、高控制性的外延層，用于制造各種半導(dǎo)體器件和功能材料。全球SiC和GaN外延生長設(shè)備（EpitaxialGrowthEquipmentforSiCandGaN）核心廠商包括TokyoElectronLimited、Aixtron、AdvancedMicro和NAURA等，前四大廠商占有全球大約60%的份額。中國是最大的市場，占有大約40%的份額。產(chǎn)品類型而言，CVD是最大的細(xì)分，占有大約50%的份額，同時就下游來說，碳化硅外延（SiC）是最大的下游領(lǐng)域，占有約60%的份額。SiC和GaN外延生長設(shè)備產(chǎn)品圖片資料來源：第三方資料及QYResearch整理行業(yè)市場規(guī)模全球SiC和GaN外延生長設(shè)備市場收入規(guī)模（2019-2030）全球SiC和GaN外延生長設(shè)備市場收入規(guī)模及增長率（2019-2030）&（百萬元）資料來源：第三方資料、新聞報(bào)道、業(yè)內(nèi)專家采訪及QYResearch整理研究，2024年全球SiC和GaN外延生長設(shè)備市場銷量規(guī)模（2019-2030）全球SiC和GaN外延生長設(shè)備市場銷量及增長率（2019-2030）&（臺）資料來源：第三方資料、新聞報(bào)道、業(yè)內(nèi)專家采訪及QYResearch整理研究，2024年印度市場SiC和GaN外延生長設(shè)備收入規(guī)模及增長率（2019-2030）印度市場SiC和GaN外延生長設(shè)備銷售額及增長率（2019-2030）&（百萬元）資料來源：第三方資料、新聞報(bào)道、業(yè)內(nèi)專家采訪及QYResearch整理研究，2024年印度市場SiC和GaN外延生長設(shè)備銷量及增長率（2019-2030）印度市場SiC和GaN外延生長設(shè)備銷量及增長率（2019-2030）&（臺）資料來源：第三方資料、新聞報(bào)道、業(yè)內(nèi)專家采訪及QYResearch整理研究，2024年印度市場發(fā)展概況印度營商環(huán)境分析國家基本情況印度是世界四大文明古國之一。公元前2500年至1500年之間創(chuàng)造了印度河文明。公元前1500年左右，原居住在中亞的雅利安人中的一支進(jìn)入南亞次大陸，征服當(dāng)?shù)赝林?，?chuàng)立了婆羅門教。公元前4世紀(jì)崛起的孔雀王朝統(tǒng)一印度，公元前3世紀(jì)阿育王統(tǒng)治時期達(dá)到鼎盛，把佛教定為國教。公元4世紀(jì)笈多王朝建立，形成中央集權(quán)大國，統(tǒng)治200多年。中世紀(jì)小國林立，印度教興起。1398年，突厥化的蒙古族人由中亞侵入印度。1526年建立莫臥兒帝國，成為當(dāng)時世界強(qiáng)國之一。1600年英國開始入侵印度。1757年印度淪為英殖民地，1849年全境被英占領(lǐng)。1947年6月，英國通過“蒙巴頓方案”，將印度分為印度和巴基斯坦兩個自治領(lǐng)。同年8月15日，印度獨(dú)立。1950年1月26日，印度憲法正式生效，印度成立共和國，同時仍為英聯(lián)邦成員。印度是眾多正式和非正式的多邊國際組織的成員，包括聯(lián)合國、世界貿(mào)易組織、英聯(lián)邦、二十國集團(tuán)、金磚國家、上海合作組織、南亞區(qū)域合作聯(lián)盟和不結(jié)盟運(yùn)動等。經(jīng)濟(jì)發(fā)展指標(biāo)經(jīng)濟(jì)增長率2018-2022年間，除2020年外，印度經(jīng)濟(jì)均保持增長態(tài)勢。2020年，印度名義GDP同比下降5.8%，人均名義GDP下降6.7%。2022年，印度名義GDP為3.39萬億美元，同比增長7.5%，超越英國成為世界第五大經(jīng)濟(jì)體，人均名義GDP為2388.6美元，同比增長6.7%。2023年，印度經(jīng)濟(jì)增長率遠(yuǎn)超市場預(yù)期，達(dá)7.7%，高于美國和日本。增長得益于私營部門投資和服務(wù)支出回升，政府改革政策和人口紅利。2023年印度的經(jīng)濟(jì)增長率遠(yuǎn)超市場預(yù)期，再度在全球大型經(jīng)濟(jì)體中領(lǐng)跑。印度在全球大型經(jīng)濟(jì)體中脫穎而出，經(jīng)濟(jì)增長率位居前列，與此同時，其他一些國家的增長則相形見絀。以美國和日本為例，2023年的經(jīng)濟(jì)增長率分別為2.6%和1.9%，這一差距進(jìn)一步凸顯了印度經(jīng)濟(jì)增長的強(qiáng)勁勢頭。根據(jù)國際貨幣基金組織（IMF）的最新估算，以名義GDP來看，印度的GDP到2025年將達(dá)到4.3398萬億美元，超過日本（4.3103萬億美元），躍居世界第4位。在去年10月期的《世界經(jīng)濟(jì)展望》中，IMF預(yù)計(jì)，印度會在2026年成為世界第四大經(jīng)濟(jì)體，日本則將在2026年至2028年間下滑至世界第五。而在最新預(yù)測中，印度在GDP規(guī)模上趕超日本的時間整整提前了一年。通貨膨脹與物價水平世界銀行數(shù)據(jù)顯示，2022年印度通貨膨脹率（以消費(fèi)者價格指數(shù)衡量）為6.70%。在印度，一般日常生活用品的供應(yīng)較為充足。除了最基本的食品外，整體物價水平較高，特別是新德里、孟買等大城市的房屋、土地租售價格已居于世界前列。最新失業(yè)率外匯儲備信用評級基礎(chǔ)設(shè)施現(xiàn)狀交通公路運(yùn)輸是印度的主要運(yùn)輸方式。根據(jù)印度交通運(yùn)輸部統(tǒng)計(jì)，截至2022/2023財(cái)年，印度公路總長約633.18萬公里。其中，國家和邦級高速公路31.2萬公里，占4.9%。公路通信與互聯(lián)網(wǎng)印度是全球第二大電信市場，截至2023年1月其全國電話用戶總數(shù)超過11.7億，移動用戶數(shù)量占絕大多數(shù)。2022年10—12月，印度互聯(lián)網(wǎng)用戶總數(shù)為8.66億。國有、民營和外資運(yùn)營商之間競爭激烈，資費(fèi)相對低廉。手機(jī)銀行和農(nóng)業(yè)短信息等服務(wù)已經(jīng)興起。4G業(yè)務(wù)逐步普及，2022年10月正式推出5G商用服務(wù)，為推動6G技術(shù)發(fā)展，印度電信部（DoT）成立了6G創(chuàng)新小組。電力據(jù)印度電力部統(tǒng)計(jì)，截至2023年5月31日，印度全國總裝機(jī)容量達(dá)417.67吉瓦，其中化石燃料發(fā)電占56.8%，可再生能源發(fā)電占41.4%，核電占1.6%。目前，印度電力供應(yīng)仍然面臨較大缺口，除部分經(jīng)濟(jì)發(fā)達(dá)地區(qū)如古吉拉特邦、馬哈拉施特拉邦可以保障24小時供電外，其他各邦用電高峰期間斷電情況時常發(fā)生。其中，南部、東北部以及北部地區(qū)電力缺口較為明顯，西部地區(qū)與東部地區(qū)電力供應(yīng)較為充沛。投資體量較大的產(chǎn)業(yè)園區(qū)大多計(jì)劃自備電站，部分企業(yè)特別是制造業(yè)企業(yè)需配置小型發(fā)電機(jī)組和斷電保護(hù)系統(tǒng)等。高等教育印度主要高等院校勞工情況世界銀行數(shù)據(jù)顯示，截至2022年底，印度全國有人口14.2億，居世界第一位。其中勞動力人口為5.2億人，占總?cè)丝诒戎貫?6.6%。印度人口分布主要集中于北部喜馬拉雅山脈南麓、印度河—恒河流域，尤其以東部的恒河三角洲最為稠密。印度人口最多的北方邦擁有超過2億人口，是世界上人口最多的一級行政區(qū)。北方邦、比哈爾邦、恰蒂斯加爾邦、賈坎德邦、拉賈斯坦邦、中央邦六個邦約占印度人口的40%。金融環(huán)境特色當(dāng)?shù)刎泿庞《鹊呢泿艦楸R比，匯率結(jié)構(gòu)為單一匯率。印度盧比的匯率由銀行間市場決定。印度儲備銀行（RBI，央行）在該市場上按市場匯率與授權(quán)交易商進(jìn)行即期和遠(yuǎn)期美元交易。外匯管理印度儲備銀行是印度外匯管理的主管部門，其外匯管理局是具體負(fù)責(zé)外匯交易和控制的部門，負(fù)責(zé)管理經(jīng)常項(xiàng)目和資本賬戶下的外匯交易?？缇辰Y(jié)算金融服務(wù)中國工商銀行、中國銀行在孟買設(shè)有分行，能夠?yàn)樵谟≈匈Y企業(yè)提供存款、貸款、貿(mào)易融資、國際結(jié)算以及擔(dān)保等多種業(yè)務(wù)。中國國家開發(fā)銀行設(shè)有駐印度工作組，正在籌備在印度設(shè)立分支機(jī)構(gòu)。證券市場證券交易監(jiān)管機(jī)構(gòu)：印度證券交易監(jiān)管機(jī)構(gòu)為印度證券交易委員會（SEBI），總部位于孟買，在德里、金奈、加爾各答等主要城市設(shè)有區(qū)域辦公室。委員會設(shè)有衍生品市場管理部等20余個內(nèi)部機(jī)構(gòu)，重點(diǎn)對證券發(fā)行者、投資者、市場中介進(jìn)行監(jiān)管。證券交易機(jī)構(gòu)：（1）印度國家證券交易所（NSE）截至2023年1月，該證交所共有2137家上市公司，總市值約3.27萬億美元，是南亞第一大、全球第8大證券交易所。其推出的NIFTY50指數(shù)是印度股市重要指數(shù)。（2）孟買證券交易所（BSE）截至2023年1月，該證交所共有5311家上市公司，總市值約3萬億美元，是南亞第二大、世界第10大證券交易所。其S&PBSESENSEX指數(shù)（又稱“孟買敏感指數(shù)”）被認(rèn)為是印度股市風(fēng)向標(biāo)。印度發(fā)展規(guī)劃“印度制造”倡議“印度制造”是印度政府的一項(xiàng)重大國家計(jì)劃，旨在促進(jìn)投資、促進(jìn)創(chuàng)新、加強(qiáng)能發(fā)展、保護(hù)知識產(chǎn)權(quán)并在該國建設(shè)一流的制造基礎(chǔ)設(shè)施，由印度政府商業(yè)和工業(yè)部工業(yè)和內(nèi)部貿(mào)易促進(jìn)局（DPIIT）領(lǐng)導(dǎo)。該倡議的主要目標(biāo)是吸引來自全球的投資并加強(qiáng)印度的制造業(yè)，利用現(xiàn)有的印度人才基礎(chǔ)，創(chuàng)造額外的就業(yè)機(jī)會并提升第二和第三產(chǎn)業(yè)的能力，對印度的經(jīng)濟(jì)增長非常重要?！白粤⒂《取狈桨?020年5月12日，印度總理莫迪在全國發(fā)表講話，宣布了“自立印度”綜合經(jīng)濟(jì)方案（AtmanirbharBharatAbhiyaan），該方案旨在推動本地制造、本地市場和本地供應(yīng)鏈，整個計(jì)劃的重點(diǎn)是為“印度制造”倡議提供動力，并將印度本土公司轉(zhuǎn)變?yōu)槿蚱放?。“自立印度”的五大支柱分別為：經(jīng)濟(jì)快速發(fā)展、基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)前景廣闊、創(chuàng)新及技術(shù)驅(qū)動、人口活力充足、市場需求潛力大?；A(chǔ)設(shè)施發(fā)展規(guī)劃印度基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)職責(zé)分屬各職能部門，主要包括：電信部、重工業(yè)部、新能源部、石油和天然氣部、電力部、鐵道部、公路運(yùn)輸部、海運(yùn)部、農(nóng)村發(fā)展部、城市發(fā)展部等。印度政府計(jì)劃2018-2030年在鐵路基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域投資50萬億盧比。根據(jù)印度政府出臺的國家基礎(chǔ)設(shè)施管道計(jì)劃（NIP），2020-2025年將投資111萬億盧比（1.5萬億美元）用于建設(shè)基礎(chǔ)設(shè)施項(xiàng)目，約70%用于能源、公路、鐵路和城市項(xiàng)目建設(shè)。積極推動資產(chǎn)出售、基礎(chǔ)設(shè)施資產(chǎn)的貨幣化、設(shè)立發(fā)展性金融機(jī)構(gòu)、做強(qiáng)市政債券市場。重點(diǎn)項(xiàng)目包括：TunaTekra多用途運(yùn)輸泊位開發(fā)、國家2號航道開發(fā)、國道SH-37道路升級、Salegaon—Rajathgarh—Budhapank鐵路開發(fā)等。生產(chǎn)關(guān)聯(lián)激勵計(jì)劃2020年3月以來，印度在手機(jī)等大規(guī)模電子制造、醫(yī)藥、高效太陽能光伏組件等14個重點(diǎn)領(lǐng)域先后出臺總額約1.97萬億盧比的“生產(chǎn)關(guān)聯(lián)激勵計(jì)劃”（PLI），旨在提振本土制造業(yè)并減少進(jìn)口。半導(dǎo)體和顯示屏制造生態(tài)改良計(jì)劃2021年12月，印政府出臺價值7600億盧比（約100億美金）的“半導(dǎo)體和顯示屏工廠生態(tài)改良計(jì)劃”，為企業(yè)設(shè)立半導(dǎo)體工廠、顯示器工廠提供財(cái)政激勵。國際經(jīng)貿(mào)合作進(jìn)出口貿(mào)易根據(jù)印度商工部公布的數(shù)據(jù)，2022/2023財(cái)年，印度貨物進(jìn)出口總額11617億美元，首次突破了1萬億美元。其中，出口總額4474億美元，同比增長52.9%，創(chuàng)歷史新高；進(jìn)口總額7142億美元，同比增長64.3%2018-2022年印度對外貨物貿(mào)易情況統(tǒng)計(jì)（億美元）資料來源：印度商工部外國投資已參與貿(mào)易協(xié)定參加雙邊、多邊和區(qū)域經(jīng)濟(jì)合作情況：印度是世界貿(mào)易組織（WTO）、亞太貿(mào)易協(xié)定、南亞自由貿(mào)易區(qū)等多邊和區(qū)域組織的成員國。與其他國家簽署自由貿(mào)易協(xié)定（FTA）情況：印度與克羅地亞、保加利亞、羅馬尼亞、捷克、斯洛伐克、斯洛文尼亞、塞爾維亞、黑山、波黑、芬蘭、贊比亞、安哥拉、喀麥隆、科特迪瓦、加納、莫桑比克、尼日利亞、盧旺達(dá)、塞內(nèi)加爾、斯威士蘭、博茨瓦納、坦桑尼亞、南非、塞舌爾、烏干達(dá)、扎伊爾、津巴布韋、毛里求斯、巴西、秘魯、哥倫比亞、古巴、智利、危地馬拉、阿根廷、阿富汗、斯里蘭卡、尼泊爾、孟加拉國、不丹、馬爾代夫、蒙古、日本、韓國、馬來西亞、新加坡簽有雙邊自由貿(mào)易或經(jīng)濟(jì)合作協(xié)定；與孟加拉國、斯里蘭卡、尼泊爾、不丹、馬爾代夫6國共同簽署了南亞自由貿(mào)易區(qū)協(xié)議（SAFTA）；與南方共同市場（MERCOSUR）于2003年簽署框架協(xié)議，確定分兩個階段達(dá)成自由貿(mào)易協(xié)議，2004年簽署優(yōu)惠貿(mào)易協(xié)定（PTA）；與南盟（SATIS）簽有服務(wù)貿(mào)易協(xié)定、與東盟（ASEAN）簽有貨物貿(mào)易協(xié)議；與孟加拉國、韓國、老撾、斯里蘭卡、中國、蒙古簽有《亞太貿(mào)易協(xié)定》（AsiaPacificTradeAgreement（APTA））。此外，印度還在與海灣合作委員會（GCC）、南方共同市場、南部非洲關(guān)稅同盟、歐盟、英國、澳大利亞、新西蘭、加拿大、印度尼西亞、以色列等進(jìn)行自貿(mào)協(xié)定談判，并參與區(qū)域全面經(jīng)濟(jì)伙伴關(guān)系（RCEP）談判。中國與印度合作政策演進(jìn)資金融通企業(yè)出海從投資合作角度，印度市場的吸引力主要表現(xiàn)在以下方面：（1）政局總體穩(wěn)定，政府重視擴(kuò)大投資；（2）自然資源豐富；（3）經(jīng)濟(jì)增長前景看好，市場潛力大；（4）地理位置重要，控制著關(guān)鍵的國際海洋交通線；（5）人口眾多，有豐富的勞動力資源，當(dāng)?shù)毓べY水平較低；（6）市場化程度較高，金融市場較為開放。行業(yè)競爭格局全球市場SiC和GaN外延生長設(shè)備競爭格局全球市場SiC和GaN外延生長設(shè)備廠商份額（2023）全球市場SiC和GaN外延生長設(shè)備廠商份額（2023）資料來源：如上企業(yè)、第三方資料、新聞報(bào)道、業(yè)內(nèi)專家采訪及QYResearch整理研究，2024年全球市場SiC和GaN外延生長設(shè)備競爭分析主要廠商SiC和GaN外延生長設(shè)備總部及產(chǎn)地分布主要廠商SiC和GaN外延生長設(shè)備總部及產(chǎn)地分布公司名稱總部產(chǎn)地分布NuFlareTechnologyInc.XXXXTokyoElectronLimitedXXXXNAURAXXXXVEECOXXXXTaiyoNipponSansoXXXXAixtronXXXXAdvancedMicro-FabricationEquipmentInc.China(AMEC）XXXXASMInternationalXXXX資料來源：上述企業(yè)，第三方資料、新聞報(bào)道、業(yè)內(nèi)專家采訪及QYResearch整理研究，2024年主要廠商SiC和GaN外延生長設(shè)備產(chǎn)品類型及應(yīng)用主要廠商SiC和GaN外延生長設(shè)備產(chǎn)品類型及應(yīng)用公司名稱產(chǎn)品類型應(yīng)用NuFlareTechnologyInc.XXXXTokyoElectronLimitedXXXXNAURAXXXXVEECOXXXXTaiyoNipponSansoXXXXAixtronXXXXAdvancedMicro-FabricationEquipmentInc.China(AMEC）XXXXASMInternationalXXXX資料來源：上述企業(yè)，第三方資料、新聞報(bào)道、業(yè)內(nèi)專家采訪及QYResearch整理研究，2024年印度市場SiC和GaN外延生長設(shè)備競爭格局印度市場主要廠商SiC和GaN外延生長設(shè)備銷量（2019-2024）印度市場主要廠商SiC和GaN外延生長設(shè)備銷量（2019-2024）&（臺）公司名稱201920202021202220232024NuFlareTechnologyInc.XXXXXXXXXXXXTokyoElectronLimitedXXXXXXXXXXXXNAURAXXXXXXXXXXXXVEECOXXXXXXXXXXXXTaiyoNipponSansoXXXXXXXXXXXXAixtronXXXXXXXXXXXXAdvancedMicro-FabricationEquipmentInc.China(AMEC）XXXXXXXXXXXXASMInternationalXXXXXXXXXXXX其他廠商XXXXXXXXXXXX合計(jì)XXXXXXXXXXXX資料來源：上述企業(yè)，第三方資料、新聞報(bào)道、業(yè)內(nèi)專家采訪及QYResearch整理研究，2024年印度市場主要廠商SiC和GaN外延生長設(shè)備銷量市場份額（2019-2024）印度市場主要廠商SiC和GaN外延生長設(shè)備銷量市場份額（2019-2024）公司名稱201920202021202220232024NuFlareTechnologyInc.XX%XX%XX%XX%XX%XX%TokyoElectronLimitedXX%XX%XX%XX%XX%XX%NAURAXX%XX%XX%XX%XX%XX%VEECOXX%XX%XX%XX%XX%XX%TaiyoNipponSansoXX%XX%XX%XX%XX%XX%AixtronXX%XX%XX%XX%XX%XX%AdvancedMicro-FabricationEquipmentInc.China(AMEC）XX%XX%XX%XX%XX%XX%ASMInternationalXX%XX%XX%XX%XX%XX%其他廠商XX%XX%XX%XX%XX%XX%資料來源：上述企業(yè)，第三方資料、新聞報(bào)道、業(yè)內(nèi)專家采訪及QYResearch整理研究，2024年2023年印度市場主要廠商SiC和GaN外延生長設(shè)備銷量市場份額資料來源：上述企業(yè)，第三方資料、新聞報(bào)道、業(yè)內(nèi)專家采訪及QYResearch整理研究，2024年印度市場主要廠商SiC和GaN外延生長設(shè)備收入及市場占有率印度市場主要廠商SiC和GaN外延生長設(shè)備收入（2019-2024）印度市場主要廠商SiC和GaN外延生長設(shè)備收入（2019-2024）&（萬元）公司名稱201920202021202220232024NuFlareTechnologyInc.XXXXXXXXXXXXTokyoElectronLimitedXXXXXXXXXXXXNAURAXXXXXXXXXXXXVEECOXXXXXXXXXXXXTaiyoNipponSansoXXXXXXXXXXXXAixtronXXXXXXXXXXXXAdvancedMicro-FabricationEquipmentInc.China(AMEC）XXXXXXXXXXXXASMInternationalXXXXXXXXXXXX其他廠商XXXXXXXXXXXX合計(jì)XXXXXXXXXXXX資料來源：上述企業(yè)，第三方資料、新聞報(bào)道、業(yè)內(nèi)專家采訪及QYResearch整理研究，2024年印度市場主要廠商SiC和GaN外延生長設(shè)備收入市場份額（2019-2024）印度市場主要廠商SiC和GaN外延生長設(shè)備收入份額（2019-2024）公司名稱201920202021202220232024NuFlareTechnologyInc.XXXXXXXXXXXXTokyoElectronLimitedXXXXXXXXXXXXNAURAXXXXXXXXXXXXVEECOXXXXXXXXXXXXTaiyoNipponSansoXXXXXXXXXXXXAixtronXXXXXXXXXXXXAdvancedMicro-FabricationEquipmentInc.China(AMEC）XXXXXXXXXXXXASMInternationalXXXXXXXXXXXX其他廠商XXXXXXXXXXXX合計(jì)XXXXXXXXXXXX資料來源：上述企業(yè)，第三方資料、新聞報(bào)道、業(yè)內(nèi)專家采訪及QYResearch整理研究，2024年2023年印度市場主要廠商SiC和GaN外延生長設(shè)備收入市場份額資料來源：上述企業(yè)，第三方資料、新聞報(bào)道、業(yè)內(nèi)專家采訪及QYResearch整理研究，2024年印度市場主要廠商SiC和GaN外延生長設(shè)備價格（2019-2024）印度市場主要廠商SiC和GaN外延生長設(shè)備價格（2019-2024）&（美元/臺）公司名稱201920202021202220232024NuFlareTechnologyInc.XXXXXXXXXXXXTokyoElectronLimitedXXXXXXXXXXXXNAURAXXXXXXXXXXXXVEECOXXXXXXXXXXXXTaiyoNipponSansoXXXXXXXXXXXXAixtronXXXXXXXXXXXXAdvancedMicro-FabricationEquipmentInc.China(AMEC）XXXXXXXXXXXXASMInternationalXXXXXXXXXXXX資料來源：上述企業(yè)，第三方資料、新聞報(bào)道、業(yè)內(nèi)專家采訪及QYResearch整理研究，2024年SiC和GaN外延生長設(shè)備行業(yè)集中度、競爭程度分析2023年印度市場前五大廠商SiC和GaN外延生長設(shè)備市場份額資料來源：上述企業(yè)、第三方資料、新聞報(bào)道、業(yè)內(nèi)專家采訪及QYResearch整理研究，2024年印度本土廠商情況分析印度市場SiC和GaN外延生長設(shè)備市場機(jī)會分析新品牌進(jìn)入印度市場運(yùn)營及本地化建議主要企業(yè)簡介NuFlareTechnologyInc.NuFlareTechnologyInc.基本信息、SiC和GaN外延生長設(shè)備生產(chǎn)基地、總部、競爭對手及市場地位NuFlareTechnologyInc.SiC和GaN外延生長設(shè)備生產(chǎn)基地、總部、競爭對手及市場地位#項(xiàng)目描述1企業(yè)名稱NuFlareTechnologyInc.2企業(yè)官網(wǎng)3商業(yè)化生產(chǎn)日期4生產(chǎn)基地5總部所在地6主要經(jīng)濟(jì)活動7市場地位8主要競爭對手9聯(lián)系方式資料來源：NuFlareTechnologyInc.；第三方資料、新聞報(bào)道、業(yè)內(nèi)專家采訪及QYResearch整理研究，2024年NuFlareTechnologyInc.SiC和GaN外延生長設(shè)備產(chǎn)品規(guī)格、參數(shù)及市場應(yīng)用NuFlareTechnologyInc.SiC和GaN外延生長設(shè)備產(chǎn)品規(guī)格、參數(shù)及市場應(yīng)用產(chǎn)品描述資料來源：NuFlareTechnologyInc.；第三方資料、新聞報(bào)道、業(yè)內(nèi)專家采訪及QYResearch整理研究，2024年NuFlareTechnologyInc.公司簡介及主要業(yè)務(wù)NuFlareTechnologyInc.公司簡介及主要業(yè)務(wù)NuFlareTechnologyInc.詳情描述企業(yè)概況主要業(yè)務(wù)資料來源：NuFlareTechnologyInc.；第三方資料、新聞報(bào)道、業(yè)內(nèi)專家采訪及QYResearch整理研究，2024年NuFlareTechnologyInc.企業(yè)最新動態(tài)NuFlareTechnologyInc.企業(yè)最新動態(tài)日期詳情描述資料來源：NuFlareTechnologyInc.；第三方資料、新聞報(bào)道、業(yè)內(nèi)專家采訪及QYResearch整理研究，2024年TokyoElectronLimitedTokyoElectronLimited基本信息、SiC和GaN外延生長設(shè)備生產(chǎn)基地、總部、競爭對手及市場地位TokyoElectronLimitedSiC和GaN外延生長設(shè)備生產(chǎn)基地、總部、競爭對手及市場地位#項(xiàng)目描述1企業(yè)名稱TokyoElectronLimited2企業(yè)官網(wǎng)3商業(yè)化生產(chǎn)日期4生產(chǎn)基地5總部所在地6主要經(jīng)濟(jì)活動7市場地位8主要競爭對手9聯(lián)系方式資料來源：TokyoElectronLimited；第三方資料、新聞報(bào)道、業(yè)內(nèi)專家采訪及QYResearch整理研究，2024年TokyoElectronLimitedSiC和GaN外延生長設(shè)備產(chǎn)品規(guī)格、參數(shù)及市場應(yīng)用TokyoElectronLimitedSiC和GaN外延生長設(shè)備產(chǎn)品規(guī)格、參數(shù)及市場應(yīng)用產(chǎn)品描述資料來源：TokyoElectronLimited；第三方資料、新聞報(bào)道、業(yè)內(nèi)專家采訪及QYResearch整理研究，2024年TokyoElectronLimited公司簡介及主要業(yè)務(wù)TokyoElectronLimited公司簡介及主要業(yè)務(wù)TokyoElectronLimited詳情描述企業(yè)概況主要業(yè)務(wù)資料來源：TokyoElectronLimited；第三方資料、新聞報(bào)道、業(yè)內(nèi)專家采訪及QYResearch整理研究，2024年TokyoElectronLimited企業(yè)最新動態(tài)TokyoElectronLimited企業(yè)最新動態(tài)日期詳情描述資料來源：TokyoElectronLimited；第三方資料、新聞報(bào)道、業(yè)內(nèi)專家采訪及QYResearch整理研究，2024年NAURANAURA基本信息、SiC和GaN外延生長設(shè)備生產(chǎn)基地、總部、競爭對手